DE2432931A1

DE2432931A1 - Selbstverschiebungsantriebsanordnung fuer ein gasentladungspaneel

Info

Publication number: DE2432931A1
Application number: DE2432931A
Authority: DE
Inventors: Tadatsugu Dipl Ing Hirose; Toshinori Dipl Ing Urade; Hisashi Dipl Ing Yamaguchi
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1973-07-16
Filing date: 1974-07-09
Publication date: 1975-02-06
Also published as: FR2238241A1; GB1476735A; US3976993A; DE2432931C3; FR2238241B1; NL7409279A; DE2432931B2

Description

PATENTANWÄLTE
DR. CLAUS REINLÄNDER DIPL.-ING. -KLAUS BERNHARDT

D-8 München 60 . Oithst.aße 12 ■ Teleion (089) 832024/3 2432931

Telex 5212744 · Telegramme Interpatent

6/197

Fujitsu Limited

No.1015, Kamiko danaka

Nakahara-ku, Kawas aki

Japan

SelbstverSchiebungsantriebsanordnung für ein Gasentladungspaneel

Prioritäten: 16. Juli 1973 Japan 80120/1973 23. Juli 1973 Japan 82855/1973

Es wird eine Selbstverschiebungsantriebsanordnung für ein Gasentladungspaneel beschrieben, bei der periodisch, mit mehreren Verschlebungssammelschienen verbundene Yerschie- ■ bungselektroden und mit einer gemeinsamen Sammelschiene verbundene Elektroden derart angeordnet sind, daß sie einander in rechten Winkeln schneiden, wobei ein mit einem ionisierbaren Gas gefüllter Entladungsraum zwischen den Elektroden begrenzt ist und eine Verschiebungsspannung an mehrere Verschiebungssammelschienen nacheinander angelegt wird, um einen Entladungspunkt zu verschieben. Bei dieser Anordnung wird eine impulsgeformte Hochspannung eines Iiöschpegels an die gemeinsame Sammelschiene angelegt, eine impulsgeformte Niederspannung wird an die Verschiebungssammelschienen angelegt und eine Aufrechterhaltungsspannung, welche die Summe der Hochspannung und der Niederspannung ist, wird an Entladungszellen an den Schnittpunkten der Verschiebungselektroden und der gemeinsamen Elektroden angelegt, um den Entladungspunkt aufeinanderfolgend zu verschieben.

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Die Erfindung betrifft eine Selbstverschiebungsantriebsanordnung für ein Gasentladungspaneel, insbesondere für ein wechselstromgetriebenes Gasentladungspaneel, das als Pläsmaanzeigepaneel bekannt ist, und insbesondere eine Selbstverschiebungsantriebsanordnung in einer billigen Ausgestaltung.

Bei einem Plasmaanzeigepaneel ist es bekannt, daß Elektroden, die mit dielektrischen Schichten aus Glas mit niedrigem Schmelzpunkt überzogen sind, in Berührung mit einem Gasentladungsraum angeordnet sind, in den ein ionisierbares Gas, wie Neon od.dgl., eingeschlossen ist. Eine Wechsel-Aufrechterhaltungsspannung ist an benachbarte oder gegenüberliegende Elektroden angelegt. Wenn durch Anlegen einer Schreibspannung, die höher als eine Zündspannung ist, einmal eine Entladung erzeugt ist, wird die Entladung kontinuierlich durch die Wechsel-Aufrechterhaltungsspannung aufrechterhalten, um eine Anzeige durch Entladungsglimmen zu ermöglichen.

Des weiteren ist eine Selbstverschiebungsantriebsanordnung vorgeschlagen worden, bei welcher der Entladungspunkt aufeinanderfolgend verschoben wird, indem die Elektroden periodisch mit Mehrphasensammelschienen, z.B. Dreiphasensammelschienen od.dgl., verbunden werden, und indem eine Spannung an die Sammelschienen nacheinander angelegt wird, lig. 1 ist ein Blockschaltbild eines Beispiels einer solchen Selbstverschiebungsantriebsanordnung. Ein Plasmaanzeigepaneel 1 enthält gemeinsame Elektroden y1 bis y7, die mit einer gemeinsamen Sammelschiene Y verbunden sind, Schreibelektroden w1 bis w7, die den gemeinsamen Elektroden y1 bis y7 gegenüberliegend angeordnet sind, um diese in rechten Winkeln zu schneiden, und Verschiebungselektroden al, b1, c1, d1, a2, b2, ..., die periodisch mit den Sammelschienen A, B, C und D verbunden werden. Die Elektroden sind alle· jeweils mit dielektrischen Schichten überzogen.

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2 bezeichnet einen Schriftzeichengenerator, 3 und 4 bezeichnen Schieberegister, 5 bezeichnet einen Oszillator, 6 bezeichnet einen Frequenzteiler, 7 bezeichnet einen Phasenschieber zum Verschieben der Ausgangsphase ^A des Oszillators 5 um 180° nach j£b, 8 bezeichnet eine Schreib >antriebsstufe, 9 und 10 bezeichnen UED-Kreise, 11 bezeichnet eine Verschiebungsantriebsstufe zum Anlegen einer ■Verschiebungsspannung an die Sammelschienen A bis D und 12 bezeichnet eine Antriebsstufe zum Anlegen einer Spannung an eine gemeinsame Sammelschiene Y.

Das Ausgangssignal von dem Oszillator 5 wird durch den frequenzteiler 6 in seiner Frequenz geteilt und durch dieses frequenzgeteilte Ausgangssignal wird das Schieberegister 4 angetrieben. Da es sich insgesamt um vier Sammelschienen A bis D handelt, ist das Schieberegister 4 ein 4-Bit-Schieberegister und durch das Ausgangssignal von jeder Stufe wird die Verschiebungsantriebsstufe 11 angetrieben und eine Verschiebungsspannung, die aus einem Impulszug besteht, wird nacheinander an die Sammelschienen A bis D in Übereinstimmung mit einer Verschiebungsgeschwindigkeit angelegt. Da des, weiteren die Antriebsstufe 12 durch das Ausgangssignal von dem Phasenschieber 7 angetrieben wird, wird eine Spannung, die aus einem Impulszug besteht, der um 180° in der Phase gegenüber der Spannung verschoben ist, die an die Sammelschienen A bis D angelegt ist, an die Sammelschiene Y angelegt.

Nach dem Anlegen einer Anzeigeinformation an den Schriftzeichengenerator 2 wird ein Schreibsignal in Übereinstimmung mit dem Ausgangesignal von dem Schieberegister 3 erzeugt. Im Falle der Anzeige eines Schriftzeichens mit 5x7 Punkten kann ein Schriftzeichenabstand entsprechend zwei Bits vorgesehen werden, indem das Schieberegister 3 z.B. mit einem 7-Bit-Schieberegister gebildet wird.

Die Schreibantriebsstufe 8 wird in Übereinstimmung mit einem Schreibsignal angetrieben, das von dem Schriftzeichengenerator

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abgeleitet wird, um eine Schreibspannung an eine ausgewählte Elektrode der Schreibelektrode!! w1 bis w? anzulegen, wodurch ein Entladungspunkt zwischen der Sehreibelektrode und den gemeinsamen Elektroden y1 bis y7 erzeugt wird, und dann wird der Entladungspunkt aufeinanderfolgend nach rechts verschoben, indem die Verschiebungsspannung, die an die Sammelschienen A bis D angelegt wird, geschaltet wird.

!ig. 2 ist ein Schaltbild der Hauptteile der vorstehend erwähnten Antriebsstufen 8, 11 und 12 und Pig. 3 zeigt Wellenformdiagramme zur Erläuterung der Arbeitsvorgänge dieser Antriebsstufen. Ein Transistor QS wird zum Zeitpunkt des Auftretens, des Ausgangs signals tfA. eingeschaltet und Transistoren QA bis QD, welche die Verschiebungsantriebsstufe bilden, werden zur Zeit des Auftretens eines Ausgangssignals ^A von dem Oszillator 5 nur eingeschaltet, während Ausgangssignale von den Stufen des Schieberegisters 4, die diesen entsprechen, vorhanden sind. Des weiteren wird ein Transistor QE zum Zeitpunkt des Auftretens des Ausgangssignals *51" von dem Oszillator 5 eingeschaltet und ein Transistor QY1, der mit der Sammelschiene Y verbunden ist, und ein Transistor QY2 werden jeweils durch die Ausgangssignale j£b und "fiB von dem Phasenschieber 7 eingeschaltet. Spannungen Vs und VE haben eine solche Beziehung zueinander, daß gilt Vs > VE, und die Spannung VE wird bei einem Löschpegel ausgewählt.

folglich werden die Schreibelektroden w1 bis w7 mit einer Spannung VE gespeist, die in Pig. 3 gezeigt ist, und die Sammelschienen A bis D und Y werden jeweils mit Spannungen VA bis VD und VY gespeist. In der Periode von einem Zeitpunkt ti bis t3, während der das Ausgangssignal von einer ersten Stufe des Schieberegisters 4, die der Sammelschiene A entspricht, "1" ist, wird der Transistor QA zur Zeit des Auftretens des Ausgangssignals "^K von dem Oszillator 5 angetrieben, um eine Impulsspannung O bis +Vs an die

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Sammelschiene 1 anzulegen₀ In der folgenden von dem Zeitpunkt t3 bis t4₉ d_oh_o während eine gleich= artige¹ Yerschie bungs impuls spannung an die anderen Saminel·=» schienen angelegt wird_p ist das Ausgangssignal von der ersten Stufe des Schieberegisters 4 ⁿOⁿ _p so daß der Transistor QA in seinem AuszustaM gehalten wirdp während dessen jedoch eine Spannung +YE bis -i-Vs an die Sammeln schiene A durch den Transistor QS angelegt wird_P der dureh das Ausgangssignal jBÜ von dem Oscillator 5 ein- und aus= geschaltet wird« Der Pegel zu dieser Zeit ist ein Lösoh= pegel ο In gleichartiger Weise werden die anderen Saramel·= schienen B bis D auch mit Impulsspannungen gespeist_p di® mit VB bis YD bezeichnet sind₉ und die Yerschiebungs= impulsspannungen_P die an die Sammelschienen A bis D auf= einanderfolgend angelegt werden^ überlappen einander zeitlich entsprechend der Periode von dem Zeitpunkt t2 bis bist3o

Während die Sransistoren QA bis ($D₉ welch© die Yerschiebungs= antriebsstuf© 11 foilden₉ aufeinanderfolgend durch das Ausgangssignal von dem Schieberegisters wie oben beschriebenj angetrieben werden,, falls ein Entladungspunkt in einer bestimmten Entladungszelle erzeugt wird₉ wird eine .Ent«=» ladungsseile unmittelbar anschließend daran_p an die ein® Spannung 0 bis -fVs angelegt ist, mit Ionen_p Elektronen uad metastabilen Atomen von dem Entladungspunkt in der voran= gehenden Entladungszelle gespeist _p um einen punkt darin bei der Spannung Vs zu erzeugen;, und seits wird die vorangehende Entladungsselle automatiscb, mit einer Spannung des Löschpegels durch di© Y®rring®nmg des Ausgangssignals von dem Schieberegister 4 entsprechend dieser Zelle auf "0" gespeist ₉ so daß die Entladung gestoppt wird und eine durch die Entladung erzeugte Wandspannung auch gelöscht wirdo Die vorangehende Entladunga·=» zelle wird somit vor dem Anlegen der Verschiebungsspannung der nächsten Periode freigemacht und für den Empfang neuer Information bereitgestellte

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Pig. 3A zeigt in -vergrößertem Maßstab einen ieil jeder Spannung VB und TT. Eine mit TCI bezeichnete Spannung wird an eine Entlaäungszslle angelegt„ die zwischen der mit der Sammelschiene B verbundenen Yersehiebungselektrode und der mit der Sammelechiene Y verbundenen gemeinsamen Elektrode gebildet ist« Im Falle einer Aufreekterhaltungsspannung mit einer Spitzenspannung von 35OV ist z.B. die Spannung Ys 165V und ist die Spannung YB 6QY _s vrobsi es erforderlich ist, daß jeder Transistor eine Spannung von mehr als 165Y aushalten kann. Des weiteren ist es notwendig, daß Jede Spannung eine relativ hohe Frequenz von etwa einigen Hundert kHz hat und daß ihr' Anstieg schnell ist. Transistoren mit einer aolck hohen Spannrag,, die si© aushalten, und einem Betrieb mit hoher Geschwindigkeit sind teuer und erho.hen U₀U₉ auoh die Kosten des Antrie-bskreises des PlasmaanaeigepaaeelSo Des weiteren erfordert das Verschieben mit hoher ö-esehwimäigkeit ein Anlegen der Spannung Ys-=VE des Löschpegels änr©fe den Transistor QE₉ um die in der Entladung®seile nach, der Verschiebung verbleibende Wandspannung wirksam zu löschen^ wie dies Z₈B₉ in fig» 2 gezeigt ist, und erfordert hierfür den Transistor

Me Erfindung hat die Aufgab© ₉ eine Selbstversclii®tangsweiche die vorstehenden lachteile des Standes der Sechnik nicht aufweist, file ©ins Heratellung der Antrisbssohaltung mit'geringen Kosten ermöglicht und die eia Anlegen einer lösehspaE&ung anefe. daaa sicherstellt₉ wenn ein Tsaaaistor Anlegen der Spannung eines Lösehpegele weggelassen wird,

Die Selbstverschiebungsantrisbsanordnung für. ein G-asentladungspaneel nach der Erfindung weist eine Mehrzahl von Verschiebungssaaraselsehienen, an die periodisch Versehiebungselektroden angeschaltet werden, und eine Sammelschiene auf, an die gemeinsame Elektroden angeschaltet werden, die den Verschiebungselektroden gegenüberliegend derart angeordnet sind, daß sie diese in rechten Winkeln schneiden. Die

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gemeinsame Sammelschiene wird mit einer impulsförmigen Hochspannung eines Pegels gespeist ₉ der hoch genug ist, um eine Entladung zum Lösehen einer Wanfispannung su erzeugen, die an der Wand einer dielektrischen Schicht erzeugt wird, welche die Elektroden . bedeckt,, Eine impulsförmige Spannung ₉ die aufeinanderfolgend an die Versohlebungssammelschienen angelegt wird_s wird mit einem niedrigen Wert ausgewählt. Eine Aufrechterhaltungsspannung wird aufeinanderfolgend durch die Niederspannung und die Hoch- ■ spannung angelegt, um zwischen den Versehiebungselektroden und den gemeinsamen Elektroden gebildete Zellen zu entladen, wodurch aufeinanderfolgend ein in jeder Entladungszelle erzeugter Entladungspunkt verschoben wird« Des weiteren werden Transistoren mit einem Betrieb mit niedriger Geschwindigkeit jeweils an jede der Verschiebungssammelschienen angelegt. Gemeinsame Transistoren mit Betrieb mit hoher Geschwindigkeit zum Spannungsanlegen und zum Erden werden mit den Transistoren mit Betrieb mit niedriger Geschwindigkeit verbunden. Die Transistoren mit Betrieb mit höher Geschwindigkeit werden mit einer vorbestimmten Impulsperiode ein- und ausgeschaltete Die Transistoren mit Betrieb mit niedriger Geschwindigkeit werden in ihrem Ein-Zustand in der Periode des Anlegens einer Verschiebungsspannung gehalten.

Die Erfindung wird beispielhaft anhand der Zeichnung beschrieben, in der sind

Fig. 1 ein Blockschaltbild eines Beispiels einer Selbstverschiebungsantriebsanordnung für ein Plasmaanzeigepaneel,

Fig. 2 ein Schaltbild des Hauptteils einer hierfür verwendeten Verschiebungsantriebsstufe,

Fig. 3 und 3A Wellenformdiagramme zum Erläutern der Arbeitsweise der Anordnung,

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Pig. 4 ein Schaltbild des Hauptteils einer Verschiebungsantriebsstufe gemäß einem Beispiel der Erfindung,

Pig. 5 ein Wellenformdiagramm zum Erläutern der Arbeitsweise dea Beispiels der Erfindung,

Pig. 6 ein Schaltbild des Hauptteils einer Verschiebungsantriebsstufe gemäß einem weiteren Beispiel der Erfindung,

Pig. 7 ein Wellenformdiagramm zum Erläutern der Arbeitsweise des weiteren Beispiels und

Pig. 8, 9 und 10 Schaltbilder von Hauptteilen der Verschiebungsantriebsstufen von weiteren Beispielen der Erfindung.

Pig. 4 zeigt eine Schaltung des Hauptteils einer Verschiebungsantriebsstufe gemäß einem Beispiel der Erfindung. Pig. 5 zeigt Spannungen VA, VY und VCl, die jeweils an eine Sammelschiene A zum Verschieben eines Entladungspunktes, an eine gemeinsame Sammelschiene Y und an Entladungszellen angelegt werden. Ein !Transistor QS wird zur Zeit des Auftretens eines Ausgangssignals joA eingeschaltet, das von einem Oszillator abgeleitet wird, um eine Spannung +Vxs an die Schreibelektroden w1 bis w7 und Sammelschienen A bis D für eine Entladungspunktverschiebung anzulegen. Transistoren Qw1 bis Qw7 werden in Übereinstimmung mit einem Schreibsignal eingeschaltet und Transistoren Qa bis Qd werden in Übereinstimmung mit einem Ausgangssignal von einem Schieberegister eingeschaltet.

Ein Transistor QyI wird bei einem Ausgangssignal ^X von dem Oszillator eingeschaltet, um eine Spannung +Vys an die gemeinsame Sammelschiene Y anzulegen, und ein Transistor Qy2 wird bei einem Ausgangssignal "0 von einem Phasenschieber eingeschaltet, dessen Phase um 180 von dem Ausgangesignal ^A verschoben ist, wodurch die Sammelschiene Y dasselbe Potentional wie Erde erhält. In dem Zeitintervall der

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_ 9 „

Ausgangssignale φΚ und ^B hat das Potential der Sammelschiene Y einen Wert_s der durch di© Widerstände R1 und R2 spannungsgeteilt ist.

Die vorerwähnten Spannungen +Vxs und +Vys haben eine derartige Beziehung zueinander, daß gilt Vxs < Vys. Eine Spitzenspannung Ypp der Spanung YCL, die an die Entladungszellen angelegt wird und bei der es sich um eine Aufrechterhaltungsspannung handelt, ist Yxs + Yys und wird derart ausgewählt, daß sie im wesentlichen einer Spannungsspitze 2Vs gleich ist, wie in Figo 3A gezeigt ist« In dem Falle, in dem es erforderlich ist, daß die Spitzenspannung Vpp 33OV zur Zeit der Verschiebung eines Entladungspunktes ist, d.h. in der Periode des Ein-Zustands, werden die Spannungen +Vxs und +Yys jeweils ζ,B. mit 6QV und 270Y ausgewählt. Folglich können die Transistoren QS, Qw1 bis Qw7 und Qa bis Qd solche mit einer niedrigen Spannung sein, die die Transistoren aushalten« Andererseits müssen die Transistoren Qy1 und Qy2 solche sein, die eine hohe Spannung aushalten, jedoch ist die Zahl der Transistoren Qyi und Qy2 klein, so daß durch eine Ausbildung mit einer größeren Zahl von billigeren Transistoren mit niedriger Aushaltespannung die Kosten der Schaltung verringert werden können.

Wenn die Transistoren Qy1 und Qy2, die durch die Auagangssignale JX und #B angetrieben werdenj, aufgrund der Widerstände R1 und R2 nicht eingeschaltet sind, wird ein Potential von etwa Vys/2 an eine Entladungszelle angelegt, und wenn ein Entladungspunkt in der Entladungszelle erzeugt wird, ist deren Wandspannung derart, wie es durch VQ in 3?ig. 5 gezeigt ist. In der Periode des Ein-Zustands ist eine Differenzspannung zwischen der Wandspannung VQ und der angelegten Spannung groß und es wird ein Entladungspunkt erzeugt. In der Periode des Aus-Zustandes wird die an die Entladungszelle angelegte Spannung eine Spannung an der Seite der Y-Elektroden, die derart ausgewählt ist, daß sie

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ein löschpegel Ist, und es wird eine Lösehentladung erzeugt, wodurch eine Wandspannung, wie gezeigt, gelöscht wird. Auch wenn ein Löschimpuls angelegt wird, wird nämlich die Spannung des löschpegels automatisch an die Entladungszelle durch die dmpulsgeformte Hochspannung angelegt, die an die Sammelschiene Y in der Periode des Aus-Zustands angelegt iat.

Im Falle des Antreibens einer Mehrzahl von Plasmaanzeigepaneele:!!, wie oben beschrieben, müssen die Yersohlebungsantriebsstufen jeweils für jedes Paneel unabhängig voneinander vorgesehen werden. Da die gemeinsamen Elektroden durch eine den jeweiligen Paneelen, d.h. den Transistoren Qy1 und Qy2, gemeinsame Antriebsstufe angetrieben werden können, ist die Zahl der billigen Iransistoren mit niedriger Spannung, die der Transistor aushält, größer als die Zahl der teuren Transistoren mit hoher Spannung, die der Transistor aushält, und die Transistoren mit hoher Spannung, die der Transistor aushält, üben einen geringeren Einfluß auf die Gesamtkosten der Schaltung im Vergleich mit bekannten Schaltungen aus, was zu einer Verringerung der Herstellungskosten der Schaltung führt.

Pig. 6 ist ein Schaltbild des Hauptteils eines weiteren Beispiels der Erfindung. Qs und Qe bezeichnen Transistoren mit einem Betrieb mit hoher Geschwindigkeit. Qa bis Qd bezeichnen Transistoren mit einem Betrieb mit niedriger Geschwindigkeit. Ta bis Td sind Niederfrequenzimpulstransformatoren. Die Transistoren des Betriebs mit niedriger Geschwindigkeit Qa bis Qd sind jeweils mit Sammelschienen zur Entladungspunktverschiebung A bis D verbunden, die denen in Pig. 1 gezeigten gleichartig sind und die über die Niederfrequenzimpulstransformatoren Ta bis Td in der Periode des Anlegens einer Impulsspannung für eine Entladungspunktverschiebung eingeschaltet sind.

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Die Transistoren des Betriebs mit hoher Geschwindigkeit Qs und Qe sind mit Transistoren des Betriebs mit niedriger Geschwindigkeit Qa bis Qd gemeinsam verbunden und werden durch Impulse $A und ^A eingeschaltete Demgemäß werden Potentiale +Vs und 0 an dem gemeinsamen Verbindungspunkt in Übereinstimmung mit den Perioden des Impulses jiA erzeugt, und falls die elektrostatische Kapazität des gemeinsamen Verbindungspunktes mit Null angenommen wird, wird eine solche Impulsspannung, wie sie durch V in Fig. 5 gezeigt ist, an den gemeinsamen Verbindungspunkt angelegt.

Die Kennlinien der Mederfrequenzimpulstransformatoren Ta bis Td müssen immer im Anstieg und im Abfall steil sein. Unter der Annahme₉ daß deren Ausgangsspannungen derart sind, wie es bei Vta bis Vtd in Pig. 7 gezeigt ist, werden die Transistoren mit Betrieb mit niedriger Geschwindigkeit Qa bis Qd dadurch eingeschaltet und werden die Ausgangsspannungen von diesen Transistoren^ d_oh_o die an die Sammelschienen A bis D angelegten Spannungen,, derart, wie dies durch VA bis VD in Pig. 7 gezeigt ist. "Wenn sich der Transistor Qe in seinem Ein™Zustand befindet, erhalten die Sammelschienen A bis D das gleiche Potential wie Erde über die Uiederfrequenzirapulstransformatoren Ta bis Td und die Basen und Kollektoren der Transistoren des Betriebs mit niedriger Geschwindigkeit Qa bis Qd₀ Durch die Kombination der Spannungen VA bis VD mit der Spannung VY, wie in Pig. gezeigt ist, wird die Entladungszelle mit der Spannung gespeist, die durch VGL in Pig. 3 gezeigt ist«

Wie oben beschrieben wurde ₉ ist es ausreichend, die Transistoren mit Betrieb mit niedriger Geschwindigkeit Qa bis Qd nur für die Periode des Anlegens der Verschiebungsimpulsspannung einzuschalten und deren Anstiegs- und Abfall~Kennlinien müssen nicht steil sein, so daß billige Transistoren verwendet werden können. Da deren Abfall-Kennlinien flach sindj, werden die Spitzenwerte der Ausgangsimpulse allmählich verringert, wie es durch VA bis VD in

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Pig.7 gezeigt ist, und dienen als Löschimpulse. Dies ergibt den Vorteil, daß kein löschkreis notwendig ist.

Pig. 8 zeigt ein weiteres Beispiel der Erfindung, bei dem der Erdungstransistor mit Betrieb mit hoher Geschwindigkeit Qe, der bei dem vorangehenden Beispiel verwendet wird, über Dioden mit den Transistoren mit Betrieb mit " niedriger Geschwindigkeit Qa bis Qd gemeinsam verbunden ist und dieselbe Arbeitsweise wie bei dem obigen Beispiel ausführt.

Pig. 9 zeigt ein weiteres Beispiel der Erfindung, bei dem Transistoren mit Betrieb mit niedriger Geschwindigkeit Qia bis Qid mit den Basen der Transistoren Qa bis Qd verbunden sind, die jeweils an-die Sammelschienen A bis D angeschlossen sind. Dies entspricht einem Aufbau, bei dem die Niederfrequenzimpulstransformatoren bei den Beispielen der Pig. 6 und 8 jeweils durch Transistoren mit Betrieb mit niedriger Geschwindigkeit Qia und Qid ersetzt werden. Die Arbeitsweise dieses Beispiels ist dieselbe wie bei dem vorangehenden Beispiel.

Pig. 10 zeigt ein weiteres Beispiel der Erfindung, bei dem mehrere Plasmaanzeigepaneele 1A, 1B,... parallel angetrieben werden. Die Plasmaanzeigepaneele 1A, 1B, 1C, ... werden mit einer Impulsspannung durch die Transistoren mit Betrieb mit hoher Geschwindigkeit Qs und Qe gemeinsam mit diesen gespeist und die Transistoren mit Betrieb mit niedriger Geschwindigkeit Qa bis Qd werden mit den Sammelschienen A bis D jedes der Plasmaanzeigepaneele 1A, 1B, 1C, ... verbunden und derart gesteuert, daß sie nur für die Periode des Anlegens der Entladungspunktverschiebungsspannung eingeschaltet werden. Diese Schaltung verwendet demgemäß nur zwei teuere Transistoren mit Betrieb mit hoher Geschwindigkeit Qs und Qe für mehrere Plasmaanzeigepaneele 1A, 1B, 10, ... und ist deshalb wirtschaftlich.

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Bei dem Beispiel der PIg₀ 4 kann des weiteren durch. Steuern der !Transistoren Qs und Qa bis Qd wie bei den Beispielen der fig. 6, 8 und 9 und duroh Bilden der Transistoren Qa bis Qd durch Transistoren mit Betrieb mit niedriger Geschwindigkeit der Schaltungsaufbau noch billiger gemacht werden.

Wie voranstehend beschrieben worden ist, wird bei der vorliegenden Erfindung eine Hochspannung an die gemeinsamen Elektroden angelegt und wird eine Niederspannung an die Verschiebungselektroden angelegt, so daß eine Verschiebungsantriebsstufe, die viele Transistoren verwendet, mit Transistoren mit einer niedrigen Spannung, welche die Transistoren aushalten, gebildet werden. Auch wenn ein Löschimpuls nicht angelegt wird, wird des weiteren die an die gemeinsamen Elektroden angelegte Spannung ein Löschpegel, so daß die Schaltungsanordnung mit geringen Kosten hergestellt werden kann.

Die Transistoren mit Betrieb mit hoher Geschwindigkeit zum Bilden einer Impulsspannung, deren Wellenform stark ansteigt und abfällt, sind des weiteren gemeinsam für die gemeinsame Sammelschiene vorgesehen und die an jede Entladungspunktverschiebungs-Sammelschiene angelegte Verschiebungsspannung wird über einen Transistor mit Betrieb mit niedriger Geschwindigkeit zugeführt, wodurch die gesamte Schaltung billig im Vergleich mit einer bekannten Schaltung unter Verwendung eines Transistors mit Betrieb mit hoher Geschwindigkeit für jede Sammelschiene gemacht werden kann. Des weiteren wird eine Spannung, deren Spitzenwert aufgrund der flachen Abfallcharakteristik des Transistors mit Betrieb mit niedriger Geschwindigkeit gering ist, in der letzten Periode der Verschiebungsspannung angelegt und führt eine Punktion äquivalent zu einem Löschimpuls aus. Dies verhindert die Notwendigkeit der Anordnung eines Löschkreises und vereinfacht somit den Schaltungsaufbau.

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Claims

-H-

Selbstverschiebungsantriebsanordnung für ein Gasentladungspaneel mit mehreren Entladungspunktverschiebungs-Sammelschienen, an die periodisch. Verschiebungselektroden angeschaltet werden, und mit einer gemeinsamen Sammelschiene, an die gemeinsame Elektroden angeschaltet werden, welche den Verschiebungselektroden gegenüber angeordnet sind, um diese in rechten Winkeln zu schneiden, dadurch gekennzeichnet, daß eine impulsgeformte Hochspannung, die hoch genug ist, um eine Entladung zum löschen einer Wandspannung zu erzeugen, die an der Wand einer Elektrode erzeugt wird, die eine dielektrische Schicht bedeckt, an die Seite der gemeinsamen Sammelschiene angelegt wird, daß eine impulsgeformte Spannung, die an die Entladungspunktverschiebungs-Sammelschiene nacheinander angelegt werden soll, als Niederspannung.ausgewählt ist und daß eine Haltespannung durch die Niederspannung und durch die Hochspannung angelegt wird, um Zellen zu entladen, die zwischen den Verschiebungselektroden und den gemeinsamen Elektroden nacheinander gebildet sind, um dadurch aufeinanderfolgend einen in jeder Entladungszelle erzeugten Entladungspunkt 2m verschieben.

2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Widerstände parallel zu einem Transistor zum Anlegen einer Hochspannung an die gemeinsame Sammelschiene und zu einem Transistor, der dadurch die gemeinsame Sammelschiene erdet, geschaltet sind und daß eine Spannung, die im wesentlichen die Hälfte der Hochspannung ist, an die gemeinsame Sammelschiene, angelegt wird, wenn beide Transistoren sich in ihrem Aus-Zustand befinden,

5. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Transistoren mit Betrieb mit niedriger Geschwindigkeit jeweils an die Entladungspunktverschiebungs-Sammelschienen angeschaltet sind, daß Transistoren mit Betrieb mit hoher

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Geschwindigkeit zur Spannungsanlegung und Erdung an die Transistoren mit Betrieb mit niedriger Geschwindigkeit gemeinsam angelegt sind, daß die Transistoren mit Betrieb mit hoher Geschwindigkeit mit einer vorbestimmten Impulsperiode ein- und ausgeschaltet werden und daß die Transistoren mit Betrieb mit niedriger Geschwindigkeit'in einer Verschiebungsspannungsanlegungsperiode in dem Ein-Zustand gehalten werden.

4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Transistoren mit Betrieb mit niedriger Geschwindigkeit mit den Ausgangssignalen von NiederfrecLuenzimpulstransformatoren betätigt werden.

5. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Antriebsstufe gemeinsam für eine Mehrheit von Gasentladungspaneelen vorgesehen ist, um eine impulsgeformte Hochspannung an die gemeinsame Sammelschiene jedes Paneels anzulegen.

6. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Transistor mit Betrieb mit hoher Geschwindigkeit gemeinsam für eine Mehrzahl von Gasentladungspaneelen vorgesehen ist, um eine Verschiebungsspannung anzulegen, die von dem ersteren Paneel zu der Entladungspunktverschiebungssammelschiene jedes folgenden Paneels abgegeben wird.

7. Selbstverschiebungsantriebsanordnung für ein Gasentladungspaneel, bei dem Elektroden periodisch mit einer Mehrzahl von Entladungspunktverschiebungssammelschienen verbunden werden und eine Verschiebungsspannung an die Sammelschienen nacheinander angelegt wird, um einen Entladungspunkt zu verschieben, dadurch gekennzeichnet, daß Transistoren mit Betrieb mit niedriger Geschwindigkeit an jede Entladungspunktverschiebungs-Sammelschiene angeschaltet sind, daß Transistoren mit Betrieb mit hoher

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Geschwindigkeit zur Spannungsanlegung und zur Erdung gemeinsam an die Transistoren mit Betrieb mit niedriger Geschwindigkeit angeschaltet sind und daß die Transistoren mit Betrieb mit hoher Geschwindigkeit mit einer vorbestimmten Periode ein- und ausgeschaltet werden und daß die Transistoren mit Betrieb mit niedriger Geschwindigkeit in einer Verschiebungsspannungsanlegeperiode im Ein-Zustand gehalten werden.

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