DE2451362B2

DE2451362B2 - Schaltungsanordnung zur automatischen rueckstellung von digitalen schaltkreisen

Info

Publication number: DE2451362B2
Application number: DE19742451362
Authority: DE
Inventors: Allan Alec Tempe Ariz. Alaspa (V.St.A.)
Original assignee: Motorola Inc
Current assignee: Motorola Solutions Inc
Priority date: 1973-12-26
Filing date: 1974-10-29
Publication date: 1978-01-19
Also published as: GB1475908A; US3895239A; FR2256597A1; DE2451362C3; JPS5518381B2; DE2451362A1; JPS5099038A

Description

Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur automatischen Rückstellung von digitalen Schaltkreisen wie Kippstufen u.dgl., wobei eine Bezugsspannungs- -ίο schaltung vorhanden ist, die zwischen zwei Spannungspegeln (Betriebsspannung, Masse) einen Spannungsabfall erzeugt und an einem ausgangsseitigen Knotenpunkt eine Spannung zur Ansteuerung einer verstärkenden Umkehrstufe liefert. v>

Der Zweck einer derartigen Schaltung, die bei der Einschaltung einer Leistung wirksam ist, besteht darin, ein Signal zu liefern, das durch das Anschließen der Betriebsspannung ausgelöst wird und an den verschiedenen Knotenpunkten der Schaltung durch Aufladen fet) oder Entladen vorher festgelegte Niveaus einstellt, damit die Schaltung ihre Betriebsfunktion ausführen kann. Derartige Schaltungen werden in integrierten Schaltkreisen häufig benötigt, wenn logische Elemente und Flip-Flops auf einen bestimmten anfänglichen h"> logischen Zustand eingestellt werden sollen oder wenn Kondensatoren innerhalb der Schaltung für die Betriebsfunktion von einer bestimmten Anfangsfunklion ausgehen müssen. Es sind solche Schaltungen allgemein bekannt, die in integrierten MOS-I lalbleiterschaltungen vorgesehen werden und für ihre Funktion externe Komponenten benötigen. Diese Komponenten können z. B. aus Widerständen mit verhältnismäLSig großen Widerslandswerten und aus Kondensatoren mit großen Kapazitäten bestehen.

Diese hohen Widerstands- bzw. Kapazitätswerte und die damit verbundenen großen Zeilkonstanten bringen es mit sich, daß die Schaltungen nicht in die integrierte Schaltung eingebaut werden können. Ferner werden derartige verhältnismäßig große Zeitkonstanten auch häufig deshalb benötigt, weil das Einschaltverhallen für die Spannungsversorgung bei Systemen mit derartigen integrierten MOS-Halbleiterschaltungen sehr unterschiedlich ist, d. h., im einen Fall kann die angelegte Versorgungsspannung verhältnismäßig langsam ihren Betriebswert annehmen, da verhältnismäßig große Kondensatoren umzuladen sind, wogegen in einem anderen Fall die Betriebsspannung sehr schnell ihren Betriebswert erreicht oder bei einem langsamen Ansteigen Hoehi'reqiienzrauschsignale der Betriebsspannung überlagert sind. Die /?C-Zeitkonstante von Schaltungen zu diesem Zweck muß ausreichend groß sein, um unterschiedliche Einschaltbedingungcn zu genügen. Schaltungen dieser Art lassen sich bisher praktisch nicht in Halbleiterschaltungen integrieren.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Schaltungsanordnung zur automatischen Rückstellung von digitalen Schaltkreisen der eingangs näher genannten Art zu schaffen, welche nur solche Bauteile benötigt, die alle zu einer vollständig integrierten Schaltung auf einem Halbleiterplättchen zusammengefaßt werden können, und welche beim Anlegen einer Betriebsspannung an die integrierte Schaltung alle wesentlichen Knotenpunkte auf einen vorgebbaren Spannungspegel bringt.

Zur Lösung dieser Aufgabe sieht die Erfindung vor. daß die Bezugsspannungsschaltung in einer Reihenschaltung eine Diode, einen ersten MOSFET und einen zweiten MOSFET zwischen den beiden Spannungspcgeln aufweist, wobei die zusammengeschalteten Gate und Drain des zweiten MOSFETS einen Knotenpunkt bilden, daß die verstärkende Umkehrstufe, welche eine Schwellenspannung zwischen dem Knotenpunkt und dem oberen Spannungspegel erzeugt, die eine kleinere Amplitude hat als der Spannungsabfall an der Bezugsspannungsschaltung, zwei komplementäre MOS-FETS aufweist, die in Serie zwischen die beiden Spannungspegel geschaltet sind und eingangsseitig über ihr jeweils miteinander verbundenes Gate mit dem Knotenpunkt verbunden sind und daß der Ausgang der verstärkenden Umkehrstufe bzw. der gesamten Rückstellschaltung an den Mittelabgriff der in Serie geschalteten MOSFETS angeschlossen ist.

Vorteilhafte Weiterbildungen und bevorzugte Ausführungsformen ergeben sich aus den Unteransprüchen.

Gemäß der Erfindung ist der wesentliche Vorteil erreichbar, daß eine besonders zuverlässige Schaltanordnung geschaffen wird, die vollständig mit einer komplementären integrierten Schaltung auf einem MOS-Chip untergebracht werden kann und beispielsweise zum Rückstellen von internen Speicherelementen verwendbar ist. Durch die Erfindung werden externe Bauelemente wie Kondensatoren und Widerstände überflüssig, während zugleich die angestrebte Funktion mit besonders hoher Zuverlässigkeit gewährleistet ist.

Durch die Erfindung wird eine Schaltung geschaffen.

die beim Anlegen der Betriebsspannung wirksam ist und in integrierte MOS-Schallkreise auf llalbleiterplätlchen integrierbar ist. Diese Schaltung arbeitet in der Weise, daß beim Kinschalicn der Betriebsspannung der Umschalipunkl tier verstärkenden Umkehrstufe so lange verändert wird, bis deren Ausgang das richtige logische Spanniingsniveau annimmt, wobei vorzugsweise diese Annäherung an das richtige .Spannungsniveau über weiiere Umkehrstufe!! Lind ein signalformeiides Netzwerk einer Ausgangsstufe zugeführt wirj. die zuverlässig das gewünschte Rückstcllsignal liefert.

Ein A.Lisführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Schallungsanordnung wird nachfolgend anhand der Zeichnung beschrieben; in dieser zcigi Fig. 1 eine automatische Rückstellschaltung,

F i g. 2 eine ausgangsscitig an die Rückstellschaltung angeschlossene Start-Stop-Sehaltung,

Fi g. 3 ein Diagramm zur Erläuterung der Wirkungsweise der Rückstellschaltung gemäß Fig. 1.

Die automatische Rückstellschaltung 10 gemäß F i g. I umfaßt eine Bezugsspannungsserialtung 12 und eine verstärkende Umkehrstufe 14, die zusammen die gewünschte Funktion ausführen. Die automatische Rückstellschaltung 10 ist zwischen die Versorgungsspannung Vi)D an der Klemme 16 und Masse 18 geschallet. Die Bezugsspaiinungsschaluing 12 umfaßt eine PN-Diode 20, P-Kanal-MOSFETS 22, 24 sowie einen N-Kanal-MOSFET 26, die zwischen der Versorgungsspannung an der Klemme 16 und Masse liegen. Die Anode der Diode 20 ist an die Versorgungsspannung angeschlossen, wogegen die Kathode mit der Source des P-Kanal-MOSFET 22 verbunden is! Die Drain dieses MOSFET ist mit der Source des P-Kanal-MOSFET 24 verbunden, der mit seiner Drain an der Drain des N-Kanal-MOSFET 26 liegt. Die Source dieses MOSFET liegt an Masse. Das Gate des NOSFET 22 ist an eine Klemme 54 angeschlossen, über welche die handbediente Rückstellung erfolgen kann. Das Gate und die Drain des MOSFET 24 sind miteinander verbunden. Der Ausgangsknotcnpunki der Bezugsspannungsschaltung 12 ist der Knotenpunkt 27, von welcher aus ein Kondensator 32 nach Masse geschaltet ist. Dieser Knotenpunkt 27 ist auch mit dem Eingang der verstärkenden Umkehrstufe 14 verbunden. Die verstärkende Umkehrstufe 14 umfaßt einen P-Kanal-MOSFET 28 und einen N-Kanal-MOSFET 30, die in Serie zwischen die Betriebsspannung an der Klemme 16 und Masse geschaltet sind. Die Gates der MOSFETS 28 und 30 sind miteinander verbunden und stellen den Eingang der Umkehrstufe dar, der an den Knotenpunkt 27 angeschlosssen ist.

Die Umkehrstufe 14 ist ausgangsscitig über einen Leiter 31 an einen weiteren Schaltkreis angeschlossen, der die MOSFETS 34, 36, 40, 42, 44, 46, 48 und 50 umfaß!. Diese Schaltung dient dem Zweck, das über den Leiter 31 empfangene Signal zu formen und ausgangsscitig das gewünschte Rückstellsignal V« an der Klemme 52 zur Verfügung zu stellen. Der Leiter 31 ist mit dem Gate des P-Kanal-MOSFET 34 und des N-Kanal-MOSFET 36 verbunden, welche in Serie zwischen der Betriebsspannung und Masse liegen. Ein Kondensator 38 ist zwischen den Leiter 31 d. h. zwischen das Gate der MOSFETS 34 und 36 und die Betriebsspannung geschähet. Die zusammengcscliallelen Drains der als Umkehrstufe wirkenden MOSFKTS < M und 36 sind an die zusanimengcschalteien Gates der weiteren als Umkehrstufe wirksamen MOSFETS 40 und 42 angeschlossen, die ebenfalls in Serie zwischen der Betriebsspannung und Masse liegen. Der MOSIIH 40 hat eine P-Ieitende KanaKlrecke und der MOSI-TT 42 eine N-Ieitendc Kaiialsirccke. Die Drains der MOS-I ITS 40 und 42 sind wiederum susammengeschaltcl und liegen an den ebenfalls zusaiiintengeschalieien Cji'tes der MOSFTTS 44 und -"8 in der Ausgangsstufe der automatischen Rückstellschaltung. Die MOSFKTS 44 und 46 haben eine !'-leitende Kanalstrecke und die MOSITTS 48 und 50 eine N-Ieilende Kanalstrecke. Die Source des MOSIIH 44 ist mit der Betriebsspannung verbunden, wogegen dessen Drain an der Source des MOSFETS 46 liegt. Die Drain des MOSFITS 46 ist mil der Drain der MOSIETS 48 und 50 zusammengeschaltet und liegt ferner an der Ausgangsklemnie 52. Die Source der MOSFETS 48 und 50 liegt an Masse. Die Gales der MOSIITS 44 und 48 sind ebenfalls zusanimengeschaltet und liegen am Ausgang der als Umkehrstufe wirkenden MOSFETS 40 unci 42. Die Gates der MOSFETS 46 und 50 sind mit der Klemme 54 für die Handrückslellung verbunden. Die Abschaltung der Rückstellschaltung erfolgt über P-Kanal-MOSI KTS 56 und 60 sowie einen N-Kanal-MOSFET58. Die beiden MOSFETS 58 und 60 sind in Serie zwischen die Betriebsspannung und Masse geschaltet und liegen mit ihren Gates an der Absehallklemme 62. Die Drains der MOSFETS 58 und 60 sind mit den Gates der MOSITTS 56 und 26 verbunden. Die Source des MOSFLT 56 liegt an der Betriebsspannung, wogegen dessen Drain an den Knotenpunkt 27 angeschlossen ist. Die typischen Werte bezüglich der Kanalbreite und Kanallänge der einzelnen verwendeten MOSFETS gehen aus der nachfolgenden Tabelle hervor. Der Kondensator O (32) kann in der Größenordnung von etwa 75% oder über der Knotenkapazität liegen.

Tabelle

MOSFET	Kanallänge	Kanalbreite
	χ 2,54 χ IO "- mm	χ 2,54 χ IO - mm
22	0,4	1,0
24	0,4	5,0
26	2,8	0,2
28	0,6	0,4
30	0,6	0,6
34	0,4	0,4
36	0,4	0,4
40	0,4	0,4
42	0,4	0,4
44	0,4	3,0
46	0,4	3,0
48	0,4	3,0
50	0,4	3,0
56	0,4	1,0
58	0,4	0,4
60	0,4	0,4

Der Gleichstronibetrieb der Rückstellschaltung gemäß F i g. 1 kann beschrieben werden, indem man davon ausgeht, daß V»» ursprünglich den Wert 0 hat und langsam im Wert ansteigt bis auf eine Spannung von möglicherweise 10 bis 15 V. K:> ist auch vorteilhaft, anzunehmen, daß die Schwellspannungen der P-Kanal- und N-Kanal-MOSFETS etwa bei 2 V liegen. Eine Erläuterung der Betriebsweise ergibt sich auch aus der grafischen Darstellung gemäß F ig. 3, in welcher die Spannung Vk über der Betriebsspannung V/>/> darge-

stellt ist und die Gleichstromübergangsfunktion beschreibt.

Der grundsiii/liche Zweck der Schaltung besteht für eine langsam ansteigende Betriebsspannung Vnn darin, ein Rüeksiellsignal V'kzu liefern, das im wesentlichen auf Masse für zumindest einen Teil der Zeit festgehalten wird, während welcher ti ic Betriebsspannung einen bestimmten Wert erreicht. Heim lirreichen dieses Betriebsspannungswcrtes steigt das Rückstellsignal Vu längs dem Kurvenabschnitl fin Fi g. 3 auf den Wert der Betriebsspannung Vnn an und bleibt gleich dieser Betriebsspannung, die längs dem Kurvenabschniit D weiter ansteigt. Die gestrichelten Kurvenabsehnitte Λ und /Jsiellcn mögliche Variationen der Ubergangsfunklion dar, welche von parasitären l.cekströmcn bei niedrigen Spannungen an verschiedenen Knotenpunkten der Schaltung ausgelöst sein können.

Wenn man davon ausgeht, daß die Spannung an der Rücksicllklcnime 54 und der Abschaltklemmc 62 den Potcntialwert 0 hat, befinden sich alle Knotenpunkte der Schaltung auf Massepotcntial. Wenn die Betriebsspannung Vi)D ansteigt, wird die Diode 20 in DurelilaßrichiLing vorgespannt..Sobald die Betriebsspannung Vm, dl·: Summe aus der Schwellspannung des MOSFCT 22 und dem Spannungsabfall Vn an der Diode 20 in Durchlaßrichtung übersteigt, wird der MOSPCT 22 leitend, so daß die Drain dieses MOSFCT, welche mit tier Source des MOSFKT 24 verbunden ist, auf einen Spannungswert ansteigt, der Vni>- Vp ist. Der als Diode geschaltete MOSFFT 24 wird ebenfalls eingeschaltet. Fin MOSFFT wirkt als Diode wenn sein Gate mit seiner Source verbunden ist. wie atis dem Buch »The Theory and the Applications of Field Fffect Transistors« von C ο b b a I d hervorgeht, das 1970 bei lohn Wilcy & Sons. Inc. erschienen ist. Die Spannung im Knotenpunkt 27 folgt der Betriebsspannung Vnn bei Vm,- V_n- V₁,,, wobei Vir die Schwellspannung des MOSFET 24 ist. Der Strom über die Strecke, welche die Diode 20 sowie die MOSFFTS 22 und 24 umfaßt, wird durch den Widerstand des MOSFFT 26 bestimmt, dessen Gatespannung der Betriebsspannung Vm, folgt, sobald diese die Spannung Vu· übersteigt, da der MOSFET 60 im eingeschalteten Zustand ist. Aus der Tabelle geht hervor, daß der MOSI-FT 26 ein Element mit hohem Widerstand ist. d. Ii. eine große Kanallänge und eine kleine Kanalbreite hat. Die Verlustleistung ist deshalb für die Bezugsspannungsschallung 12 gering.

An diesem Punkt ist die Spannung /wischen dem Gale und der Source des MOSI⁷FT 28 etwa V₇/.+ V_n, was bedeutet, daü der MOSFFT 28 eingeschaltet ist und mit V_n V übersteuert. Diese Spannung betragt etwa 0,6 V. Die Übersteuerung des MOSFET 28 bleibt deshalb konstant mit dem Ansteigen der Betriebsspannung Vmx Damit liegt die Leitung 3) auf dem Wert der Betriebsspannung Vnn Wenn der MOSFET 36 eingeschaltet ist, befindet sich der Ausgang der komplcmcnlären, als I Inikehi stufen wirksamen MOSFFiTS 34 und ih auf dem Wert O. Damil wird tier MOSFKT 40 fingest haltet, so daß tlas Ausgangssignal an den als Umkehrsiiifen wirksamen komplementären MOSFETS 40 und 42den Wert tier Betriebsspannung Vo/jannimnil. womit tier MOSFET 48 eingeschaltet wird und seinerseits das Rückstellsignal Vn auf O V festhält. Dieser Zustand entsprich! dem Kurvenabschnitl /:' gemalt I ι g. i.

Wenn die Belriebsspannung \'m> weiter ansteigt. bleib! die I Ihcrslciicrung ties M( )SI 'KT 28 gleich dieser S11, ι r 11111 η j' \ ι/ι. Die Spannung am Knotenpunkt 27 steigt jedoch an und treibt den MOSFFT 30 weiter i den leitenden Zustand, wobei /um gleichen Zeitpunk bedingt durch die Geometrie und den sich tlatlurc ergebenden Kanalw iderstand der MOSI^-FTS 28 und i ι die Ausgangssignale der komplementären MOSFFTf 28 untl 30 vom Wert tier Belriebsspannung K/i/iauf tie Wert O sich ändern, wenn der MOSFFl 30 de MOSFFT 28 leistungsmäßig höher ansteuert. Dadtire wird eine entsprechende Umschaltung tier als Unikelii κι stufe wirksamen MOSIITS 34 untl 36 sowie 40 und 4 ausgelöst, wobei das Ausgangssignal der letztere MOSI⁷ETS vom Wert tier Betriebsspannung Vnn at den Wert O abfällt und dabei den MOSI⁷FT 46 aus- un den MOSI⁷ET 44 einschaltet. Der MOSFFT 46 befinde π sich in dem Einschalt/ustantl. da davon ausgegange w'irtle. daß tlie Anschlußklemme 54 auf Massepotenti; liegt.

Wenn tlie Anschlußklemme 54 für tlas Rückstellsign;

mit einer Spannung Vnn beaufschlagt wird, wird de

.'ο MOSI⁷FT .50 leitend untl der MOSI⁷ET 46 nichtleilent Dadurch wird das Riiokslellsignal V_i{ auf Mass festgehalten unabhängig von den übrigen Bedingunge tier Rückstellschaltung 10. Unter diesen Bedingunge wird auch der MOSFET 22 abgeschaltet, womit de

.Ti Strom über diesen unterbrochen wird und damit auc eine Verlustleistung auf dem diesem MOSI⁷ET zugeord neten Strompfad eliminiert wird.

Wenn die Spannung an der Abschaltklemme 62 au

Vnn angehoben wird, wird der MOSF⁷ET 56 leitend un

«ι hält den Knotenpunkt 27 auf der Betriebsspannung V fest. Der MOSI⁷ET 26 wird dabei nichtleitend gemach und schaltet die Bczugsspantuingsqucllc 12 ab. womit ai dieser keine Verlustleistung mehr entsteht. Dics< Abschaltfunktion bewirkt damil den Vorteil, daß di<

<"> gesamte Schaltung abgeschaltet und eine Verlustlci stung eliminiert werden kann. Die Rückstcllklemme 5< kann dazu benutzt werden, um die Rückstellfunktioi von außen her einzuleiten, wobei dann die automatisch!

Schaltfunktion der Schaltung nicht verwendet wird.

κι Um die Zuverlässigkeit des Wcchselstromvcrhaltcn tier Schaltung zu verbessern, ist es vorteilhaft, dct Kondensator 32 groß genug auszulegen, damit, wenn eil Spnnnungsstoß an der ßctricbsspannungsklcmmc I wirksam ist, die Spannung im Knotenpunkt 27 nur au einen Wert ansteigt, der unterhalb des Umschallpuiiktc bzw. des Umschaltwerlcs für die als Umkehrstufe!

wirkenden MOSFETS 28 und 30 liegt.

Während der Einschallbcdingungcn hebt der Kon densator 38 die Spannung auf der Leitung 31
">() Richtung der Betriebsspannung Vnn an und verbesser damit die Zuverlässigkeit, indem eine verhältnismäßig hohe Anfangsspannung auf der Betriebsleitung 3 wirksam ist.

Es sei bemerkt, daß die Diode 20 in der Forn

>i hergestellt wird, daß cine N ' -Diffusion innerhalb eine l'-nrtigen Wannendiffusion ausgeführt wird, welches eil herkömmliches Verfahren für die Herstellung voi komplementären MOS ist. Die Wanne brauch! nur au + V(J/) V vorgespannt zu werden, um zu vermeiden, dal

Mi ein parasitärer vertikal verlaufender NPN-Transisto eingeschaltet wird, was sich einstellen kann zwischei tier N-Ieitenden Diffusion, dem P-Icitcnden Wannenbe reich, tier als Basis wirksam ist, untl dem N-leitende!

Substrat. Aus diesem Grund kann es wichtig sein, di

h) Diode so anzuordnen, daß sie mit der Klemme 16 für tli Belriebsspannung Vnn und nicht von einem antlerei Punkt tier Schaltung aus mit dem MOSI⁷ETS 22 untl 2< verbunden ist.

Für bestimmte Schaltungsanwendungen, insbesondere wenn komplementäre MOS-Schaltungen zusammen mit dynamischen MOS-Schaltungen auf demselben Halbleiterplättchen vorgesehen sind, kann es wünschenswert sein, daß die Rückstellschaltung beim Anlegen der Betriebsspannung einen Impuls bestimmter Breite liefert und nicht ein bestimmtes Gleichspannungsniveau, wie bei der Schaltung gemäß Fig. 1. Dies kann mit Hilfe einer Start-Stop-Schaltung erzielt werden, die in Fig. 2 dargestellt ist. Diese Start-Stop-Schaltung liegt am Ausgang der Rückstellschaltung 70, die der Schaltung gemäß F i g. 1 entspricht, und umfaßt eine Start-Stop-Umkehrstufe 76, einen Kondensator 78

sowie ein NAND-Gatter 80, dessen Ausgang mit eine weiteren Schaltung 74 auf demselben Halbleiterplätt dien verbunden ist. Wenn das Eingangssignal dei Start-Stop-Schaltung 72 ansteigt, bleibt der Ausgang der Umkehrstufe 76 auf einem hohen Niveau liegen, bi: der Kondensator 78 auf die .Schwellspannung de: NAN D-Gatters 80 umgeladen ist. Ein niedrige; Signalniveau erscheint am Ausgang des NAND-Gatter: 80 so lange, bis der Kondensator 78 bis über dit Schwellspannung aufgeladen ist. Dann geht dei Ausgang des NAND-Gatters 80 wieder auf der Betriebsspannungswert V;>/>ziiriick.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims

Patentansprüche:

I. Sehaltungsanoi dnung zur automatischen Rückstellung von digitalen Schaltkreisen wie Kippstufen > u.dgl., wobei eine Be/ugsspannungssehaliung vorhanden ist, die zwischen zwei Spannungspegcln (Betriebsspannung, Masse) einen Spannungsabfall erzeugt und an einem ausgangsseitigen Knotenpunkt eine Spannung zur Ansteuerung einer verstärkenden Umkehrstufe liefert, dadurch gekennzeichnet, daß die Bezugsspannungsschaltung (12) in einer Reihenschaltung eine Diode (20), einen ersten MOSFET (22) und einen zweiten MOSFET (24) zwischen den beiden Spannungspe- i> geln aufweist, wobei die zusammengeschalteten Gate und Drain des zweiten MOSFE^S (24) einen Knotenpunkt (27) bilden, d;?ß die verstärkende Umkehrstufe (14), welche eine Schwellenspannung zwischen dem Knotenpunkt (27) und dem oberen Spannungspegcl erzeugt, die eine kleinere Amplitude hat als der Spannungsabfall an der Bezugsspannungsschaltung (12), zwei komplementäre MOS-FETS (28, 30) aufweist, die in Serie zwischen die beiden Spannungspegel geschaltet sind und eingangsseitig über ihr jeweils miteinander verbundenes Gate mit dem Knotenpunkt (27) verbunden sind und daß der Ausgang (31) der verstärkenden Umkehrstufe (14) bzw. der gesamten Rückstellschaltung ati den Mittelabgriff der in Serie geschalteten )i> MOSFETS (28,30) angeschlossen ist.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch !,dadurch gekennzeichnet, daß an den Ausgang (31) der Umkehrstufe (14) ein Signalformer-Netzwcrk (34, 36,40,42,44,46,48,50) angeschlossen ist. r>
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch I oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß an die Bezugsspannungsschaltung (12) ein Abschaltnetzwerk angeschlossen ist.
4. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprü- -to ehe 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß an das Signalformer-Netzwerk eine Rückstellschaltung angeschlossen ist.