DE69126826T2 - Statischer Schalter - Google Patents

Statischer Schalter

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DE69126826T2
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Description

  • Die Erfindung betrifft einen elektronischen Schalter mit einem Halbleiter, der dazu dient, in Serie mit einer Last an die Klemmen einer Versorgungs-Gleichspannung angeschlossen zu werden, sowie mit auf eine Steuerspannung des Halbleiters wirkenden Steuermitteln, welche Mittel zur Messung des den Halbleiter durchfließenden Stroms sowie Mittel zur Regelung der Steuerspannung des Halbleiters in Abhängigkeit vom genannten Strom umfassen.
  • In der Einleitung der Druckschrift FR-A-2.618.276 ist ein Schalter der genannten Art beschrieben, welcher Mittel umfaßt, die dazu dienen, seine Abschaltung zu gewährleisten, wenn der über den Schalter fließende Strom über eine bestimmte Zeitspanne einen festgelegten Wert überschreitet (Leistungsschalterfüniction), und die den über den Halbleiter fließenden Strom während der Dauer der Verzögerung durch eine Stromregelung auf einen hohen Wert begrenzen, der unter den Strom-Grenzwerten des Halbleiters liegt. Um ein ungewolltes Ansprechen insbesondere beim Einschalten des Schalters unter kapazitiver Last zu verhindern, muß die Zeitverzögerung ausreichend lang sein. Andererseits ist die im Fehlerfall entwickelte Verlustleistung im Halbleiter während der Verzögerungszeit sehr hoch, so daß es wünschenswert ist, diese Verzögerungszeit zu begrenzen. Um einen Kompromiß zwischen diesen beiden widersprüchlichen Zielen zu erreichen und eine kontrollierte Schaithandlung mit Überspannungs und Überstrombegrenzung zu ermöglichen, wird in der genannten Druckschrift eine insbesondere für die Luftfahrttechnik bestimmte Schaltanordnung vorgeschlagen, bei der in Abhängigkeit von dem die Anordnung durchfließenden Strom nacheinander verschiedene Halbleiter aufgeschaltet werden, denen Widerstände zugeordnet und die zur Bildung eines elektronisch veränderbaren Widerstands parallelgeschaltet sind.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen elektronischen Schalter, insbesondere einen leistungselektronischen Schalter zu schaffen, der ohne Einschränkungen für kapazitive Lasten verwendet werden kann. Eine solche Last wird beispielsweise durch die Kapazität eines Kabels, durch einen Kondensator oder durch eine getaktete Stromversorgung gebildet.
  • Der erfindungsgemäße Schalter ist dadurch gekennzeichnet, daß die Steuermittel ein Verzögerungsglied, das an einem seiner Eingänge mit einem Einschalt- bzw. Ausschaltsignal des Schalters beaufschlagt wird, sowie an einen Ausgang des Verzögerungsglieds angeschlossene Mittel zur Erzeugung einer Nenn-Steuerspannung des Halbleiters nach dem Ablauf einer, auf die Beaufschlagung des Eingangs des Verzögerungsglieds mit einem Einschaltsignal folgenden, festgelegten Verzögerungszeit umfassen, wobei der Halbleiter während der genannten Verzögerungsdauer mit der durch die Regelungsmittel erzeugten, geregelten Steuerspannung beaufschlagt wird, derart daß der Halbleiter während dieser Zeitspanne als Stromquelle wirkt und dabei den Strom auf einen, wesentlich unter dem Nennstrom des Schalters liegenden, festgelegten Wert begrenzt.
  • Der Strom kann zum Beispiel auf 100 mA über 2s begrenzt werden, bevor er seinen Nennwert von beispielsweise 30 A annimmt.
  • Darüber hinaus umfaßt der Schalter vorzugsweise Mittel zur Verbindung der Steuerelektrode des Halbleiters mit Masse, wenn der Eingang des Verzögerungsglieds mit einem Ausschaltsignal des Schalters beaufschlagt wird, sowie während einer festgelegten, sehr kurzen Zeitspanne nach Beaufschlagung mit einen Einschaltsignal, derart daß ein Rücksetzen der Regelungsmittel ermöglicht wird.
  • Nach einer Weiterbildung der Erfindung bestehen die Strommeßmittel aus einer, in Serie mit dem Halbleiter geschalteten Sicherung, wobei die den genannten Strom abbildende Spannung an den Klemmen der genannten Sicherung dem Eingang der Regelungsmittel zugefährt wird.
  • Die Verwendung eines durch eine Sicherung oder ein vergleichbares Widerstandselement gebildeten Meßwiderstands erlaubt eine maximale Verringerung der Wärmeverluste, wenn der Schalter von seinem Nennstrom durchflossen wird. Bei Einsatz einer Sicherung wird der Schutz im Normalbetrieb durch diese gewährleistet, wenn der elektronische Leistungsschalterschutz außer Betrieb ist. Darüber hinaus kann sie auch als kostengünstiger Strommeßwiderstand mit geringer Genauigkeit dienen. Liegt der geregelte Strom während der Verzögerungsdauer nach dem Einschalten des Schalters in der Größenordnung von 100 mA, so beträgt die Spannung an den Klemmen der Sicherung einige Hunderte Mikrovolt. Diese, dem Eingang der aus einer Verstärkerschaltung und einem Komparatorglied bestehenden Regelungsmittel zugeführte, sehr kleine Gleichspannung erfordert grundsätzlich den Einsatz eines, eine sehr geringe Offsetspannung aufweisenden und damit verhältnismäßig teuren Verstärkers.
  • Nach einer Weiterbildung der Erfindung umfassen die Regelungsmittel eine Verstärkerschaltung mit automatischer Korrektur der Offsetspannung, so daß kostengünstige Operationsverstärker eingesetzt werden können, deren Offsetspannung weit über der Spannung liegt, mit der ihre Eingänge beaufschlagt werden.
  • Eine solche Verstärkerschaltung umfaßt vorzugsweise einen ersten Operationsverstärker, dessen Ausgang an einen ersten Eingang eines zweiten Operationsverstärkers sowie an eine schwellwertfreie Diode angeschlossen ist, deren Kathode mit einem Kondensator verbunden ist, wobei die Klemmenspannung des Kondensators auf den zweiten Eingang des zweiten Operationsverstärkers gelegt wird, dessen Ausgang den Ausgang der Verstärkerschaltung bildet.
  • Der Schalter kann als Schütz und/oder als Leistungsschalter arbeiten. Bei der Funktionsweise des Schalters als Schütz stellen die Einschalt- und Ausschaltsignale externe Steuersignale dar. Um als Leistungsschalter zu arbeiten, umfaßt ein, vorzugsweise entsprechend der oben beschriebenen Bauart ausgeführter Schalter Fehlererfassungsmittel, die bei Erfassung einer Überlast oder eines Kurzschlusses ein Ausschaltsignal erzeugen, sowie Rückstellmittel, welche ein Einschaltsignal erzeugen.
  • Herkömmlicherweise umfassen die Fehlererfassungsmittel eine Vorrichtling, zum Beispiel einen Meßwiderstand, zur Messung des Fehlerstroms. Nach einer Weiterbildung der Erfindung umfassen die Fehlererfassungsmittel des Schalters Mittel zur Erfassung der Spannung an den Klemmen des Halbleiters sowie Mittel zur Erzeugung des Ausschaltsignals, wenn diese Spannung während einer bestimmten Zeit einen festgelegten, eme Überlast abbildenden ersten Schwellwert überschreitet, oder wenn sie einen zweiten festgelegten Schwellwert überschreitet, der einen Kurzschluß abbildet und bei dem der Halbleiter gesättigt ist.
  • Dabei ist berücksichtigt, daß der über den Schalter fließende Nennstrom unter seinem Sättigungsstrom liegt und einer bestimmten, geringen Spannung an den Klemmen des Halbleiters entspricht, während insbesondere bei einem Kurzschluß der Halbleiter seinen Sättigungszustand erreicht und die Spannung an seinen Klemmen ansteigt. Die Sättigung des Halbleiters im Kurzschlußfall erlaubt es auch, den Fehlerstrom im Schalter zu begrenzen.
  • Nach einer besonderen Ausgestaltung der Erfindung umfassen die Mittel zur Messung der Spannung an den Klemmen des Halbleiters bei Anschluß des Kollektors des Halbleiters über die Last an die Versorgungs-Gleichspannung eine Diode, deren Kathode an den Kollektor des Halbleiters angeschlossen und die so vorgespannt ist, daß sie in den Sperrzustand schaltet, wenn die genannte Kollektorspannung den zweiten Schwellwert überschreitet, wobei die Mittel zur Erfassung eines Kurzschlusses bei Sperrung der genannten Diode ein Ausschaltsignal erzeugen.
  • Nach einer vorzugsweisen Ausgestaltung der Erfindung ist der Halbleiter als Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT-Transistor) ausgeführt, allerdings ist die Erfindung auch auf einen Bipolartransistor oder einen Transistor vom Typ MOSFET anwendbar.
  • Mehrere Ausfühugsbeispiele der Erfindung sind in den beigefügten Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung unter Angabe weiterer Vorteile und Merkmale näher erläutert. Dabei zeigen
  • Figur 1 die schematische Darstellung eines erfindungsgemaßen Schakers;
  • Figur 2 die Änderung der Stroms im erfindungsgemäßen Schalter in Abhängigkeit von der Zeit beim Einschalten;
  • Figur 3 bestimmte Einzelheiten einer Ausfürungsvariante eines erfindungsgemäßen Schalters;
  • Figur 4 eine besondere Ausführungsvariante der Verstärkerschaltung des Schalters aus Figur 1;
  • Figur 5 die Strom-Spannungs-Kennilinie eines IGBT-Transistors;
  • Figur 6 das Prinzip der Fehlererfassung in einem elektronischen Schalter;
  • Figur 7 eine besondere Ausführungsvariante eines erfindungsgemäßen Schalters/Leistungsschalters.
  • Der elektronische Schalter aus Figur 1 dient dazu, in Serie mit einer Last 1 an die Klemmen einer Versorgungs-Gleichspannung V1 angeschlossen zu werden. Auf herkömmliche Weise ist eine Diode D1 parallel zur Last geschaltet, um Überspannungen an den Klemmen dieser Last zu begrenzen. Ein solcher Schalter ist insbesondere als leistungselektronischer Schalter ausgeführt, der dazu dient, eine, gegebenenfalls kapazifive, Last mit einer hohen Spannung von beispielsweise 270 V zu speisen.
  • Bei der Ausführungsvariante gemäß Figur 1 umfaßt der Schalter einen Transistor T1 vom Typ IGBT, der über eine Sicherung F mit Masse verbunden ist. Eine Versorgungsspannung V2 von beispielsweise etwa 8 V speist die elektronischen Komponenten der Steuerschaltung des Transistors T1.
  • Das Gate des Transistors T1 ist an eine Steuerschaltung angeschlossen, deren Ausgangsstufe 2 einen den Gateanschluß mit Masse verbindenden Widerstand R1 sowie einen Transistor T2 vom Typ NPN umfaßt, dessen Basis an einen Ausgang 3 eines Verzögerungsglieds 4 angeschlossen ist und der das Gate mit der Versorgungsspannung V2 verbindet. Ein Einschalt- oder Ausschaltsignal des Schalters wird über ein Schaltglied 6 dem Eingang 5 des Verzögerungsglieds 4 zugeführt. Das Gate des Transistors T1 ist des weiteren über eine, vom Eingangssignal des Verzögerungsglieds 4 angesteuerte Rücksetzschaltung mit Masse verbunden. Die Rücksetzschaltung umfaßt beispielsweise einen Widerstand, der in Serie mit einem Transistor T3 vom Typ PNP geschaltet ist, dessen Basis mit dem Eingang 5 des Verzögerungsglieds 4 verbunden ist. Ein Transistor T4, dessen Basis über ein Invertierglied 7 mit dem Eingang 5 des Verzögerungsglieds 4 verbunden ist, verbindet die Basis des Transistors T2 mit Masse. Der Gateanschluß des Transistors T list außerdem über einen Widerstand R3 mit dem Ausgang einer Regelungsschaltung 8 verbunden, deren Eingang mit der Klemmenspannung der Sicherung F beaufschlagt wird.
  • Die oben beschriebene Schaltungsanordnung arbeitet wie folgt;
  • Bei geöffnetem Schaltglied 6 liegt ein logisches Signal mit niedrigem Pegel am Eingang 5 an und schaltet den Transistor T3 durch. Dieses den Eingang des Invertierglieds 7 beaufschlagende logische Signal schaltet den Transistor T4 ebenfalls durch, so daß der Transistor T2 gesperrt ist. Die an den Gateanschluß des Transistors T1 gelegte Steuerspannung ist null und der Transistor T1 gesperrt.
  • Bei geschlossenem Schaltglied 6 liegt ein logisches Signal mit hohem Pegel am Eingang 5 an und sperrt die Transistoren T3 und T4. Das am Ausgang 3 des Verzögerungsglieds 4 bereitgestellte Signal, welches zunächst auf dem niedrigen Signalpegel lag und den Transistor T2 sperrte, geht nach einer durch das Verzögerungsglied vorgegebenen Verzögerungszeit t1 einer bestimmten Dauer von beispielsweise 2 s auf den hohen Signalpegel über. Nach Ablauf diese Verzögerungszeit t1 wird der Transistor T2 leitend und die Versorgungsspannung V2 an das Gate des Transistors T1 gelegt. Diese Versorgungsspannung V2 entspricht der Nenn-Steuerspannung des Transistors T1, und ein bestimmter Nennstrom von zum Beispiel 30 A fließt zur Einspeisung der Last über den Transistor T1.
  • Nach dem Beaufschlagen der Steuerschaltung des Schalters mit einem Einschaltsignal sind die Transistoren T2, T3 und T4 während der Dauer der Verzögerungszeit t1 gesperrt, und die Gatespannung des Transistors T1 wird über die Regelungsschaltung 8 gesteuert, die den Strom im Schalter auf einen Referenzwert einstellt. Die Sicherung F dient als Meßwiderstand, wobei die Spannung an ihren Klemmen dem über den Transistor T1 fließenden Strom proportional ist. Diese Spannung wird den Klemmen der Regelungsschaltung 8 zugeführt, welche eine Verstärkerschaltung 9 umfaßt, deren Ausgang mit einem Eingang (-) eines Komparatorglieds 10 verbunden ist. Der andere Eingang (+) des Komparatorglieds 10 ist an eine Referenzspannung Vref angeschlossen, die beispielsweise über einen Spannungsteiler oder einen veränderbaren Widerstand aus der Versorgungsspannung V2 gewonnen wird. Der Transistor T1 arbeitet dabei als Stromquelle, wobei die Höhe des Stroms auf einen Wert von beispielsweise 100 mA begrenzt ist, der wesentlich unter dem Nennstrom des Schalters liegt. Der Wert dieses Einschaltstroms wird über die Referenzspannung Vref festgelegt.
  • Figur 2 zeigt die zeitliche Änderung des Stroms 1 in dem Schalter nach Figur 1 beim Einschalten. Der Schalter arbeitet zunächst als Stromquelle, wobei er über die Dauer der Verzögerungszeit (2s) einen konstanten Strom von 100 mA erzeugt, und wird anschließend von einem wesentlichen höheren Nennstrom von beispielsweise 30 A durchflossen. Die Dauer der Verzögerungszeit wird so gewählt, daß eine kapazitive Last 1 bei konstantem Strom vor dem Ablauf der Verzögerungszeit bis zur Gleichspannung V1 aufgeladen werden kann, so daß jegliche Einschaltüberlasten aufgrund zu schneller Aufladung der kapazifiven Last verhindert werden.
  • Figur 3 ist eine detailliertere Darstellung einer besonderen Ausführungsvariante des Verzögerungsglieds 4 sowie einer Variante der Ausgangsstufe 2.
  • Bei dieser Variante ist der Transistor T3 vom Typ PNP aus Figur 1 durch einen Transistor TS vom Typ MOS ersetzt, dessen Basis an einen zweiten Eingang 11 des Verzögerungsglieds 4 sowie an den Kollektor eines Transistors T6 vom Typ PNP angeschlossen ist, dessen Emitter wiederum mit der Versorgungsspannung V2 und dessen Basis mit dem Eingang 5 des Verzögerungsglieds verbunden sind.
  • Das Verzögerungsglied ist so ausgelegt, daß es an seinem zweiten Ausgang 11 ein zum Eingangssignal 5 komplementäres Signal bereitstellt, welches jedoch um eine festgelegte zweite Verzögerungszeit t2 verzögert ist, die wesentlich kürzer ist als die zuvor genannte Verzögerungszeit t1. Diese zweite Verzögerungszeit t2 kann beispielsweise etwa ein Zehntel der Verzögerungszeit t1 betragen.
  • Bei dieser Ausführunmgsvariante bewirkt ein Ausschaltsignal (Signalpegel 0 an Eingang 5) des Schalters wie zuvor die Durchschaltung des Transistors T4 und die Sperrung des Transistors T2. Gleichzeitig werden die Transistoren T5 und T6 durchgeschaltet, so daß das Gate des Transistors T1 zwangsweise auf null gesetzt wird. Erfolgt zu einem gegebenen Zeitpunkt t0 ein Einschaltsignal (Signalpegel 1 an Eingang 5) schalten die Transistoren T4 und T6 in den Sperrzustand. Der zunächst auf 1 stehende Ausgang 11 bleibt über die Dauer der Verzögerungszeit t2 auf 1, und T5 bleibt leitend bis zum Zeitpunkt t0+t2, zu dem er in den Sperrzustand schaltet. Der zunächst auf 0 stehende Ausgang 3 bleibt über die Dauer der Verzögerungszeit tl auf 0, und T2 bleibt gesperrt bis zum Zeitpunkt t0 + t1, zu dem er leitend wird. Der Einschaltzyklus läßt sich also in drei Phasen unterteilen:
  • - eine erste Phase zwischen t0 und t0+t2, in der T2 gesperrt und T5 leitend sind und das Gate des Transistors T1 zwangsweise auf null gesetzt ist,
  • - eine zweite Phase zwischen t0+t2 und t0+t1, in der T2 und T5 gesperrt sind, wobei die Gatespannung des Transistors T1 über die Regelungsschaltung 8 gesteuert wird und der Transistor T1 als Stromquelle arbeitet,
  • - eine dritte Phase ab dem Zeitpunkt t0+t1, in der T5 gesperrt und T2 leitend und der Transistor T1 bei seiner Nennspannung betrieben wird.
  • Die erste Phase dient dazu, die Rücksetzung der Verstärkerschaltung 9 der Regelungsschaltung 8 zu ermöglichen. In dieser Phase fließt nämlich kein Strom über die Sicherung F, und die an den Eingang der Verstärkerschaltung angelegte Spannung ist null.
  • Aufgrund der Verwendung der mit einem sehr kleinen Widerstandswert behafteten Sicherung F als Strommeßwiderstand wird kein nennenswerter Widerstand in den Stromkreis geschaltet. Allerdings ist die Spannung an den Klemmen der Sicherung F sehr gering und beträgt bei einem Strom von 100 nA etwa 200 Mikrovolt.
  • Um eine solche Spannung messen zu können, enthält die Verstärkerschaltung 9 gemäß Figur 4 in ihrer vorzugsweisen Ausgestaltung eine automatische Korrektur der Offsetspannung.
  • Diese Verstärkerschaltung umfaßt einen ersten Operationsverstärker OP1. Der invertierende Eingang des ersten Verstärkers OP1 ist über einen Widerstand R4 mit dem Eingang der Schaltung 9 und über einen Widerstand R5 mit dem Ausgang des ersten Verstärkers verbunden. Sein nicht-invertierender Eingang ist an den Verbindungspunkt von zwei Widerständen R6 und R7 angeschlossen, die in Serie zwischen die Versorgungsspannung V2 und Masse geschaltet sind, derart daß sie die Offsetspannung V0 des Verstärkers OP1 auf einen bestimmten Wert von beispielsweise + 10 mV festlegen, der über der vom Hersteller angegebenen maximalen Offsetspannung (z.B. +/-7 mV) liegt.
  • Der Ausgang des Operationsverstärkers OP1 ist über eine schwellwertfreie Diode 12, die in Serie zu einem Kondensator C1 liegt, mit Masse verbunden. Die Klemmenspannung Vc des Kondensators C1 wird auf den nicht-invertierenden Eingang eines zweiten Operationsverstärkers OP2 gelegt, dessen invertierender Eingang über einen Widerstand R8 mit dem Ausgang des ersten Operationsverstärkers OP1 sowie uber einen Widerstand R9 mit seinem eigenen Ausgang verbunden ist. Der Ausgang des zweiten Operationsverstärkers OP2 bildet den Ausgang der Verstärkerschaltung 9. Gemäß der Darstellung in der Figur besteht die schwellwertfreie Diode 12 aus einem dritten Operationsverstärker OP3, dessen nicht-invertierender Eingang über einen Widerstand R10 an den Ausgang des ersten Operationsverstärkers OP1 und dessen Ausgang an die Anode einer Diode D2 angeschlossen ist, deren Kathode mit dem Kondensator C1 verbunden ist. Der invertierende Eingang des Verstärkers OP3 ist an die Kathode der Diode D2 angeschlossen.
  • Die Verstärkerschaltung 9 besteht somit aus einem invertierenden Verstärker (OP1, R4, R5) mit einem Verstärkungsfaktor von K1 = R5/R4, einer schwellwertfreien Diode 12, einem Kondensator C1 und einem Differenzverstärker (OP2, R8, R9) mit einem Verstärkungsfaktor von K2 = R9/R8. Dabei können beispielsweise Werte von K1 = 100 und K2 = 10 gewählt werden.
  • Die Verstärkerschaltung 9 arbeitet wie folgt:
  • Ist die Eingangsspannung der Schaltung null (Schalter ausgeschaltet), so wird die Offsetspannung V0 des ersten Verstärkers OP1 mit seinem Verstärkungsfaktor K1 multipliziert, und der Kondensator lädt sich auf eine Spannung Vc = V0 K1 auf.
  • Dieser der verstärkten Offsetspannung entsprechende Wert wird dann im Kondensator C1 gespeichert.
  • Bei Einschalten des Schalters wird eine der Spannung an den Klemmen der Sicherung entsprechende positive Spannung Vf an den Eingang der Verstärkerschaltung 9 gelegt. Die Ausgangsspannung V3 des ersten Verstärkers ergibt sich dann zu
  • V3 = (V0 - Vf)K1.
  • Diese Spannung ist kleiner als die Ladespannung Vc des Kondensators C1, und die schwellwertfreie Diode 12 verhindert dessen Entladung.
  • Der Differenzverstärker (OP2, R8, R9) verstärkt die Differenz zwischen den Spannungen Vc und V3 und stellt am Ausgang eine Spannung V4 gemaß
  • V4 = (Vc - V3) K2 = VfK1 K2 bereit.
  • Die am Ausgang des zweiten Verstärkers OP2 erhaltende Spannung entspricht dabei der verstärkten Spannung Vf, wobei die Offsetspannung von OP1 automatisch korrigiert wurde. Die Offsetspannung von OP2 ist im Vergleich zu VC - V3 vernachlässigbar.
  • Bei V0 = 10 mV, Vf = 100µV, K1 = 100 und K2 = 10 ergibt sich beispielsweise:
  • Vc = 1V,
  • V3 = 990 mV,
  • V4 = 100 mV.
  • Es kann eine nicht dargestellte Schaltung zur Löschung des Kondensators C1 vorgesehen werden, so daß beim Einschalten ein korrekter Wert der gespeicherten Offsetspannung vorliegt.
  • Das Schaltglied 6 aus Figur 1 kann über externe Steuersignale angesteuert werden, wobei der Schalter dann als Schütz arbeitet. Die das Verzögerungsglied 4 beaufschlagenden Einschalt- und Ausschaltsignale können auch durch interne Fehlererfassungsmittel bereitgestellt werden, so daß bei Erfassung einer Überlast oder eines Kurzschlusses eine Abschaltung des Schalters bewirkt wird, wobei Rücksetzmittel zum Einschalten des Schalters vorgesehen werden, der in diesem Fall als Leistungsschalter arbeitet. Die beiden Betriebsarten als Schütz oder Leistungsschalter können problemlos im gleichen Schalter realisiert werden.
  • Die Figuren 5 und 6 zeigen das Prinzip der Fehlererfassung, insbesondere der Erfassung eines Kurzschlusses, in einem elektronischen Schalter, das sich insbesondere auf einen Schalter der oben beschrieben Art anwenden läßt.
  • Im Gegensatz zu den bekannten Fehlererfassungsschaltungen wird bei dem nachstehend beschriebenen Prinzip kein Meßwiderstand verwendet, der dazu dient, den über den Transistor T1 fließenden Strom zu messen. Erfindungsgemaß wird die Spannung Vce an den Klemmen des Transistors T1 (siehe Figur 6) zur Erfassung eines Fehlers verwendet. Bei einer bestimmten Gate-Emitter-Spannung Vge, deren Wert beispielsweise der Versorgungsspannung V2 entspricht, ergibt sich nämlichfür die Strom-Spannungs-Kennlinie des Transistors T1 der in Figur 5 gezeigte Verlauf. Bei einen Nennbetriebsstrom von beispielsweise 30 A ergibt sich für die Spannung Vce ein Wert von emigen, z.B. 3 V. Bei einer Überlast hingegen steigt der Strom, maximal bis zum Sättigungsstrom von beispielsweise 150 A an, und die Spannung steigt erheblich, wobei sie den Wert der Versorgungs-Gleichspannung V1 des Schalters erreichen kann.
  • In Figur 7 ist ein Schalter der in Figur 1 gezeigten Bauart dargestellt, der eine besondere Ausführungsvariante einer Kurzschluß-Erfassungsschaltung 13 enthält.
  • Da der Widerstandswert der Sicherung F vernachlässigbar ist, entspricht die Kollektorspannung des Transistors T1 annähernd der Spannung Vce des Transistors und wird zur Fehlererfassung verwendet. Die Kathode einer Diode D3 ist an den Kollektor des Transistors T1 angeschlossen. Die Anode der Diode ist über einen Widerstand R11 mit der Versorgungsspannung V2 verbunden. Dieser Widerstand ist in Serie mit einer Zenerdiode ZD und einem Widerstand R12 zwischen V2 und Masse geschaltet. Ein Transistor T7 ist mit seiner Basis an den Verbindungspunkt der Zenerdiode ZD und des Widerstands R12, mit seinem Emitter an Masse und seinem Kollektor über einen Widerstand R13 an die Versorgungsspannung V2 angeschlossen. Der Kollektor des Transistors T7 bildet den Ausgang der Erfassungsschaltung 13 und liefert im Kurzschlußfall ein Auslösesignal oder Abschaltsignal, das dazu dient, den Eingang 5 des Verzögerungsglieds 4 zu beaufschlagen. Ein Rückstell-Drucktaster BP ist parallel zum Widerstand R12 geschaltet.
  • Im Normalbetrieb des Schalters ist der Transistor T1 leitend und wird von einem Nennstrom durchflossen, derart daß die Spannung an seinen Klemmen etwa 2 bis 3 V beträgt. Die über den Widerstand R11 vorgespannte Diode D3 ist leitend. Die Zenerdiode ZD weist eine Durchbruchspannung auf, die über der zu diesem Zeitpunkt an der Anode der Diode D3 anliegenden Spannung liegt, und sie ist gesperrt. Der Transistor T7 ist daher gesperrt, und die Ausgangsspannung der Erfassungsschaltung 13 liegt auf hohem Signalpegel. Ein Einschaltsignal des Schalters beaufschlagt weiterhin das Verzögerungsglied 4.
  • Bei Auftreten eines Kurzschlusses wird der Strom I im Transistor T1 sehr hoch, bleibt jedoch nach wie vor auf den Sättigungsstrom begrenzt, und die Spannung am Kollektor steigt an. Sobald diese Spannung die Polarisationsspannung der Diode D3 überschreitet, schaltet diese in den Sperrzustand, und die über den Widerstand R11 und die Versorgungsspannung V2 vorgespannte Zenerdiode ZD schaltet durch, wodurch der Transistor T7 leitend wird und sein Kollektorpotential auf null sinkt. Das Ausgangssignal der Erfassungsschaltung 13 geht auf null und bewirkt das Sperren des Transistors T1 sowie das Öffnen des Schalters. Die Kollektorspannung von T1 bleibt also hoch (V1), und die Erfassungsschaltung 13 beaufschlagt das Verzögerungsglied weiterhin mit einem Ausschaltsignal (0).
  • Die Durchbruchspannung der Zenerdiode ZD von beispielsweise 6,2 V wird so festgelegt, daß ein Fehiersignal ausgegeben wird, wenn der Transistor T1 gesättigt ist. Der im Verlauf eines Kurzschlusses auftretende Fehlerstrom wird also auf den der Gatespannung von T1 entsprechenden Sättigungsstrom begrenzt.
  • Zum Rücksetzen des Schalters/Leistungsschalters muß der Transistor T7 gesperrt sein, so daß das Ausgangssignal der Fehlererfassungsschaltung 13 auf 1 übergeht. Solche Rücksetzmittel sind in Figur 7 als Drucktaster BP schematisch dargestellt, dessen Einschalten den Übergang des Transistors T7 in den Sperrzustand bewirkt. Der Schalter schaltet dann entsprechend dem mit Bezug auf Figur 1 beschriebenen Ablauf ab, und sobald die Kollektorspannung des Transistors T1 ausreichend klein ist, schaltet die Diode D3 erneut durch und erhält den Sperrzustand des Transistors T7 aufrecht.
  • Der Schalter/Leistungsschalter kann durch eine Fehleranzeigeschaltung, durch eine Überlast-Erfassungsschaltung, die bei Erfassung einer Überlast ein Ausschaltsignal aussendet, sowie eine externe Steuerschaltung ergänzt werden, die auch den Betrieb des Schalters als Schütz erlaubt. Die Überlast- Erfassungsschaltung kann ebenfalls die Änderungen der Kollektorspannung des Transistors T1 nutzen, wobei das Überschreiten eines bestimmten Schwellwerts durch die Kollektorspannung des Transistors T1 über einen bestimmten Zeitraum hinweg eine Überlast abbildet.

Claims (9)

1. Elektronischer Schalter mit einem Halbleiter (T1), der dazu dient, in Serie mit einer Last (1) an die Klemmen einer Versorgungs-Gleichspannung (V1) angeschlossen zu werden, sowie mit auf eine Steuerspannung des Halbleiters (T1) wirkenden Steuermitteln (2, 4, 8), welche Mittel (F) zur Messung des den Halbleiter durchfließenden Stroms sowie Mittel (8) zur Regelung der Steuerspannung des Halbleiters in Abhängigkeit vom genannten Strom umfassen, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuermittel ein Verzögerungsglied (4), das an einem (5) seiner Eingänge mit einem Einschalt- bzw. Ausschaltsignal des Schalters beaufschlagt wird, sowie an einen Ausgang (3) des Verzögerungsglieds angeschlossene Mittel (2, T2) zur Erzeugung einer Neun-Steuerspannung des Halbleiters nach dem Ablauf einer, auf die Beaufschlagung des Eingangs (5) des Verzögerungsglieds (4) mit einem Einschaltsignal folgenden, festgelegten Verzögerungszeit umfassen, wobei der Halbleiter während der genannten Verzögerungsdauer mit der durch die Regelungsmittel (8) erzeugten, geregelten Steuerspannung beaufschlagt wird, derart daß der Halbleiter während dieser Zeitspanne als Stromquelle wirkt und dabei den Strom auf einen, wesentlich unter dem Nennstrom des Schalters liegenden, festgelegten Wert begrenzt.
2. Schalter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Strommeßmittel aus einer, in Serie mit dem Halbleiter geschalteten Sicherung (F) bestehen, wobei die den genannten Strom abbildende Spannung (Vf) an den Klemmen der genannten Sicherung dem Eingang der Regelungsmittel (8) zugeführt wird.
3. Schalter nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Strom während einiger Sekunden nach dem Einschalten des Schalters auf etwa 100 mA begrenzt wird.
4. Schalter nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß er Mittel (T5, T6) zur Verbindung der Steuerelektrode des Halbleiters (T1) mit Masse umfaßt, wenn der Eingang (5) des Verzögerungsglieds mit einem Ausschaltsignal des Schalters beaufschlagt wird, sowie während einer festgelegten, sehr kurzen Zeitspanne nach Beaufschlagung mit einen Einschaltsignal, derart daß ein Rücksetzen der Regelungsmittel (8) ermöglicht wird.
5. Schalter nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Regelungsmittel (8) eine Verstärkerschaltung (9) mit automatischer Korrektur der Offsetspannung, deren Eingang mit der den Strom abbildenden Spannung (Vf) beaufschlagt wird, sowie ein Komparatorglied (10) umfassen, welches das Ausgangssignal der Verstärkerschaltung mit einem Referenzsignal (Vref) vergleicht, wobei die Verstärkerschaltung (9) einen ersten Operationsverstärker (OP1) umfaßt, dessen Ausgang (V3) an einen ersten Eingang (-) eines zweiten Operationsverstärkers (OP2) sowie an eine schwellwertfreie Diode (12) angeschlossen ist, deren Kathode mit einem Kondensator (C1) verbunden ist, wobei die Klemmenspannung (Vc) des Kondensators auf den zweiten Eingang (+) des zweiten Operationsverstärkers (OP2) gelegt wird, dessen Ausgang den Ausgang der Verstärkerschaltung bildet.
6. Schalter nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß er Fehlererfassungsmittel, die bei Erfassung einer Überlast oder eines Kurzschlusses das genannte Ausschaltsignal erzeugen, sowie Rückstellmittel (BP) umfaßt, welche das genannte Einschaltsignal erzeugen.
7. Schalter nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Fehlererfassungsmittel des Schalters Mittel (D3) zur Erfassung der Spannung an den Klemmen des Halbleiters sowie Mittel zur Erzeugung des Ausschaltsignals umfassen, wenn diese Spannung während einer bestimmten Zeit einen festgelegten, eine Überlast abbildenden ersten Schwellwert überschreitet, oder (13) wenn sie einen zweiten festgelegten Schwellwert überschreitet, der einen Kurzschluß abbildet und bei dem der Halbleiter gesättigt ist.
8. Schalter nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Mittel zur Messung der Spannung an den Klemmen des Halbleiters (T1) bei Anschluß des Kollektors des Halbleiters (T1) über die Last (1) an die Versorgungs- Gleichspannung (V1) eine Diode (D3) umfassen, deren Kathode an den Kollektor des Halbleiters (T1) angeschlossen und die so vorgespannt ist, daß sie in den Sperrzustand schaltet, wenn die genannte Kollektorspannung den zweiten Schwellwert überschreitet, wobei die Mittel (13) zur Erfassung eines Kurzschlusses bei Sperrung der genannten Diode (D3) ein Ausschaltsignal erzeugen.
9. Schalter nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiter (T1) als Bipolar-Transistor mit isoliertem Gate ausgeführt ist.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102022211425A1 (de) 2022-10-27 2024-05-02 Inventronics Gmbh Schaltungsanordnung zum Ansteuern einer Last

Families Citing this family (89)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2700647B1 (fr) * 1993-01-15 1995-03-31 Legrand Sa Commutateur statique à protection intégrée pour le couplage d'une charge à une source électrique, comportant un transistor bipolaire à grille isolée.
JPH08126304A (ja) * 1994-10-28 1996-05-17 Toshiba Emi Ltd スイッチング電源
CA2172890C (en) * 1995-06-06 2005-02-22 Harold R. Schnetzka Switch driver circuit
US5745323A (en) * 1995-06-30 1998-04-28 Analog Devices, Inc. Electrostatic discharge protection circuit for protecting CMOS transistors on integrated circuit processes
DE19610895A1 (de) * 1996-03-20 1997-09-25 Abb Research Ltd Verfahren zur Einschaltregelung eines IGBTs und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
IT1292453B1 (it) 1997-07-02 1999-02-08 Aeg Niederspannungstech Gmbh Gruppo rotante di contatti per interrutttori di alta portata
DE19819242B4 (de) 1998-04-29 2005-11-10 Ge Power Controls Polska Sp.Z.O.O. Thermomagnetischer Leistungsschalter
US6114641A (en) 1998-05-29 2000-09-05 General Electric Company Rotary contact assembly for high ampere-rated circuit breakers
US6087913A (en) 1998-11-20 2000-07-11 General Electric Company Circuit breaker mechanism for a rotary contact system
US6037555A (en) 1999-01-05 2000-03-14 General Electric Company Rotary contact circuit breaker venting arrangement including current transformer
US6166344A (en) 1999-03-23 2000-12-26 General Electric Company Circuit breaker handle block
US6219215B1 (en) * 1999-04-30 2001-04-17 International Business Machines Corporation Chip thermal protection device
US6262872B1 (en) 1999-06-03 2001-07-17 General Electric Company Electronic trip unit with user-adjustable sensitivity to current spikes
US6268991B1 (en) 1999-06-25 2001-07-31 General Electric Company Method and arrangement for customizing electronic circuit interrupters
US6218917B1 (en) 1999-07-02 2001-04-17 General Electric Company Method and arrangement for calibration of circuit breaker thermal trip unit
US6188036B1 (en) 1999-08-03 2001-02-13 General Electric Company Bottom vented circuit breaker capable of top down assembly onto equipment
US6252365B1 (en) 1999-08-17 2001-06-26 General Electric Company Breaker/starter with auto-configurable trip unit
US6710988B1 (en) 1999-08-17 2004-03-23 General Electric Company Small-sized industrial rated electric motor starter switch unit
US6396369B1 (en) 1999-08-27 2002-05-28 General Electric Company Rotary contact assembly for high ampere-rated circuit breakers
US6175288B1 (en) 1999-08-27 2001-01-16 General Electric Company Supplemental trip unit for rotary circuit interrupters
US6232570B1 (en) 1999-09-16 2001-05-15 General Electric Company Arcing contact arrangement
US6326869B1 (en) 1999-09-23 2001-12-04 General Electric Company Clapper armature system for a circuit breaker
US6239395B1 (en) 1999-10-14 2001-05-29 General Electric Company Auxiliary position switch assembly for a circuit breaker
US6229413B1 (en) 1999-10-19 2001-05-08 General Electric Company Support of stationary conductors for a circuit breaker
US6317018B1 (en) 1999-10-26 2001-11-13 General Electric Company Circuit breaker mechanism
US6232856B1 (en) 1999-11-02 2001-05-15 General Electric Company Magnetic shunt assembly
ES2249875T3 (es) 1999-11-03 2006-04-01 AEG NIEDERSPANNUNGSTECHNIK GMBH & CO. KG Disposicion de brazo de contacto rotatorio para disyuntor.
US6377144B1 (en) 1999-11-03 2002-04-23 General Electric Company Molded case circuit breaker base and mid-cover assembly
US6300586B1 (en) 1999-12-09 2001-10-09 General Electric Company Arc runner retaining feature
US6310307B1 (en) 1999-12-17 2001-10-30 General Electric Company Circuit breaker rotary contact arm arrangement
US6184761B1 (en) 1999-12-20 2001-02-06 General Electric Company Circuit breaker rotary contact arrangement
US6172584B1 (en) 1999-12-20 2001-01-09 General Electric Company Circuit breaker accessory reset system
US6215379B1 (en) 1999-12-23 2001-04-10 General Electric Company Shunt for indirectly heated bimetallic strip
US6281461B1 (en) 1999-12-27 2001-08-28 General Electric Company Circuit breaker rotor assembly having arc prevention structure
US6346869B1 (en) 1999-12-28 2002-02-12 General Electric Company Rating plug for circuit breakers
US6211758B1 (en) 2000-01-11 2001-04-03 General Electric Company Circuit breaker accessory gap control mechanism
US6239677B1 (en) 2000-02-10 2001-05-29 General Electric Company Circuit breaker thermal magnetic trip unit
US6429759B1 (en) 2000-02-14 2002-08-06 General Electric Company Split and angled contacts
US6313425B1 (en) 2000-02-24 2001-11-06 General Electric Company Cassette assembly with rejection features
US6281458B1 (en) 2000-02-24 2001-08-28 General Electric Company Circuit breaker auxiliary magnetic trip unit with pressure sensitive release
US6204743B1 (en) 2000-02-29 2001-03-20 General Electric Company Dual connector strap for a rotary contact circuit breaker
US6404314B1 (en) 2000-02-29 2002-06-11 General Electric Company Adjustable trip solenoid
US6379196B1 (en) 2000-03-01 2002-04-30 General Electric Company Terminal connector for a circuit breaker
US6340925B1 (en) 2000-03-01 2002-01-22 General Electric Company Circuit breaker mechanism tripping cam
US6346868B1 (en) 2000-03-01 2002-02-12 General Electric Company Circuit interrupter operating mechanism
US6448521B1 (en) 2000-03-01 2002-09-10 General Electric Company Blocking apparatus for circuit breaker contact structure
US6459349B1 (en) 2000-03-06 2002-10-01 General Electric Company Circuit breaker comprising a current transformer with a partial air gap
US6366438B1 (en) 2000-03-06 2002-04-02 General Electric Company Circuit interrupter rotary contact arm
US6211757B1 (en) 2000-03-06 2001-04-03 General Electric Company Fast acting high force trip actuator
US6496347B1 (en) 2000-03-08 2002-12-17 General Electric Company System and method for optimization of a circuit breaker mechanism
US6429659B1 (en) 2000-03-09 2002-08-06 General Electric Company Connection tester for an electronic trip unit
US6232859B1 (en) 2000-03-15 2001-05-15 General Electric Company Auxiliary switch mounting configuration for use in a molded case circuit breaker
US6366188B1 (en) 2000-03-15 2002-04-02 General Electric Company Accessory and recess identification system for circuit breakers
US6218919B1 (en) 2000-03-15 2001-04-17 General Electric Company Circuit breaker latch mechanism with decreased trip time
US6421217B1 (en) 2000-03-16 2002-07-16 General Electric Company Circuit breaker accessory reset system
US6459059B1 (en) 2000-03-16 2002-10-01 General Electric Company Return spring for a circuit interrupter operating mechanism
US6639168B1 (en) 2000-03-17 2003-10-28 General Electric Company Energy absorbing contact arm stop
US6479774B1 (en) 2000-03-17 2002-11-12 General Electric Company High energy closing mechanism for circuit breakers
US6476698B1 (en) 2000-03-17 2002-11-05 General Electric Company Convertible locking arrangement on breakers
FR2806548B1 (fr) 2000-03-17 2002-08-23 Ge Power Controls France Mecanisme extractible pour disjoncteurs
US6388213B1 (en) 2000-03-17 2002-05-14 General Electric Company Locking device for molded case circuit breakers
US6373010B1 (en) 2000-03-17 2002-04-16 General Electric Company Adjustable energy storage mechanism for a circuit breaker motor operator
US6586693B2 (en) 2000-03-17 2003-07-01 General Electric Company Self compensating latch arrangement
US6559743B2 (en) 2000-03-17 2003-05-06 General Electric Company Stored energy system for breaker operating mechanism
US6472620B2 (en) 2000-03-17 2002-10-29 Ge Power Controls France Sas Locking arrangement for circuit breaker draw-out mechanism
US6747535B2 (en) 2000-03-27 2004-06-08 General Electric Company Precision location system between actuator accessory and mechanism
US6381114B1 (en) * 2000-03-31 2002-04-30 Micro Motion, Inc. Integrated current source feedback and current limiting element
US6373357B1 (en) 2000-05-16 2002-04-16 General Electric Company Pressure sensitive trip mechanism for a rotary breaker
US6400245B1 (en) 2000-10-13 2002-06-04 General Electric Company Draw out interlock for circuit breakers
US6806800B1 (en) 2000-10-19 2004-10-19 General Electric Company Assembly for mounting a motor operator on a circuit breaker
US6531941B1 (en) 2000-10-19 2003-03-11 General Electric Company Clip for a conductor in a rotary breaker
US6429760B1 (en) 2000-10-19 2002-08-06 General Electric Company Cross bar for a conductor in a rotary breaker
US6362711B1 (en) 2000-11-10 2002-03-26 General Electric Company Circuit breaker cover with screw locating feature
US6380829B1 (en) 2000-11-21 2002-04-30 General Electric Company Motor operator interlock and method for circuit breakers
US6448522B1 (en) 2001-01-30 2002-09-10 General Electric Company Compact high speed motor operator for a circuit breaker
US6476337B2 (en) 2001-02-26 2002-11-05 General Electric Company Auxiliary switch actuation arrangement
FR2826197B1 (fr) * 2001-06-19 2003-08-15 Schneider Electric Ind Sa Declencheur electronique comportant un condensateur d'alimentation d'une bobine de declenchement
US6678135B2 (en) 2001-09-12 2004-01-13 General Electric Company Module plug for an electronic trip unit
US6469882B1 (en) 2001-10-31 2002-10-22 General Electric Company Current transformer initial condition correction
US6804101B2 (en) 2001-11-06 2004-10-12 General Electric Company Digital rating plug for electronic trip unit in circuit breakers
US8060120B2 (en) * 2007-01-03 2011-11-15 Motorola Solutions, Inc. System and method for transmitting a sequence of pages in a communication system
EP2048567B1 (de) * 2007-08-17 2014-05-07 Semiconductor Components Industries, LLC EMV-Schutzschaltung
US8060321B2 (en) * 2008-08-15 2011-11-15 Liebert Corporation System and method for detecting an electrical short across a static switch of an uninterruptible power supply
DE102011113431B4 (de) * 2011-09-14 2017-01-26 Austriamicrosystems Ag Mikrofonverstärker
US10598703B2 (en) 2015-07-20 2020-03-24 Eaton Intelligent Power Limited Electric fuse current sensing systems and monitoring methods
US10284008B2 (en) 2016-09-13 2019-05-07 Abb Schweiz Ag Isolated parallel ups system with fault location detection
US11143718B2 (en) 2018-05-31 2021-10-12 Eaton Intelligent Power Limited Monitoring systems and methods for estimating thermal-mechanical fatigue in an electrical fuse
US11289298B2 (en) 2018-05-31 2022-03-29 Eaton Intelligent Power Limited Monitoring systems and methods for estimating thermal-mechanical fatigue in an electrical fuse
DE102019203977B4 (de) 2019-03-22 2020-12-24 Siemens Aktiengesellschaft Schutzschalteinrichtung für Gleichspannung und Gleichspannungsabzweig mit Schutzschalteinrichtung

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS591066B2 (ja) * 1978-12-27 1984-01-10 株式会社リコー 定電圧電源装置の起動方式
US4891728A (en) * 1986-12-23 1990-01-02 Siemens Aktiengesellschaft Circuit arrangement for limiting the switch-on current and for providing an over voltage protection in switch mode power supply devices
JPS63292547A (ja) * 1987-05-26 1988-11-29 Toshiba Corp 保護素子用監視装置
US4949213A (en) * 1988-11-16 1990-08-14 Fuji Electric Co., Ltd. Drive circuit for use with voltage-drive semiconductor device
US4937697A (en) * 1989-05-22 1990-06-26 Motorola, Inc. Semiconductor device protection circuit

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102022211425A1 (de) 2022-10-27 2024-05-02 Inventronics Gmbh Schaltungsanordnung zum Ansteuern einer Last

Also Published As

Publication number Publication date
JPH04252611A (ja) 1992-09-08
CA2044123C (en) 2000-08-15
US5153802A (en) 1992-10-06
CA2044123A1 (en) 1991-12-13
EP0462023A1 (de) 1991-12-18
EP0462023B1 (de) 1997-07-16
FR2663175A1 (fr) 1991-12-13
DE69126826D1 (de) 1997-08-21

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