DE2418483A1 - Verfahren zur herstellung von transparenten schichten mit erhoehter strahlungsbestaendigkeit - Google Patents

Verfahren zur herstellung von transparenten schichten mit erhoehter strahlungsbestaendigkeit

Info

Publication number
DE2418483A1
DE2418483A1 DE2418483A DE2418483A DE2418483A1 DE 2418483 A1 DE2418483 A1 DE 2418483A1 DE 2418483 A DE2418483 A DE 2418483A DE 2418483 A DE2418483 A DE 2418483A DE 2418483 A1 DE2418483 A1 DE 2418483A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
hydrogen
glass
vacuum
solar cells
radiation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE2418483A
Other languages
English (en)
Inventor
Volker Dipl Phys Paquet
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Schott AG
Original Assignee
Jenaer Glaswerk Schott and Gen
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jenaer Glaswerk Schott and Gen filed Critical Jenaer Glaswerk Schott and Gen
Priority to DE2418483A priority Critical patent/DE2418483A1/de
Publication of DE2418483A1 publication Critical patent/DE2418483A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/10Glass or silica
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/02Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with glass

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

  • Verfahren zur Herstellung von transparenten Schichten mit erhöhter Strahlungsbeständigkeit Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von transparenten Schichten mit erhöhter Strahlungsbeständigkeit durch Aufbringen der Schichtstoffe auf ein Substrat im Vakuum in Anwesenheit von Wasserstoff.
  • Im Vakuum aufgebrachte Schichten sind im allgemeinen sehr anfällig gegenüber hochenenergetischer Strahlung, wie z.B. UV-, Röntgen-, Protonen- und Elektronenstrahlung.
  • Derartige Strahlung erzeugt Fehler im Festkörper, sogenannte Farbzentren, die besonders im kurzwolligen Spektralbereich stark absorbieren und die Transparenz unzulässig stark herabsetzen können. Eine hohe Transparenz und Strahlungsbeständigkeit wird z.B. gefordert von Glasschichten auf Solarzellen, die zur Energieversorgung von Satelliten eingesetzt werden Es ist bekannt, daß gewisse polyvalente Ionen, -z.3. Cer, Gläser in diesem Sinne stabilisieren können. Es bereitet jedoch große Schwierigkeiten, cerhaltige Gläser im Vakuum so aufzubringen, daß Cer in der richtigen Wertigkeit in die Schicht eingebaut wird. Es ist außerdem bekannt (1), Gläser dadurch zu stabilisieren, daß man sie aufheizt und einer Wasserstoffatmosphäre unte hohem Überdruck ( > 60 atü) aussetzt, so daß dieser eindiffundieren kann. Er lagert sich als H2 im Glasnetzwerk ein und kann durch Bestrahlung entstandene Farbzentren, wie z.B.
  • unter Bildung von Hydroxylgruppen und Hydriden zerstören: (1) S.P. Faile u.a. Hydrogen impregnated glass covers for hardened solar cells.
  • Conf. Record of the 8th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 1970.
  • Je nach der Diffusionskonstante des betreffenden Glases für Wasserstoff werden hohe Temperaturen (rt 0° C) und lange Zeiten (mehrere Tage) für die Imprägnierung benötigt. Allerdings tritt das Gas zu einem großen Teil wieder aus, wenn die Probe einige Monate bei etwa 1500 C im Vakkum gelagert wird.
  • Das Ziel der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zum Aufbringen von transparenten Schichten auf ein Substrat, nach dem Schichten erzeugt werden können, deren Transparenz nicht infolge von Bestrahlung nachläßt.
  • Es wurde nun überraschend gefunden, daß die Strahlungsbeständigkeit von im-Vakuum niedergeschlagenen transparenten Schichten erheblich verbessert werden kann, wenn die SchichtbIldung unter einem gewissen Partialdruck von Wasserstoff stattfindet.
  • Dieses Ergebnis ist umso unerwarteter als das Verfahren nach (1) hohe Drücke und lange Zeiten erfordert und die nach diesem Verfahren stabilisierten Gläser gerade bei längerem Aufenthalt im Vakuum zumindest einen Teil des eingebauten Wasserstoffs wfeder verlieren.
  • Es scheint, als ob infolge der energetisch nicht abgesättigten Struktur frisch gebildeter Schichten ein stabiler Einbau von Wasserstoff in die Schichtsubstanz stattfindet. Die Strahlungsstabilisierung beruht vermutlich auf der weiter oben beschriebienen Wirkung.
  • Nähere Untersuchungen ergaben, daß der erfindungsgemäße Effekt von der Höhe des Wasserstoff-Partialdruckes abhängt. Der unter bestimmten Beschichtungs-Parametern optimale Wasser stoff- Partialdruck ist von der Art des aufzubringenden Schichtmaterials abhängig. So verlangt das Aufbringen einer Schicht aus einem Glas mit höherem Alkaligehalt einen höheren Wasserstoff-Partialdruck als das Aufbringen einer Schicht aus einer alkaliärmeren Glas. Außerdem steigt der erforderliche Wasscrstoff-Partialdruck mit steigender Schichtbildungsrate. Allcemein wurde gefunden, daß Wasserstoff-Partiald--ücke zwischen 10-6 und 10-2 Torr für das erfindungsgemäße Verfahren geeignet sind.
  • Die Erfindung besteht demnach in einem Verfahren zum Aufbringen von transparenten Schichten mit erhöhter Strahlungsbeständic;keit auf ein Substrat durch Niederschlagen der Schichtstoffe im Vakuum, das dadurch gekennzeichnet ist, daß das Aufbringen der Schicht bei Anwesenheit von Wasserstoff mit einem Partialdruck zwischen 10 6 und 10 2 Torr erfolgt.
  • Der Wasserstoff kann dafür von außen in den Beschichtungsraum eingeleitet oder während der Beschichtung in der Vakuumglocke gebildet werden.
  • Bei gewissen Anwendungsfällen kann auch die Anwesenheit weiterer Gase, wie z.B. Sauerstoff, vorteilhaft sein.
  • Bevorzugt wird das Verfahren beim Aufbringen von transparenten, gläsernen Schichten angewendet.
  • Im folgenden werden mit Hinweis auf die Figuren 1 und 2 zwei Durchführungsbeispiele des erfindungsgemäßen Verfahrens einschließlich dessen vorteilhafter Wirkung beschrieben.
  • Beispiel 1 In Fig. 1 ist eine Vorrichtung zur Durchführung des Verahrens gemäß der ufindung schematisch dargestellt. Nac Einbringen des Substrates 2, einer Platte aus strahlungsbeständigem Quarzglas, in die Vakuumglöcke 1 wird evakuiert, bis der Druck auf 1 x 10-4 @ Torr gefallen ist. Dann wIrd d: Druck durch Einlassen von Argon soweit erhöht, bis bei -2 Spannunc an einer Al-Elektrode eine Glimmentladung mit Stromstärke von 50 mA zwischen der Elektrode und dem Substra brennt. Die Glimmung dauert etwa 5 min. Anschließend wird ar Druck auf 5 x 10 5 Torr erniedrigt und das Nadelventil 6 das Ventil 7 für Wasserstoff soweit geöffnet, bis das Pennl:-J-Gerät einen Druck von etwa 4 x 10-5 Torr anzeigt. Hierauf mittels der Elektronenstrahlkanone 4 ein alkaliarmes Spezialglas 5 zum Verdampfen gebracht und die Aufdampfrate auf einen Wert von 0,5 /uZmin eingestellt.
  • Man öffnet die Blende 3 und verdampft solange das Glas, bis eine 60 µ dicke Schicht auf dem Substrat 2 entstanden ist.
  • Sodann beendet man die Verdampfung, belüftet nach 10 min die Anlage und entnimmt die Probe Zur Bestimmung der Strahlungsresistenz wird die Probe, zusammen mit einer Referenzprobe, die ohne H2-Partialdruck hergestellt wurde, einem Elektronenbestrahlungstest (150 KeV, 2,5 x 1016 e/cm2) unterzogen und anschließend die strahlungsinduzierte Absorption bestimmt.
  • In Fig. 2 sind die Absorptionskoeffizienten α (#) der Probe (a) sowie der Referenzprobe (b) gegen die Wellenlänge aufgetragen.
  • Beispiel 2 Es wird ein alkalieicheres Spezialglas verdampft. Das Verdampfungsprozeß geschieht wie in Beispiel 1, jedoch beträgt der H2-Partialdruck 1 x 10-4 Torr. Man erhält die Probe (c) Wie in Beispiel 1 wird die Probe (c) und eine Referenzprobe (d) (ohne H2-Partiaidruck beschichtet) elektronenbestrahlt. Ihre Absorptionskoeffizienten sind ebenfalls in Fig. 2 aufgetragen.

Claims (6)

P atentansprüche
1). Verfahren zum Aufbringen einer transparenten Schicht mit erhöhter Strahlungsbeständigkeit auf ein Substrat durch Niederschlagen der Schichtstoffe im Vakuum, dadurch gekennzeichnet, daß das Aufbringen dieser Schicht bei Anwesenheit von Wasserstoff erfolgt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Wasserstoff-Partialdruck zwischen 10-2 und 10 6 Torr beträgt.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Wasserstoff von außen in die für das Aufbringen dieser Schicht verwendete Vakuumglocke eingeleitet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Wasserstoff während des Aufbringens der Schicht in der Vakuumglocke gebildet wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß neben Wasserstoff ein oder mehrere andere Gase, wie z.B. Sauerstoff, anwesend sind.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß es beim Aufbringen von Schichten aus Glas angewendet wird.
DE2418483A 1974-04-17 1974-04-17 Verfahren zur herstellung von transparenten schichten mit erhoehter strahlungsbestaendigkeit Pending DE2418483A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2418483A DE2418483A1 (de) 1974-04-17 1974-04-17 Verfahren zur herstellung von transparenten schichten mit erhoehter strahlungsbestaendigkeit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2418483A DE2418483A1 (de) 1974-04-17 1974-04-17 Verfahren zur herstellung von transparenten schichten mit erhoehter strahlungsbestaendigkeit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2418483A1 true DE2418483A1 (de) 1975-10-23

Family

ID=5913117

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2418483A Pending DE2418483A1 (de) 1974-04-17 1974-04-17 Verfahren zur herstellung von transparenten schichten mit erhoehter strahlungsbestaendigkeit

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE2418483A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2504116A1 (fr) * 1981-04-15 1982-10-22 Commissariat Energie Atomique Procede d'obtention de couches de verres luminescents, application a la realisation de dispositifs munis de ces couches et a la realisation de photoscintillateurs.

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2504116A1 (fr) * 1981-04-15 1982-10-22 Commissariat Energie Atomique Procede d'obtention de couches de verres luminescents, application a la realisation de dispositifs munis de ces couches et a la realisation de photoscintillateurs.
EP0063989A1 (de) * 1981-04-15 1982-11-03 Commissariat à l'Energie Atomique Verfahren zur Herstellung von lumineszierenden Glasschichten, Anwendung zur Herstellung von mit diesen Schichten versehenen Vorrichtungen und Herstellung von Photoszintillatoren
US4447305A (en) * 1981-04-15 1984-05-08 Commissariat A L'energie Atomique Process for obtaining luminescent glass layers

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2824564C2 (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterelementen wie Photodioden
DE3689735T2 (de) Verfahren und Gerät zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen.
DE2736514C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten von Oberflächen mit Kohlenstoff
DE3421739A1 (de) Verfahren zur herstellung von diamantartigen kohlenstoffschichten
DE102009004196A1 (de) Verfahren zum Regenerieren eines Separators für eine Brennstoffzelle, regenerierter Separator für eine Brennstoffzelle und Brennstoffzelle
DE2546697A1 (de) Verfahren zum elektrochemischen abscheiden eines materials auf einem halbleiterkoerper
DE102015115298A1 (de) Herstellungsverfahren für einen Separator einer Brennstoffzelle
DE1544190C3 (de) Verfahren zum Einführen von Störstellen in Diamant
DE3821614A1 (de) Deckschicht aus amorphem kohlenstoff auf einem substrat, verfahren zur herstellung der deckschicht und verwendung der deckschicht
DE3112604A1 (de) Verfahren zum herstellen eines amorphen siliciumfilmes
DE2138034A1 (de) Glasgegenstande und Verfahren zu deren Herstellung
DE2418483A1 (de) Verfahren zur herstellung von transparenten schichten mit erhoehter strahlungsbestaendigkeit
DE69314090T2 (de) Ionenselektieve Elektrode und Verfahren zur Herstellung derselben
DE3421833C2 (de)
EP1176644B1 (de) Verfahren zum Aktivieren von CdTe-Dünnschichtsolarzellen
DE1909869A1 (de) Verfahren zur Herstellung leitender Metalloxidueberzuege
EP0736612B2 (de) Verfahren zur Beschichtung von Sonnenkollektoren
DE102018113251A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer CdTe-Solarzelle
DE4204763C1 (de)
EP0961806B1 (de) Verfahren zur modifizierung von substratoberflächen aus polymeren oder copolymeren mit methacrylatanteil
DE6601051U (de) Wasserstoffuebertragungsmembrane
DD142966A1 (de) Verfahren zur in situ-vorbehandlung und zur beschichtungvon substraten mit duennen schichten
DE3930488C2 (de)
DE69032290T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer amorphen Halbleiterschicht
DE3139104A1 (de) "verfahren zur herstellung einer hochtemperatur-isolierung"

Legal Events

Date Code Title Description
OHW Rejection