DE2353995B2 - Kristallines tl pd tief 3 o tief 4 und dessen verwendung - Google Patents
Kristallines tl pd tief 3 o tief 4 und dessen verwendungInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf kristallines TlPd3O4
und dessen Verwendung für die Deckschicht von Metallanoden, die heute bei einer Vielzahl von
Elektrolyseprozessen erfolgreich Anwendung finden.
Eine ganze Anzahl von Patenten und Patentanmeldungen (z. B. die DL-PS 55 323, DL-PS 77 963, DT-OS
16 71 422, DT-OS 19 17 040, DT-OS 18 13 944, DT-OS 19 62 860 und die DT-OS 22 00 500) befassen sich mit
Metallanoden, welche Deckschichten verschiedenster Zusammensetzung enthalten, um die Nachteile der
Anodentragkörper aus passivierbarem Metall wie Titan, Tantal, Zirkon, Niob usw. zu beheben.
Zum größten Teil haben sich jedoch die für die Aufbringung als Deckschicht oder als wesentlicher
Bestandteil derselben vorgeschlagenen Substanzen leider als unbrauchbar erwiesen, da ihre elektrische
Leitfähigkeit und/oder ihre chemische und elektrochemische Beständigkeit nicht zufriedenstellend ist bzw.
eine Reihe der vorgeschlagenen Substanzen überhaupt nicht oder nicht so leicht auf den Anodentragkörper
aufzubringen sind, ohne die an eine Deckschicht gestellten Anforderungen negativ zu beeinflussen.
Während beispielsweise Erdalkalipalladate, wie CaPd3O4, SrPd3O4 und NaPd3O4 bereits in reiner,
kristalliner Form synthetisiert werden konnten, ist bislang eine Darstellung und ausreichende Charakterisierung
von Thalliumpalladat nicht bekannt.
Aufgabe der Erfindung ist die Bereitstellung einer neuen elektrochemisch aktiven Verbindung, die günstige
elektrochemische und elektrische Eigenschaften als Aktivmaterial zur Beschichtung von Metallanoden
zeigt.
Gemäß der Erfindung ist diese Verbindung ein kristallines, kardinalrotes, kubisch flächenzentriertes
und TI ein- und dreiwertig im Verhältnis 1 :1 enthaltendes TIPd3O4, das man durch langsames
Erhitzen einer Mischung von 1 Mol PdO und 4-5 Mol TINO3 auf 500-600°C und anschließendes Entfernen
von überschüssigem TI2O3 durch Sublimation und
überschüssigem Palladium durch Auskochen mit Königswassererhält.
Die Reaktion läuft bereits bei 50O0C ab. Es handelt
sich um eine Gas-Festkörper-Reaktion. Bekanntlich liegt bei dieser Temperatur das Gleichgewicht
TI1U,
Die Darstellung erfolgt nach den Umsetzungen
2TlNOj
1/2O2
350° C.
TI2O3 + NO + NO2
+ O2
+ 6PdO » 2 Tl Pd3 O4
+ 6PdO » 2 Tl Pd3 O4
Auch die direkte Umsetzung von TI2O3 mit PdO führt
zum gleichen Ergebnis.
Darstellung und Charakterisierung
1 Mol PdO wird mit 4-5 Mol TINO3 intensiv
gemischt und in Sinterkorundschiffchen langsam auf 500-600°C erhitzt. Dabei entsteht durch Zersetzung
des Thalliumnitrats oberhalb 3000C das kubische TI2O3
in tiefschwarzen Kristallen, die ab 500° C mit PdO reagieren. Überschüssiges Tl2O3 wird durch Sublimation
bei 6500C entfernt; Palladium durch Auskochen mit Königswasser Das kardinalrote Reaktionsprodukt enthält
nach Guinieraufnahmen keine weiteren Verunreinigungen.
Die Analyse dieser Verbindung gestaltete sich insofern kompliziert, als TlPd3O4 nur in Bromwasserstoffsäure
gut löslich ist; die Anwesenheit von Bromidionen aber im Gang der Analyse durch Bildung
des schwerlöslichen TIBr und PdBr2 stört. Es war daher notwendig, die bromwasserstoffsaure Lösung des
TIPd3O4 mit einigen Tropfen elementaren Broms zu
kochen, um das stets in kleineren Mengen ausfallende TlBr als TIBr3 in Lösung zu bringen; anschließend Brom
durch Kochen mit konz. HNO3 quantitativ auszutreiben und, da auch die oxidierenden Eigenschaften der
Salpetersäure die angewendete Fällung mit organischen Reagenzien behindern, diese mit Schwefelsäure abzurauchen.
Die gravimetrische Bestimmung des Thalliums erfolgte durch Fällung mit Thionalid. Palladium wird mit
Dimethylglyoxim gefällt.
TIPd3O4
Gehalt an Tl
Gehalt an Pd
Berechnet | 34,8% | 54,3% |
Gefunden | 34,6% | 54,8% |
34,9% | 54,6% | |
34,9% | 54,5% |
TlPd3O4 ist unter Zersetzung leicht löslich in konstant
siedender Bromwasserstoffsäure, mäßig löslich in Königswasser und Perchlorsäure, schwer löslich in
Schwefelsäure, Salpetersäure, Ameisensäure und alkalischen Lösungsmitteln. Oberhalb 7500C zerfällt TlPd3O4
unter Bildung von elementarem Palladium und Tl2O3.
Die pyknometrische Dichte wurde mil! 8,99 g/cm3 ermittelt und stimmt gut mit der Röntgendichte von
8,83 g/cm3 überein. Die röntgenographiseihe Auswertung ergab IUrTlPd3O4 eine kubische Elemeintarzelle:
Gitterkonstante a = 9,596 ± 0,002 A
Volumen der
Volumen der
(>5 Elementarzelle V& = 883,68 A3
Zahl der
Zahl der
Formeleinheiten Z = 8
Röntgendichte Sr0 = 8,83 g/cm3
Röntgendichte Sr0 = 8,83 g/cm3
Aus der Netzebenenstatistik folgten die Auslöschungabedingungen
hKl.h + k = 2/7-1
k+ 1 = 2/7-1
(h + 1)= 2/7-1
k+ 1 = 2/7-1
(h + 1)= 2/7-1
Aufgrund dieser Auslöschungsbedingungen kommen für TlPd3O4 die Raumgruppen Fm3m-Oh 5, F432-O3,
F43m-Td2, Fm3 · Th 3 und F23-T2 in Frage.
Die rasterelektronenmikroskopische Untersuchung ergab das Vorliegen teilweise verzwillingter Oktaeder.
Faßt man die Ergebnisse zusammen, so bestätigen diese das Vorliegen einer kubisch flächenzentrierten
Struktur.
Bringt man nun das TlPd3O4 auf legierte oder
unlegierte Ivietallanodengrundkörper zusammen mit Haftvermittlern auf, so kann die Elektrolyse von NaCl-,
KCl-, Chlorat- und HCI-Lösungen durchgeführt werden, Wie natürlich auch sonstige elektrochemische Prozesse.
Bereits bei einer Anwesenheit von 20% in der Deckschicht wird eine befriedigende elektrochemische
Wirksamkeit gewährleistet. Im Dauerbetrieb (10 000 A/m2) bewährte sich eine derart beschichtete
Metallanode über eine Zeit von 12 Monaten ohne eine Änderung der elektrischen Eigenschaften, wie Stromausbeute,
Zellspannung, oder elektrochemischen Wirksamkeit, wie Chlorabscheidung, Festigkeit der Deckschicht
gegen Abtragung, zu zeigen.
Die besonders vorteilhaften Eigenschaften der Metallanoden mit Deckschichten, welche die erfindungsgemäße
Verbindung enthalten, gegenüber Metallanoden mit Decksichten aus einem nicht stöchiometrischen
Palladat, wie beispielsweise in der FR-PS 15 06 040 erwähnt, sind aus den nachfolgenden Beispielen
ersichtlich.
Das in der beschriebenen Weise erzeugte und untersuchte TlPd3O4 ist in feinstgemahlenem Zustand
zusammen mit Titanoxid/Tantaloxid-Binder auf Anodenroste
aus Reintitan aufgebracht worden. Jede dieser Anoden wurde mit drei gleichen Deckschichten
versehen. Der Gehalt an TlPd3O4 in der Anodenbeschichtung
betrug 65 Gewichtsprozent.
Gleiche Anodenroste sind auf gleiche Weise mit einem nicht stöchiometrischen Thalliumpalladat der
Zusammensetzung Tl0^Pd3O4 beschichtet worden. Der
Gehalt an Tl0^Pd3O4 in der Beschichtung dieser
Vergleichsanoden lag ebenfalls bei 65 Gewichtsprozent.
Die Untersuchung der Gebrauchseigenschaften dieser Anoden erfolgte unter betriebsmäßigen Bedingungen
in der NaCI-Elektrolyse nach dem Amalgam-Verfahren.
Die Untersuchungsergebnisse sind in der Tabelle 1 aufgeführt.
Tabelle 1 | O2 | (Vol.%) |
im Chlorgas | 0,1-0,2 | |
Elektrolyt: 31Oe NaCI/Liter, | (Vol.%) | 0,2-0,5 |
pH-Wert: 3,0 bis 4,0, | 0,1-0,15 | |
Temperatur: 80 C, | 0,2 - 0,3 | |
/..,: Ϊ0 kA/m2, | ||
Elektrodenabstand: 2 mm. | ||
Anoden Zellen- | ||
mit Be- spannung | ||
schichtung aus (Volt) |
||
TlPd3O4 4,10-4,20 | ||
TU9Pd3O4 4,25-4,50 | ||
In gleicher Weise wie in Beispiel 1 beschichtete Titanblechanoden sind unter betriebsähnlichen Bedingungen
bei monopolarer Schaltung in gleichen Chlorat-Zelien zum Einsatz gekommen. Über das Verhalten
dieser Anoden gibt Tabelle 2 Aufschluß.
Zelleneinlauf
(g)
Zellenauslauf
(g)
Elektrolyt: 190 125 NaCI/Liter
340 565 NaClO3/Liter
3-4 3-4 Na2Cr207/Liter
pH-Wert: 6,0-6,5,
Temperatur: 60 C,
/,· 2 bis 5 kA/m2
Anoden mit
Beschichtung
aus
Beschichtung
aus
Zellenspannungscharakteristik
(Volt)
Stromausbeute
TIPd3O4
TIc89Pd3O4
TIc89Pd3O4
Ez =2,50 + 0,31 · iA 94-96
Ez = 2,62 + 0,33 · /.., 93
Claims (2)
1. Kristallines, kardinalrotes, kubisch flächenzentriertes und Tl ein- und dreiwertig im Verhältnis 1 :1
enthaltendes TlPd3O4, erhalten durch langsames
Erhitzen einer Mischung von 1 Mol PdO und 4 — 5 Mol TlNO3 auf 500-600° C und anschließendes
Entfernen von überschüssigem Tl2O3 durch Sublimation
und überschüssigem Palladium durch Auskochen mit Königswasser.
2. Verwendung der Verbindung nach Anspruch 1 für die Deckschicht von Metallanoden.
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