DE2364182A1 - Verfahren zum aufbringen einer aluminium-cermet-schicht auf einer halbleiteranordnung - Google Patents
Verfahren zum aufbringen einer aluminium-cermet-schicht auf einer halbleiteranordnungInfo
- Publication number
- DE2364182A1 DE2364182A1 DE2364182A DE2364182A DE2364182A1 DE 2364182 A1 DE2364182 A1 DE 2364182A1 DE 2364182 A DE2364182 A DE 2364182A DE 2364182 A DE2364182 A DE 2364182A DE 2364182 A1 DE2364182 A1 DE 2364182A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- noble gas
- mixture
- aluminum
- triethylaluminum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D1/00—Resistors, capacitors or inductors
- H10D1/40—Resistors
- H10D1/47—Resistors having no potential barriers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body (electrodes)
- H01L23/485—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body (electrodes) consisting of layered constructions comprising conductive layers and insulating layers, e.g. planar contacts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US31786072A | 1972-12-22 | 1972-12-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2364182A1 true DE2364182A1 (de) | 1974-07-11 |
Family
ID=23235568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE2364182A Pending DE2364182A1 (de) | 1972-12-22 | 1973-12-21 | Verfahren zum aufbringen einer aluminium-cermet-schicht auf einer halbleiteranordnung |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5122339B2 (enExample) |
| DE (1) | DE2364182A1 (enExample) |
| FR (1) | FR2211754A1 (enExample) |
-
1973
- 1973-12-13 JP JP48138238A patent/JPS5122339B2/ja not_active Expired
- 1973-12-18 FR FR7345286A patent/FR2211754A1/fr not_active Withdrawn
- 1973-12-21 DE DE2364182A patent/DE2364182A1/de active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2211754A1 (en) | 1974-07-19 |
| JPS5122339B2 (enExample) | 1976-07-09 |
| JPS4991382A (enExample) | 1974-08-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3026026C2 (enExample) | ||
| DE2440481C3 (de) | Verfahren zum Herstellen von Dünnschicht-Leiterzügen auf einem elektrisch isolierenden Träger | |
| DE3439853A1 (de) | Verfahren zum niederschlagen von metallsilizidschichten auf ein substrat | |
| DE2154026A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Halb leiterbauelementen | |
| DE2848034A1 (de) | Kapazitiver feuchtefuehler | |
| CH626468A5 (enExample) | ||
| DE10231953B4 (de) | Dünnschichtsensor und Flusssensor | |
| EP0002703A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von dünnen metallisch leitenden Streifen auf Halbleitersubstraten und damit hergestellte metallisch leitende Streifen | |
| DE2300813C3 (de) | Verfahren zum Herstellen eines verbesserten Dünnschicht-Kondensators | |
| DE2740757C2 (de) | Halbleiteranordnung und Verfahren zu deren Herstellung | |
| DE1590768C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer zusammenhängenden dünnen, metalleitenden Widerstandsschicht auf einem isolierenden Tragkörper | |
| DE2538600A1 (de) | Ohm'sche kontakte fuer n-leitende iii-v-halbleiter | |
| DE2364182A1 (de) | Verfahren zum aufbringen einer aluminium-cermet-schicht auf einer halbleiteranordnung | |
| DE3636366C2 (enExample) | ||
| DE1953070B2 (de) | Verfahren zum herstellen eines tantaloxinitridschichtwiderstandelements | |
| DE3218974C2 (enExample) | ||
| DE1564528A1 (de) | Verfahren zum Herstellen eines elektrisch leitenden Kanals in einem kristallinen Halbleiterkoerper | |
| DE1965565A1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
| DE2012110A1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Mehrlagenmetallisierung an elektrischen Bauelementen | |
| DE2134291A1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
| DE2706418C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Temperaturmeßwiderstandes für ein Widerstandsthermometer | |
| DE1764937C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Isolationsschichten zwischen mehrschichtig übereinander angeordneten metallischen Leitungsverbindungen für eine Halbleiteranordnung | |
| DE2141630A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichtwiderstandes | |
| DE2649091A1 (de) | Verfahren zum abscheiden von leitenden schichten auf substraten | |
| DE2061209C (de) | Verfahren zum Herstellen von inte gnerten Halbleiterbauelementen m.t mehr schichtigem Verdrahtungsaufbau |