DE2403190C2 - Ladungsgekoppeltes Halbleiterbauelement und Verfahren zu seinem Betrieb - Google Patents

Ladungsgekoppeltes Halbleiterbauelement und Verfahren zu seinem Betrieb

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electrodes
electrode
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signal transmission
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Masaharu Hachioji Tokyo Kubo
Hideo Sunami
Iwao Kodaira Tokyo Takemoto
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/891—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of only components covered by H10D44/00, e.g. integration of charge-coupled devices [CCD] or charge injection devices [CID

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