DE2454551C3 - Verfahren zur Herstellung einer widerstandsfähigen Orientierungsschicht für Flüssigkristalle - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer widerstandsfähigen Orientierungsschicht für Flüssigkristalle

Info

Publication number
DE2454551C3
DE2454551C3 DE19742454551 DE2454551A DE2454551C3 DE 2454551 C3 DE2454551 C3 DE 2454551C3 DE 19742454551 DE19742454551 DE 19742454551 DE 2454551 A DE2454551 A DE 2454551A DE 2454551 C3 DE2454551 C3 DE 2454551C3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
starting material
production
layers
liquid crystals
alignment layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE19742454551
Other languages
English (en)
Other versions
DE2454551B2 (de
DE2454551A1 (de
Inventor
Peter Vaduz Rheinberger
Erich Schaanwald Zollinger
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Balzers Hochvakuum 6200 Wiesbaden GmbH
Original Assignee
Balzers Hochvakuum 6200 Wiesbaden GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Balzers Hochvakuum 6200 Wiesbaden GmbH filed Critical Balzers Hochvakuum 6200 Wiesbaden GmbH
Publication of DE2454551A1 publication Critical patent/DE2454551A1/de
Publication of DE2454551B2 publication Critical patent/DE2454551B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2454551C3 publication Critical patent/DE2454551C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer widerstandsfähigen Orientierungsschicht für Flüssigkristalle gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Aus der DE-OS 23 16 996 ist es bekannt, zur Herstellung von Orientierungsschichten für nematische kristalline Flüssigkeiten außer Siliziummonoxid auch Metalle wie Platin, Gold. Zinn, Blei, Aluminium, Kupfer. Silber oder Chrom schräg auf die in Kontakt mit dem Flüssigkristall kommende Oberfläche einer Unterlage aufzudampfen.
In Appl. Phys. Letters 22. (1973) Seiten 386-388 wird festgestellt, daß die bis jetzt benutzten Orientierungsschichten sich mit der Zeit chemisch verändern, wodurch sich ihre Orientierungsfähigkeit verschlechtert, und es wird vorgeschlagen, Silane für solche Schichten zu verwenden, besonders solche der allgemeinen Formel RSiX j, wobei R eine organische Orientierungsgruppe, welche an das Siliziumatom gebunden 'ist. und X eine hydrolisierbare Gruppe darstellt. Das Aufbringen dieser organischen Schichtmalcrialicn. wobei die Schichten zwecks Polymerisation der Silanmonomere zu Polysiloxanen einer Behandlung bei Temperaturen bis zu 250° C unterworfen werden, erfolgt z. B. mittels eines Tauchverfahrens. Die Polymerisation soll eine Herabsetzung der Empfindlichkeit der Schichten gegen Feuchtigkeit und andere Agentien bewirken. Will man organische Schichtmaterialicn vermeiden, besteht gemäß Appl. Phys. Letters 19,(1971) Seiten 391-393 die Möglichkeit, Zinnoxid für die Orienlieriingsschichlen zu verwenden, die zur Erhöhung ihrer Stabilität geglüht werden können.
Es scheint jedoch, daß alle bekannten Möglichkeiten für Orientierungsschichten inbezug auf ihre Fähigkeit, nematische kristalline Flüssigkeit zu orientieren, einerseits und hinsichtlich ihrer Haltbarkeit und Lebensdauer andererseits, die Benutzer nicht voll befriedigen.
Von dem gegebenen Stand der Technik ausgehend liegt der Erfindung deshalb die Aufgabe zugrunde, ein weiteres Verfahren für die Herstellung von Orientierungsschichten, die sich durch eine besonders hohe
ίο mechanische und chemische Beständigkeit auszeichnen und damit eine lange Gebrauchsdauer besitzen, zur Verfügung zu stellen.
Das erfindungsgemäße Verfahren ist zur Lösung dieser Aufgabe dadurch gekennzeichnet, daß als Ausgangsmaterial ein Borid verwendet wird.
Versuche haben ergeben, daß es in den meisten Fällen genügt, wenn die Schichten vor Gebrauch wenigstens 10 Minuten lang einer Temperatur von wenigstens 3000C ausgesetzt werden. Die Temperung kann schon während der Herstellung der Schichten erfolgen, oder es kann vorieilhafterweise die fertig aufgebrachte Schicht getempert werden. Alle Verfahren zur Erhitzung der Schichten, sei es noch in der Aufdampfanlage selbst z. B. durch Elektronenbeschuß oder Beheizung der Unterlage der Schicht mittels elektrischer Heizeinrichtungen können angewendet werden, ebenso eine nachträgliche Temperung im Ofen.
Schichten aus Boriden. die nach der Aufbringung auf die Unterlagen einer Temperaturbehandlung bei z. B.
400 bis 5000C unterworfen werden, sind wegen ihres breiten Anwendungsbereiches und ihrer Stabilität besonders vorteilhaft. Sie besitzen eine sehr hohe mechanische und chemische Beständigkeit, die derjenigen der bisher für die Orientierung von nematischen
)5 Flüssigkeiten verwendeten Schichten weit überlegen erscheint — eine Begrenzung ihrer Lebensdauer bei sachgemäßem Gebrauch konnte bisher nicht aufgezeigt werden.
Im Rahmen der Erfindung haben sich insbesondere Schichten aus Zirkonborid (ZrB2) bewährt, die mittels Elektronenkanone unter einem Winkel von 45° (oder größer) gegenüber der Flächennormalen aufgedampft und bei 450° 10 Minuten lang in einem Ofen unter Luft von Atmosphärendruck nachgetempert wurden.
Dabei wurde gefunden, daß es vorteilhaft ist, dem Ausgangs-Aufdampfmatcrial ZrB; eine Spur eines Alkalimetals beizumischen, insbesondere Natrium oder Kalium in Form von NaOH bzw. KOH. Es genügt eine Beimischung von höchstens I Gewichtsprozent.
Dies führt offenbar zu einer Schichtstruktur, die eine besonders gute Richtwirkung ergibt. Möglicherweise spielt auch ein katalytischer Vorgang bei der Aufdampfung eine Rolle.
Die Erfindung bezieht sich nicht nur auf durch
M Schrägaufdampfen hergestellte Schichten, sondern läßt sich auch auf Schichten anwenden, die mit anderen bekannten Vakuumverfahren zur Erzielung einer Vorzugsorientierung aufgebracht wurden. Es ist bekannt, daß eine Vorzugsrichtung der Kristallite der
Mi Schient beispielsweise auch durch (während tief Niederschlagung im Bereich der Substrate aufrechterhaltene) elektrische oiler magnetische Felder, die eine Komponente bestimmter Richtung parallel zur Substratoberfläche aufweisen, erhallen werden kann.

Claims (6)

Patentansprüche:
1. Verfahren zur Herstellung einer widerstandsfähigen Orientierungsschicht für Flüssigkristalle, wobei auf eine Unterlage im Vakuum eine dünne Schicht mit in einer Vorzugsrichtung orientierten Kristalliten aufgebracht und einer Temperaturbehandlung unterworfen wird, dadurch gekennzeichnet, daß als Ausgangsmaterial ein Borid verwendet wird.
2. Verfahren nach Patentanspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht schräg aufgedampft wird.
3. Verfahren nach Patentanspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Ausgangsmaterial Zirkonborid (ZrB2) verwendet wird.
4. Verfahren nach Patentanspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß dem Ausgangsmaterial ein Alkalimetall in einer Menge von höchstens { Gewichtsprozent beigemischt wird.
5. Verfahren nanh Patentanspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß dem Ausgangsmaterial Natrium in freier oder chemisch gebundener Form beigemischt wird.
6. Verfahren nach Patentanspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß dem Ausgangsmaterial Kalium in freier oder gebundener Form beigemischt wird.
DE19742454551 1973-12-21 1974-11-18 Verfahren zur Herstellung einer widerstandsfähigen Orientierungsschicht für Flüssigkristalle Expired DE2454551C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CH1812173A CH575632A5 (de) 1973-12-21 1973-12-21

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2454551A1 DE2454551A1 (de) 1975-10-30
DE2454551B2 DE2454551B2 (de) 1979-08-23
DE2454551C3 true DE2454551C3 (de) 1980-04-30

Family

ID=4430599

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19742454551 Expired DE2454551C3 (de) 1973-12-21 1974-11-18 Verfahren zur Herstellung einer widerstandsfähigen Orientierungsschicht für Flüssigkristalle

Country Status (5)

Country Link
CH (1) CH575632A5 (de)
DE (1) DE2454551C3 (de)
FR (1) FR2255615B1 (de)
GB (1) GB1485140A (de)
NL (1) NL164395C (de)

Also Published As

Publication number Publication date
FR2255615A1 (de) 1975-07-18
DE2454551B2 (de) 1979-08-23
DE2454551A1 (de) 1975-10-30
CH575632A5 (de) 1976-05-14
NL7400938A (nl) 1975-06-24
GB1485140A (en) 1977-09-08
NL164395C (nl) 1980-12-15
FR2255615B1 (de) 1978-09-29
NL164395B (nl) 1980-07-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS5851503A (ja) 導体組成物
DE3872697T2 (de) Kupferpulver fuer leitfaehige ueberzuege und leitfaehige ueberzugsmassen.
DE69418427T2 (de) Elektrisch leitfähige Silikonkautschukzusammensetzung
DE1596851B2 (de) Elektrischer widerstand aus einem keramischen grundkoerper und einer glasigen widerstandsschicht
EP0264635B1 (de) Elektrisch leitfähiger Klebstoff für hohen Temperaturbereich
DE2650465A1 (de) Anschluss fuer elektrische bauelemente, insbesondere fuer elektrische widerstaende und verfahren zur herstellung desselben
DE1216499B (de) Auf Eisen oder Eisenlegierungen aufgebrachtes Email mit hoher Dielektrizitaetskonstante
DE2454551C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer widerstandsfähigen Orientierungsschicht für Flüssigkristalle
DE3415772C2 (de)
DE2445659C2 (de) Metalloxid-Varistor
DE2312563C2 (de)
DE3341523C2 (de) Silber-Metallisierungs-Zusammensetzung für dicke Filme
DE2642161A1 (de) Stromleitender film fuer elektrische heizgeraete
DE1216255B (de) Verfahren zum UEberziehen von fein zerteilten hochreaktionsfaehigen Materialien
DE1246513B (de) Verfahren zur Herstellung von Formkoerpern aus Titandiborid
DE68915208T2 (de) Herstellungsverfahren für Varistormaterial.
DE1173373B (de) Verfahren zur Herstellung von Initial-sprengstoffen mit definierter elektrischer Leitfaehigkeit
DE102009014424A1 (de) Stoff aus Metall und Milchsäurekondensat sowie elektronisches Bauteil
DE801736C (de) Verfahren zur Herstellung von einbrennfaehigen Anstrichbindemitteln
DE3011694C2 (de) Verfahren zur Beschichtung von Verschleißflächen, z.B. Kontaktflächen für die Schwachstromtechnik
DE1596851C3 (de) Elektrischer Widerstand aus einem keramischen Grundkörper und einer glasigen Widerstandsschicht
DE2029266A1 (en) Vapour plated ceramic resistances - using alloy contg aluminium and/or copper in addition to nickel and chromium
DE758292C (de) Verfahren zur Herstellung eines Widerstandskoerpers mit negativem Temperaturbeiwert des Widerstandes
DE2026472C3 (de) Metallisierungsmasse auf Grundlage von Silber und anorganischem Bindemittel
AT160205B (de) Elektrische Geräte.

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee