DE2432931C3

DE2432931C3 - Verfahren zum Steuern eines Gasentladungspaneels

Info

Publication number: DE2432931C3
Application number: DE2432931A
Authority: DE
Inventors: Tadatsugu Dipl.-Ing. Hirose; Toshinori Dipl.-Ing. Urade; Hisashi Dipl.-Ing. Kobe Yamaguchi
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1973-07-16
Filing date: 1974-07-09
Publication date: 1980-10-16
Also published as: FR2238241B1; DE2432931B2; DE2432931A1; US3976993A; FR2238241A1; GB1476735A; NL7409279A

Description

Kurzfassung

Es wird ein Verfahren zum Steuern eines Gasentladungspaneels beschrieben, bei dem periodisch mit mehreren Verschiebungssammelschienen verbundene Verschiebungselektroden und mit einer gemeinsamen Sammelschiene verbundene Elektroden derart, angeordnet sind, daß sie einander in rechten Winkeln schneiden, wobei ein mit einem ionisierbaren Gas gefüllter Entladungsraum zwischen den Elektroden begrenzt ist und eine Verschiebungsspannung an mehrere Verschiebungssammelschienen nacheinander angelegt wird, um einen Entladungspunkt zu verschieben. Bei dieser Anordnung wird eine impulsgeformte Hochspannung eines Löschpegels an die gemeinsame Sammelschiene angelegt, eine impulsgeformte Niederspannung wird an die Verschiebungssammelschienen angelegt, und eine Aufrechterhaltungsspannung, welche die Summe der Hochspannung und der Niederspannung ist, wird an Entladungszellen an den Schnittpunkten der Verschiebungselektroden und der gemeinsamen Elektroden angelegt, um den Entladungspunkt aufeinanderfolgend zu verschieben.

Die Erfindung bezieht sich auf Verfahren zum Steuern eines Gasentladungspaneels nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.

Bei einem Plasmaanzeigepaneel ist es bekannt, daß Elektroden, die mit dielektrischen Schichten aus Glas mit niedrigem Schmelzpunkt überzogen sind, in Berührung mit einem Gasentladungsraum angeordnet sind, in den ein ionisierbares Gas, wie Neon od. dgl., eingeschlossen ist. Eine Wechsel Aufrechterhaltungsspannung ist an benachbarte oder gegenüberliegende Elektroden angelegt. Wenn durch Anlegen einer Schreibspannung, die höher als eine Zündspannung ist, einmal eine Entladung erzeugt ist, wird die Entladung kontinuierlich durch die Wechsel-Aufrechterhaltungsspannung aufrechterhalten, um eine Anzeige durch Entladungsglimmen zu ermöglichen.

Des weiteren ist eine Selbstverschiebungsantriebsanordnung vorgeschlagen worden, bei welcher der Entladungspunkt aufeinanderfolgend verschoben wird, indem die Elektroden periodisch mit Mehrphasensammelschienen, z.B. Dreiphasensammelschienen od. dgl., verbunden werden, und indem eine Spannung an die Sammelschienen nacheinander angelegt wird. Fi g. 1 ist ein Blockschaltbild eines Beispiels einer solchen Selbstverschiebungsantriebsanordnung. Ein Plasmaanzeigepaneel I enthält gemeinsame Elektroden y\ bis /7, die mit einer gemeinsamen Sammelschiene Y verbunden sind, Schreibelektroden w X bis w7, die den gemeinsamen Elektroden yX bis y7 gegenüberliegend angeordnet sind, um diese in rechten Winkeln zu schneiden, und Verschiebungselektroden a fl, b\, el,

d 1, a 2, b 2 die periodisch mit den Sammelschienen

A, B, C und D verbunden werden. Die Elektroden sind alle jeweils mit dielektrischen Schichten überzogen.

2 bezeichnet einen Schriftzeichengenerator, 3 und 4 bezeichnen Schieberegister, 5 bezeichnet einen Oszillator, 6 bezeichnet einen Frequenzteiler, 7 bezeichnet

einen Phasenschieber zum Verschieben des Ausgangssignals ΦA des Oszillators 5 um 180° nach Φ S, 8 bezeichnet eine Schreibantriebsstufe, 9 und 10 bezeichnen UND-Kreise, 11 bezeichnet eine Verschiebungsantriebsstufe zum Anlegen einer Verschiebungsspannung an die Sammelschienen A bis D und 12 bezeichnet eine Antriebsstufe zum Anlegen einer Spannung an eine gemeinsame Sammelschiene Y.

Das Ausgangssignal von dem Oszillator 5 wird durch den Frequenzteiler 6 in seiner Frequenz geteilt und ι υ durch dieses frequenzgeteilte Ausgangssignal wird das Scheiberegister 4 angetrieben. Da es sich insgesamt um vier Sammelschienen A bis D handelt, ist das Schieberegister 4 ein ^Bit-Schieberegister und durch das Ausgangssignal von jeder Stufe wird die Verschie- \^r> bungsantriebsstufe 11 angetrieben und eine Verschiebungsspannung, die aus einem impulszug besteht, wird nacheinander an die Sammelschienen A bis D in Übereinstimmung mit einer Verschiebungsgeschwindigkeit angelegt Da des weiteren die Antriebsstufe 12 durch das Ausgangssignal von dem Phasenschieber 7 angetrieben wird, wird eine Spannung, die aus einem Impulszug besteht, der um 180° in der Phase gegenüber der Spannung verschoben ist, die an die Sammelschienen A bis D angelegt ist, an die Sammelschiene Y angelegt.

Nach dem Anlegen einer Anzeigeinformation an den Schriftzeichengenerator 2 wird ein Schreibsignal in Übereinstimmung mit dem Ausgangssignal von dem Schieberegister 3 erzeugt. Im Falle der Anzeige eines Schriftzeichens mit 5x7 Punkten kann ein Schriftzeichenabstand entsprechend zwei Bits vorgesehen werden, indem das Schieberegister 3 z. B. mit einem 7-Bit-Schieberegister gebildet wird.

Die Schreibantriebsstufe 8 wird in Übereinstimmung J5 mit einem Schreibsignal angetrieben, das von dem Schriftzeichengenerator 2 abgeleitet wird, um eine Schreibspannung an eine ausgewählte Elektrode der Schreibelektroden wl bis wl anzulegen, wodurch ein Entladungspunkt zwischen der Schreibelektrode und to den gemeinsamen Elektroden y\ bis yl erzeugt wird, und dann wird der Entladungspunkt aufeinanderfolgend nach rechts verschoben, indem die Verschhbungsspannung, die an die Sammelschienen A bis D angelegt wird, geschaltet wird. *">

Fig.2 ist ein Schaltbild der Hauptteile der vorstehend erwähnten Antriebsstufen 8,31 und 12, und F i g. 3 zeigt Weilenformdiagramme zur Erläuterung der Arbeitsvorgänge dieser Antriebsstufen. Ein Trensistor QS wird zum Zeitpunkt des Auftretens des Ausgangssignals ΦA eingeschaltet, und Transistoren QA bis QD, welche die Verschiebungsantriebsstufe bilden, werden zur Zeit ties Auftretens eines Ausgangssignals ΦΑ von dem Oszillator 5 nur eingeschaltet, während Ausgangssignale von den Stufen des Schieberegisters 4-, die diesen entsprechen, vorhanden sind. Des weiteren wird ein Transistor QE zum Zeitpunkt des Auftretens des Ausgangssignals ΦA von dem Oszillator 5 eingeschaltet, und ein Transistor QYi, der mit der Sammelschiene Y verbunden ist, und ein Transistor QY2 werden jeweils &o durch die Ausgangssignale ΦΒ und ΦΒ von dem Phasenschieber 7 eingeschaltet. Spannungen Vs und VE haben eine solche Beziehung zueinander, daß gilt Vs > VE, und die Spannung VE wird bei einem Löschpegel ausgewählt. t> >

Folglich werden die Schreibelektroden w\ bis w7 mit einer Spannung V£fgespeist, die in F i g. 3 gezeigt ist, und die Sammelschiene.! A bis D und Y werden jeweils mit Spannungen VA bis VD und VY gespeist. In der Periode von einem Zeitpunkt /1 bis f 3, wahrend der das Ausgangssignal von einer ersten Stufe des Schieberegisters 4, die der Sammelschiene A entspricht,»1«ist, wird der Transistor QA zur Zeit des Auftretens des Ausgangssignals ΦA von dem Oszillator 5 angetrieben, um eine Impulsspannung 0 bis + Vsan die Sammelschiene A anzulegen. In der folgenden Periode von dem Zeitpunkt f3 bis f4, d.h. während eine gleichartige Verschiebungsimpulsspannung an die anderen Sammelschienen angelegt wird, ist das Ausgangssignal von der ersten Stufe des Schieberegisters 4 »0«, so daß der Transistor QA in seinem Auszustand gehalten wird, während dessen jedoch eine Spannung + VE bis + Vs an die Sammelschiene A durch den Transistor QE angelegt wird, der durch das Ausgangssignal ΦΑ von dem Oszillator 5 ein- und ausgeschaltet wird. Der Pegel zu dieser Zeit ist ein Löschpegel. In gleichartiger Weise werden die anderen Sammelschienen B bis D auch mit Impulsspannungen gespeist, die mit VB bis VD bezeichnet sind, und die Verschiebvngsimpulsspannungen, die an die Sammelschienen A b>i D aufeinanderfolgend angelegt werden, überlappen einander zeitlich entsprechend der Periode von dem Zeitpunkt / 2 bis / 3.

Während die Transistoren QA bis QD, welche die Verschiebungsantriebsstufe 11 bilden, aufeinanderfolgend durch das Ausgangssignal von dem Schieberegister, wie oben beschrieben, angetrieben werden, falls ein Entladungspunkt in einer bestimmten Entladungszeüe erzeugt wird, wird eine Entladungszelle unmittelbar anschließend daran, an die eine Spannung 0 bis + Vs angelegt ist, mit Ionen, Elektronen und metastabilen Atomen von dem Entladungspunkt in der vorangehenden Entladungszelle gespeist, um einen Entladungspunkt darin bei der Spannung Vs zu erzeugen, und andererseits wird die vorangehende Entladungszelle automatisch mit einer Spannung des Löschpegeis durch die Verringerung des Ausgangssignals von dem Schieberegister 4 entsprechend dieser Zelle auf »0« gespeist, so daß die Entladung gestoppt wird und eine durch die Entladung erzeugte Wandspannung auch g. löscht wird. Die vorangehende Entladungszelle wird somit vor dem Anlegen der Verschiebungsspannung der nächsten Periode freigemacht und für den Empfang neuer Information bereitgestellt.

Fig.3A zeigt in vergrößertem Maßstab einen Teil jeder Spannung Vöund VY. Eine mit VCL bezeichnete Spannung wird an eine Entladungszelle angelegt, die zwischen der mit der Sammelschiene B verbundenen Verschiebungselektrode und der mit der Sammelschiene Y verbundenen gemeinsamen Elektrode gebildet ist. Im Falle einer Aufrechterhaltungsspannung mit einer Spitzenspannung von 330 V ist z. B. die Spannung Vs 165 V und ist die Spannung VE 60 V, wobei es erforderlich ist, daß jeder Transistor eine Spannung von mehr als 165 V aushalten kann. Des veiteren ist es notwendig, daß jede Spannung eine relativ hohe Frequenz von etwa einigen Hundert kHz hat und daß ihr Anstieg schnell ist. Transistoren mit einer solch hohen Spannung, die sie aushalten, und einem Betrieb mit hoher Geschwindigkeit sind teuer und erhöhen u. U. auch die Kosten des Antriebskreises des Plasmaanzeigepaneels. Des weiteren erfordert das Verschieben mit hoher Geschwindigkeit ein Anlegen der Spannung Vs- VE des Löschpegels durch den Transistor QE, um die in der Entla'Jungszclle nach der Verschiebung verbleibende Wandspannung wirksam zu löschen, wie dies z. B. in F i g. 2 gezeigt ist, und erfordert hierfür den

Transistor QE.

Des weiteren ist ein Verfahren zum Steuern eines Gasentladungspaneels nach dem Oberbegriff des Anspruchs I bekannt (DEOS 22 39 446). Bei diesem bekannten Verfahren erfolgt die Steuerung der Verschiebeelektroden und der gemeinsamen Elektroden mit symmetrischen Spannungen.

Es ist schließlich ein Steuerverfahren für ein Gasentladungsspeicherfeld bekannt, bei dem einem ersten Elektrodensatz eine Folge elektrischer Impulse zugeführt wird und einem zweiten Elektrodensatz solche Impulse zugeführt werden, die gegenüber den ersten Impulsen elektrisch phasenverschoben sind (DE-OS 22 21 202).

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, das Verfahren nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 so auszugestalten, daß die Antriebsschaltung wesentlich vereinfacht wird und eine besondere Löscheinrichtung nicht erforderlich ist. Gelöst wird diese Aufgabe durch die Merkmale des Kennzeichens des Anspruchs I. Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.

Durch die erfindungsgemäße Ausbildung, die mit asymmetrischen Spannungen arbeitet, kann die Verschiebeoperation des Entladungspunkts dadurch ausgeführt werden, daß aufeinanderfolgend eine niedrige Spannung angeschaltet wird. Die in den Entladungszonen verbleibenden Wandladungen können nach dem Verschieben des Entladungspunkts aromatisch durch die asymmetrische Steuerung gelöscht werden.

Die Erfindung wird beispielhaft anhand der Zeichnung beschrieben, in der sind

Fig. I ein Blockschaltbild eines Beispiels einer Selbstverschiebungsantriebsanordnung für ein Plasmaanzeigepaneel,

Fig. 2 ein Schaltbild des Hauptteils einer hierfür verwendeten Verschiebungsantriebsstufe.

F i g. 3 und 3A Wellenformdiagramme zum Erläutern der Arbeitsweise der Anordnung.

Fig. 4 ein Schaltbild des Hauptteils einer Verschiebungsantriebsstufe gemäß einem Beispiel der Erfindung.

[■ ι (T ^ oin Wollonfrtrm^iifrramm -ritm FrlÖiilorn n^r

Arbeitsweise des Beispiels der Erfindung,

F i g. 6 ein Schaltbild des Hauptteils einer Verschiebungsantriebsstufe gemäß einem weiteren Beispiel der Erfindung,

Fig. 7 ein Wellenformdiagramm zum Erläutern der Arbeitsweise des weiteren Beispiels und

Fig. 8, 9 und 10 Schaltbilder von Hauptteilen der Verschiebungsantriebsstufen von weiteren Beispielen der Erfindung.

Fig.4 zeigt eine Schaltung des Hauptteils einer Verschiebungsantriebsstufe gemäß einem Beispiel der Erfindung. F i g. 5 zeigt Spannungen VA, VY und VCL die jeweils an eine Sammelschiene A zum Verschieben eines Entladungspunktes, an eine gemeinsame Sammelschiene Kund an Entladungszellen angelegt werden. Ein Transistor QS wird zur Zeit des Auftretens eines Ausgangssignals ΦΑ eingeschaltet, das von einem Oszillator abgeleitet wird, um eine Spannung + Vxs an die Schreibelektroden w\ bis w7 und Sammelschienen A bis D für eine Entladungspunktverschiebung anzulegen. Transistoren QwX bis Qw 7 werden in Obereinstimmung mit einem Schreibsignal eingeschaltet und Transistoren Qab\s Qdwerden in Übereinstimmung mit einem Ausgangssignal von einem Schieberegister eingeschaltet

Ein Transistor Qy i wird bei einem Ausgangssignal ΦΑ von dem Oszillator eingeschaltet, um eine Spannung + Vys an die gemeinsame Sammelschiene Y anzulegen und ein Transistor Qy 2 wird bei einem Ausgangssignal ΦΒ von einem Phasenschieber eingeschaltet, dessen ^r> Phase um 180° von dem Ausgangssignal ΦΑ verschoben ist, wodurch die Sammelschiene Vdasselbe Potentional wie Erde erhält. In dem Zeitintervall der Ausgangssignale ΦΑ und ΦB hat das Potential der Sammelschiene Y einen Wert, der durch die Widerstände R 1 und R1 spannungsgeteilt ist.

Die vorerwähnten Spannungen + Vxs und + Vys haben eine derartige Beziehung zueinander, daß gilt Vxs < Vys. Eine Spitzenspannung Vpp der Spannung VCL die an die Entladungszellen angelegt wird und bei

π der es sich um eine Aufrechterhaltungsspannung handelt, ist Vxs + Vys und wird derart ausgewählt, daß sie im wesentlichen einer Spannungsspitze 2 Vs gleich ist. wie in F i g. 3A gezeigt ist. In dem Falle, in dem es erforderlich ist. daB die Spitzenspannung Vpp 33ö V zur Zeit der Verschiebung eines Entladungspunktes ist. d. h in der Periode des Ein-Zustands. werden die Spannungen + Vxs und + Vys jeweils z. B. mit 60 V und 270 V ausgewählt. Folglich können die Transistoren QS. Qu 1 bis Qw 7 und Qa bis Qd solche mit einer niedriger Spannung sein, die die Transistoren aushalten. Andererseits müssen die Transistoren Qy 1 und Qy 2 solche sein die eine hohe Spannung aushalten, jedoch ist die Zahl der Trs.!jistoren Qy I und Qy 2 klein, so daß durch eine Ausbildung mit einer größeren Zahl von billigerer Transistoren mit niedriger Aushaltespannung die Kosten der Schaltung verringert werden können.

Wenn die Transistoren Qvjjind Qy 2. die durch die Ausgangssignale ΦΑ und ΦΒ angetrieben werden aufgrund der Widerstände R I und R 2 nicht eingeschaltet sind, wird ein Potential von etwa Vys/2 an eine Entladungszelle angelegt, und wenn ein Entladungspunkt in der Entladungszelle erzeugt wird, ist deren Wandspannung derart, wie es durch VQ in Fig. 5 gezeigt ist. In der Periode des Ein-7.ustands ist eine Differenzspannung zwischen der Wandspannung VQ und der angelegten Spannung groß, und es wird ein

FntIaHnriCTcniinWt ρΓτριισ! ϊη Hpp PprinHf* Hp*: Aili-7ii-

standes wird die an die Entladungszelle angelegte Spannung eine Spannung an der Seite der K-Elektroden, die derart ausgewählt ist. daß sie ein Löschpegel ist und es wird eine Löschentladung erzeugt, wodurch eine Wandspannung, wie gezeigt, gelöscht wird. Auch wenn ein Löschimpuls angelegt wird, wird nämlich die Spannung des Löschpegels automatisch an die Entladungszelle durch die impulsgeformte Hochspannung angelegt, die an die Sammelschiene Kin der Periode des Aus-Zustands angelegt ist.

Im Falle des Antreibens einer Mehrzahl von Plasmaanzeigepaneelen, wie oben beschrieben, müssen die Verschiebungsantriebsstufen jeweils für jedes Paneel unabhängig voneinander vorgesehen werden Da die gemeinsamen Elektroden durch eine der jeweiligen Paneelen, d. h. den Transistoren Qy 1 und Qy2, gemeinsame Antriebsstufe angetrieben werden können, ist die Zahl der billigen Transistoren mit niedriger Spannung, die der Transistor aushält, größer als die Zahl der teuren Transistoren mit hoher Spannung, die der Transistor aushält, und die Transistoren mit hoher Spannung, die der Transistor aushält üben einen geringeren Einfluß auf die Gesamtkosten der Schaltung im Vergleich mit bekannten Schaltungen aus, was zu einer Verringerung der Herstellungskosten der Schaltung führt.

F-" i g. 6 ist ein Schaltbild des Hauplteils eines weiteren Beispiels der Erfindung. Qs und Qc bezeichnen Transistoren mit einem Betrieb mit hoher Geschwindigkeit. Qu bis Qd bezeichnen Transistoren mit einem Betrieb mit niedriger Geschwindigkeit. Tu bis Td sind Niederfrequenzimpulstransformatoren. Die Transistoren d<-s Betriebs mit niedriger Geschwindigkeit Qa bis Qd sind jeweils mit Sammelschienen A bis D zur Entladungspunktverschiebung verbunden, die denen in Fig. I gezeigten gleichartig sind und die über die Niederfrequenzimpulstransformatoren Va bis 7W in der Periode des Anlegens einer Impulsspannung für eine Fmladungspunkiverschicbung eingeschaltet sind.

Die Transistoren des Betriebs mit hoher Geschwindigkeit Qsund Qc sind mit Transistoren des Betriebs mit niedriger Geschwindigkeit Qa bis Qd gemeinsam verbunden und werden durch Impulse ΦΑ und ΦΑ eingeschaltet. Demgemäß werden Potentiale + Vs und 0 an dem gemeinsamen Verbindungspunkt in Ubeteinstimmung mit den Perioden des Impulses ΦΑ erzeugt, und falls die elektrostatische Kapazität des gemeinsamen Verbindungspunktes mit Null angenommen wird, wird eine solche Impulsspannung, wie sie durch V in I'ig. 5 gezeigt ist, an den gemeinsamen Verbindungspunkt angelegt.

Die Kennlinien der Niederfrequenzimpulstransfor· maloren Ta bis Td müssen immer im Antieg und im Abfall steil sein. Unter der Annahme daß deren Ausgangsspannungen derart sind, wie es bei Vm bis Vtd in F-" i g. 7 gezeigt ist, werden die Transistoren mit Betrieb mit niedriger Geschwindigkeit Q;) bis Qd dadurch eingeschaltet und werden die Ausgangsspannungen von diesen Transistoren, d. h. die an die Sammelschicnen A bis D angelegten Spannungen, derart, wie dies durch VA bis VD in F i g. 7 gezeigt ist. Wenn sich der Transistor Qc in seinem Ein-Zustand befindet, erhalten die Sammelschicnen A bis D das gleiche Potential wie Erde über die Nicderfrequenzimpulstransformatoren Ta bis Td und die Basen und Kollektoren der Transistoren des Betriebs mit niedriger Geschwindigkeit Qa bis Qd. Durch die Kombination der

F i g. 3 gezeigt ist, wird die Entladungszcllc mit der Spannung gespeist, die durch Vf 7. in F i g. 3 gezeigt ist.

Wie oben beschrieben wurde, ist es ausreichend, die Transistoren Qa bis Qd mit Betrieb mit niedriger Geschwindigkeit nur für die Periode des Anlegens der Verschiebungsimpulsspannung einzuschalten, und deren Anstiegs- und Abfall-Kennlinien müssen nicht steil sein, so daß billige Transistoren verwendet werden können. Da deren Abfall-Kennlinien flach sind, werden die Spitzenwerte der Ausgangsimpulse allmählich verringert, wie es durch VA bis VD in F i g. 7 gezeigt ist, und dienen als Löschimpulse. Dies ergibt den Vorteil, daß kein Löschkreis notwendig ist.

F i g. 8 zeigt ein weiteres Beispiel der Erfindung, bei dem der Erdungstransistor mit Betrieb mit hoher Geschwindigkeit Qe, der bei dem vorangehenden Beispiel verwendet wird, über Dioden mit den Transistoren mit Betrieb mit niedriger Geschwindigkeit Qa bis Qd gemeinsam verbunden ist und dieselbe Arbeitsweise wie bei dem obigen Beispiel ausführt.

F i g. 9 zeigt ein weiteres Beispiel dec Erfindung, bei dem Transistoren mit Betrieb mit nieriger Geschwindig-

keit Qia bis Qid mit den Basen der Transistoren Qa bis Qd verbunden sind, die jeweils an die Sammelschienen A bis D angeschlossen sind. Dies entspricht einem Aufbau, bei dem die Niederfrequenzimpulslransformatoren bei ilen Beispielen der F-" i g. 6 und 8 jeweils durch Transistoren mit Betrieb mit niedriger Geschwindigkeit Qia und Qid ersetzt werden. Die Arbeitsweise dieses Beispiels ist dieselbe wie bei dem vorangehenden Beispiel.

Fig. IO zeigt ein weiteres Beispiel der Erfindung, bei dem mehrere Plasmaanzeigepaneele XA. Iß,— parallel angetrieben werden. Die Plasmaanzeigcpaneele \A. H). tC... werden mit einer Impulsspannung durcl- die Transistoren mit Betrieb mit hoher Geschwindigkeit Qs und Qc gemeinsam mit diesen gespeist, und die Transistoren mit Betrieb mit niedriger Geschwindigkeit Qa bis Qd werden mit den Sammelschiene!! A bis D jedes der Plasmaanzeigcpaneele l/t, Iß, IC,... verbunden und der,-!:! gesteuert.daü sie Π'."" 'Or die Periode des Anlegens der Fnlspannungspunktverschiebungsspannung eingeschaltet werden. Diese Schaltung verwendet demgemäß nur zwei teure Transistoren Qs und Qc mit Betrieb mit hoher Geschwindigkeit für mehrere Plasmaanzeigcpaneele IA Iß. IC... und ist deshalb wirtschaftlich.

Bei dem Beispiel der Fi g. 4 kann des weiteren durch Steuern der Transistoren Qs und Qa bis Qd wie bei den Beispielen der F i g. 6, 8 und 9 und durch Einsatz der Transistoren Qa bis Qd mit Betrieb mit niedriger Geschwindigkeit der Schaltungsaufbau noch billiger gemacht werden.

Wie voranstellend beschrieben worden ist, wird bei der vorliegenden Erfindung eine Hochspannung an die gemeinsamen Elektroden angelegt und wird eine Niederspannung an die Verschiebungselektroden angelegt, so daß eine Verschiebungsantriebsstufe, die viele Transistoren verwendet, mit Transistoren mit einer niedrigen Spannung, welche die Transistoren aushalten, gebildet werden. Auch wenn ein Löschimpuls nicht angelegt wird, wird des weiteren die an die gemeinsamen Elektroden angelegte Spannung eine Löschspanniine. so daß die Schaltungsanordnung mit geringen Kosten hergestellt werden kann.

Die Transistoren mit Betrieb mit hoher Geschwindigkeit zum Bilden einer Impulsspannung. deren Wellenform stark ansteigt und abfällt, sind des weiteren gemeinsam für die gemeinsame Sammelschiene vorgesehen, und die an jede Entladungspunktverschiebungs-Sammelschiene angelegte Verschiebungsspannung wird über einen Transistor mit Betrieb mit niedriger Geschwindigkeit zugeführt, wodurch die gesamte Schaltung billig im Vergleich mit einer bekannten Schaltung unter Verwendung eines Transistors mit Betrieb mit hoher Geschwindigkeit für jede Sammelschiene gemacht werden kann. Des weiteren wird eine Spannung, deren Spitzenwert aufgrund der flachen Abfallcharakteristik des Transistors mit Betrieb mit niedriger Geschwindigkeit gering ist, in der letzten Periode der Verschiebungsspannung angelegt und führt eine Funktion äquivalent zu einem Löschimpuls aus. Dies verhindert die Notwendigkeit der Anordnung eines Löschkreises und vereinfacht somit den Schaltungsaufbau.

Hierzu 8 Blatt Zeichnungen

Claims

20 25 jo Patentansprüche:

1. Verfahren zum Steuern eines Gasentladungspaneels mit einem ersten Satz von parallelen, miteinander verbundenen, gemeinsamen Elektroden und mit einem zweiten Satz von parallelen, zu dem ersten Satz senkrecht angeordneten Verschiebeelektroden, wobei an den Schnittpunkten des ersten und des zweiten Elektrodensatzes Entladungszellen gebildet sind und wobei eine Entladung in einer Entladungszelle eine Zündspannung mit einem verringerten Pegel erzeugt, um eine Entladung in einer benachbarten Zelle aufzubauen, dadurch gekennzeichnet, daß eine erste Impulsspannung (VY) mit einem hohen Löschungspegel an den ersten Elektrodensatz (y X bis yl) angelegt wird und daß zweite Impulsspannungen (VA bis VD^I mit einem niedrigeren Pegel und mit einer zu der ersten Impulsspcnnung entgegengesetzten Polarität an den zweiten E*?ktrodensatz (at, öl, el, dt, a2, ...) angelegt werden, wobei die Pegel der Spannungen so gewählt werden, daß die Kombination der beiden Spannungen höher als der verringerte Pegel der Zündspannung ist (F i g. 1,3).

2. Anordnung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Widerstände (R 1, R 2) parallel zu einem Transistor (Qy 1) zum Anlegen der ersten Impulsspannung (VY) an eine gemeinsame Sammelschiene (Y) und zu einem Transistor (Qy 2), der dadurch die gemeinsame Sammelschiene erdet, geschaltet sind und daß die zweite Impulsspannnng, die im wesentlichen die Hälfte der ersten Impulsspannung ist, an die gemeinsame Sammelschiene angelegt ist, wenn J5 beide Transistoren sich in ihrem Aus-Zustand befinden (F ig. 4B).

3. Anordnung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Transistoren (Qa bis Qd) mit niedriger Betriebsge- -to schwindigkeit jeweils an Verschiebeelektroden-Sammelschienen (A bis D) angeschaltet sind, daß Transistoren (Qs, Qe) mit hoher Betriebsgeschwindigkeit zur Spannungsanlegung und Erdung an die Transistoren mit niedriger Betriebsgeschwindigkeit gemeinsam angelegt sind, daß die Transistoren mit hoher Betriebsgeschwindigkeit mit einer vorbestimmten Impulsperiode ein- und ausgeschaltet werden und daß die Transistoren mit niedriger Betriebsgeschwindigkeit in einer Periode der zweiten Impulsspannung im Ein-Zustand gehalten sind (Fig. 6 und 8).

4. Anordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Transistoren (Qa bis Qd) mit niedriger Betriebsgeschwindigkeit durch Ausgangssignale von Niederfrequenzimpulstransformatoren (Ta bis Ta^betätigbar sind (F i g. 6 und 8).

5. Anordnung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Antriebsstufe gemeinsam für eine Mehrheit von w> Gasentladungspaneelen (IA XB, XC)vorgesehen ist, um die erste Impulsspannung an die gemeinsame Sammelschiene (Y) jedes Paneels anzulegen (Fig.4B, 10).

6. Anordnung zur Durchführung des Verfahrens f>5 nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Transistor (Qs) mit hoher Betriebsgeschwindigkeit gemeinsam für eine Mehrzahl von Gasentladungspaneelen (IA IB, 1 C) vorgesehen ist, um die zweite Impulsspannung anzulegen, die von dem ersteren Paneel (XA) zu den Verschiebeelektroden-Sammelschienen (A bis D)jedes folgenden Paneels (Iß, XC) abgegeben wird (F i g. 10).