DE2450808A1 - Festkoerper-drosselspule - Google Patents

Festkoerper-drosselspule

Info

Publication number
DE2450808A1
DE2450808A1 DE19742450808 DE2450808A DE2450808A1 DE 2450808 A1 DE2450808 A1 DE 2450808A1 DE 19742450808 DE19742450808 DE 19742450808 DE 2450808 A DE2450808 A DE 2450808A DE 2450808 A1 DE2450808 A1 DE 2450808A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
region
regions
choke coil
coil according
planar
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19742450808
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Thomas Richard Anthony
Harvey Ellis Cline
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
General Electric Co
Original Assignee
General Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by General Electric Co filed Critical General Electric Co
Publication of DE2450808A1 publication Critical patent/DE2450808A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00Fixed inductances of the signal type
    • H01F17/0006Printed inductances
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/40Crystalline structures
    • H10D62/405Orientations of crystalline planes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
    • H10P95/50Alloying conductive materials with semiconductor bodies
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00Fixed inductances of the signal type
    • H01F17/0006Printed inductances
    • H01F2017/004Printed inductances with the coil helically wound around an axis without a core
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00Fixed inductances of the signal type
    • H01F17/0006Printed inductances
    • H01F2017/0086Printed inductances on semiconductor substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
DE19742450808 1973-10-30 1974-10-25 Festkoerper-drosselspule Pending DE2450808A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US41100073A 1973-10-30 1973-10-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2450808A1 true DE2450808A1 (de) 1975-05-07

Family

ID=23627140

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19742450808 Pending DE2450808A1 (de) 1973-10-30 1974-10-25 Festkoerper-drosselspule

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JPS5080789A (https=)
DE (1) DE2450808A1 (https=)
FR (1) FR2249450A1 (https=)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19608913A1 (de) * 1996-03-07 1997-09-11 Gw Elektronik Gmbh Hochfrequenzübertrager und Verfahren zu seiner Herstellung

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0653414A (ja) * 1992-07-31 1994-02-25 Mitsubishi Electric Corp マイクロ波集積回路
CN120418897A (zh) * 2022-12-19 2025-08-01 Tdk株式会社 线圈部件及其制造方法以及具备线圈部件的电路模块

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19608913A1 (de) * 1996-03-07 1997-09-11 Gw Elektronik Gmbh Hochfrequenzübertrager und Verfahren zu seiner Herstellung

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5080789A (https=) 1975-07-01
FR2249450B3 (https=) 1977-08-05
FR2249450A1 (en) 1975-05-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3249777C2 (https=)
DE1197548C2 (de) Verfahren zum herstellen von silizium-halbleiterbauelementen mit mehreren pn-uebergaengen
DE2523307C2 (de) Halbleiterbauelement
DE3856350T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Silicid-Halbleiterelement mit Polysilizium-Bereiche
DE2626739A1 (de) Verfahren zur herstellung von monolithisch integrierten halbleiterschaltungen mit durch ionenbombardement hervorgerufenen dielektrischen isolationszonen
DE2544736A1 (de) Verfahren zum entfernen von verunreinigungen aus monokristallinem silicium
DE3108377A1 (de) Verfahren zum herstellen von halbleiterschaltkreisen
DE7233274U (de) Polykristalline siliciumelektrode fuer halbleiteranordnungen
DE3706127A1 (de) Diskontinuierliches aetzverfahren
DE1564191B2 (de) Verfahren zum herstellen einer integrierten halbleiterschaltung mit verschiedenen, gegeneinander und gegen ein gemeinsames siliziumsubstrat elektrisch isolierten schaltungselementen
DE3242736A1 (de) Verfahren zum herstellen feldgesteuerter elemente mit in vertikalen kanaelen versenkten gittern, einschliesslich feldeffekt-transistoren und feldgesteuerten thyristoren
DE2019655C2 (de) Verfahren zur Eindiffundierung eines den Leitungstyp verändernden Aktivators in einen Oberflächenbereich eines Halbleiterkörpers
DE2450907A1 (de) Verfahren zum herstellen von tiefen dioden
DE1544214A1 (de) Verfahren zum Zuechten von duennen,schwach dotierten homogenen epitaktischen Siliziumschichten bei niedrigen Temperaturen,insbesondere zum Herstellen von UEbergaengen mit extrem niedrigem Widerstand in Flussrichtung
DE3240162C2 (de) Verfahren zum Herstellen eines doppelt-diffundierten Leistungs-MOSFET mit Source-Basis-Kurzschluß
DE3231671C2 (https=)
DE2718449A1 (de) Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung und durch dieses verfahren hergestellte anordnung
DE2523055A1 (de) Minoritaetstraeger-trennzonen fuer halbleitervorrichtungen und verfahren zu ihrer herstellung
DE3650573T2 (de) Leitfähigkeitsmodulations-Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2831035A1 (de) Verfahren zur herstellung eines waermeempfindlichen halbleiter-schaltelements
DE3209666A1 (de) Halbleitervorrichtung und verfahren zum herstellen eines aufbaumetallkontaktes derselben
DE2659303A1 (de) Verfahren zum herstellen von halbleiterelementen
DE2517252A1 (de) Halbleiterelement
DE2545513A1 (de) Halbleitervorrichtung und verfahren zu deren herstellung
DE2738961A1 (de) Verfahren zur herstellung einer integrierten halbleiterschaltung mit luftisolation