DE2449892C2 - Brandmelder - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf einen Brandmelder der im Oberbegriff des Anspruchs 1 angegebenen Art.

Bei einem bekannten derartigen Brandmelder(BE-PS 8 12 331, DT-OS 24 08 374) ist das elektronische Schaltelement über die seiner Steuerelektrode vorgeschaltete Diode an den Ausgang eines Schwellenwertschalters angeschlossen, dessen Eingang seinerseits unmittelbar mit dem gemeinsamen Verbindungspunkt des veränderlichen Widerstandselements und des Referenz-Widerstandselements verbunden ist. Die Aufladung des an die Steuerelektrode des elektronischen Schaltelements angeschlossenen Kondensators erfolgt hierbei über einen der Diode parallelgeschalteten Widerstand. Weiter liegt zwischen dem Ausgangsan-Schluß des Schwellenwertdetektors und demjenigen Spannungsquellenanschluß, an den auch der Kondensator angeschlossen ist, ein weiterer Widerstand, über dessen Reihenschaltung mit der Diode bei einer Entladung des Kondensators der Entladestrom fließt.

Die beiden als gesonderte Schaltelemente vorgesehenen Widerstände bedeuten einen gewissen Bauaufwand. Bei weiteren bekannten Brandmeldern der eingangs genannten Art (DT-OS 19 22 987; DT-AS 20 34 419) ist das elektronische Schaltelement ein mit seiner Hauptstromstrecke unmittelbar bzw. in Reihe mit einer Glühlampe an der Spannungsquelle liegender Thyristor, dessen Steuerelektrode über eine Zcnerdiode und einen vorgeschalteten Impedanzwandler mit dem Verbindungspunkt des veränderlichen Widerstandselements

bo und des Referenz-Widerstandselements verbunden ist. Hierbei erfolgt eine Aufladung des Kondensators erst dann, wenn am Ausgang des Impedanzwandlers die Zenerspannung der Zenerdiode überschritten wird. Eine Entladung des Kondensators über die dann in

i,-> Vorwärtsrichtung leitende Zcnerdiode und einen Ausgangswiderstand des Impcdan/.wancllcrs ist zwar möglich, jedoch muß dieser Ausgangswiderstand, damit an ihm bei vertretbarer L.cistiingsbemessung des

Impedanzwandlers eine gegenüber der Zenerspannung der Zenerdiode höhere Spannung abfallen kann, einen relativ hohen Widerstandswert aufweisen, so daß die Entladung des Kondensators über diesen Ausgangswiderstand nur langsam erfolgen kann. Um eine gegenüber der Aufladung schnellere Entladung zu erzielen, ist deshalb dem Kondensator ein zusätzlicher Widerstand unmittelbar parallel geschaltet. Dieser Widerstand bedeutet jedoch wiederum einen erhöhten Bauaufwand und führt bei der Aufladung des Kondensators zu einer dann störenden Verlustleistung.

Bei einem weiteren bekannten Brandmelder (JA-GM-OS 1 02 982/1973) ist als elektronisches Schaltelement, das in Abhängigkeit vom Überschreiten eines vorgegebenen Potentials am Verbindungspunkt eines veränderlichen Widerstandselements und eines Referenz-Widerstandselements seinen Leitfähigkeitszustand ändert, wiederum ein Thyristor vorgesehen, jedoch ist Jessen Steuerelektrode an einen Schaltungspunkt festen Potentials angeschlossen, währe.id die Anode über die Parallelschaltung einer Diode und eines Widerstands mit dem Ausgang eines Impedanzwandlers und Schwellwertverstärkers verbunden ist, dessen Eingang seinerseits unmittelbar an den genannten Verbindungspunkt angeschlossen ist. Hierbei wird bei leitendem Ausgang des Impedanzwandlers und Schwellwertverstärkers über den der Diode parallelgeschalteten Widerstand ein zwischen der Anode des Thyristors und einem Anschluß der Spannungsquelle liegender Kondensator geladen, wodurch das Zünden des jo Thyristors verzögert wird und eine genügende Zündenergie bereitgestellt wird. Eine Entladung des Kondensators bei nichtleitendem Ausgang des Impedanzwandlers und Schwellwertverstärkers erfolgt über die Diode sowie über einen Ausgangswid&rstand des Impedanzwandlers und Schwellwertverstärkers. Um eine genügend schnelle Entladung des Kondensators zu ermöglichen, muß dieser Ausgangswiderstand relativ gering sein, was eine entsprechende Leistungsbemessung des Impedanzwandlers und Schwellwertverstärkers erfordert; dieser ist hierzu aus drei Transistorstufen gebildet. Der der Diode parallelgeschaltete Widerstand und die Leistungsbemessung des Impedanzwandlers und Schwellwertverstärkers erfordern somit wieder einen gewissen Bauaufwand.

Es ist auch ein als Brandmelder verwendbarer Temperaturmelder bekannt (DT-PS 11 17 008), bei dem als elektronisches Schaltelement ein mit seiner Emitter-Kollektor-Strecke in Reihe mit einem Lastwiderstand an der Spannungsquelle liegender bipolarer Transistor verwendet ist, dessen Basis über die Parallelschaltung einer Diode, eines Kondensators und eines Widerstapds mit dem Verbindungspunkt eines veränderlichen Widerstandselements und eines Referenz-Wicierstandselements verbunden ist. Dabei ist zwischen die Basis des S5 Transistors und einen Anschluß der Spannungsquelle ein weiterer, hochohmiger Widerstand geschaltet, der zusammen mit dem Kondensator ein differenzierend wirkendes RC-G\\ed bildet. Der Transistor wird daher nicht vom jeweiligen Betrag des Potentials am wi Verbindungspunkt des veränderlichen Widerstandselements und des Referenz-Widerstandselements, sondern von dem zeitlichen Gradienten dieses Potentials und damit der Umgebungstemperatur gesteuert. Eine Verzögerung der Änderung des Leitfähigkcits/ustands des Transistors gegenüber Änderungen des Potentials am Verbindungspunkt ist hierbei nicht gegeben, so daß die Gefahr besteht, daß kurzfristige, auf .Störungsursachen beruhende Erhöhungen der Umgebungstemperatur ein unerwünschtes Meldesignai auslösen. Die dem Kondensator parallelgeschaltete Diode und der dem Kondensator parallelgeschaltete Widerstand dienen dazu, temperaturabhängige Schwankungen des über den hochohmigen Widerstand zugeführten Steuerelektrodenleckstroms (Basistroms) des Transistors zu kompensieren, also von dem Kondensator fernzuhalten.

Aus der DT-OS 20 29 794 ist ein Weider ähnlich der eingangs genannten Art bekannt, wobei jedoch der Kondensator nicht über eine Diode, sondern einen zu ihm parallelgeschalteten Entladewiderstand entladbar ist. Dieser bedingt nachteiligerweise eine große Leistungsbemessung des vorgeschalteten Schwellwertverstärkers, damit dann, wenn der Leitfähigkeitszustand des elektronischen Schaltelements im Ansprechfall geändert werden soll, der dem Kondensator zufließende Ladestrom genügend groß ist, den gleichzeitig fließenden Entladestrom zu überwinden. Weiter ist bei dem bekannten Melder das elektronische Schaltelement ein mit seiner Emitter-Kollektor-Strecke in Reihe mi! einem Lastwiderstand an der Spannungsquelle liegender bipolarer Transistor. Dieser ist im Ruhezustand nichtleitend; erst im angesprochenen Zustand oder Alarmzustand des Melders fließt über den Transistor ein Alarmstrom. Der Transistor zieht daher im Ruhezustand auch keinen Basistrom, der die Aufladung oder Entladung des Kondensators beeinflussen könnte.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Brandmelder der eingangs genannten Art hinsichtlich der zum Aufladen und Entladen des Kondensators erforderlichen Schaltungselemente zu vereinfachen. Die Aufgabe wird gemäß der Erfindung bei einem Brandmelder der eingangs genannten Art durch die im Kennzeichenteil des Anspruchs 1 angegebenen Merkmalegelöst.

Bei dem Brandmelder gemäß der Erfindung kann die der Steuerelektrode (Basis) des Transistors vorgeschaltete Diode sowohl unmittelbar als auch über einen vorgeschalteten Impedanzwandler an den Verbindungspunkt des veränderlichen Widerstandselements und des Referenz-Widerstandselements angeschlossen sein. In beiden Fällen wird eine Schaltungsvereinfachung dadurch erzielt, daß zum Aufladen des Kondensators kein der Diode parallelgeschalteter Widerstand erforderlich ist, sondern die Aufladung durch den Basisstrom des Transistors erfolgt. Da der Ladestrom nicht von dem Verbindungspunkt des veränderlichen Widerstandselements und des Referenz-Widerstandselements bzw. vom Ausgang eines zwischengeschalteten Impedanzwandlers geliefert werden muß, wird eine Verfälschung des Potentials am genannten Verbindungspunkt bzw. eine erhöhte Leistungsbemessung des Impedanzwandlers vermieden. Weiter ist der Basisstrom eines Transistors gering gegenüber dessen Emitter-Kollektor-Strom — anders gesagt, der Eingangswiderstand des Transistors, über den der Kondensator mit dem Basisstrom geladen wird, hat einen relativ hohen Wert. Hierdurch kann vorteilhafterweise bei vorgegebener, der gewünschten Verzögerung entsprechender Zeitkonstante des aus Eingangswiderstand des Transistors und Kondensator gebildeten /?C-Glieds ein Kondensator von relativ geringer Kapazität verwendet werden. Dies wiederum hat den weiteren Vorteil, daß auch der Entladestrom des Kondensators gering ist. Hierdurch wird bei unmittelbarem Anschluß der der Basis des Transistors vorgeschalteten Diode am Verbindungspunkt von veränderlichem Widerstandselement und

Referenz-Widerstandselement vermieden, daß durch den über eines dieser Widerstandselemente fließenden Entladestrom des Kondensators das Potential am Verbindungspunkt merklich beeinflußt wird. Bei zwischengeschaltetem Impedanzwandler kann andererseits ein relativ hoher Ausgangswiderstand des Impedanzwandlers verwendet werden, über den der Entladestrom fließt, so daß der Impedanzwandler auch insofern nur für geringe Leistungen zu bemessen ist.

Die Erfindung wird im folgenden anhand der Zeichnung näher erläutert, in der als Ausführungsbeispiel ein lonisationsbrandmelder in seinem Schaltungsaufbau dargestellt ist.

Der Melder weist zwei Speiseleiter 10, 12 auf, die an eine nicht dargestellte Gleichspannungsquelle angeschlossen sind. In den Leiter 10 ist eine im Stromflußrichtung gepolte Diode Dt eingeschaltet, und an dem stromab der Diode Dt liegenden Abschnitt 10' des Leiters 10 und den Leiter 12 ist ein Kondensator G, angeschlossen, der im Falle einer kurzfristigen Unterbrechung des im Leiter 10 fließenden Stromes die Spannung auf dem Leiterabschnitt 10' aufrechterhält. Derartige Stromunterbrechungen können in bekannter Weise zur Unterdrückung von Fehlalarmen verwendet werden, indem nach einer ersten Metdung der Strom mehrmals unterbrochen und erst nach mehrmalig erfolgter Meldung ein Alarm ausgelöst wird.

Zwischen den Leiterabschnitt 10' und den Leiter 12 ist über eine Brücke Br die Reihenschaltung einer als veränderliches Widerstandselement dienenden Meßionisationskammer Mk und einer ein Referenz-Widerstandselement bildenden Referenz-Ionisationskammer RK geschaltet, zwischen denen der Verbindungspunkt A liegt. Die Meß-lonisationskammer Mk ist der Umgebungsluft zugänglich, während die Referenz-Ionisationskammer Rk geschlossen ausgeführt ist. In beiden Kammern AiJt, Rk befindet sich jeweils ein radioaktives Präparat, beispielsweise aus Radium 226; die Gesamtaktivität dieser Präparate beträgt beispielsweise 0,06 Mikrocurie. Die von den radioaktiven Präparaten ausgesandte Alpha-Strahlung ionisiert die in den Kammern befindliche Luft entsprechend der Aktivität des Präparats. Durch die Wirkung der in den Kammern Mk, Rk wirksamen elektrischen Felder wandern die Ionen entsprechend ihrer Polarität zu den in den Kammern Mk, Rk vorgesehenen Elektroden. Um Fertigungstoleranzen der Kammern MJt, Rk sowie verschiedene Aktivitäten der radioaktiven Präparate zu kompensieren, kann der wirksame Elektrodenabstand in der Referenz-Ionisationskammer Rk eingestellt werden. Damit läßt sich eine gewünschte Strom-Spannungskennlinie einstellen. Ein genau definierter lonenstrom, beispielsweise in der Größenordnung von 10-¹² A, bewirkt an den beiden in Reihe geschalteten Kammern Mk, Rk jeweils einen Spannungsabfall entsprechend dem jeweiligen Innenwiderstand, so daß sich im Ruhezustand ein bestimmtes Potential des Verbindungspunktes A einstellt. Beim Eintritt von Rauch in die Meß-Ionisationskammer MJt erhöht sich deren Innenwiderstand, wodurch sich das Potential des Verbindungspunktes A zu demjenigen des Leiters 12 hin verschiebt. Beim Überschreiten eines vorgegebenen maximalen Absolutbetrags des Potentials am Verbindungspunkt A gegenüber dem Leiterabschnitt 10' soll eine Meldung erfolgen.

Als elektronisches Schaltelement, das vom Potential am Verbindungspunkt A gesteuert ist, ist ein pnp-Transistor 71 vorgesehen. Wegen des hohen Innenwiderstands der Kammern Mk. Rk ist diesem Transistor T\ ein Impedanzwandler vorgeschaltet, der von einem Feldeffekttransistor FfTgebildet ist. Seine Steuerelektrode ist unmittelbar mit dem Verbindungspunkt A verbunden. Seine Quellenelektrode ist mit dem Schleifer eines Potentiometers 17 verbunden, das mit einem Festwiderstand /?i8 in Reihe geschaltet ist, über diesen mit dem Leiterabschnitt 10' verbunden ist und über einen Schaller 32 mit dem anderen Leiter 12 verbunden

to werden kann. Die Senkenelektrode des Feldeffekttransistors FET'isl über einen Last widerstand Λ,₉ mit dem Leiterabschnitt 10' sowie über eine Diode D\ und einen Vorwiderstand Rm mit der Basis des Transistors T\ verbunden. Ein Kondensator Q liegt zwischen Verbindungspunkt von Diode D\ und Vorwiderstand Rn einerseits» und dem Leiter 12 andererseits.

Der Emitter des im Ruhezustand leitenden pnp-Tran· sistors 71 ist über den Lastwiderstand Rt mit dem Leitet 10 verbunden, während der Kollektor des Transistors Γι unmittelbar an den Leiter 12 und damit an einen Pol der Gleichspannungsquelle angeschlossen ist. Am Verbindungspunkt zwischen Transistor 71 und Lastwiderstand Rt steht damit bei einer Änderung des Leitfähigkeitszustands des Transistors Γι ein möglichst großer und leichl auswertbarer Spannungssprung zur Verfügung. Ar diesem Verbindungspunkt von Transistor T\ und Lastwiderstand Rt ist der Emitter eines weiterer pnp-Transistors Γ2 angeschlossen, dessen Basis ar einem Schaltungspunkt B mit vorgegebenem Potentia liegt und der mit dem Transistor T\ einen Differenzverstärker bildet. Das vorgegebene Potential am Schaltungspunkt B ist an einem von der Spannungsquelle gespeisten Spannungsteiler abgenommen, der vor Widersländen R5. /?<, gebildet ist: gemäß einer nichl dargestellten Abwandlung kann auch der Widerstand R· durch ein Potentiometer ersetzt sein, dessen Abgrifl dann den Schaltungspunkt B bildet. Die am Kollekte! des weiteren Transistors T2 im Meldefall erscheinende Meldesignalspannung wird durch Transistoren Γ3, T verstärkt der Zündelektrode eines Thyristors TI zugeführt, der in Reihe mit einem Widerstand R, zwischen den Leitern 10, 12 liegt. Der Transistor T₃ is! einerseits über einen Widerstand R» mit dem Verbin dungspunkt des Widerstands R7 und des Thyristors TI und andererseits mit der Basis des Transistors T, verbunden, der mit seinem Kollektor ebenfalls an Verbindungspunkt von Widerstand Ri und Thyristor TI liegt und dessen Emitter über einen Widerstand /?<* mi der Zündelektrode des Thyristors Th verbunden ist Zwischen diese und den Leiter 12 ist ein Kondensator C eingeschaltet, der kurzfristige Störungen unterdrückt.

Der Feldeffekttransistor FET ist im Ruhezustanc leitend. Tritt Rauch in die Meß-Ionisationskammer MJ ein und nähert sich demgemäß das Potential de; Verbindungspunkts A, demjenigen des Leiters 12, s( wird der Feldeffekttransistor F£Tweniger stark leitend Hierdurch nähert sich das Potential der mit den Lastwiderstand R19 verbundenen Senkenelektrode de: Feldeffekttransistors FET demjenigen des Leiterab

hi Schnitts 10'. Auch das Potential an der Basis de: Transistors T\ kann sich daher erhöhen, jedoch erfolg diese Erhöhung aufgrund der Wirkung des Kondensa tors Ci verzögert. Dieser wird nämlich über dei Widerstand Rt, den Transistor Γι und den Widerstani R20 mit dem Basisstrom des Transistors Γι geladen. Dii sich ergebende Verzögerungszeitkonstante kann als( durch die Wahl der Widerstände Rt und R20 vorgegebei werden.

Das Potential am Schaltungspunkt ß wird mittels der Widerstünde R^, /?_b so bestimmt, daß, wie bereits erwähnt, im Ruhezustand der Transistor Ti des Differenzverstärkers leitet, während der weitere Transistor T₂ des Differenzverstärkers gesperrt ist. Erreicht nun das Potential an der Basis des Transistors 71 einen durch das Potential des Schaltungspunktes B bestimmten Schwellenwert, so kippt der Differenzverstärker, d. h., der Transistor 71 wird nichtleitend, während jetzt der weitere Transistor Tj leitet. Hierdurch wird der m Thyristor 777 gezündet, und der über ihn und den Widerstand Ri fließende Strom dient zur Meldung, daß eine auf einem Brand beruhende Rauchdichte der Umgebungsluft und ein entsprechender Schwellenwert des Potentials am Verbindungspunkt A erreicht ist, sowie gegebenenfalls zur Alarmierung und/oder Auslösung von Brandbekämpfungsmaßnahmen.

Feldeffekttransistoren weisen eine relativ große Kapazität zwischen Steueranschluß und Kanalstromstrecke auf. Dies ist insbesondere der Fall bei MOS-Feldeffektransistoren, bei denen sich zwischen Steuerelektrode und Kanalstromstrecke eine dünne Oxidschicht befindet. Die Kapazität bestimmt die statischen und dynamischen Eigenschaften eines solchen Feldeffekttransistors weilgehend. Sie könnte sich bei dem im Ausführungsbeispiel verwendeten MOS-Feldeffekttransistor FET besonders bei der Inbetriebnahme des Melders störend auf dessen Funktionsweise auswirken. Dies wird jedoch durch die mittels des Kondensators Q erfolgende Verzögerung vermieden; die gewählte Verzögerungszeit ist größer als die relativ kurze Abklingzeit von durch die Kapazität des MOS-Feldeffekttransistors FET verursachten Einschwingvorgängen. Die Verzögerung durch den Kondensator Ci kann beispielsweise 10 bis 15 s betragen.

Oft treten unkritische Schwankungen der Rauchdichte in der Umgebungsluft und damit des Potentials am Verbindungspunkt A auf, die auch bei einem kurzzeitigen Überschreiten des vorgegebenen Maximalwerts nicht zu einer Meldung führen sollen. Wäre die Diode D\ nicht vorgesehen, so könnten mehrere aufeinanderfolgende derartige Schwankungen aufgrund der Integrationswirkung des Kondensators Q zu einer Spannungsverschiebung an der Basis des Transistors Γι führen, die eine Meldung auslösen würde. Um dies zu vermeiden, ist die Diode D\ von handelsüblichem Typ vorgesehen. Bei jedem Absinken der Rauchdichte und entsprechender Verschiebung des Potentials am Verbindungspunkt A zum Potential des Leiters 10 hin bewirkt die Diode D\ eine sofortige Entladung des Kondensators G insoweit, daß das Potential der Basis des Transistors 71 mit demjenigen des Verbindungspunkts der Senkenelektrode des Feldeffekttransistors FfTund seines Lastwiderstands /?w übereinstimmt. Das Potential der Basis des Transistors 71 wird also in diesem Fall dem Potential des genannten Verbindungspunkts unverzögert nachgeführt. Der Sperrstrom der Diode D\ ist kleiner als der durch den Widerstand R20 fließende Ladestrom des Kondensators d. Der Sperroder Reststrom beeinflußt daher die Genauigkeit der gewünschten Verzögerungszeit bei der Aufladung des Kondensators Ci nicht.

Bei geschlossenem Schalter 32 ist der Melder relativ unempfindlich. Um den Melder innerhalb eines vorgeschriebenen Empfindlichkeitsbereichs hinsichtlich seiner Empfindlichkeit verstellen zu können, kann bei geöffnetem Schalter 32 eine variable Hilfsspannungsquelle wirksam gemacht werden, die dann mit dem Widerstand R\* und dem Potentiometer Ru in Reihe zwischen dem Leiterabschnitt 10' und dem Leiter 12 liegt. Die Hilfsspannungsquelle besteht aus der Reihenschaltung eines Potentiometers /?2i und eines verstellbaren Widerstands R22 sowie eines mit der Kollektor-Emitter-Strecke parallel hierzu liegenden Transistor T₈, dessen Basis am Abgriff des Potentiometers /?2i liegt.

Zur Ermittlung der Melderempfindlichkeit kann bei entfernter Brücke Br an die von dieser verbundenen Schaltungspunkte Mi, M2 eine Gegenspannungsquelle angeschlossen werden.

Als Sicherheit für den Fall einer Störung der Meldung aufgrund der Rauchdichtemessung und für den Fall eines zu meldenden Brandes ohne genügende Rauchentwicklung ist vorgesehen, daß der Melder auch bei einer vorgegebenen Maximaltemperatur anspricht. Hierzu ist ein der Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors 7") parallelgeschaltetes, bei der vorgegebenen Maximaltemperatur, beispielsweise bei 75°C, ansprechendes Schaltelement 34 vorgesehen, das bei seinem Ansprechen den Transistor Γ3 kurzschließt und hierdurch die Zündung des Thyristors Th bewirkt. Das Schaltelement 34 kann beispielsweise als Bimetall-Schalter ausgebildet sein.

Hierzu 4 Blatt Zeichnungen

Claims (12)

Patentansprüche:

1. Brandmelder mit einem in Reihe mit einem Referenz-Widerstandselement an einer Spannungsquelle liegenden, seinen Widerstandswert in Abhängigkeit von einer Umgebungsbedingung verändernden Widerstandselement und einem von dem an deren gemeinsamen Verbindungspunkt anstehenden Potential gesteuerten elektronischen Schaltelement, dessen Steuerelektrode eine Diode vorgeschaltet ist und das in Abhängigkeit vom Überschreiten eines vorgegebenen Potentials am Verbindungspunkt seinen Leitfähigkeitszustand ändert, wobei die Steuerelektrode mit einem Anschluß der Spannungsquelle über einen Kondensator verbunden ist, der bei einer Änderungsrichtung des Potentials des Verbindungspunkts die Änderung des Leitfähigkeitszustands des elektronischen Schaltelements gegenüber dem Überschreiten des vorgegebenen Potentials verzögert und der bei entgegengesetzter Änderungsrichtung des Potentials über die Diode entladbar ist, dadurch gekennzeichnet, daß das elektronische Schaltelement ein mit seiner Emitter-Kollektor-Strecke in Reihe mit einem Lastwiderstand (Ra) an der Spannungsquelle liegender, im Ruhezustand leitender, bipolarer Transistor (Ti) ist und daß der Kondensator (Ci) durch den Basisstrom des Transistors (Γι) aufladbar ist.

2. Brandmelder nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Anschluß der Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors (T\) unmittelbar mit einem Pol der Spannungsquelle verbunden ist.

3. Brandmelder nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß an dem mit dem Transistor (7i) in Reihe geschalteten Lastwiderstand (Ra) die Kollektor-Emitter-Strecke eines weiteren Transistors (T₂) angeschlossen ist, dessen Steuerelektrode an einem vorgegebenen Potential liegt, der mit dem Transistor (Ti) einen Differenzverstärker bildet und dessen Ausgangsspannung als Meldesignalspannung abnehmbar ist.

4. Brandmelder nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das vorgegebene Potential an einem von der Spannungsquelle gespeisten Spannungsteiler (R%, Rb) abgenommen ist.

5. Brandmelder nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das vorgegebene Potential an einem den Spannungsteiler oder einen Teil des Spannungsteilers (R^, /?&) bildenden Potentiometer (Rs) abgegriffen ist.

6. Brandmelder nach Anspruch 1 in einer Ausführung als lonisations-Brandmelder mit einer in Reihe mit einer Referenz-Ionisationskammer geschalteten, auf in der Umgebungsluft enthaltenen Rauch ansprechenden Meß-Ionisationskammer, dadurch gekennzeichnet, daß der Verbindungspunkt (A) der Kammern (Mk, Rk) über einen Impedanzwandler (FET) und die diesem nachgeschaltete Diode (Di) mit der Steuerelektrode des Transistors (T\) verbunden ist.

7. Brandmelder nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Impedanzwandler ein Feldeffekttransistor (FFT), vorzugsweise ein MOS-Feldeffekttransistor, ist.

8. Brandmelder nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Kanalstromstrecke des Feldeffekttransistors (FET) über einen weiteren

Lastwiderstand (Rw) an der Gleichspannungsqueile liegt und daß die Diode (Di) am Verbindungspunkt des Feldeffekttransistors (FET) und dieses weiteren Lastwiderstands (Rw) angeschlossen ist.

9. Brandmelder nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Feldeffekttransistor (FET) mit seinem dem weiteren Lastwiderstand (R^) abgewandten Anschluß der Kanalstromstrecke an den Abgriff eines Potentiometers (Ru) angeschlossen ist, das derart eingestellt ist, daß der Feldeffekttransistor (FET)Im Ruhezustand leitet.

10. Brandmelder nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß das Potentiometer (Ru) in Reihe mit einer variablen Hilfsspannungsquelle (Tu, Rn, R22) an der Spannungsquelle liegt.

11. Brandmelder nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem Verbindungspunkt der Diode (Dt) und des Kondensators (Ci) einerseits und der Steuerelektrode des Transistors (Γι) andererseits ein ohmscher Widerstand (R20) eingeschaltet ist.

12. Brandmelder nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich ein beim Überschreiten einer vorgegebenen Maximaltemperatur ein Meldesignai erzeugendes Schaltelement (34) vorgesehen ist.