DE2431163B2 - Verfahren zum herstellen von dotiertem silicium - Google Patents
Verfahren zum herstellen von dotiertem siliciumInfo
- Publication number
- DE2431163B2 DE2431163B2 DE19742431163 DE2431163A DE2431163B2 DE 2431163 B2 DE2431163 B2 DE 2431163B2 DE 19742431163 DE19742431163 DE 19742431163 DE 2431163 A DE2431163 A DE 2431163A DE 2431163 B2 DE2431163 B2 DE 2431163B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- silicon
- boron
- content
- substrate
- doping
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 41
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 37
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- -1 silicon halides Chemical class 0.000 description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 7
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 5
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 5
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 description 5
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000012280 lithium aluminium hydride Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004028 SiCU Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- CFOAUMXQOCBWNJ-UHFFFAOYSA-N [B].[Si] Chemical compound [B].[Si] CFOAUMXQOCBWNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 1
- UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N borane Chemical class B UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000085 borane Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001638 boron Chemical class 0.000 description 1
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002371 helium Chemical class 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- LZTRCELOJRDYMQ-UHFFFAOYSA-N triphenylmethanol Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)(O)C1=CC=CC=C1 LZTRCELOJRDYMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/20—Doping by irradiation with electromagnetic waves or by particle radiation
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21H—OBTAINING ENERGY FROM RADIOACTIVE SOURCES; APPLICATIONS OF RADIATION FROM RADIOACTIVE SOURCES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; UTILISING COSMIC RADIATION
- G21H5/00—Applications of radiation from radioactive sources or arrangements therefor, not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/261—Bombardment with radiation to produce a nuclear reaction transmuting chemical elements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von dotierten Siitciumkr/stallen, insbesondere -Einkristallen,
durch Bestrahlen mit thermischen Neutronen.
Ein solches Verfahren ist in der Literaturstelle »Journ. of the Electrochemical Society« (Febr. 1961), Vol. 108,
Nr. 2, pp 171 bis 176 beschrieben. Durch die Bestrahlung
mit thermischen Neutronen werden einzelne Siliciumatome in Phosphoratome (P3') unter Aussendung von
y-Strahlen und Elektronen umgewandelt. Es dient der Aufgabe, homogen dotierte Siliciumeinkristalle oder
Bereiche von solchen herzustellen.
Eine genauere Untersuchung zeigt jedoch, daß die auf diese Weise erzielbare Dotierung doch nicht ganz
homogen ist, sondern ihre Konzentration mit zunehmender Tiefe abnimmt. Da das Verfahren in erster Linie
zum Dotieren von Einkristallen vorgenommen wird, besteht Interesse an der Beseitigung der genannten
Inhomogenität.
Wie gemäß der Erfindung erkannt wurde, ist eine Ursache in einer an sich unvermeidlichen Beimengung
von Bor zu suchen, wobei zu berücksichtigen ist, daß natürliches Bor zu etwa 80,39% aus dem Isotop '' B und
etwa 19,61% aus dem Isotop 10B besteht. Während aber
der Neutronenabsorptionsquerschnitt von 11B nur 0,005
barn (1 barn = ΙΟ-24 cm2) beträgt ist der von 10B um
Größenordnungen größer und beträgt 3830 barn. Aus der Anwesenheit von 10B resultiert also eine beträchtliche
Neutronenabsorption in Abhängigkeit von der Eindringtiefe.
Erfindungsgemäß werden daher Siliciumkristalle verwendet, die selbst, oder deren Siliciumeinkristall-Substrate
oder deren Oberflächen elementares Bor enthalten, dessen Isotopenverhältnis — im Vergleich zu
dem des natürlichen Bors — zugunsten von 11B
verschoben ist.
Dies bedeutet, daß man durch geeignete Maßnahmen eine Verminderung des IOB-Anteils bei aufrechterhaltenem
oder gar gesteigertem B-Gesamtgehalt zu erzielen hat. Das 11B, das gemäß der Erfindung während der
Bestrahlung des Siliciums anwesend sein darf, kann z. B. dem Silicium als Dotierung beigegeben sein. Dabei kann
ggf. der Borgehalt des zu bestrahlenden Siliciums so niedrig sein, wie man ihn aufgrund der natürlichen
Verunreinigung von Silicium nach den üblichen technischen Reinigungsmethoden, einschließlich des
tiegellosen Zonenschmelzen^, noch erreichen kann.
Andererseits entfaltet aber auch eine Steigerung des 1' B-Gehaltes und eine Zurückdrängung des ' "B-Gehaltes
eine günstige Wirkung, wenn die Neutronen auf Silicium einwirken sollen, welches an eine derartige
borhaltige Schicht nur angrenzt, statt mit ihr identisch zu sein. So macht sich z. B. die Anwesenheit von mit 11B
angereichertem Bor als Substratdotierung auf die Dotierung einer auf dem Substrat aufgewachsenen
epitaktischen Siliciumschicht günstig im Sinne der Erfindung bemerkbar, selbst wenn diese Schicht kein
Bor enthält. In ähnlicher Weise wirkt eine Abdeckung des durch die Neutronenstrahlung zu dotierenden
Siliciums, wenn dieses mit einer Schicht bedeckt ist, in welchem das 11B angereichert ist. Diese Wirkung ist mit
der Allseitigkeit der Neutroneneinwirkung zu erklären.
ίο Die stark unterschiedlichen Einfangsquerschnitte von
10B und "B auf thermische Neutronen, beruhen auf der
unterschiedlichen Wechselwirkung der beiden Borisotopen mit den Neutronen. Während sich 10B nach dem
Einfang eines Neutrons unter Aussendung eines Heliumkerns in Lithium umwandelt, geht 11B in
radioaktives 12B über, welches schließlich unter Abgabe
eines Elektrons in 12C übergeht. Die starke Neutronenabsorption
des natürlichen Bors, geht aber praktisch ausschließlich auf Konto der Umsetzung des 10B.
Will man einen homogenen n- oder p-leitenden Siliciumkristall, insbesondere Einkristall erzielen, so
empfiehlt es sich schon bei der Herstellung des den Siliciumkristall bildenden Siliciums von Ausgangsverbindungen
auszugehen, in welchen das Verhältnis der Isotopen in den (unvermeidlichen) Borverunreinigungen
im Sinne der Erfindung verschoben ist. Eine gewisse Übereinstimmung im chemischen Verhalten von Silicium
und Bor bringt es mit sich, daß alle zur Herstellung von Silicium geeigneten flüchtigen oder gasförmigen
Siliciumverbindungen etwas mit Bor verunreinigt sind. So enthalten Silane, z. B. S1H4, Spuren von Boranen,
Siliciumhalogenide bzw. Halogensilane Spuren von Borhalogenid. Diesen Verunreinigungen liegt natürliches
Bor, also ein Bor zugrunde, welches etwa 20% des leichteren Isotops enthält. Das Verhältnis der beiden
Komponenten wird nicht merklich verschoben, wenn aus den betreffenden Siliciumverbindungen in bekannter
Weise durch thermische Prozesse elementares Silicium zur Abscheidung gebracht wird. Dies liegt
einfach daran, daß die aufgrund der unterschiedlichen Kernmasse bedingten chemischen Unterschiede zu
gering sind, als daß sich von selbst eine Verschiebung zwischen den beiden Borisotopen durch die Abscheidung
einstellen würde. Eher findet eine Anreicherung der leichteren als der schwereren Komponente statt.
Dasselbe gilt für die Anwendung des tiegellosen Zonenschmelzen. Bekanntlich gehört Bor zu denjenigen
Verunreinigungen in elementarem Silicium, die sich durch Zonenschmelzen nur sehr mühsam entfernen
lassen. Im allgemeinen wird also zonengeschmolzenes Silicium höchstens noch mehr 10B als weniger im
Vergleich zu dem natürlichen Verhältnis beider Isotopen aufweisen.
Somit wird bei einer Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens einem zur Darstellung von dotiertem
elmentarem Silicium dienenden Silan bzw. Siliciumhalogenid
bzw. Halogensilan ein Borhydrid und/oder ein Borhalogenid zugesetzt, in welchem das Verhältnis
zwischen 10B und "B zugunsten des letzteren im
Vergleich zu natürlichem Bor verschoben ist. Da 11B in
reiner Form im Handel ist, bedeutete dies keine nennenswerte Erschwerung. Das auf diese Weise in
verstärktem Maße mit 11B versetzte Silan bzw.
Siliciumhalogenid wird nun vorzugsweise weiter gereinigt. Dabei ist vor allem der Fall von Bedeutung bei dem
auch spezifisch auf Borverunreinigungen angesetzte Reinigungsprozesse angewendet werden.
Nach der US-PS 30 53 631 z. B. wird zur Reindarstel-
Nach der US-PS 30 53 631 z. B. wird zur Reindarstel-
lung von SiH4 aus SiCU durch Reduktion mit Lithium-Aluminiumhydrid
anwesendes Bor in Diboran übergeführt, welches durch Hindurchleiten über eine Lösung
von Lithium-Aluminiumhydrid in Tetrahydrofurfuran von dem zugleich entstandenen SiH4 bevorzugt abgetrennt
werden kann. Nach der US-PS 30 63 811 können Verunreinigungen durch Borhalogenide bevorzugt
durch p-Oxyazobenzol gefällt werden. Neben anderen Verunreinigungen lassen sich auch Borverunreinigungen
aus den Siliciumhaiogeniden zum Teil durch Destillation abtrennen. Eine Reinigung der Ausgangsverbindungen
ist aber auch im Hinblick auf Donatoren empfehlenswert Nach der US-PS 32 16 785 lassen sich
solche Verunreinigungen bei Anwesenheit von Zinnchlorid oder Titanchlorid durch Destillation vollkommener
entfernen. Des weiteren kann ein Zusatz von freiem CI2, oder ΒΓ2, oder Jod in diesem Sinne günstig wirken.
Schließlich kann auch auf das in der US-PS 32 16 784 beschriebene Verfahren hingewiesen werden, wonach
SiHCb bzw. SiCI4 durch Zugabe von Triphenylcarbinol
((C6Hs)3COH)
für die Destillation in höherem Maße von Bor befreit werden können.
Das durch solche Prozesse in hohem Maße von Verunreinigungen befreite Silicium, weist aber immer
noch einen Restgehalt an Bor auf, der sich bei der Dotierung durch Neutronenbestrahlung nachteilig im
Sinne von Inhomogenitäten bemerkbar macht. Hat man aber entsprechend der Lehre der Erfindung dafür
gesorgt, daß in diesem Restborgehalt praktisch das 10B
ausgeschaltet ist, so erhält man durch die Bestrahlung auf jeden Fall immer eine gleichförmigere Dotierung,
gleichgültig, ob der Borgehalt des zu bestrahlenden Siliciums hoch oder niedrig eingestellt ist.
Bevorzugt wird man also eine zur Darstellung von reinem Silicium geeignete flüchtige Süiciumverbindung,
also ein Siliciumhalogenid oder ein Silan oder ein Halogensilan, mit einem aus "B hergestellten Hydrid
oder Halogenid versetzen, dann die erhaltene Mischung (die bei Zimmertemperatur insbesondere in flüssigem
Zustand vorliegt) trotz der vorherigen Borzugabe durch Destillation, insbesondere auch durch Anwendung das
Bor ausfällender Reinigungsstoffe, erneut reinigen, um auf diese Weise den Restborgehalt des abgeschiedenen
Siliciums möglichst niedrig einzustellen. Das schließlich erhaltene Silicium, das vorzugsweise nochmals durch
Zonenschmelzen gereinigt und in einen Einkristall übergeführt wurde, hat dann zwar immer noch einen
Restborgehalt. Dieser Restborgehalt ist aber gegenüber dem des auf konventionelle Weise erhaltenen Siliciums
weit stärker in bezug auf 10B verarmt. Die nachfolgende
Bestrahlung mit Neutronen verursacht dann eine viel gleichförmigere Dotierung, die bei genügend heruntergedrücktem
RestborgehaU bzw. bei genügend langer Einwirkungsdauer der Neutronen bzw. Strahlungsdichie
dieser Neutronen in den η-Typ umgeschlagen ist
Bei einer zweiten Variante wird ein als Substrat "zu
verwendender Siliciumeinkristall hergestellt, dessen B-Dotierung derart eingestellt wird, daß der Einfluß von
1υΒ zurückgedrängt ist
Solche Substratkörper werden gewöhnlich durch Tiegelschmelzen oder tiegelloses Zonenschmelzen von
durch Abscheidung von elementarem Silicium aus der Gasphase erhaltenen Siliciumstäben erhalten. Man wird
demzufolge unter Verwendung der oben beschriebenen Herstellungsmethode, versuchen, den Borgehalt der
flüssigen Ausgangsverbindungen, insbesondere SiHCl3, weitgehend mit "B anzureichern, und dafür sorgen,
diesen Borgehalt auch in den schließlich erhaltenen und als Substrat zu verwendenden Siliciumscheiben beizubehalten.
Auch hier empfiehlt es sich den 10B-Gehalt
zurückzudrängen. Am einfachsten geschieht dies, indem man zunächst die Ausgangsverbindung soweit wie
möglich, bezüglich Bor reinigt, dann erst das Silicium abscheidet und das 11B beim Zonenschmelzen hinzugibt,
und/oder erst der Ausgangsverbindung in dem erforderlichen Maße 11B beimischt und dann schließlich das
Silicium aus ihr abscheidet.
Die aus diesem Silicium erhaltenen Substratscheiben aus einkristallinem Silicium sind aufgrund ihrer Bordotierung
p-leitend. Ihre Bordotierung ist aber so eingestellt, daß ein merklicher Gehalt an 10B nicht mehr
vorliegt. Das durch Neutronenstrahlung zu dotierende Silicium wird in Form einer schwach p- oder n-leitenden
epitaktischen Schicht auf den stark p-leitenden Substratscheiben
in bekannter Weise abgeschieden. Der mit der epitaktischen Schicht versehene scheibenförmige
Substrateinkristall wird nun der Einwirkung von Neutronenbestrahlung ausgesetzt. Man erhält, wenn der
Anfangsgehalt der epitaktischen Schicht an Akzeptoren niedrig ist bzw. die Strahlungseinwirkung ausreichend
lang und/oder intensiv war, η-leitende epitaktische Schichten mit homogener Donatorkonzentration (Phosphorkonzentration)
die auf einem p-leitenden Substrat aufgewachsen sind.
Im allgemeinen ist die Stärke einer epitaktischen Schicht wesentlich geringer als die des Substrats, so daß
die günstige Wirkung des "B-Gehaltes auf die epitaktische Schicht während der Neutronenbestrahlung
verständlich wird. Wird umgekehrt eine 11B
angereicherte Schicht auf einem Siliciumkristall abgeschieden, in welchem der 10B-Gehalt nicht unterdrückt
ist, so wird im allgemeinen die günstige Wirkung der mit 1' B angereicherten Schicht auf das Substrat nur bis zur
Substratschicht reichen.
Claims (1)
- Patentanspruch:Verfahren zum Herstellen von dotierten Siliciumkristallen, insbesondere -Einkristallen, durch Bestrahlen mit thermischen Neutronen, dadurch gekennzeichnet, daß Siüciumkristalle verwendet werden, die selbst oder deren Silicium-Einkristall-Substrate oder deren Oberflächen elementares Bor enthalten, dessen Isotopenverhältnis — im Vergleich zu dem des natürlichen Bors — zugunsten von 11B verschoben ist.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19742431163 DE2431163C3 (de) | 1974-06-28 | Verfahren zum Herstellen von dotiertem Silicium | |
JP8047875A JPS5140073A (ja) | 1974-06-28 | 1975-06-27 | Shirikonnodoopinguhoho |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19742431163 DE2431163C3 (de) | 1974-06-28 | Verfahren zum Herstellen von dotiertem Silicium |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2431163A1 DE2431163A1 (de) | 1976-01-08 |
DE2431163B2 true DE2431163B2 (de) | 1976-10-28 |
DE2431163C3 DE2431163C3 (de) | 1977-06-02 |
Family
ID=
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2431163A1 (de) | 1976-01-08 |
JPS5140073A (ja) | 1976-04-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE865160C (de) | Verfahren zur Erzeugung einer Germaniumschicht auf einem Germaniumkoerper | |
DE2950846C2 (de) | Verfahren zur Herstellung amorpher Halbleiterschichten | |
DE1619980C3 (de) | Verfahren zum epitaktischen Aufwachsen von dicken Schichten aus Halbleitermaterial | |
DE1225148B (de) | Verfahren zum Niederschlagen eines halbleitenden Elementes und eines Aktivator-stoffes aus einem Reaktionsgas | |
DE1123300B (de) | Verfahren zur Herstellung von Silicium oder Germanium | |
DE3026030C2 (de) | Vorrichtungsteil für die Halbleitertechnik, Verfahren und Vorrichtung zu dessen Herstellung | |
DE2325998B2 (de) | Flüssigkristallzelle und Verfahren zur Herstellung derselben | |
DE2431163C3 (de) | Verfahren zum Herstellen von dotiertem Silicium | |
DE2431163B2 (de) | Verfahren zum herstellen von dotiertem silicium | |
DE2950827C2 (de) | Verfahren zum epitaktischen Abscheiden von einkristallinem Material | |
DE2362264B2 (de) | Verfahren zum herstellen von homogen n-dotierten siliciumeinkristallen durch bestrahlung mit thermischen neutronen | |
DE1920387A1 (de) | Partikelfoermiger Kernbrennstoff,Verfahren zu dessen Herstellung und Verfahren zur Anwendung eines solchen Kernbrennstoffes in einem Kernreaktor | |
DE69913668T2 (de) | Verfahren zur erzeugung von kohlenstoff mit elektrisch aktiven stellen | |
Thrower | Impurity nucleation of irradiation damage in graphite | |
DE1039715B (de) | Sehr reines Kieselsaeureglas, Verfahren zu seiner Herstellung und Anwendung | |
DE1269559B (de) | Verfahren zur Korrosionsschutzbehandlung von Gegenstaenden aus Graphit und nach diesem Verfahren behandelte Graphitgegenstaende | |
DE1277826B (de) | Verfahren zum Herstellen von p-leitendem Silicium mit einem spezifischen elektrischen Widerstand von wenigstens 1 Ohm cm | |
DE2422251A1 (de) | Verfahren und vorrichtumg zum herstellen von dotierten cadmiumtellurideinkristallen | |
Mirza | An indium generator | |
DE1521397C (de) | Verfahren zum Niederschlagen von Sihciumdioxidfilmen | |
DE1596900A1 (de) | Glaszusammensetzung | |
DE2906058A1 (de) | Verfahren zum herstellen von halbleiterkoerpern fuer solarzellen aus silizium | |
DE1261842B (de) | Verfahren zum Herstellen von hochreinem Silicium | |
DE2540175A1 (de) | Verfahren zur herstellung von galliumphosphid | |
Müller et al. | Chemical effects of nuclear transformations in mixed potassium hexahalogeno-metallates (IV), K2MXnY6-n. 1. Chemical effects of the 81Br (n, γ) 82Br nuclear process in mixed potassium hexabromochloro-osmates (IV), K2OsBrnCl6-n. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E771 | Valid patent as to the heymanns-index 1977, willingness to grant licences | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |