DE2422157A1 - Verfahren zur glassubstratsaeuberung - Google Patents
Verfahren zur glassubstratsaeuberungInfo
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
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- C03C23/0075—Cleaning of glass
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Description
Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur Säuberung von Glassubstraten
bevor diese weiteren Verfahrensschrxtten, insbesondere zum Schichtniederschlag, unterworfen werden.
Bekannte Verfahren zum Säubern von Oberflächen von Glassubstraten
bestehen in der Anwendung chemischer Ätzmittel, die zwar Oberflächenverunreinigen
wirksam beseitigen, jedoch nicht die jeweiligen Substrate selbst anzugreifen vermögen. Ein wesentlicher Nachteil
dieses bekannten Verfahrens besteht darin, daß für verschiedene
Substrate jeweils verschiedene Ätzmittel zu Säuberungszwecken
Anwendung finden müssen. Dieser Nachteil als einer von vielen ist daher der Grund, daß chemische Reinigungsverfahren relativ selten
Anwendung finden.
Zwei weitere vorzugsweise Anwendung findende Säuberungsverfahren finden unter Aussetzen der Substrate in einer gesteuerten Niederdruckatmosphäre
statt.
Bei dem einen werden die Substrate auf eine hohe Temperatur, typischerweise
etwa auf 250 °C, aufgeheizt, bevor eine metallische Schicht, insbesondere Chrom, aufgetragen wird. Um hierbei jedoch
Beschädigungen der behandelten Glassubstrate zu vermeiden, müssen diese relativ langsam aufgeheizt und auch abgekühlt werden und
zwar jeweils mit etwa 1 0C pro Minute. Aus diesem Grunde ließ es
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sich nicht vermeiden, daß eine Gesamtzeit von acht Stunden und mehr
für den vorbereitenden Verfahrensschritt erforderlich gewesen ist, um lediglich die Substrate auf die erforderliche Arbeitsteisperatur
zu bringen und anschließend wieder abzukühlen. Ein solcher Zeitaufwand und zwar nur für einen vorbereitenden Verfahrensschritt
ist nun in keiner Weise zufriedenstellend.
i dem anderen bekannten Verfahren wird ein Ionenbeschußverfahren angewendet. Treffen mit hohen Geschwindigkeiten sich bewegende positive
Ionen auf die Oberfläche eines Werkstücks auf, dann wird hierbei, wie bekannt, Material abgetragen. So läßt sich z.B. ein
Werkstück auf eine Kathode anordnen, um es unter Einwirken eines niedrigen Drucks einer Edelgasatmosphäre zu reinigen, indem eine
relativ hohe konstante Spannung zwisehen Kathode und Anode angelegt
wird, wobei natürlich auch Verfahren unter anlegen von Kochfrequenzspannungen
ebenso geeignet sind. Die Ionen, die durch Zusammenstöße zwischen von der Kathode beschleunigten Llektroden und
iJdelgasatomen entstehen, bombardieren hierbei die Werkstückoberfläche.
Bei diesem an sich bekannten Verfahren dient zum Herbeiführen der Gasentladung eine trockene träge Gasatmosphäre. Hierbei
wird Wasser ganz allgemein als con t ajf ruinierend und damit als
schädlicher Anteil in der Entladungsatmosphäre angesehen.
Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, unter Ausschalten der Nachteile bekannter Verfahren ein Säuberungsverfahren für Substrat
oberflächen bereitzustellen, dessen Wirkung eine äußerst gute Adhäsion einer auf die so gesäuberte Oberfläche aufgetragenen Chromschicht
in zufriedenstellender Weise gewährleistet.
Gemäß der Erfindung ist hierzu vorgesehen, daß die zu behandelnden
Substrate in eine Gasentladungszerstäubungsvorrichtung eingelegt werden, daß die hierin enthaltene Gasentladungskammer mit
einer feuchten Gasatmosphäre unter relativ geringem Druck gefüllt und gehalten wird, und daß eine elektrische Spannung zwischen Ano-
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de und Kathode zur Herbeiführung des Ionenboiribardements auf die
genannten Substrate herbeigeführt wird. In vorteilhafter Weise wird als aktives Gas Luft oder Formierungsgas, bestehend aus einer
Mischung von Stickstoff und Wasserstoff, verwendet. Die Gasentladungsatmosphäre ist mit Wasserdampf bei Raumtemperatur (angenähert
22 0C) gesättigt, indem das aktive Gas in einem geeigneten Behälter
durch Wasser geleitet wird und dann oberhalb der Wasseroberfläche aufgefangen wird.
Der hauptsächliche Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens liegt
darin, daß es ohne weiteres zur Säuberung von Glassubstratoberflächen Anwendung finden kann, und daß sich die so gesäuberte Substratoberfläche
nach dieser Behandlung in einem solchen Zustand befindet, daß eine erhöhte Adhäsion, wie sie bisher nicht zu verzeichnen
gewesen ist, zwischen dem Substrat und einem anschließend hierauf angebrachten Chromfilm ergibt.
Ein weiterer Vorteil der Erfindung liegt darin, daß keine besondere
Atmosphäre für die Gasentladung Anwendung zu finden braucht, da normale Raumluft völlig ausreichend ist. Auf diese Weise wird
die ISfotwendigkeit für eine Quelle speziellen oder gereinigten Gases
behoben. iSficht zuletzt ist auch ein Vorteil noch darin zu sehen,
daß zur Substratflächensäuberung Anwendung erhöhter Temperaturen entfällt, so daß keine besondere Heizvorrichtung benötigt
wird und außerdem kein Zeitaufwand für Aufheizen und Abkühlen in Betracht zu ziehen ist.
Weitere Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung eines Ausführungsbeispiels anhand der beigefügten
Zeichnung und aus den Patentansprüchen.
In der Zeichnung ist schematisch eine Glimmentladungsvorrichtung
gezeigt, die zusammen mit einer Atraosphärenbefeuchtungseinrichtung
zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens dient.
Die bevorzugte Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens stellt
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einen Teil des Herstellungsverfahrens einer Gasentladungsanzeigevorrichtung
dar.
Verschiedene Arten von Anordnungen unter Anwendung von Ionenbeschuß
sind weitgehend bekannt und brauchen hierin nicht weiter Deschrieben zu werden; es ist lediglich auf das Buch von Holland
"Vacuum Deposition of Thin Films", Chapman and Hall Ltd., 1966, verwiesen.
Aus der Zeichnung gehen jedenfalls die wesentlichen Elemente einer
typischen Glimmentladungsvorrichtung hervor. In einem Gefäß 10,
das abhebbar auf einer Grundplatte 12 montiert ist, herrscht ein relativ niedriger Gasdruck. Damit dieser aufrecht erhalten
werden kann, ist ein entsprechender Dichtungsring, der nicht weiter gezeigt ist, zwischen dem Gefäß 10 und der Grundplatte 12
vorgesehen. Ein für die Zwecke der Erfindung geeignetes Gas wird über die Zuführung 14 zugeleitet und auf dem gewünschten relativ
niedrigen Druck im Gefäß mit Hilfe einer Vakuumpumpe 16 gehalten. Während die Grundplatte 12 als Metallplatte die Anode darstellt,
ist die Kathode 18 innerhalb des Raums angeordnet. Die Begriffe "Kathode" und "Anode" sind dabei nicht wörtlich zu nehmen, da bei
Anwendung von hochfrequenter Glimmentladung die Polaritäten der Grundplatte 12 und der Elektrode 18 entsprechend alternierend
geändert werden.
Werkstücke, die aufgrund der Zerstäubungswirkung geätzt werden sollen, sind auf den Halterungen 20 montiert. Diese Halterungen
20 sind geerdet, am einfachsten, indem sie in elektrischer Verbindung mit der Grundplatte 12 stehen, so daß sie ebenfalls als
Anoden dienen. Die Kathode 18 wird mit Hilfe des Versorgungsgeräts
22 auf ein hohes Potential, in typischer Weise etwa -5kV, gehalten. Eine Beschreibung weiterer zusätzlicher Einzelheiten
für eine Kathodenzerstäubungsvorrichtung und ihre Anwendung finden sich in dem oben genannten, von Holland verfaßten, Buch,
so daß hierauf nicht weiter eingegangen zu werden braucht.
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Wie bereits oben erwähnt, wird bei Anwendung bekannter Verfahren
eine trockene träge Atmosphäre innerhalb des Gefäßes 10 verwendet, wenn der Kathodenzerstäubungsbetrieb stattfindet.
Vorliegende Erfindung unterscheidet sich von diesem bekannten Verfahren im wesentlichen dadurch, daß eine feuchte aktive Atmosphäre
innerhalb des Gefäßes 10 aufrecht erhalten wird. Eine.
solche Atmosphäre besteht vorzugsweise aus Luft oder Formierungsgas, nämlich 90% Stickstoff und 10% Wasserstoff, welche
bei Raumtemperatur mit Wasser gesättigt ist.
Ein Beispiel einer Vorrichtung, die dazu dient, die Atmosphäre
mit Wasser zu sättigen, ist in beiliegender Zeichnung dargestellt. Hierzu dient ein Behälter 24 mit Wasser 26. Das Gefäß 2 4 ist mit
einem Pfropfen 28 verschlossen, durch dessen eine öffnung eine Eingangsröhre 30 geführt ist, die bis unterhalb des im Gefäß 24
enthaltenen Wasserspiegels reicht. Hierüber wird aktives Gas zugeführt. Das aktive Gas gelangt über Blasen in den oberhalb des
Wasserspiegels gebildeten Hohlraum des Gefäßes 24. Eine Ausgangsröhre 32 ist durch eine zweite öffnung im Pfropfen 2 8 in das Gefäß
2 4 eingeführt und reicht jedoch nur bis in den Hohlraum oberhalb des Wasserspiegels. Auf diesem Wege, nämlich über die Ausgangsröhre
32, gelangt dann das über Eingangsröhre 30 zugeführte aktive Gas in die Zuführung 14 und damit in das Gefäß 10.
Bei Ausübung der Erfindung wird vorzugsweise die aktive Amto Sphäre
mit Wasser bei Raumtemperatur, angenähert 2 2 0C, gesättigt.
Zwei bevorzugt verwendete Atmosphären sind Luft und Formierungsgas mit 90% Stickstoff und 10% Wasserstoff. Von beiden Atmosphären
wiederum wird Luft bevorzugt. Die beim Ausführungsbeispiel der Erfindung bevorzugten Substrate bestehen aus einem Natronkalk-Silizium-Tafelglas,
wie es üblicherweise für Fenster und Spiegel Anwendung findet.
Nachdem ein Substrat entsprechend gesäubert ist, wird hierauf Chrom
niedergeschlagen. Obgleich in obenstehender Beschreibung nur ein
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Typ einer Zerstäubungsvorrichtung unter Ausnutzung der Gasentladung
bescurieben worden ist, lassen sich selbstverständlich auch
andere Arten von GasentladungsZerstäubungsvorrichtungen anwenden,
gleichgültig, ob Gleichspannungsverfahren oder Wechselspannungsverfahren
vorzusehen sind.
Obgleich in bevorzugter Weise, Luft und Formier ungs gas für die
Zwecke der .Erfindung angegeben sind, lassen sich auch andere aktive Gase wie Sauerstoff, Stickstoff, ebenfalls in wirkungsvoller
Weise anwenden. Auch läßt sich die Wassersättigung in anderer als in der geschilderten Weise herbeiführen.
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Claims (6)
1. Verfahren zum Säubern von Glassubstraten, dadurch gekennzeichnet,
daß die Substrate in eine Kathodenzerstaübungsvorrichtung
eingelegt werden, daß in die Kathodenzerstäubungsvorrichtung ein aktives feuchtes Gas
bei relativ niedrigem Druck eingeführt und aufrecht erhalten wird und daß zwischen Anode und Kathode der Gasentladungszerstäubungsvorrichtung
eine Spannung angelegt wird, so daß die eingelegten Substrate in an sich bekannter Weise einem Ionenbeschuß ausgesetzt sind.
2. verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
das feuchte aktive Gas im wesentlichen mit Wasser bei, angenähert 22 °C gesättigt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 und/oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß das aktive Gas in Form von Luft zugeführt wird.
4. Verfaliren nach Anspruch 1 und/oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß das aktive Gas aus Formierungsgas, d.h. 90% Stickstoff und 10% Wasserstoff, gebildet wird.
5. Verfahren mindestens nach Anspruch l, dadurch gekennzeichnet,
daß zur Befeuchtung der aktiven Atmosphäre das aktive Gas vor Einführen in die Gasentladungszerstäubungsvorrichtung
durch einen Wassersiphon geleitet wird, in dem das Gas nach Durchgang durch das Wasser
aufgefangen und dem Entladungsraum zugeführt wird.
6. Verfahren nach den Ansprüchen 1-5, gekennzeichnet durch die Anwendung auf Natrionkalk-Silizium-Glassubstrate
vor Niederschlagen von Chrom hierauf.
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JPS5125148A (en) * | 1974-08-26 | 1976-03-01 | Hitachi Ltd | Ekishohyojibanno seizohoho |
IT1052390B (it) * | 1975-11-24 | 1981-06-20 | Selenia Ind Elettroniche | Perfezionamento nei procedimenti di fabbricazione di dispositivi a semiconduttori in particolare di incisione per erosione ionica |
JPS5322515A (en) * | 1976-08-12 | 1978-03-02 | Fujitsu Ltd | Method of surface treatment of glass substrate of sodaalime glass |
DE2647088B2 (de) * | 1976-10-19 | 1979-04-05 | Kernforschungsanlage Juelich Gmbh, 5170 Juelich | Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen von Oberflächen |
US4132567A (en) * | 1977-10-13 | 1979-01-02 | Fsi Corporation | Apparatus for and method of cleaning and removing static charges from substrates |
US4278493A (en) * | 1980-04-28 | 1981-07-14 | International Business Machines Corporation | Method for cleaning surfaces by ion milling |
US4690370A (en) * | 1982-09-29 | 1987-09-01 | M. U. Engineering & Manufacturing, Inc. | Rhodium coated mold |
US4608268A (en) * | 1985-07-23 | 1986-08-26 | Micronix Corporation | Process for making a mask used in x-ray photolithography |
JPH0655600B2 (ja) * | 1985-10-29 | 1994-07-27 | ヒュ−ズ・エアクラフト・カンパニ− | 酸素粒子照射方法、粒子ビーム照射方法、汚染物質フィルムクリーニング方法、及び人工衛星及び宇宙船の寿命を長くする方法 |
JPS6361224A (ja) * | 1986-09-01 | 1988-03-17 | Minolta Camera Co Ltd | 集束性光伝送体アレイの色補正コ−テイング方法 |
ES2056807T3 (es) | 1986-11-27 | 1994-10-16 | Kao Corp | Celulasas alcalinas y microorganismos capaces de producirlas. |
MY103919A (en) * | 1988-03-30 | 1993-10-30 | Kao Corp | Mutant resistant to cell membrane synthesis inhibitor and process for preparing the same. |
DE4120202A1 (de) * | 1991-06-19 | 1992-12-24 | Leica Mikroskopie & Syst | Verfahren zur emissionsfreien, insbesondere fckw-freien, reinigung von praezisions-optiken bzw. -optikbaugruppen |
US5312647A (en) * | 1992-07-24 | 1994-05-17 | Dielectric Coating Industries | Method and apparatus of vacuum deposition |
JP4897186B2 (ja) | 2002-03-27 | 2012-03-14 | 花王株式会社 | 変異アルカリセルラーゼ |
US20040011381A1 (en) * | 2002-07-17 | 2004-01-22 | Klebanoff Leonard E. | Method for removing carbon contamination from optic surfaces |
EP1824972A2 (de) | 2004-12-09 | 2007-08-29 | Dow Global Technologies Inc. | Enzymstabilisierung |
WO2015154917A1 (en) * | 2014-04-09 | 2015-10-15 | Asml Netherlands B.V. | Apparatus for cleaning an object |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2501563A (en) * | 1946-02-20 | 1950-03-21 | Libbey Owens Ford Glass Co | Method of forming strongly adherent metallic compound films by glow discharge |
US2467953A (en) * | 1946-09-19 | 1949-04-19 | Distillation Products Inc | Use of glow discharge in vacuum coating processes |
US2985756A (en) * | 1957-12-09 | 1961-05-23 | Edwards High Vacuum Ltd | Ionic bombardment cleaning apparatus |
US3192892A (en) * | 1961-11-24 | 1965-07-06 | Sperry Rand Corp | Ion bombardment cleaning and coating apparatus |
US3326177A (en) * | 1963-09-12 | 1967-06-20 | Pennsalt Chemicals Corp | Metal vapor coating apparatus |
US3654108A (en) * | 1969-09-23 | 1972-04-04 | Air Reduction | Method for glow cleaning |
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