DE2353803A1 - Halbleitervorrichtung mit hohem waermeabfuhrvermoegen - Google Patents

Halbleitervorrichtung mit hohem waermeabfuhrvermoegen

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DE2353803A1
DE2353803A1 DE19732353803 DE2353803A DE2353803A1 DE 2353803 A1 DE2353803 A1 DE 2353803A1 DE 19732353803 DE19732353803 DE 19732353803 DE 2353803 A DE2353803 A DE 2353803A DE 2353803 A1 DE2353803 A1 DE 2353803A1
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conduction
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DE19732353803
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Rene Gicquel
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Thales SA
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Thomson CSF SA
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    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
    • H10D62/13—Semiconductor regions connected to electrodes carrying current to be rectified, amplified or switched, e.g. source or drain regions
    • H10D62/141—Anode or cathode regions of thyristors; Collector or emitter regions of gated bipolar-mode devices, e.g. of IGBTs
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