DE2452215A1 - Verfahren zur herstellung eines einkristalls grossen querschnittes, vorrichtung zum durchfuehren dieses verfahrens und durch dieses verfahren erhaltene einkristalle - Google Patents

Verfahren zur herstellung eines einkristalls grossen querschnittes, vorrichtung zum durchfuehren dieses verfahrens und durch dieses verfahren erhaltene einkristalle

Info

Publication number
DE2452215A1
DE2452215A1 DE19742452215 DE2452215A DE2452215A1 DE 2452215 A1 DE2452215 A1 DE 2452215A1 DE 19742452215 DE19742452215 DE 19742452215 DE 2452215 A DE2452215 A DE 2452215A DE 2452215 A1 DE2452215 A1 DE 2452215A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
diameter
section
zone
cross
band
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19742452215
Other languages
English (en)
Inventor
Christian Georges Belin
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE2452215A1 publication Critical patent/DE2452215A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/02Zone-melting with a solvent, e.g. travelling solvent process

Description

FTlIW. 739 i. Va/EVH.
Oip!-in" 'ί
PHN- 7391
vom.
,: PHN 7391
1. NOV. 1974 2452215
Verfahren zur Herstellung eines Ej.nkrista.lls grossen Querschnittes, Vorrichtung zum Durchführen dieses Verfahrens und durch dieses" Verfahren erhaltene Einkristalle
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus einem polykristallinen Stab, bei dem entlang des genannten Stabes eine geschmolzene Lösungszone verschoben wird, die in Form eines Scheibchens zwischen dem polykristallinen Stab und einem einkristallinen Keim angebracht ist und mit Hilfe eines Metallbandes erhitzt wird, das der Einwirkung eines von zwei an den beiden Enden des genannten Bandes befestigten Elektroden zugeführten Stromes unterworfen ist.
Die vorliegende Erfindung bezieht sich weiterhin auf eine Vorrichtung zum Durchführen.dieses Verfahrens,
509821/0932
- 2 - 25.7.72U
Auch, bezieht sich, die Erfindung auf die durch.- - - : Anwendung dieses Verfahrens erhaltenen Einkristalle,
Nach einem bekannten Verfahren zur Züchtung in einer Lösung (siehe insbesondere die französische Patentschrift 2 138 232) wird ein Stab aus polykristallinem Material gegen mindestens ein Scheibchen eines Lösungsmittels in Kontakt mit einem einkristallxnen Keim gesetzt und wird dann sichergestellt, dass ein Temperaturgradient längs der Achse des Stabes auf dem Pegel des genannten Scheibchens erhalten wird, derart, dass eine Lösungszone mit zu der Achse des Stabes senkrechten flachen Grenzflächen ge.bild.et wird. Dann wird die genannte Zone entlang des Stabes von dem -Keim an verschoben« Der Temperaturgradient wird durch Erhitzung eines Metallbandes durch den Joule-Effekt erhalten, wobei in der Mitte dieses Bandes eine Anzahl von Löchern innerhalb eines Kreises mit einem Durchmesser in der gleichen Grössenordnung wie dem des Stabes angebracht sind, tind wobei dieser Kreis in der Lösungszone senkrecht zu der Achse des Stabes und genau in der Mitte der Höhe der genannten Zone angeordnet ist« Diese Anzahl von Löchern ermöglicht den Transport von Material von dem polykristallinen Stab zu dem einkristallinen Keim,
Eine derartige Erhitzungsvorrichtung in Form eines Bandes, in dessen Mitte nun nicht eine Anzahl von Löchern, sondern ein einziges Loch, angebracht ist, dessen Durchmesser viel kleiner als der des polykristallinen Stabes ist, ist
509821/0932 *
- 3 - · 25.7.7V
ebenfalls bekannt und in der französischen Patentschrift 1 412 210 beschrieben.
Dieses Verfahren, wenn auch interessant, weist bei der Herstellung von Einkristallen grossen Querschnittes (Durchmesser >10 mm) eine gewisse Anzahl Nachteile auf. Es stellt sich nämlich heraus, dass zwischen der Mitte und den beiden Enden des Bandes ein sehr grosser Temperaturgradient erhalten wird. Obgleich der Kristall eine derartige Drehbewegung vollführt, dass auf dem Pegel der Wachstums,-grenzflache die Temperatur homogenisiert wird, sind die Temperattirunt er schiede, die bis zu 100 bis 1500C betragen können, su gross, um keine wesentlichen Aenderungen der Wachsttunsgeschwindigkeit herbeizuführen, welche Aenderungen sich in einer Aenderung der kristallinen Güte Kussern.
Dieser thermische Gradient ist im wesentlichen auf die grossen thermischen Verluste zurückzuführen, die durch Leitung in dem Band selber herbeigeführt werden»
Die vorliegende Erfindung bezweckt u.a., ein Verfahren zu schaffen, bei dem rings um den polykristallinen Stab eine konstante Temperatur aufrechterhalten wird.
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus einem polykristallinen Stab, bei dem entlang des genannten Stabes eine geschmolzene Lösungszone verschoben wird, die in Form eines Scheibchens zwischen dem polykristallinen Stab und einem einkristallinen Kοim angebracht ist und durch ein Metallband erhitzt wird,
509821/09 32
~ k - 25.7.7*l·.
das der Einwirkung eines von zwei an den Enden des genannten Bandes befestigten Elektroden zugeführten Stromes ausgesetzt wird, welches Verfahren dadurch gekennzeichnet ist, dass, durch Vergrösserung des Widerstandes in zwei lateralen Zonen "d" des Bandes eine Zunahme der Temperatur herbeigeführt wird, wobei die genannten Zonen, die sich über die ganze Breite des genannten Bandes erstrecken, in bezug auf die Achse des polykristallinen Stabes zueinander symmetrisch sind, in einem Abstand "1" voneinander liegen und je zwischen dem genannten Stab und einer der beiden Elektroden angeordnet sind.
Die Grosse "1" wird durch die Formel 1 = D2 + A definiert, in der D„ den Durchmesser der Lösungszone und A eine Sicherheitsmarge darstellt, wobei der Durchmesser D2 der Lbsungszone eine Funktion des Durchmessers D.. des polykristallinen Stabes und der Durchmesser D- seinerseits eine Funktion des Durchmessers D„ des einkristallinen Keimes und der respektiven Dichten der beiden Materialien ist. Die Sicherheitsmarge A muss mindestens gleich 4 mm sein.
Tatsächlich wird eine Marge von 2 mm zu beiden Seiten der Lösungszone zwischen der genannten geschmolzenen Lösungszone und jeder lateralen Zone "d" mit erhöhtem Widerstand eingehalten.
Durch diese Marge kann vermieden werden, dass die geschmolzene Lösungszone einen ungünstigen Einfluss auf die lateralen Zonen "d" ausübt, deren Widerstand von dieser Zone
509821/0932
- j; - 25.7.74.
auf unlcontrollxerbare Weise geändert werden würde; ausserdem würden die genannten Zonen "d" mit einer erhöhten Temperatur die Neigung aufweisen, die genannte Lösungszone anzuziehen.
Die vorliegende Erfindung bezieht sich weiterhin auf eine Vorrichtung zum Durchführen dieses Verfahrens. Diese Vorrichtung ist ein metallenes Erhitzungsband, an dessen Enden Elektroden befestigt sind, deren Breite gleich der des Bandes ist, wobei in der mittleren Zone dieses Bandes eine Anzahl von Löchern in einem Kreis angebracht ist, dessen Durchmesser in der gleichen Grössenordnung wie der des zu behandelnden Stabes liegt, welche Vorrichtung dadurch gekennzeichnet ist, dass sie in zwei lateralen Zonen "d" über die ganze Breite zu beiden Seiten der mittleren Zone zwischen der genannten mittleren Zone und jeder Elektrode und senkrecht zu der Stromrichtung eine Verjüngung des Querschnittes aufweist. Infolge dieser Verjüngung des Querschnittes wird die von den beiden lateralen Zonen begrenzte Oberfläche des Bandes auf eine gleichniässige Temperatur gebracht.
Tatsächlich gründet sich die Erfindung darauf, dass es gemäss dem Jouleschen Gesetz bekannt ist, dass die Menge während einer Zeitdauer t abgegebener Wärme durch die Formel
1 2
Q = *R I t bestimmt wird; weil die Zeitdauer t sowie die Intensität I festliegen, ergibt sich daraus, dass Q eine Punktion des Widerstandes R ist, so dass es zur Vergrösserung der abgegebenen Wärmemenge Q genügt, den Widerstand R zu vergrössern und damit den Querschnitt des genannten Widerstandes : zu verringern.
509821/0932
Um die Temperatur an den beiden. Enden des Metallbandes zu erhöhen und eine Oberfläche zu erhalten, auf der die Temperatur an jedem Punkt dieselbe ist, wird daher der Querschnitt des Bandes an seinen beiden Enden verringert. /
Damit die Verjüngung zweckmässig sein soll, muss sie mindestens 80$ des Querschnittes betragen.
Es ist möglich, den Querschnitt des Bandes dadurch zu verringern, dass eine Anzahl von Oeffnungen über die ganze Breite des Bandes gemäss mindestens einer Reihe auf jeder Seite der mittleren Zone zwischen der genannten mittleren Zone und der betreffenden Elektrode und senkrecht zu der Stromrichtung angebracht wird. Die Oeffnungen können vorzugsweise gemäss mehreren zueinander parallelen Reihen angebracht sein, wobei sie dann gegeneinander versetzt sind und eine Kreisform (Löcher) oder eine langgestreckte Form (Spalte) aufweisen können, ■ '·'·
Diese Verjüngung kann auch dadurch erhalten werden, dass eine Anzahl von Nuten, in dem Metallband angebracht wird. Diese Nuten müssen zu der Stromrichtung senkrecht verlaufen;, sie werden zugleich auf der oberen und der unteren Fläche des Bandes einander gegenüber angebracht? zwischen der mittleren mit Löchern versehenen Zone und jeder Elektrode sind mindestens zwei einander gegenüberliegende Nuten erforderlich.
Neben der Verjüngung des Querschnittes beabsichtigt das Vorhandensein von Hindernissen, wie Löchern oder Nuten,
509821/0932
In dem normalen Stromweg, den genannten Weg zu vergrSssern und damit die Erhitzung des Bandes in der Nähe der genannten Hindernisse zu fördern*
Durch die auf jeder Seite der mittleren Zone zwischen der genannten mittleren Zone und jeder Elektrode erhaltene zusätzliche Erhitzung wird die in dem Metallband und in den Stromzuführungselektroden auftretende thermische Leitung kompensiert.
Dies hat insbesondere zur Folge, dass die örtliche Verkleinerung des Querschnittes des Bandes umso stärker sein muss, desto grosser die Wärmeverluste durch die Elektroden s ind ·
Das Band muss derartig sein, dass es in bezug auf die Lösungsmittel und auf die Atmosphäre gut chemisch resistent ist, dass es einen spezifischen Widerstand besitzt, der mit der verfügbaren Leistung vereinbar ist, und dass es genügend starr ist, damit es bei der Betriebstemperatxir nicht verflüssigt. Aus diesen Gründen wird als Material für dieses Band vorzugsweise Platin gewählt.
Um die Verformung infolge der Ausdehnung zu vermeiden, v/eist das Metallband an jedem Ende eine Faltlinie auf, die zu der betreffenden ElektxOde parallel ist und sich zwischen der Verjüngung des Querschnittes und der genannten Elektrode befindet.
Die Erfindung wird nachstehend beispielsweise an Hand der Zeichnung näher":erläutert. Es zeigen:
509821/0932
Fig. 1 perspektivisch eine Draufsicht auf ein Metallband nach der Erfindung,
Fig. 2 die Wärmeverteilungskurve auf dem Pegel des Metallbandes,
Fig. 3 ebenfalls ein Metallband nach der Erfindung, aber in weiterer Ausarbeitung,
Fig. ^a1 und 4a2, 4b.j und ^b2, ^c1 und hc^ im Detail drei Möglichkeiten zur Verringerung des Querschnittes des Metallbandes,
Fig. 5a und 5b schematisch den Stromweg in einem Teil eines nicht erfindungsgemässen Metallbandes bzw. in einem Teil eines erfindungsgemässen Bandes, und
Fig. 6 eine Seitenansicht einer Anlage, die mit der Vorrichtung zum Durchführen des erfindungsgemässen Verfahrens versehen ist.
Der Einfachheit und der Deiitlichkeit halber sind entsprechende Teile in den verschiedenen Figuren mit den gleichen Ziffern und Bezugszeichen bezeichnet, aber die Figuren sind in bezug aufeinander nicht masstäblich gezeichnet. Tatsächlich zeigen gewisse Figuren nur Teile der Vorrichtung, die vollständig in anderen Figuren dargestellt sind#
In Fig, 1 liegt zwischen zwei Elektroden 1 und 2 ein Metallband 3» das in der mittleren Zone 4 mit einer Anzahl von Löchern versehen ist und auf jeder Seite der mittleren Zone zwischen der genannten Zone und jeder Elektrode, eine mit "d" bezeichnete Zone aufweist, die zu jeder Elektrode
509821/0932
parallel und somit zu der Stromrichtung senkrecht ist und sich über die ganze Breite des genannten Bandes erstreckt und mit Oeffnungen 5 gemäss z,B, zwei Reihen versehen ist.
Fig. 2 zeigt die Wärmeverteilungskurve auf dem Pegel des Metallbandes, die sehr einfach schematisch mit einer die beiden Elektroden 1 und 2 miteinander' verbindenden Geraden angedeutet ist. Auf dem Band ist mit 4 die mittlere Zone bezeichnet, die mit Löchern versehen ist, wobei auf jeder Seite dieser Zone die Zonen "d" liegen, in denen der Querschnitt des Bandes verringert wird, welche Zonen "d" in einem Abstand "1" voneinander liegen. In diesem Schema ist mit vollen Linien die Kurve A der Temperatur auf einem Band angegeben, das nur in der mittleren Zone h mit Löchern versehen ist. Es stellt sich heraus, dass ein sehr grosser Temperaturgradient zwischen der Mitte und den beiden Enden des Bandes erhalten wird. Mit punktierten Linien ist die Kurve B der Temperaturverteilung über das Band angegeben, wenn letzteres eine Verjüngung des Querschnittes in den Zonen "d" aufweist; aus der Betrachtung dieser Kurve ergibt sich, dass die Tempex-atur nun über das ganze Band homogen ist,
Fig, 3 zeigt dieselbe Vorrichtung wie Fig. 1, aber um zu vermeiden, dass das Metall durch Ausdehnung unter dem Einfluss der Temperatur, auf die es dtirch Stromdurchgang gebracht wird, verformt wird, wird das Band 3 gemäss zwei zu den Elektroden parallelen Faltlinien gefaltet, wobei die FaItlinie 31 nahe bei der Elektrode 1 und die FaItlinie 32 nahe bei der Elektrode 2 liegt,
509821/0932
- ίο - 25.7.72U
Die Figuren 4 zeigen verschiedene Möglichkeiten der Verringerung des Querschnittes des Erhitzungsbandes. Der Einfachheit halber ist nur eine Reihe von Oeffimngen darge-. stellt, aber es ist möglich, verschiedene (zueinander parallele) Reihen von Oeffnungen zu verwenden, unter der Bedingung, dass die Oeffnungen gegeneinander versetzt angebracht sind, Fig. 4a.. zeigt einen Teil des Bandes 3 mit einer Dicke "e" und die mit "d" bezeichnete Zone, in der Oeffnungen mit 5 bezeichnet sind« Fig. 4a? zeigt einen Schnitt längs XX1 der Fig. 4a... Die Oeffnungen 5, die hier kreisförmig sind, sind in der Dicke "e" des Bandes 3 angebracht} die Teile 6 sind schraffiert und bezeichnen den-verbleibenden Teil des Querschnittes des genannten Bandes 3»
In Fig. 4b- ist auf obenbeschriebene Weise der Querschnitt des genannten Bandes 3 mit einer Dicke "e" mit Hilfe rechteckiger Oeffnungen 5 gemäss einer Reihe in der Zone "dr verringert. Fig, 4b2, die einen Schnitt längs XX' der Fig. 4b.. zeigt, stellt in der Dicke "e" die Oeffnungen 5 und die schraffierten Zonen 6 dar, die die verbleibenden Teile des Querschnittes des Bandes sind.
In Fig. 4c. wird die Verjüngung des Querschnittes des Bandes 3 mit Hilfe von 2 Nuten 7 und 8 erhalten, die in der Dicke "e" des genannten Bandes einander gegenüber angebracht sind. Weitere Nuten können parallel zu den genannten Nuten 7 und 8 angebracht werden; dies ist der Einfachheit halber in diesem Schema nicht dargestellt. Fig. 4c„
509821/093 2
zeigt schraffiert den verbleibenden Teil 6 des Querschnittes zwischen den beiden Nuten 7 und 8.
Fig. 5a und 5b zeigen schematisch den Stromweg in einem Teil eines Bandes ohne Verjüngung des Querschnittes bzw. in einem Teil eines Bandes mit Oeffnungen 5 in der Zone "d". Es wird im letzteren Falle gefunden, dass der Strom nicht direkt hindurchgehen kann, aber die Oeffnungen umgehen muss; daher ist der Stromweg länger, was eine Erhitzung zur Folge hat; dies ist gerade der beabsichtigte Zweck.
Schliesslich zeigt Fig. 6 das Erhitzungsband 3 zwischen den beiden Elektroden 1 und 2, In seiner mittleren Zone k sind Oeffnungen angebracht, während es zu beiden Seiten dieser Zone die Zonen "d" mit verjüngtem Querschnitt aufweist 0
Das Metallband 3 sorgt dafür, dass ein Scheibchen eines Lösungsmittels zum Schmelzen gebracht wird, das im geschmolzenen Zustand die Lösungszone 10 mit einem Durchmesser Dp ergibt. Durch Aufziehen des festen Gebildes aus dem polykristallinen Stab 9 mit einem Durchmesser D1 und aus einem einkristallinen Keim 11■mit einem Durchmesser D„ werden ein fortschreitender Vorgang zum Lösen des polykristallinen Stabes 9» ein Transport in der Lösungszone 10 und ein Niederschlag in einkristalliner Form auf dem Keim 11 erhalten.
Es hat sich herausgestellt, dass die mit "d" bezeichneten Zonen, um eine zweckmässige Wirkung aufweisen zu können, vorzugsweise möglichst nahe bei dem von der
509821/0932
-■12 - 25.7.7'u
Lösungszone beanspruchten Gebiet liegen müssen»
Ausserdem hat sich gezeigt, dass die Breite des Bandes nicht als wesentlicher Parameter in Betracht kommt» Dem Band werden genau die Abmessungen der zu wachsenden Kristalle gegeben; gegebenenfalls können die Abmessungen vergrössert werden? es genügt, dass die Stromzuführungselektroden die gleiche Breite -wie das Band aufweisen.
Ausserdem sei bemerkt, dass' es umso leichter ist, eine Oberfläche mit gleich-massiger Temperatur zu erhalten, desto kleiner die Abmessungen der Kristalle sind. Je dichter man sich der mittleren Zone nähert, desto geringer ist die Steilheit des Temperaturgradienten und desto leichter kann er somit gleichmässig gemacht werden» Dies hat zur Folge, dass eine geringere Anzahl von Löchern oder Spalten vorgesehen zu werden braucht,
■V-,
Zur Erläuterung der vorliegenden Erfindung werden nachstehend einige Beispiele gegeben, wobei ein Platinband mit einer Dicke von 0,5 min verwendet wird. Herstellung eines Kristalls mit einem Durchmesser D. von
- Polykristalliner Stab mit einem Durchmesser D- =17 nun}
- Aussendurchmesser D2 der Lösungszone = 20 mm.
Diese Abmessung D2 wird mit Hilfe einer bekannten Formel berechnet, die eine Aenderung des Durchmessers D. des polykristallinen Stabes herbeiführt, welcher Durchmesser eine Funktion des Durchmessers D~ des zu erhaltenden Einkristalls sowie der Dichten der vorhandenen Materialien ist. Diese
509821/0932
- 13 - 25.7.7^.
Formel wird in der vorliegenden Beschreibung nicht genannt, denn sie ist für die Erfindung nicht wesentlich und kann von einem Fachmann leicht berechnet werden.
- Mindestbreite des Bandes 2k mm; tatsächlich wird zu beiden ■' Seiten der mittleren Zone in der Breitenrichtung eine Marge von 2 mm eingehalten, damit die Randeffekte herabgesetzt werden und verhindert wird, dass die Lösungszone den Widerstand des Bandes beeinträchtigt.
Wenn nur eine einzige Reihe von Löchern oder Spalten verwendet wird, d.h., wenn lediglich'.der Querschnitt des Leiters geändert wird, muss die Verjüngung des Querschnittes in der Grössenordnung von 85 bis 90/° liegen.
Wenn mehrere Reihen von Löchern oder Spalten verwendet werden, die gegeneinander versetzt sind, d.h., wenn sowohl der Querschnitt des Bandes als auch seine örtliche Leitfähigkeit geändert v/erden, ist eine Verjüngung des Querschnittes in der Gröss enordnung von 80 bis 85/° genügend. Herstellung eines Kristalls mit einem Durchmesser Dvon 25 mmj
Die bei dem vorangehenden Beispiel gemachten Bemerkungen in bezug auf den Durchmesser D2 der Lösungszone und auf den Wert der zwischen dem mittleren Scheibchen und den lateralen Zonen eingehaltenen Marge treffen auch hier zu; daher ist der Kristall mit dem Durchmesser D„ von 25 mm
in den folgenden Abmessungen erhalten?
- Polylcrxstalliner Stab mit dem Durchmesser D1 = 28 mm;
- Aussendurchmesser Dg der Lösungszone = 31 mm;
- Mindestbreite des Bandes = 35 mm; wie oben ist tatsächlich
509821/0 9 32
- 14 - 25.7.74.
zu beiden Seiten der mittleren Zone in der Breit enx'ichtung eine Sicherheitsmarge von 2 mm eingehalten.
Wenn nur eine einzige Reihe von Löchern verwendet wird, muss die Verjüngung des Querschnittes in der Grossenordnung von 90 bis 95f* liegen.
Wenn mehrere Reihen von Löchern verwendet werden, kann die Verjüngung des Querschnittes auf 85 oder 9O/o verringert werden.
Es dürfte einleuchten, dass sich die Erfindung nicht auf die obenbeschriebenen Ausführungsformen beschränkt, sondern dass im Rahmen der Erfindung für den Fachmann viele Abwandlungen möglich sind. Insbesondere kann in den lateralen Zonen, deren Widerstand vergrössert werden soll, ein geeignetes Material in Form z.B, eines oder mehrerer Bänder mit der gleichen Breite wie das metallene Erhitzungsband angebracht werden.
509821/0932

Claims (1)

  1. 25.7.74.
    PATENTANSPRUBC JIE t
    1· Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus einem polykristallinen Stab, bei dem längs des genannten Stabes eine geschmolzene Lösungszone verschoben wird, die in Form eines Scheibchens zwischen dem polykristallinen Stab und einem einkristallinen Keim angebracht wird, wobei das genannte Scheibchen mittels eines Metallbandes erhitzt wird, das der Einwirkung eines von zwei an den Enden des genannten Bandes befestigten Elektroden zugeführten Stromes ausgesetzt wird, dadurch gekennzeichnet, dass eine örtliche Zunahme der Temperatur durch Vergi-Össerung des Widerstandes in zwei lateralen Zonen "d" des Bandes herbeigeführt wird, welche Zonen sich über die ganze Breite des genannten Bandes erstrecken, in bezug auf die Achse des polykristallinen Sta:bes zueinander symmetrisch sind, in einem Abstand "1" voneinander liegen und je zwischon dem genannten Stab und einer der beiden Elektroden angeordnet sind, 2. Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Abstand "1" durch die Formel 1 = D, + A definiert ist, in der D2 den Durchmesser der Lösungszone und A eine Sicherheitsmarge darstellt, wobei der Durchmesser D^ der Lösungszone eine Funktion des Durchmessers D1 des polykristallinen Stabes ist, und wobei der Durchmesser D- seinerseits eine Funktion des Durchmessers D, des einkristallinen Keimes und dor respektiven Dichten der beiden vorhandenen Materialien ist, während A mindestens gleich h mm ist,
    509821/0932
    - 16 - 25.7.74·-'
    3» Vorrichtung rum Durchführen des Verfahrens nach Anspruch 1, die aus einem metallenen Erhitzungsband besteht, an dessen Enden Elektroden der gleichen Breite wie das genannte Band befestigt sind, welches Band in seiner mittleren Zone eine Anzahl von Löchern aufweist, die in einem Kreis angeordnet sind, dessen Durchmesser in der gleichen Grössenordnung wie der des zu behandelnden polykristallinen Stabes liegt, dadurch gekennzeichnet, dass sie in zwei lateralen Zonen "d" über ihre ganze Breite eine Verjüngung des Querschnittes zu beiden Seiten der Mittleren Zone zwischen der genannten mittleren Zone und jeder Elektrode und senkrecht zu der Stromrichtung aufweist,
    k, Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Verjüngung des Querschnittes mindesten· 8θ£ des genannten Querschnittes betragen muss* ■·. ' 5» Vorrichtung nach Anspruch "y.t dadurch gekennzeichnet, dass die Verjüngung des Querschnittes mit Hilfe iron Oeffnungen erhalten wird, die im wesentlichen in de« Metallband senkrecht zu der Stromrichtung vorgesehen werden» 6. Vorrichtung nach Anspruch 5» dadurch gekennzeichnet, dass die Oeffnungen in dem Metallband vorgesehen und in mindestens einer Reihe senkrecht zu der Stromrichtung angeordnet werden«
    7* Vorrichtung nach Anspruoh $t dadurch gekennzeichnet, dass die Oeffnungen Nuten sind, die in dem Band augleich auf der oberen und auf der unteren FIKche einander gegenüber angebracht sind«
    509821/0932 -
    . -17-
    8. Vorrichtung nach. Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Metallband an jedem Ende eine FaItlinie aufweist, die zu der betreffenden Elektrode parallel ist und sich zwischen der Verjüngung des Querschnittes und dieser Elektrode befindet.
    9. Durch Anwendung des Verfahrens nach Anspruch 1 hergestellte Einkristalle, .
    509821/0932
    Le
    erseite
DE19742452215 1973-11-15 1974-11-04 Verfahren zur herstellung eines einkristalls grossen querschnittes, vorrichtung zum durchfuehren dieses verfahrens und durch dieses verfahren erhaltene einkristalle Pending DE2452215A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR7340668A FR2251368A1 (en) 1973-11-15 1973-11-15 Monocrystal prodn. from poly-crystalline rod - by soln. zone melting using heating strip with constricted side zones for constant temp

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2452215A1 true DE2452215A1 (de) 1975-05-22

Family

ID=9127788

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19742452215 Pending DE2452215A1 (de) 1973-11-15 1974-11-04 Verfahren zur herstellung eines einkristalls grossen querschnittes, vorrichtung zum durchfuehren dieses verfahrens und durch dieses verfahren erhaltene einkristalle

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JPS5080281A (de)
DE (1) DE2452215A1 (de)
FR (1) FR2251368A1 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4323418A (en) * 1978-11-10 1982-04-06 Hitachi, Ltd. Method for growing a pipe-shaped single crystal
CN1109777C (zh) * 1999-11-24 2003-05-28 中国科学院物理研究所 异型加热片区熔生长晶体的方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2552292B1 (fr) * 1983-09-20 1985-10-25 Commissariat Energie Atomique Dispositif de mise en tension d'une plaque mince
KR101878465B1 (ko) * 2016-07-12 2018-07-13 기초과학연구원 단결정 금속포일, 및 이의 제조방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4323418A (en) * 1978-11-10 1982-04-06 Hitachi, Ltd. Method for growing a pipe-shaped single crystal
CN1109777C (zh) * 1999-11-24 2003-05-28 中国科学院物理研究所 异型加热片区熔生长晶体的方法

Also Published As

Publication number Publication date
FR2251368A1 (en) 1975-06-13
JPS5080281A (de) 1975-06-30
FR2251368B1 (de) 1976-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1515884C3 (de) Verfahren zum Abgleich des Wider standswertes eines in monolithischer Technik hergestellten Widerstandes
DE60307497T2 (de) Verfahren und vorrichtung zum züchten mehrerer kristalliner bänder aus einem einzigen tiegel
DE2450929A1 (de) Verfahren zum herstellen von isolationsgittern in koerpern aus halbleitendem material
DE112006002595B4 (de) Herstellungsvorrichtung und Herstellungsverfahren für einen Einkristall-Halbleiter
DE2452215A1 (de) Verfahren zur herstellung eines einkristalls grossen querschnittes, vorrichtung zum durchfuehren dieses verfahrens und durch dieses verfahren erhaltene einkristalle
DE3111657C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Magnetschichten auf Substraten mit Granatstruktur
DE3709731A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur einkristallzuechtung
DE2953410T1 (de) Semiconductor device production
DE2659303A1 (de) Verfahren zum herstellen von halbleiterelementen
DE2653287A1 (de) Verfahren zum herstellen von halbleiterelementen
DE3709729C2 (de)
DE2535160C3 (de) Vorrichtung zum epitaktischen Züchten einer Kristallschicht auf einem Halbleitersubstrat
DE3321201C2 (de) Tiegel zum Kristallziehen
DE1419738A1 (de) Verfahren zum Zuechten von duennen,flachen dendritischen Einkristallen
DE2110961A1 (de) Verfahren zum epitaktischen Aufwachsen einer ternaeren III-V-Mischung
DE2148777A1 (de) Graphitrohr fuer atomabsorptionsmessungen
DE1696016A1 (de) Anlage zur Herstellung von Flachglas
DE2738036A1 (de) Heizelement fuer die raumheizung
DE1935372C3 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Ziehen eines kristallinen Körpers vorbestimmten Querschnitts aus einer Schmelze
DE1046196B (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiters fuer Flaechengleichrichter, -transistoren od. dgl. mit mehreren Bereichen verschiedener Leitfaehigkeit
DE960762C (de) Glasziehverfahren und Vorrichtung dazu
DE967930C (de) Halbleiter mit P-N-Schicht und Verfahren zu seiner Herstellung
DE3743879A1 (de) Kohlenstoff-heizvorrichtung und zugehoeriges heizelement
DE2458026C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Einkristallstabes
AT265369B (de) Vorrichtung zum Ziehen von Kristallen

Legal Events

Date Code Title Description
OHJ Non-payment of the annual fee