DE2354794A1 - Transistor-horizontalablenkschaltung - Google Patents

Description

Graetz Kommanditgesellschaft
Altena .

H. Rosenthal - 1 -

Transistor-Horizontalablenkschaltung

Die Erfindung betrifft eine Transistor-Horizontalablenkschaltung mit Hochspannungstransformator und Spannungsvervielfacher. Für die ZeüLenablenkungendstufen in Fernsehempfängern wurden lange Zeit Röhren vorgesehen. Der Grund hierfür lag darin, daß für die in diesen Stufen auftretenden hohen Spannungen zunächst keine Halbleiter zur Verfügung standen. Mit der Verwendung von Thyristoren bot sich die Möglichkeit, nun auch in den Zeilenendstufen die Röhrenschaltungen verlassen zu können. Diese Schaltungen erforderten jedoch einen zusätzlichen Aufwand z.B. auch an elektronischen Schaltern, da sich Thyristoren nicht ohne weiteres abschalten lassen, indem z.B. die Steuerspannung am Toreingang abgeschaltet wird. Es wurden daher auch bereits Transistor-Horizontalablenkschaltungen entwickelt, die in der Endstufe einen Transistor enthalten (vgl. z.B. die Deutsche Äuslegeschrift 2 123 770, 21n7 - 3/18.J Auch ist es unter anderm z.B. durch diese Auslegeschrift bekannt, auch bei Transistor-HÖrizontalablenkschaltungen die Hochspannung mit Hilfe eines Hochspannungstransformators aus den Horizontalrücklaufimpulsen abzuleiten.(vgl. auch DOS 1 805 449, DAS 1 910 349, DAS 1 292 und andere).

Darüberhinaus sind Schutzschaltungen für Fernsehempfänger bekannt, bei denen der Zeilenendstufe eine Transistorschaltung vorausgeht, (vgl. z.B. DOS 2 057 907, 21n7- - 3/17). Die Schutzschaltung selbst bezieht sich aber darauf, daß Bauteile des Gerätes dadurch gefährdet werden, daß bei einem Fehler im Gerät beim Wiedereinschalten die dem Netztransformator entnommenen Spannungen zur Erzeugung der Zündimpulse einen Thyristor (des Netzgerätes) ansteuern und weitere Stufen gefährden, sodaß auch die Zündimpulse für den Thyristor abgeschaltet werden müssen.

3. Oktober 1973 -

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Weiterhin ist es an sich bekannt, in Verbindung mit dem Zeilenendtransistor Diodenschaltungen vorzusehen.

Diese haben jedoch bei den bekannten Anordnungen jeweils eine andere Funktion, Beispielsweise sollen sie die Punktion einer Spardiode übernehmen (vgl. DAS 2 107 601, 21n7 - 3/17) oder Diode und Widerstand sollen Proportinalität von Strahstrom und Hochspannungsänderungen verbessern (Fig.4 DAS 2 123 770, 21n7 - 3/18 ( vgl. DAS 2 107 601, 21n7 -3/17).

Der Erfindung liegt demgegenüber die Aufgabe zugrunde, einen Schutz für den Horizontalablenktransistor gegenüber Überschlägen aus dem Spannungsvervielfacher des Hochspannungsgenerators ( beziehungsweise der Kaskade) zu schaffen.

Diese Aufgabe ist nach der Erfindung durch die im Anspruch 1 angegebene Weise gelöst. Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind aus den Unteransprüchen und der Beschreibung in Verbindung mit der Zeichnung zu entnehmen.

Die Erfindung hat insbesondere den Vorteil, daß der Schalttransistor durch den Entkopplungswiderstand mit parallel geschalteter Diode wirksam vor Überschlägen im Spannungsvervielfacher geschützt ist, ohne daß der Innenwiderstand der Schaltung für die Ausgangsspannung wesentlich vergrößert ist. ,

Die Erfindung ist im folgenden anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen

Fig. 1 eine erfindungsgemäße Schaltung

Fig. 2a u. 2b Diagramme zur Erläuterung der

Erfindung

Die aus dem Zeilenfrequenz- oder Rechteckgenerator stammenden Rechteckimpulse 1 gelangen an einen Steuer- oder Treibertransformator 2, dessen Sekundärwicklung über einen Schutzoder Begrenzungswiderstand 3 an die Basis 4 eines Transistors

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der Horizontalendstufe, der als elektronischer Schalter wirkt. Diese Wirkung -.kommt dadurch zustande, daß dieser Transistor vom Rechteckgenerator während der 2. Hälfte des Hinlaufs leitend und während der 1. Hälfte invers gesteuert wird, sodaß der Transistor dann als Diode wirkt. Die Unterbrechung liefert die Hochspannüngsspitze. Parallel zum Transistor 5 liegt ein Rücklaufkondensator 6, der die Rücklauffrequenz bestimmt. Transistor 5 und Rücklaufkondensator 6 sind an den Primärkreis eines Hochspannungs- oder Zeilentransformators 7 angeschlossen. Dieser Primärkreis liegt in Reihe mit den Ablenkspulen 8 einer Ablenkeinheit, die mittelsdes Kondensators 9 kapazitiv angekoppelt sind. Beispielsweise zwischen Schaltpunkt A und B kann die Parallelschaltung einer Diode IO und eines Entkopplungswiderstandes 11 angeschlossen sein, an die sich eine Spannungsvervielfacher schaltung 12 anschließt, welche zum Beispiel aus den Schubkondensatoren 13, 14 sowie den weiteren Kondensatoren 15, 16, 17 besteht, die mittelsder Dioden"18, 19, 20, 21, 22 in an sich bekannter Weise zu einer Kaskadenkette ergänzt sind. Am Schaltpunkt C wird die Hochspannung für die Bildröhre abgenommen. -

Fig. 2 zeigt den Spannungsverlauf U als Funktion der Zeit t an der Sekundärseite des Hochspannungstransformators 7, Punt A. Diese Spannung liegt am Eingang des Spannungsverdreifachers Punkt B der Spannungsvervielfachungsschaltung. Die Ausgangsgleichspannung Punkt C wird der Bildröhre als Anodenspannung zugeführt.

In der Praxis hat sich gezeigt, daß über- oder Durchschläge an den Schubkondensatoren 13 und 14 im Schalttransistor 5 zu höheren Strömen oder Spannungen gegenüber den Normalbetriebswerten führt, je nach dem, zu welchem Zeitpunkt die Störverhältnisse auftreten. . ?

Der Entkopplungswiderstand 14 zwischen Punkt A und B mindert zwar bereits für sich die Rückwirkungen auf den Transistor 5,

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führt aber zu einem höheren Innenwiderstand der Ausgangsspannung C, weil der Stromflußwinkel zum Aufladen der Kondensatoren 15, 16 und 17 sehr klein ist (Fig. 2b positiver Anteil). Dagen trägt der Widerstand 11 in der negativen Stromphase (Fig. 2b) zur Vergrösserung des Innenwiderstandes nicht wesentlich bei, da die Zeit zum Nachladen der Schubkondensatoren 13 und 14 mindestens 20 mal so lang anzusetzen ist, als die positive Stromphase.

Wird dem Widerstand 11 zwischen Punkt A und B die Diode IO so parallel geschaltet, daß der positive Stromfluss über die Diode 10 erfolgen kann, so wird der Innenwiderstand der Ausgangsspannung C nur wenig zunehmen.

Positiv gerichtete Überschlagsimpulse aus dem Spannungsvervielfacher Punkt B können nur über den Entkopplungswiderstand 11 zum Hochspannungstransforaator 7 Punkt A gelangen, weil die Diode hierfür gesperrt ist.

Hierdurch ist der Schaltungstransistor 5 durch den Entkopplungswider stand 11 mit parallel geschalteter Diode 10 wirksam vor überschlagen im Spannungsvervielfacher geschützt, ohne den Innenwiderstand der Ausgangsspannung C wesentlich zu vergrössern.

Schaltungen mit nicht so günstigem Tastverhältnis wie im. o.B. angegeben, lassen sich ebenfalls durch die Schutzschaltung grundsätzlich schützen, jedoch wird dann der Wirkungsgrad kleiner. Statt an der angegebenen Stelle A,B kann die Diode 11 mit dem parallelgeschalteten Entkopplungswiderstand 11 auch an einer anderen Stelle zwi-schen dem Schalttransistor 5 und Primärseite des Hochspannungstrafos 7 liegen.

4 Patentansprüche
1 Blatt Zeichnung

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Claims (4)

1. ..; 235479Λ

   H. Rosenthai - 1 - 5 - .

   Patentansprüche

   Transistor-Horizontalablenkschaltung mit Hochspannungstransformator und Spannungsvervielfacher zur Hochspannungserzeugung, dadurch gekennzeichnet, daß zum Schütz der Transistor-Horizontalendstufe bzw. des Schalttransistors (5) gegen Rückwirkungen der bei über- und Durchschlägen der Kondensatoren ( 13 - 17 ) des Spannungsvervielfachers (12) auftretenden Spannungs- und Stromspitzen hinter der Transistorhorizontalendstufe bzw. dem Schalttransistor (5) eine Diode (10) und Entkopplungswiderstand (11) derart parallelgeschaltet sind, daß die Diode (10) bei positiv gerichteten über- oder Durchschlagimpulsen aus dem Spannungsvervielfacher, gesperrt ist und diese Impulse nur über den Entkopplungswiderstand (11). zum Hochspannungstransformator gelangen, vorzugsweise mit einem Tastverhältnis für die Nachladung der Schutzkondensatoren (13, 14) des Spannungsvervielfachers (12) in der negativen Stromphase von 20 : 1 im Bezug auf die positive Stromphase.
2. 2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,daß die Diode (10) mit parallelgeschaltetem Entkopplungswiderstand (11) zwischen den Spannungsvervielfacher (12) und die Sekundärseite des Hochspannungstransformators (7) geschaltet ist. /---
3. 3. Schaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Diode (.10) mit parallelgeschältetem Entkopplungswiderstand (11) zwischen den Spannungsvervielfacher (12) und die Transistorhorizontalendstufe (Schalttransistor) (5) geschaltet ist. λ
4. 4. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Diode (10) mit parallel geschaltetem Entköpplungswiderstand (11) zwischen die Transistorhorizontalendstufe (Schalttransistor (5) ) und die Primärseite der Hochspannungstransformators (7) geschaltet ist.

   4. Oktober 1973

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