DE2431506C3 - Verfahren zum Herstellen eines Thyristors - Google Patents

Verfahren zum Herstellen eines Thyristors

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DE3232837A1 (de) * 1982-09-03 1984-03-08 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum herstellen einer 2-ebenen-metallisierung fuer halbleiterbauelemente, insbesondere fuer leistungshalbleiterbauelemente wie thyristoren
DE3629963A1 (de) * 1986-09-03 1988-03-10 Menschner Maschf Johannes Vorrichtung zum kontinuierlichen dekatieren von geweben, gewirken u. dgl.

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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