DE2458789A1 - Halbleiteranordnung - Google Patents
HalbleiteranordnungInfo
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Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19742458789 DE2458789A1 (de) | 1974-08-30 | 1974-12-12 | Halbleiteranordnung |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2441613A DE2441613C2 (de) | 1974-08-30 | 1974-08-30 | Halbleiteranordnung |
| DE19742458789 DE2458789A1 (de) | 1974-08-30 | 1974-12-12 | Halbleiteranordnung |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2458789A1 true DE2458789A1 (de) | 1976-06-16 |
| DE2458789C2 DE2458789C2 (cg-RX-API-DMAC10.html) | 1987-08-20 |
Family
ID=33160354
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19742458789 Granted DE2458789A1 (de) | 1974-08-30 | 1974-12-12 | Halbleiteranordnung |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE2458789A1 (cg-RX-API-DMAC10.html) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2547906A1 (fr) * | 1983-03-24 | 1984-12-28 | Uop Inc | Bande a surface amelioree d'ebullition germinee et dispositif de refroidissement de composants electroniques |
-
1974
- 1974-12-12 DE DE19742458789 patent/DE2458789A1/de active Granted
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| "Electronic Design", Bd. 22, 1974, Nr. 14, S. 32,34 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2547906A1 (fr) * | 1983-03-24 | 1984-12-28 | Uop Inc | Bande a surface amelioree d'ebullition germinee et dispositif de refroidissement de composants electroniques |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2458789C2 (cg-RX-API-DMAC10.html) | 1987-08-20 |
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| 8178 | Suspension cancelled | ||
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