DE2356206A1 - Verfahren zur herstellung einer photokathode - Google Patents

Verfahren zur herstellung einer photokathode

Info

Publication number
DE2356206A1
DE2356206A1 DE2356206A DE2356206A DE2356206A1 DE 2356206 A1 DE2356206 A1 DE 2356206A1 DE 2356206 A DE2356206 A DE 2356206A DE 2356206 A DE2356206 A DE 2356206A DE 2356206 A1 DE2356206 A1 DE 2356206A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
gallium
layer
photocathode
phosphide
gallium arsenide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE2356206A
Other languages
English (en)
Inventor
Jonathan Paul Gowers
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE2356206A1 publication Critical patent/DE2356206A1/de
Priority to DE20221845U priority Critical patent/DE20221845U1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/12—Manufacture of electrodes or electrode systems of photo-emissive cathodes; of secondary-emission electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/34—Photo-emissive cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
    • H01J2201/34—Photoemissive electrodes
    • H01J2201/342—Cathodes
    • H01J2201/3421—Composition of the emitting surface
    • H01J2201/3423—Semiconductors, e.g. GaAs, NEA emitters
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/049—Equivalence and options
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/051—Etching
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/072—Heterojunctions
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/135—Removal of substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)
  • Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)

Description

•ri
25-10-1973
GÜNTHER M. DAVID
Ψru:.:,.. --■*.:.■
Anrr.cfdar: f!.V. p;:;u?y GLO^iLAMFiNFABRItKEM
Akte: PHB-32.291
Anmeldung vom» 7. NOV. 1973
Verfahren zur Herstellung einer Photokathode.
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer Photokathode, die eine einkristalline Schicht aus Photokathodenmaterial, wie p-leitendem Galliumarsenid, enthält, deren Dicke in der Grössenordnung der Diffusionslängs darin vorhandener Elektronen liegt.
Es ist notwendig, dass die Dicke von Photokathoden aus Galliumarsenid vom Durchlasstyp in der Größenordnung der Diffusionslänge der darin vorhandenen Elektronen liegt, weil, wenn ihre Dicke erheblich grosser wäre, durch die Absorption von Eingangs strahlung erregte Elektronen zu der emittierenden Oberfläche der Photokathode diffundieren könnten, ohne dass eine wesentliche Rekombination auftreten würde. In der Praxis bedeutet dies, dass die Dicke der Schicht nur einige Mikrons betragen soll. Da eine frei angebrachte Schicht aus Galliumarsenid mit einer Dicke in dieser Grössenordnung äusserst zerbrech
409822/0779
// 25-10-1573
lieh wäre, ist es erwünscht, die Schicht auf einem Substrat anzubringen, sodass sie mechanische .Festigkeit erhält. Dieses Substx'at mus3 selbstverständlich für Eingangsstrahlung, -lie in der Galliumarsenid schicht absorbiert werden seil, durchlässig sein. Auch muss das Substat ein derartiges Kristallgitter aufweisen,, dass eine einkristalline GaliiuTr.arsenidnchicht darauf angewachsen v/erden kann und dass die resultierende F»hlanpa.asung des Sitters genügend klein ist, un zu verhindern, dass eine zu starka Grenzf lächcnrekonbination der Elektronen in dem Galliuir.rix-senid auftritt (Eine derartige Rekombination nimmt im allgemeinen mit zunehmender Fehlanpassung zu).
In der britischen Patentschrift 1.239·353 wird die Anwendun· von Gallium-Aluminium-Arsenid für diesen Zweck erwähnt. Eine Schicht aus Gallium-Aluninium-Arsenid wird zunächst auf eines Galliunarsenidkristall angewachsen, wonach.eins dünne p-leitende Salliumarsenidschicht auf der freien Galliuin-Aluminium-Arsenidoberfläche angewachsen wird. Der ursprüngliche Galliunarsenidkristall wird schliesslich vollständig entfernt, wonach eine dünne Schicht aus p-leitendem Galliumarsenid auf Gallium-Alurainium-Arsenid zurückbleibt.
Die Erfindung bezweckt, ein anderes Material zu schaffen, auf dem die dünne Schicht aus p-leitenden Galliumarsenid angebracht wird.
Das.Verfahren nach der Erfindung zur Herstellung einer
Photokathode, die eine einkristalline Schicht aus Photokathcdenmaterial (gegebenenfalls p-leitendem Galliumarsenid) enthält, deren Dicke in der Grössenordnung der Diffusionslänge darin vorhandener Elektronen liegt, ist dadurch gekennzeichnet, dass:
(a) eine einkristalline Schicht aus Gallium-Indium-Phosphid durch eine epitaktische Technik auf einen einkristallinen Substrat aus den genannten Photokathodenraaterial angewachsen wird, wobei das Phcsphid derartige relative Mengen an Galliua und Indium enthält, dass
4098 22/0779 b«, or,G,nal
-3- - FKB. 32291
Va/WH/Mont . - 25-IO-I973
der Gitterparameter dieses Materials nahezu gleich dem des genannten Photokathodenriaterials ist;
(b) danach die genannte Schicht aus Photokathodenmaterial durch eine epitaktische Technik auf der freien Oberfläche der Galliuia-Indium-Phcsphidschicht angewachsen wir\i, und .
(c) anschliessend wenigstens ein Teil des genannten Substrats entfernt wird, wodurch das Galliuin-Indium-Phosphid freigelegt wird.
Eine Photokathodenstruktur nach der Erfindung ist dadurch j-ekenn7.eichr.et·, dass sie eine epi taktische Schicht aus Phetokathodenmatyrial (gegebenenfalls p-leitendem Galliumarsenid) enthält, die auf einer grossen Fläche einer Platte aus einkristallinera Galliura-Indium-Phosphid angebracht ist, wobei das Phosphid derai'tige relative Mengen an Gallium und Indium enthält, dass der Gitterparameter dieses Materials nahezu gleich dem des genannten Photokathodenmaterials ist, und wobei die Dicke der genannten Schicht aus Photokathodenmaterial in der Grössenordnung der Diffusionslänge darin vorhandener Elektronen liegt, vährend wenigstens ein Teil der anderen grossen Fläche der Gallium-Indium-Phosphidplatte nahezu nicht mit Feststoff in Kontakt ist,,
Die Erfindung wird nachstehend an einem Ausführungsbeispiel an Hand der Zeichnung näher erläutert, die (nicht masstäblich) einen Axialschnitt durch eine Bildverstärkerröhre und/oder Bildwandlerröhre vom liähfikussierungstyp (proximity type) zeigt.
In der Zeichnung enthält ein evaktiierter zylindrischer
Glaskolben 1 ein für Infrarotstrahlung durchlässiges Fenster 2 an einem seiner Enden. Neben diesem Fenster befindet sich innerhalb des Koltens ein PhotokathodengeMlde 3. Dieses' Gebilde 3 enthält eine einkristalline Schicht 4 aus Galliumarsenid mit einer Dicke von 1 bis 5/Wtf und mit einer
"IR IQ
Dotierung von z.B. '10 Ms 10 Zinkatoinen/cin , um dieses Material p-rleitend zu machen. Die Schicht 4 wird auf epi taktischem Wege auf einer
-,^-,W,-..- 409822/0779 bad
Υα/'.ν:?/Ηοήΐ
25-10-1975
Einkristallplatte oder -scheibe 5 aus Galliurn-Indi uni-Phosphid nib pijier Dicke von z.B. 10 bis 20/um angebracht. Das Material der' Sohe\h.p 5 enthält nahezu gleiche Atomprozentsätze (im Idealfall 49/s bis 51/'^) an Indium und Gallium, so dass sein Gitterparameter nahezu gleich dem des Galliumarsenids der Schicht 4 ist.. Die Scheibe 5 wird am Umfang von einem kreinftJrrcigen Rahmen 6 aus Galliumarsenid abgestützt ι der an den Kolben 1 befestigt ist. Die freie Oberfläche der Schicht 4 wird mit Zäsium-Sauerste ff auf bekannte Weise aktiviert und isf einer kathodenlumineszierenden Schicht 7 zugekehrt und grenzt an diese Schicht, die auf einer durchlässigen elektrisch leitenden (nicht dargestellten) Schicht auf der gegenüberliegenden Endwand des Kolbens 1 angebracht ist. (liicht dargestellte) Zuführungsleiter., die mit dein Rahmen 6 und der unter der Schicht 7 liegenden leitenden Schicht in Kontakt sind, werden vakuumdicht durch die Wand des Kolbens 1 geführt und dienen dazxi, an die Schicht J ein in bezug auf das Photokathodengebilde 3. in Betrieb positives Potential anzulegen, so dass jedes auf der freien Oberfläche der Schicht 4 von einen über das Fenster 2 auf diese Oberfläche fokussierten Bild von Infrarotstrahlung oder sichtbarer Strahlung erzeugte Elektronenbild zur Folge hat, dass ein entsprechendes lumineszierendes Bild von der Schicht 7 erzeugt wird, das durch die Endwand des Kolbens beobachtet wird.
Das Photokathodengebilde 3 kann auf folgende Weise hergestellt werden:
Eine einkristalline Platte aus Galliumarsenid mit einer Dicke von z.B. 5OO7UÜI wird poliert, wonach darauf die Platte 5 durch Epitaxie aus der flüssigen Phase (wie von z.B. Stringfellow, Journal Appl. Physics 4J., S. 3455-3460 (1972) beschrieben wird) oder durch Epitaxie aus der Dampfphase, (z.B. durch, ein von Nuese in Metallurgical Transactions 2_, S. 789 ff. (März I971) beschriebenes Verfahren) ange-
.:a-— — ■:'■ ' 4 098 2.2V Q 77 9 . 3ADORiGiNAL
-5- · PHB. 32291 *
Va/WR/Xoni 26-10-1973
v/achsen wird. Ss wurde gefunden, dass bei Epitaxie aus der flüssigen Fhasfi, vorausgesetzt, dass die Mengen an Gallium und Indiua in den für den Wachstumsvcrgang verwendeten Material nahezu richtig (50/o - 50/£) sind, durch thez'Jiodynamische Bedingungen das tatsächliche Wachstum von Gallium-Indium-Phosphid be^änstigt wird, wobei die relativen Mengen an Gallium und Indium in diesem Material derartig sind, dass eine nahezu genaue Gitter-anpassung an das unterliegende Galliumarsenid (und. somit auch an das Galliumarsenid der Schicht 4» die danach auf der freien Oberfläche des Phosphide angebracht werden muss)- erhalten wird.
Die Schicht 4 aus p-leitenaem Galliumarsenid wird dann auf der freien Oberfläche der Platte 5 entweder durch Epitaxie aus der Dampfphase (wie z.B. von Tietjen und Amick in Journal of the Electrochemical Society 113t S. 724 09^6) beschrieben ist) oder durch Epitaxie aus der flüssigen Phase (wie z.3. von Panish, Sumski und Hayashi in Metall. Trans. 2_, S. 795-801 (1971) beschrieben ist) angebracht. Die erhaltene GaAs-GalnP-GaAs-Schichtenstruktur wird dann z.B. mit Hilfe von Wachs, mit Ausnahme der mittleren Zone der ursprünglichen Galliuraarsenidplatte, maskiert und anschliessend z.B. mit H?SO. : Hq^? : ^"P *n ^en ^^l^-cnen Verhältnissen geätzt, so dass die mittlere Zone der ursprünglichen Galliunarsenidplatte entfernt wird und die Platte 5» die Schicht 4 und der Rahmen 6 zurückbleiben (wobei der Rahmen 6 durch den verbleibenden Teil der ursprünglichen Galliumarsenidplatte gebildet wird).
Das Wachs-wird gelöst und die Schicht 4 wird dann mit
Zäsium und Sauerstoff aktiviert, wie ZoB» von Liu und anderen in.Applied Physics Letters J_/}_» Nr. 9, g-j 275 ff· Ü969) beschrieben ist, und neben der Phosphorschicht in dem Kolben 1 angeordnet»
Erwünschtenfalls kann das Galliumarsenid -von 4 und 6 durch Gallium-Indium-Arsenid or Tndiun-Arsen-Phosphid ersetzt werden.
409822/0779

Claims (1)

  1. Γ-f/-10-197 5
    Patentansprüche:
    ί 1. ) Verfahren zur Herstellung einer Pho tokatlioie, die eine
    einkristalline Schicht aus Photokathodenrnaterial enthält, deren Dicke in der Grcssenordnung der Eiffusionelange darin vorhandener Elektronen liegt, dadurch gekennzeichnet, dass:
    (a) eine einkristalline Schicht aus Gallium-Indiun-Phosphid durch eine epitaktische Technik' auf einem einkristallinen Substrat aus dem genannten Photokathodanmaterial angewachsen wird, wobei das Phosphid derartige relative Mengen an Gallium ur.d Ir.liun enthält, dass der Gitterparanieter dieses Materialc nahezu gleich den des genannten Photoicathodenmaterials ist;
    (b) anschliessend die genannte Schicht au3 Photokathodenmaterial durch
    eine epitaktische Technik auf der freien Oberfläche der Galliuin-Indium-Fhosphidschicht angewachsen wird, und
    (c) danach wenigstens ein Teil des genannten Substrats entfernt wird, wodurch das Galliua-Indium-Phosphid freigelegt wird.
    2. Verfahren zur Herstellung einer Photokathode, die eine
    einkristalline Schicht aus p-leitendem Galliumarsenid enthält, deren Dicke in der GrÖ3senordnung der Diffusionslänge darin vorhandener Elektronen liegt, dadurch gekennzeichnet, dass:
    (a) eine eickristalline Schicht aus Gallium-Indium-Phosphid durch eine epitaktieche Technik auf einen einkristallinen Substrat aus Galliumarsenid angewachsen wird, wobei das Phosphid derartige relative Mengen an Gallium und Indium enthält, das3 der Gitterparameter dieses Materials nahezu gleich dem von Galliumarsenid ist;
    ,(b) dann die genannte Schicht aus p-leitendera Galliumarsenid durch eine epitaktische Technik auf der freien Oberfläche der Gallium-Indium- Phosphidschicht angewachsen wird, und
    (c) anschliessend wenigstens ein Teil des genennten Galliuai-areenid-
    • ·■ BAD ORIGINAL
    409822/0779
    Va/v:i/';<ont
    26-10-1973
    substrats entfernt wird, wodurch das Galliurc-Indium-Phosphid frei gelegt wird.
    3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die freie Oberfläche der Galliumarsenidschicht mit Zäsium-Sauerstoff nach der .-Entfernung· des Gall.iumarsenidsubs.trats aktiviert wird.
    4. Yerfahren nach Anspruch 2 oder 3» dadurch gekennzeichnet, dass das Gallium-Indium-Phosphid auf dem Galliumarsenidsubstrat "durch Epitaxie aus der flüssigen Phase angewachsen wird.
    5. Verfahren nach einen der Ansprüche 2 Bis 4i dadurch gekennzeichnet, dass nur die mittlere Zone des Galliumarsenidsubctrats entfernt wird, so dass ein Galliunarsenidrahnten rings um den Umfang der Gallium-Indium-Phosphidschicht verbleibt.
    6. Photokathode, die durch ein Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche hergestellt ist..
    7. Photokathodenstruktur, dadurch gekennzeichnet, dass sie eine epitaktische Schicht aus Photokathodenntaterial auf einer grossen Fläche einer Platte aua elnkristallinem Gallium-Indium-Phosphid enthält,
    wobei das Phosphid derartige relative Mengen .an-'Gallium and Indium enthält,dass der Gitterparameter dieses Materials nahezu gleich dem des
    genannten Photokathodenmaterials ist, wobei die Sicke der genannten Schicht aus Photokathodenaaterial in der Grössenordnung der Diffusionslänge darin vorhandener Elektronen liegt, während wenigstens ein Teil der anderen grossen Fläche der Gallium-Indium-Phosphidplat-te nahezu nicht mit Feststoff in Kontakt ist.
    Θ. Photokathodenstruktur, dadurch gekennzeichnet, dass sie
    eine epitaktische Schicht aus p-leitendera Galliumarsenid auf einer grossen Fläche einer Platte aus einkristallinem Gallium-Indiuin-Phosphid enthält, wobei das Phosphid derartige relative Mengen an Gallium und Indium enthält, dass der Gittnrparameter dieses Materials
    409822/0779 BADORfGlMAL
    Va/Vn/Xont 26-IO-1973
    nahezii gleich dem von Galliumarsenid ist, und wobei die Calliumarsenidschicht in der Grössenordnung der Diffusionslänge darin vorhandener Elektronen liegt, während wenigstens ein Teil der anderen grossen Flache der Gallium-Indium-Phosphidplatte nahezu nicht mit Peststoff in Kontakt ist.
    9· Photokathodenstruktur nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die freie Oberfläche der Galliumarsenidschicht nit Zäsiun-Sauerstoff aktiviert wird.
    10. Photokathodenstruktur nach Anspruch θ oder 9i dadurch gekennzeichnet, dass der mittlere Teil der genannten anderen grossen Fläche der Gallium-Indium-Fhosphidplatte frei vor. Feststoff ist, während ein Rahmen aus Galliumarsenid sich rings um den Umfang der genannten anderen grossen Fläche befindet.
    11. Elektronenröhre mit einer Photokathode oder Photokathodenstruktur nach einem der Ansprüche 6 bis 10.
    12. Röhre nach Anspruch 11, die als eine Bildverstärker und/ oder Bildwandlerröhre ausgebildet ist.
    409822/0779
DE2356206A 1972-11-24 1973-11-10 Verfahren zur herstellung einer photokathode Withdrawn DE2356206A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE20221845U DE20221845U1 (de) 1973-11-10 2002-10-21 Dreidimensionale Lamellen für die Kontrolle der Beleuchtungen

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB5438772A GB1418002A (en) 1972-11-24 1972-11-24 Photocathode manufacture

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2356206A1 true DE2356206A1 (de) 1974-05-30

Family

ID=10470843

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2356206A Withdrawn DE2356206A1 (de) 1972-11-24 1973-11-10 Verfahren zur herstellung einer photokathode

Country Status (6)

Country Link
US (1) US3889143A (de)
JP (1) JPS4997565A (de)
CA (1) CA995800A (de)
DE (1) DE2356206A1 (de)
FR (1) FR2208186B1 (de)
GB (1) GB1418002A (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2832141A1 (de) * 1978-07-21 1980-01-31 Siemens Ag Verfahren zur herstellung von strahlenwandlerschirmen

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4019082A (en) * 1975-03-24 1977-04-19 Rca Corporation Electron emitting device and method of making the same
US3995303A (en) * 1975-06-05 1976-11-30 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Growth and operation of a step-graded ternary III-V heterojunction p-n diode photodetector
US4233934A (en) * 1978-12-07 1980-11-18 General Electric Company Guard ring for TGZM processing
US4498225A (en) * 1981-05-06 1985-02-12 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Method of forming variable sensitivity transmission mode negative electron affinity photocathode
US5311044A (en) * 1992-06-02 1994-05-10 Advanced Photonix, Inc. Avalanche photomultiplier tube
US5418424A (en) * 1993-07-09 1995-05-23 Univ Columbia Vacuum ultraviolet light source utilizing rare gas scintillation amplification sustained by photon positive feedback
CN106783467B (zh) * 2016-12-27 2018-06-05 北京汉元一诺科技有限公司 一种使用砷化镓晶片制作三代像增强器的方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3478213A (en) * 1967-09-05 1969-11-11 Rca Corp Photomultiplier or image amplifier with secondary emission transmission type dynodes made of semiconductive material with low work function material disposed thereon
US3575628A (en) * 1968-11-26 1971-04-20 Westinghouse Electric Corp Transmissive photocathode and devices utilizing the same
NL7019039A (de) * 1970-01-19 1971-07-21
US3696262A (en) * 1970-01-19 1972-10-03 Varian Associates Multilayered iii-v photocathode having a transition layer and a high quality active layer
US3699401A (en) * 1971-05-17 1972-10-17 Rca Corp Photoemissive electron tube comprising a thin film transmissive semiconductor photocathode structure

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2832141A1 (de) * 1978-07-21 1980-01-31 Siemens Ag Verfahren zur herstellung von strahlenwandlerschirmen

Also Published As

Publication number Publication date
CA995800A (en) 1976-08-24
JPS4997565A (de) 1974-09-14
FR2208186B1 (de) 1977-03-11
GB1418002A (en) 1975-12-17
US3889143A (en) 1975-06-10
FR2208186A1 (de) 1974-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2835184A1 (de) Bildwiedergabeanordnung zur anwendung bei starker beleuchtung
Wehrli Die magnetische suszeptibilität von bi und Bi-Sb-legierungen
DE2356206A1 (de) Verfahren zur herstellung einer photokathode
Bäro et al. Korngrenzen als versetzungsquellen
DE2735937A1 (de) Verfahren zur herstellung von halbleiter-heterostrukturen
DE2036934A1 (de) Verfahren zur Herstellung Licht emittierender monolithischer Halbleiterdioden und Anordnungen von ihnen
DE2602705C3 (de) Photokathode vom Hl-V-Typ für das nahe Infrarot und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2404016A1 (de) Verfahren zum herstellen einer gaasfotokathode
Walter Apostelgeschichte 6.1 und die Anfänge der Urgemeinde in Jerusalem
DE2036933A1 (de) Ohmsches Kontaktsystem für Festkörper-Halbleitereinrichtungen
DE1105066B (de) Halbleiteranordnung mit einem wenigstens teilweise hochohmigen Kadmiumtelluridkoerper und Verfahren zu deren Herstellung
Heckmann Über die Metrik des sich ausdehnenden Universums
DE1544206C3 (de) Verfahren zum Herstellen von dotierten Galliumphosphid-Einkristallen mit Fotoaktivität
DE2101941A1 (de) Mehrschichtige III V Photokathode mit einer besonders guten aktiven Schicht
DE1131808B (de) Verfahren zum Herstellen von n-leitenden Halbleiterkoerpern von Transistoren od. dgl. aus Elementen der IV. Gruppe des Periodischen Systems, insbesondere Germanium oder Silizium
DE2503989B2 (de) Anzeigevorrichtung mit einem GalliumphosphidkristaU
DE2163075A1 (de)
DE2641917A1 (de) Mit durchgelassenem licht betriebene einkristalline fotokatode und eine solche enthaltende elektronenroehre
DE1067131B (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung mit einer zwischen einer Metallschicht und der Oberflache des Halbleiterkristalls erzeugten Randschicht
Trillhaas Schleiermachers predigt
DE1268116B (de) Verfahren zur Herstellung eines photoleitenden Halbleiterkoerpers aus mindestens teilweise mit Kupfer aktiviertem Galliumphosphid
DE2015995A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer photoelektrischen Kathode
DE2739711C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer Kanalstruktur für Röntgen-Fotokathoden
DE881362C (de) Verfahren zur Wiedergabe von Negativbildern, -filmen od. dgl. als Positivbilder
Bucher et al. Weiterer Beitrag zum Vorkommen von dunklen Zellen in der Macula densa des Mittelstückes der Ratten-Niere

Legal Events

Date Code Title Description
OD Request for examination
8139 Disposal/non-payment of the annual fee