DE2445803B2 - Verfahren zum Herstellen von Leiterplatten - Google Patents

Description

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Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen von Leiterplatten gemäß dem Oberbegriff des Hauptanspruches.

Die Technologie bei der Herstellung von Leiterplatten ist im Zuge der Miniaturisierung der elektronischen Bauteile und ihrer damit verbundenen erhöhten Packungsdichte ebenfalls ständig weiterentwickelt worden. Zum allergrößten Teil werden dabei heute ein- oder auch mehrlagige Leiterplatten nach der bekannten subtraktiven Methode hergestellt. Das Ausgangsmaterial ist dabei ein kupferkaschiertes Halbzeug, d. h. eine z. B. glasfaserverstärkte Epoxidharzplatte, auf die ein- oder beidseitig eine z.B. 35μπι dicke Kupferfolie auflaminiert ist. Um eine gute Haftfestigkeit dieser Kupferkaschierung zu erreichen, ist der Isolierstoffträger von dem Laminieren noch nicht vollständig auspolymerisiert. Die Kuperfolie selbst wird galvanisch bei hohen Stromdichten auf einer sich langsam drehenden Walze abgeschieden, wobei die Toleranzen in der Schichtdicke durch Regelung der Drehgeschwindigkeit der Walze und der Stromdichten eingehalten werden. Die hohen Stromdichten ergeben einseitig eine sehr rauhe Oberfläche der Kupferfolie, die Struktur der rauhen Oberfläche wird durch chemische Nachbehandlung mit Haftvermittlern noch weiter gesteigert.

Beim Laminieren liegt diese rauhe Seite der Kupferfolie auf dem Isolierstoffträger, der durch den Druck und die Wärmezufuhr beim Laminiervorgang

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65 nochmals zähflüssig wird und in diesem Zustand in die Kavernen der Kupferfolie hineinwandert. Das Ergebnis sind zwei vielfach miteinander verzahnte Grenzschichten.

Beim Weiterverarbeiten dieser Halbzeuge werden mehrere auf ein bestimmtes Format geschnittene, als Nutzen bezeichnete, kupferkaschierte Trägerplatten cu einem Paket zusammengepreßt und Löcher für Durchkontaktierungen mit numerisch gesteuerten Automaten gebohrt. Die Löcher werden anschließend durch Schleifen entgratet, noch in die Löcher hineingedrückte Grate werden durch Naßsandstrahlen abgelöst und ausgespült Diese entgrateten Bohrungen werden nun metallisiert, d. h. durchkontaktiert, indem rein chemisch eine etwa 1 μπι starke Basisschicht aus Kupfer an den Bohrungswandungen niedergeschlagen, die galvanisch um 5 bis 10 μπι verstärkt wird.

Bei direkt steckbaren Leiterplatten werden anschließend zunächst die Kontaktfinger im Steckbereich aufgebaut. Dazu wird das gesamte Halbzeug mit einer Fotoresist beschichtet, das im Steckbereich der Leiterplatte entsprechend der gewünschten Anordnung der Kontaktfinger belichtet und entwickelt wird, um zunächst die Kontaktfinger ausätzen zu können. Diese sind danach durch Freiätzungsgräben voneinander getrennt, an ihrer Rückseite mit der sonst unververändert erhalten gebliebenen Kupferkaschierung jedoch kammartig verbunden. Der Nutzen wird entschichtet und danach erneut mit einem Fotoresist beschichtet und derart belichtet, daß allein im gesamten Steckbereich ein Fenster entsteht, dessen Breite der Länge der Kontaktfinger angepaßt ist. Im Bereich dieses Fensters wird die gesamte Kupferoberfläche der Kontaktfinger allseitig, also auch an den Flanken galvanisch zunächst vernickelt und anschließend vergoldet.

Hierbei könnten sich zwischen benachbarten Kontaktfingern durch unter die Fotofolie eindringende Elektrolyten galvanisch abgeschiedene Metallbrücken bilden, da sich die Folie den hohen Stufen zwischen zwei benachbarten Kontaktfingern und dem dazwischenliegenden Freiätzungsgräben nicht exakt genug anzupassen vermag. Um dies zu vermeiden, wird die Randschicht zusätzlich am Hinterende der Kontaktfinger durch einen schmalen, im Siebdruckverfahren aufgebrachten Lackstreifen abgedeckt.

Mit dem Vergolden sind die Kontaktfinger fertiggestellt, der Nutzen wird wieder entschichtet und nochmals einer Behandlung durch Naßsandstrahlen unterzogen. Damit ist seine Oberfläche für den eigentlichen Leiterbahnendruck vorbereitet, in dem er wieder mit einem Fotoresist beschichtet und der Konfiguration der Leiterbahnen entsprechend belichtet wird. Die Leiterbahnen werden danach freigeätzt und nochmals verkupfert. Dabei wird zugleich die erforderliche metallische Schichtdicke an den Bohrungswandungen von ca. 25 μπι und eine überlappende Kupferschicht am Übergang von einem Kontaktfinger auf die anschließende Leiterbahn erreicht und somit ein Mikroriß am Stoß verhindert. Auf diese Kupferschicht wird anschließend eine Zinnschicht aufgebaut, der Nutzen entschichtet, d. h. die Reste des Fotoresists abgelöst, und anschließend noch galvanisch geätzt. In diesem Ätzbad ist Zinn, Nickel und Gold beständig, freistehendes Kupfer wird dagegen weggeätzt. Nach der herkömmlichen Methode ist die Leiterplatte damit fertiggestellt.

Die Herstellung einer Leiterplatte nach der rein subtraktiven Methode wurde vorstehend ausführlich

erläutert, um darzustellen, daß die üblicherweise ca35 μπη starke Kupferkaschierung bei der Herstellung allein wegen ihrer Schichtdicke schon bestimmte Probleme mit sich bringt Abgesehen davon, daß bei der subtraktiven Methode zunächst eine Kupferkaschierung aufgebracht wird, die dann durch Ätzen zum größten Teil wieder abgelöst wird, besteht der weitere Nachteil, daß diese Kaschierung wesentlich stärker ist, als es aus rein elektrischen und funktionellen Gründen erforderlich wäre. Die handelsübliche, etwa 35 μΐη starke ι ο Kaschierung ist darauf zurückzuführen, daß bei dieser Schichtdicke technologisch eine niedrige Dickentoleranz beherrscht wird und die Porenfreiheit der Folie gewährleistet ist. Letztere ist erforderlich, damit der Isolierstoff beim Laminieren die Folie nicht durchdringen kann und dann für die weitere Fertigung ungünstige Höfe bildet

Aus fertigungstechnischen Gründen wäre es daher wünschenswert, entweder wenigstens ein Halbzeug mit dünnerer Kupferkaschierung verwenden oder direkt eine additive Methode anwenden zu können, bei der auf den unkaschierten Isolierstoffträger die metallischen Schichten direkt aufgebaut werden. Beide Möglichkeiter sind bereits aus Versuchen bekannt, jedoch noch nicht genügend erprobt, um sie als fertigungstechnisch beherrschbar für die Herstellung mehrlagiger Leiterplatten bezeichnen zu können. Die dafür angebotenen Halbzeuge und dabei anzuwendenden Fertigungsmethoden sind außerdem so teuer, daß sie in einer größeren Fertigung noch nicht wirtschaftlich sind. Letzteres gilt vor allem für ein Halbzeug mit dünnerer Kupferkaschierung, was darauf zurückzuführen sein dürfte, daß es technologisch schwierig ist, eine derart dünne Kupferfolie porenfrei herzustellen. Teuer ist auch ein darüber hinaus noch nicht genügend erprobtes Herstellungsverfahren, bei dem der Isolierstoffträger für die Leiterbahnenbeschichtung in einer besonderen Weise vorbereitet wird. Zunächst wird auf ihn eine Aluminiumfolie puflaminiert, diese dann durch Natronlauge wieder abgebeizt und das dabei anfallende Aluminiumoxyd mit Salzsäure entfernt. Die so vorbereitete Oberfläche des Isolierstoffträgers soll den Aufbau von Leiterbahnen in einem additiven Verfahren ermöglichen. Dieses Halbzeug ist jedoch noch sehr teuer und die für Leiterplatten zu fordernde Haftfestigkeit zwischen dem Isolierstoffträger und den metallischer Schichten noch nicht ausreichend sichergestellt, obwohl die Oberfläche des Halbzeugs durch Haftvermittler bereits verbessert ist.

Ein anderes bekanntes Verfahren, das der Gruppe der rein additiven Verfahren zuzurechnen ist, besteht darin, daß auf der Vorderseite einer unkaschierten Isolierplatte mit einem Schutzbelag ein Gegenbild der gewünschten Schaltung erzeugt wird und die nicht mit dem Schutzbelag versehenen Teile der Isolierplatte, einschließlich der Löcher, mit einem chemisch aufgebrachten, elektrisch leitenden Material versehen werden, daß anschließend auf die Rückseite der Isolierplatte auf die leitende Schicht ein Schutzbelag aufgebracht wird, danach die nicht mit einem Schutzbelag versehenen Teile der Isolierplatte mit einem galvanisch erzeugten Metallüberzug versehen und schließlich von der Rückseite der Schaltungsplatte der Schutzbelag sowie die chemisch erzeugte leitende Schicht entfernt werden. Dabei wird vorzugsweise von einer aufgerauhten Oberfläche der Isolierstoffplatte ausgegangen. Dies soll z. B. mit Hilfe eines Sandstrahlgebläses erreicht werden und hat den Zweck, die nachfolgende chemische Plattierung zu erleichtern. Weiterhin wird dazu die Isolierstoffplatte in einem Sensibilisier- und anschließend in einem Entwicklerbad vorbehandelt, um das Aufbringen des chemischen Überzuges zu erleichtern. Schließlich wird eine nach obiger Beschreibung gefeitigte Leiterplatte mit Ausnahme der Lötaugen durch eine Lötmittelschutzschicht abgedeckt, die als Schutz für die plattierten Leiter, aber auch dazu dient, diese Leiter auf der Isolierstoffplatte zu halten.

Auch dieses Beispiel für eines der bekannten additiven Verfahren zeigt, welche Anstrengungen — Aufrauhen, Sensibilisieren der zu plattierenden Oberfläche und Schützen der Plattierung — unternommen werden müssen, um die geforderte Haftfestigkeit zu erreichen, die bei den subtraktiven Verfahren beherrscht wird.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der eingangs genannten Art zu schaffen, bei dem die metallischen Leitungsverbindungen additiv aufgebracht werden, das aber trotzdem Ergebnisse liefert, die den in vielen Fällen sehr hohen Anforderungen an Haftfestigkeit der metallischen Schichten gegenüber dem Isolierstoffträger genügen. Dabei soll für den Aufbau der Basisschicht aus Kupfer auf dem Isolierstoffträger von den bekannten Möglichkeiten rein chemischer Abscheidung ausgegangen werden. Bei diesen wird der Isolierstoffträger in Sensibilisierungs- bzw. Aktivierungsbädern aufbereitet, dann einer Behandlung in einem sogenannten Katallysatorbad unterzogen, das z. B. Palladium und Zinn in gelöster Form enthält und in dem der Isolierstoffträger Palladium adsorbiert. In einem anschließenden chemisch redulctiven Schritt wird das Palladium gegen Kupfer ausgetauscht; dabei wirkt das ausgetauschte Palladium quasi als Starter, so daß der einmal begonnene Vorgang der Kupferabscheidung autokatalytisch weiterläuft. Diese rein chemische Kupferabscheidung wir · echnologisch beherrscht, führt jedoch noch nicht zu den ausreichend haftfssten Basisschichten, die bei einer Leiterplattenfertigung für die Leiterbahnen gefordert v/erden.

Bei einem Verfahren der eingangs genannten Art wird diese Aufgabe gelöst durch die im Kennzeichen des Hauptanspruches beschriebenen Merkmale.

Gegenüber allen anderen bekannten Versuchen, z. B. mit Hilfe von Haftvermittlern auf rein chemischem Wege die Oberfläche des Isolierstoffträgers vorzubereiten oder durch mechanische Behandlungen aufzurauhen, z. B. auch durch ein Schleifen mit in Wasser aufgelöstem Bimsmehl, liefert diese technisch sehr einfache Vorbehandlung des Isolierstoffträgers brauchbare Ergebnisse mit einer viel besseren Haftfähigkeit. Der besondere Vorteil dieses Verfahrens besteht darin, von einem billigen Halbzeug ausgehen zu können, das im Gegensatz zu den geschilderten Versuchen, Leiterbahnen additiv aufzubauen, keinen noch nicht völlig erprobten, außerdem teueren Aktivierungsbehandlungen unterworfen werden muß. Statt dessen läuft das Verfahren mit der bereits bei der subtraktiven Methode ausgefeilten Technologie vollkommen zufriedenstellend und mit gutem Ergebnis ab. Das bedeutet unter anderem keine neuen Maschineninvestitionen. Darüber hinaus bietet sich die Möglichkeit, dieses Verfahren auch bei nach der subtraktiven Methode hergestellten Leiterplatten anzuwenden, wenn diese im Leiterbild Fehler enthalten. In diesem Fall kann die ganze metallische Beschichtung abgelöst werden und das Leiterbild mit den vorhandenen Einrichtungen neu gebildet werden. Bisher nicht verwendbare Leiterplatten können auf

diese Weise repariert werden.

Da ein- oder beidseitig kaschiertes Halbzeug mit einer 35 μπι starken Kupferkaschierung handelsüblich, im Verhältnis preiswert erhältlich ist, besteht eine Weiterbildung der Erfindung darin, daß zur Verbesserung der Haftfestigkeit der Basisschicht auf der Trägerplatte als Ausgangsmaterial des Halbzeugs eine handelsübliche, mindestens einseitig kupferkaschierte Trägerplatte verwendet wird, deren Kupferkaschierung von dem Epoxidharzkern abgeätzt und dann erst die so vorbehandelte Trägerplatte durch Naßsandstrahlen behandelt wird.

Dabei wird nun der Effekt des Naßsandstrahlens als Aktivierungsbehandlung des Isolierstoffträgers noch offensichtlicher. Rein optisch müßte man auf Grund der Mikrooberfläche eines abgeätzten Isolierstoffträgers bei einem derartigen Halbzeug annehmen, daß diese zerklüftete und mit tiefen Kavernen durchsetzte Oberfläche ausgezeichnet geeignet sei, eine ausreichende Haftfestigkeit einer darauf abzuscheidenden Basisschicht aus Kupfer sicherzustellen. Tatsächlich ist dies jedoch nicht der Fall, im Gegenteil, erst eine Nachbehandlung dieser Oberfläche durch Naßsandstrahlen führt zu dem gewünschten Ergebnis. Dies ist um so erstaunlicher, als dabei, wie ohne weiteres vorstellbar, die ursprünglich stark zerklüftete Oberfläche nivelliert, die wirksame Oberfläche also verringert wird. Dieser überraschende Effekt wird darauf zurückgeführt, daß die Aktivierungsbehandlung der rauhen Oberfläche der Kupferfolie vor dem Laminieren mit dem Isolierstoffträger auf diesem Rückstände hinterläßt, die die Haftfestigkeit verringern und die erst durch das Naßsandstrahlen beseitigt werden.

Eine andere vorteilhafte Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht darin, daß nach dem Ersteilen sämtlicher Leiterbahnen und der internen und der externen Anschlußkontakte die soweit fertig metallisierte Leiterplatte abschließend getempert wird. Bei dem abschließenden Tempern einer fertiggestellten Leiterplatte, davon kann wohl ausgegangen werden, spielen sich in der Grenzschicht zwischen der Basisschicht und dem Isolierstoffträger Vorgänge ab, die die Spannungen zwischen den aneinandergrenzenden Schichten verringern, bzw. die diese beiden aneinandergrenzenden Schichten noch besser aneinander anpassen. Im Ergebnis führt dies nochmals zu einer Erhöhung der Haftfestigkeit der Basisschicht aus Kupfer auf dem Isolierstoffträger.

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird im folgenden anhand der Zeichnung erläutert. Dabei zeigen die fünf Figuren rein schematisch den Fertigungsablauf nach dem erfindungsgemäßen Verfahren in verschiedenen Schritten, wobei als Ausgangsmaterial ein doppelseitig kaschiertes Halbzeug mit einer handelsüblichen, 35 μίτι starken Kaschierung verwendet wird.

F i g. 1 zeigt einen Teilschnitt durch ein handelsübliches Halbzeug mit einem Isolierstoffträger 1 aus glasfaserverstärktem Epoxidharzgewebe, der beidseitig eine Kupferkaschierung 2 trägt. Diese besteht aus einer in bekannter Weise hergestellten Kupferfolie mit einer stark zerklüfteten und von tiefen Kavernen durchsetzten Oberfläche, die sich beim Laminiervorgang in die Oberfläche des Isolierstoffträgers 1 einprägt.

F i g. 2 soll schematisch andeuten, daß in einem ersten Verfahrensschritt zunächst die Kupferkaschierung 2 von dem Isolierstoffträger 1 abgeätzt wird. Dann liegt die zerklüftete Oberfläche des Isolierstoffträgers 1 frei, die in ihrer Struktur bereits die Ursache für eine gute Haftfestigkeit der aufzubringenden metallischen Schicht bildet.
In F i g. 3 ist der nächste Verfahrensschritt schematisch angedeutet, bei dem in den freigelegten Isolierstoffträger 1 Bohrungen 3 für die Durchkontaktierungen eingelassen werden. In der Praxis wird dies gleichzeitig für mehrere Halbzeuge durchgeführt, die zu einem Paket verstiftet sind. Dabei ist es prinzipiell

ίο gleichgültig, in welcher Reihenfolge die beiden in F i g. 2 bzw. Fig.3 angedeuteten Verfahrensschritte ausgeführt werden. Die dargestellte Reihenfolge hat den Vorteil, daß sich in die Bohrungen 3 keine metallischen Grate hineinziehen können, da die Kaschierung 2 vorher bereits abgeätzt ist; außerdem ist der Bohrerverschleiß geringer. Dies erhöht die Standzeit der Bohrwerkzeuge. Bei mehrlagigen Leiterplatten, die bekanntlich Zwischenlagen mit metallischen Leiterbahnen enthalten, hat die angegebene Reihenfolge den weiteren Vorteil, daß in den Bohrungswandungen keine Hinterätzungen an den Anschlußflecken der Innenlagen auftreten können. Deshalb ist in diesem Ausführungsbeispiel die angegebene Reihenfolge gewählt. Nach dem Bohren werden die Löcher durch Schleifen entgratet

In Fig.4 ist nun rein schematisch durch die von beiden Seiten auf den Isolierstoffträger 1 weisenden Pfeile 4 angedeutet, daß der Isolierstoffträger 1 nunmehr von beiden Seiten einer Behandlung durch Naßsandstrahlen unterzogen wird. Bei einer genaueren Betrachtung der Oberfläche des Isolierstoffträgers 1 im Vergleich mit den F i g. 1 bis 3 sollte erkennbar sein, daß dabei die nach außen weisenden Spitzen abgetragen werden. Die tiefen Kavernen, z. B. an den mit 5 bezeichneten Stellen bleiben jedoch erhalten und reichen aus, eine große Haftfestigkeit der aufzubringenden metallischen Schichten zu sichern.

Der so vorbereitete Isolierstoffträger 1 wird nun in herkömmlicher Weise, die einleitend ausführlich beschrieben ist, weiterverarbeitet. Dabei wird er mit einem

■»ο Fotoresist beschichtet und belichtet. Durch den Belichtungsvorgang polymerisiert das Fotoresist und ist dann je nach dem, ob es sich um ein positives oder negatives Fotoresist handelt, an den belichteten bzw. unbelichteten Stellen gegenüber Lösungsmitteln resistent. Dadurch lassen sich auf den Isolierstoffträger 1 Leiterbahnenkonfigurationen und Anschlußkontakte übertragen und die durch Fotoresist nicht mehr beschichteten Stellen zunächst chemisch mit einer Basisschicht 61 verkupfern, die durch eine oder mehrere

so galvanisch abgeschiedene Deckschichten 62 verstärkt wird, wie das Ergebnis in Fig.5 zeigt Aus den einleitenden Erläuterungen geht wohl klar genug hervor, daß für jeden Metallisierungsvorgang, soweit dabei die sich zu metallisierende Oberfläche ändert, eine jeweils erneute Beschichtung des Isolierstoffträgers 1 mit einem Fotoresist erforderlich ist Dies ist jedoch auch bei den bekannten Verfahren zum Herstellen von Leiterplatten nach der subtraktiven Methode der Fall, so daß dies im einzelnen nicht mehr erläutert werden muß.

Nach der fertigen Metallisierung ist eine nach der subtraktiven Methode hergestellte Leiterplatte fertig. Bei dem hier vorliegenden Verfahren ist es jedoch zweckmäßig, eine solche Leiterplatte anschließend noch zu tempern, dabei Spannungen in der Grenzschicht zwischen der Basisschicht 61 und dem Isolierstoffträger 1 abzubauen und beide Oberflächen noch besser aneinander anzupassen.

Das beschriebene Ausführungsbeispiel geht von einem kupferkaschierten Halbzeug aus, das eine sehr gut haftende Basisschicht aus Kupfer auf dem Isolierstoffträger liefert In manchen Anwendungsfällen reicht es jedoch durchaus aus, direkt ein unkaschiertes Halbzeug zu verwenden, das allerdings dann die beim Laminiervorgang des kaschierten Halbzeuges gebildete zerklüftete Oberfläche des Isolierstoffträgers 1 nicht aufweist Die durch intensives Sandstrahlen zu erzielende Struktur in der Oberfläche des Isolierstoffträgers 1 reicht aber trotzdem noch aus, bei geminderten Ansprüchen an die Haftfestigkeit einer entsprechend dem geschilderten Ausführungsbeispiel rein chemisch abgeschiedenen Basisschicht, um auch diese Möglichkeit zu nutzen. Dies kann z. B. für die Verbesserung der

Durchkontaktierung bei bestimmten Leiterplattentypen zweckmäßig sein. In diesem Fall dient eine an der Oberfläche des Isolierstoffträgers abgeschiedene Kupferschicht lediglich dafür, die Metallisierung der Bohrungen für die Durchkontaktierungen auszulösen, d.h. daß in diesem Fall die Verkupferung der Bohrungswandungen von den Oberflächen des Isolierstoffträgers aus nach innen fortschreitet Vielfach wird dann in späteren Verfahrensschritten diese Hilfsschicht auf der Oberfläche des Isolierstoffträgers wieder abgeätzt, da sie ihren Zweck erfüllt hat In diesem Fall kommt es dann weniger auf ihre ausgezeichnete Haftfähigkeit auf dem Isolierstoffträger an, sie muß nur so dicht sein, daß sie den gewünschten Vorgang in Gang setzen kann.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (3)

Patentansprüche:

1. Verfahren zum Herstellen von Leiterplatten mit einer mindestens einlagigen Trägerplatte aus glasfaserverstärktem Epoxidharz, bei dem diese nach dem Bohren von Löchern für Durchkontaktierungen durch Sandstrahlen aufgerauht wird, danach die Löcher metallisiert und in weiteren Schlitten auf die Trägerplatte fotoresistente Abdeckungen aufgedruckt werden, die jeweils zumindest Teile einer '° Leiterbahnenkonfiguration freilassen, auf denen rein chemisch eine dünne Basisschicht aus Kupfer und darüber galvanisch mindestens eine Deckschicht abgeschieden werden, wobei im Falle mehrerer Deckschichten die unterste aus Kupfer und die übrigen aus unterschiedlichen Metallen bestehen, dadurch gekennzeichnet, daß das Sandstrahlen nach dem Bohren als Naßsandstrahlcn und der Art nach so intensiv und auch mehrmals durchgeführt wird, daß nach einem Trocknen die Trägerplatte ohne jede weitere Sensibilisierung in bekannter Weise zu metallisieren ist.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur weiteren Verbesserung der Haftfestigkeit der Basisschicht auf der Trägerplatte als Ausgangsmaterial des Halbzeuges eine handelsübliche, mindestens einseitig kupferkaschierte Trägerplatte verwendet wird, deren Kupferkaschierung (2) von dem Epoxidharzkern (1) abgeätzt und dann erst die so vorbehandelte Trägerplatte durch ^o Naßsandstrahlen behandelt wird.

3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Erstellen sämtlicher Leiterbahnen und der internen und der externen Anschlußkontakte die soweit fertig metalli- ^J5 sierte Leiterplatte abschließend getempert wird.