DE2351420B2 - Photoelektrischer belichtungsmesser - Google Patents

Description

stantstromquelle in Reihe geschaltet. Hierdurch wird erreicht, daß die veränderbaren Widerstände eine lineare Charakteristik besitzen köniicn. Dies wird jedoch mit dem Nachteil erkauft, daß die Schaltung von Schwankungen der Umgebungstemperatur und der Versorgungsspannung abhängig ist.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen photoelektriscnen Belichtungsmesser der eingangs genannten Art zu schaffen, der es gestattet, vergleichsweise einfach herzustellende Widerstände für die Einsteuerung derjenigen Belichtungsparameter zu verwenden, die außer der Objekthelligkeit für die Filmbelichtung maßgebend sind, ohne daß gleichzeitig aufwendige Maßnahmen zur Stabilisierung gegen Schwankungen der Umgebungstemperatur und/ oder der Versorgungsspannung notwendig jind.

Diese Aufgabe wird durch die im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 genannten Merkmale gelöst.

Durch die Einfügung einer Konstantstromquelle in den Stromkreis des als Impedanzwandler geschalteten Transistors, dessen Basis die dem Logarithmus der Objekthelligkeit proportionale Steuerspannung zugeführt wird, wird erreicht, daß der Emitter-Kollektor-Strom dieses Transistors und damit seine Basis-Emitter-Spannung stets einen konstanten Wert besitzt. Daher ist das Potential an seinem EmUter gleich der genannten dem Logarithmus der Objekthelligkeit proportionalen Steuerspannung vermindert und die (konstante) Basis-Emitter-Spannung des Transistors. Somit liegt das die ObjekthelUgkcit kennzeichnende elektrische Signal in linearisierter Form vor, d. h. es ändert sich um konstante Beträge, wenn die Objekthelligkeit sich um Werte ändert, die den Gliedern einer geometrischen Reihe entsprechen. Zur Berücksichtigung der übrigen Belichtungsparameter können daher linear veränderbare Widerstände verwendet werden, Widerstände also, deren Widerstandswerte sich stets um gleiche Beträge ändern, obwohl die Änderungsbeträge der von ihren repräsentierten Belichtungsparameter so beschaffen sind, daß diese Beträge selbst nach Art einer geometrischen Reihe abgestuft sind. Es ist ohne weiteres ersichtlich, daß die Herstellung von veränderbaren Widerständen mit linearer Änderungscharakteristik wesentlich preisgünstiger ist und trotzdem mit wesentlich größerer Präzision erfolgen kann als die Herstellung von veränderbaren Widerständen mit einem gewünschten nichtlincaren Kennlinienverlauf. Die Erfindung bietet ferner den Vorteil, daß Abweichungen der Kennwerte der verwendeten Bauelemente, z. B. des Absolutwertes der veränderbaren Widerstände oder des /-Wertes des photoelektronischen Bauelementes durch einfache Justierung der von den Konstantstromquellen erzeugten Ausgangsströme kompensiert werden können.

Die Vorspannung des zweiten Transistors, die voraussetzungsgemäß zumindest annähernd die gleiche Spannungs- und Temperaturabhängigkeit aufweisen soll wie die beleuchtungsabhängigc Steuerspannung des ersten Transistors, wird vorzugsweise durch ein geeignetes Kompensierungselement erzeugt, das mit der Basis des zweiten Transistors verbunden ist. Ein Ungleichgewicht der Brückenschaltung, das auf abweichende Kennwerte der in den beiden Brückenzweigen verwendeten Bauelemente zurückzuführen ist, kann ebenfalls durch Justierung dieses Kompcnsieruneselementes ausgeglichen werden.

Im folgenden sei die Erfindung an Hand des in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert.

Fig. 1 zeigt eine Schaltung, an Hand deren das der Erfindung zugrunde liegende Prinzip dargelegt werden soll;

F i g. 2 ist die Schaltung eines praktischen Ausführungsbeispiels.

Die Schaltung nach F i g. 1 besitzt eine Speise-Spannungsbatterie E, Schaltelemente D₁ und D₂, z. B. Dioden, mit logarithmischer Kennlinie, ein photoelektronisches Bauelement 1 zur Messung der Objekthelligkeit, das beispielsweise als CdS-Photowiderstand oder als Photodiode ausgebildet ist, und ein Schaltelement 2 zur Kompensierung, das die gleichen charakteristischen Merkmale besitzt wie das photoelektronische Bauelement 1. Das Schaltelement 2 kann beispielsweise ein Festwiderstand sein. Er soll jedoch zumindest annähernd dieselbe Strom-Spannungsabhängigkeit und dieselbe Temperaturabhängigkeit aufweisen wie das photoelektronische Bauelement 1 zur Messung der Objekthelligkeit. Die Schaltung nach F i g. 1 besitzt ferner als Impedanzwandler geschaltete Transistoren Q₁ und Q₂, linear veränderbare Widerstände VR₁ und VR₂ sowie Konstantstromquellen 3 und 4, die in die Emitterstromkreise der Transistoren Q₁ bzw. Q₂ eingefügt sind. Diese Konstantstromquellen sind Elemente oder Schaltungen, deren Ausgangsstrom nur von einer Steucrgröße, nicht jedoch von der Größe des an ihre Ausgangsklemmen angeschlossenen Belastungswiderstandes abhängt.

Zunächst sei die linke Schaltungshälfte von F i g. 1 beschrieben: Wenn der als Impedanzwandler arbeitcnde Transistor Q₁ einen hinreichend großen Eingangswiderstand besitzt, ist die Spannung an dem photoelektronischen Bauelement 1 (von dem zur einfacheren Erläuterung angenommen wird, daß es sich um einen CdS-Photowiderstand handelt) dem Logarithmus der auf seiner wirksamen Oberfläche herrschenden Beleuchtungsstärke proportional. Wenn das photoelektronische Bauelement 1 den Objektstrahlen ausgesetzt ist, ist die genannte Spannung also dem Logarithmus der Objekthclligkeit und damit dem Wert B_v proportional, der den sogenannten APEX-Wert der Objekthelligkeit darstellt. Das APEX-System zur Darstellung der Belichtungsparameter ist allgemein bekannt und hat den Vorzug, daß zur Ermittlung eines gesuchten Bdichtungsparameters, ζ. B. der Belichtungszeit, linear sich ändernde Größen additiv bzw. subtraktiv zueinander in Beziehung gesetzt werden können.

Das Potential an dem Schaltungspunkt c ändert sich also linear, wenn sich die Objekthclligkeit nach Art einer Exponentialfunktion ändert. Dieses Potential wird deshalb auch als ein Signal bezeichnet, das einen logarithmisch komprimierten Ausdruck für die Objekthelügkcit darstellt.

Es sei angenommen, daß die Konstantstrom-

quelle 3 einen Ausgangsstrom von der Größe ι¹, erzeuge. Dieser Strom i, fließt dann durch die aus der Emltter-Kollcktor-Strecke des als Impedanzwandler wirkenden Transistor Q₁, dem als Potentiometer dargestellten veränderbaren Widerstand VR₁ und der

Konstantstromquelle 3 gebildeten Reihenschaltung. Da somit der Koilektorstrom des Transistors Q₁ einen konstanten Wert — nämlich den Wert i, — besitzt, ist auch die Basis-Emitter-Spannung V_1n des

Transistors Q₁ konstant. Das Potential V_e des Schaltungspunktes c (das wie alle im folgenden aufgeführten Potentiale gegen den Pluspol der Speisespannungsbatterie gemessen wird) besitzt dann den Wert Aus den Gleichungen (3) und (7) erhält man die Spannung V₀₁₁, zwischen den Anschlußklemmen c und b:

V_e = T/(ß_v)

(1)

worin V(B_V) die auf die Änderung der Objekthelligkeit B₁. zurückzuführende Signalkomponente und K₀ die off-set- oder Schwellenspannung der Diode D₁ bedeuten. Der Wert von V_e ist selbstverständlich konstant, wenn die Objekthelligkeit B_v konstant ist Wenn der Widerstandswert de» veränderbaren Widerstandes VR₁ zwischen dem Schaltungspunkt e und der Klemme α den Betrag nR besitzt, ist die von dem Strom /, erzeugte Spannung zwischen diesen beiden Punkten e und a

V_ea =rü_iR_t (2)

worin R die Widerstandsänderung des veränderbaren Widerstandes KR₁, die einer Änderungsstufe des von diesem Widerstand repräsentierten Belichtungsparameters entspricht, und η eine ganze Zahl bedeuten. R hat für jeden Änderungsschritt des betreffenden Belichtungsparameters den gleichen konstanten Wert.

Aus den Gleichungen (1) und (2) ergibt sich die _a5 Spannung V_a der Anschlußklemme a:

V=VA-V

^r α ^r c ' ^r ea

30

Es sei nun angenommen, daß die Kennlinie der Diode D₂ denselben Verlauf hat wie die der Diode D₁ (die Einhaltung dieser Bedingung bei der praktischen Schaltungsausführung ist nicht unbedingt erforderlich) und daß als Kompensierungselement 2 ein Festwiderstand geeigneter Größe verwendet werde. Es ist dann möglich, die Spannung V _ά des Schaltungspunktes d so einzustellen, daß V_d = V₀ gilt. Wenn die Kennlinien der als Impedanzwandler arbeitenden Transistoren Q₁ und Q₂ gleich sind (auch die Einhaltung dieser Bedingung muß in der praktischen Schaltungsausführung nicht mit absoluter Genauigkeit gegeben sein) und wenn die Größe des Stromes /₂ der Konstantstromquelle 4 so gewählt ist, daß er dem Strom i, entspricht, ist die Basis-Emitter-Spannung V_BE des Transistors Q„ gleich der Basis-Emitter-Spanmmg V_BE des Transistors Q₁. Wenn der Strom i„ konstant gehalten wird, bleibt auch diese Spannung V_FB( = V_nn) konstant. Die Spannung V₁ am Schaltungspunkt / ist dementsprechend gegeben durch

= V₀ + V,

BE-

(5)

Wenn der Widerstandswert des zwischen dem Schaltungspunkt / und der Klemme b des veränderbaren Widerstands VR„ liegenden Teilwiderstands mit fflfi bezeichnet wird, ergibt sich die Spannung V_fh zwischen den Punkten / und b analog zur Gleichung (2):

v_oul = v_a - V₀

= V(B_x) +

Es sei angenommen, daß sich die Spannung V(B_x.) um den Wert A V ändert, wenn sich die als APEX Wert ausgedrückte Objeklhelligkeit B_v um einen Lichtwert, also um den Zahlenwert 1 ändert (diese Änderung wird im folgenden als »Änderung um einen Schritt« bezeichnet). Es sei ferner angenommen, daß Z₁ und/oder R so gewählt sind, daß dai Produkt /j R gerade dieser Spannungsänderung .) V entspricht und daß sich die Objekthelligkcit B_x. insgesamt um 1 Schritt ändert. Man erhält unter diesen Voraussetzungen aus Gleichung (8) für die Ausgangsspannung V₀₁₁, den Wert

lAV + nAV-mAV {l + n-m)AV.

V_n = mi.₂R =

(6)

60

worin R wieder die einer Änderungsstufe des von dem veränderbaren Widerstand VR„ repräsentierten Belichtungsparameters entsprechende Widerstandsänderung und m eine ganze Zahl bedeuten.

Aus den Gleichungen (5) und (6) ergibt sich die ^6s Spannung V₁, der Anschlußklemme b:

V_h -- V₁, - V_n, -L- mi,R . (J)

Wenn η und m so bestimmt sind, daß /, /7 und m in Gleichung (9) und die APEX-Werte B_v, /I₁., S, und T_v der Belichtungsparameter — nämlich der Objekthelligkeit B, der Blendenzahl A, der Filmempfindlichkeit S und der Belichtungszeit T — folgender Gleichung genügen:

l + n-m = B_v-A_v-T_v+S_v, (10)

dann erhält man aus den Gleichungen (9) und (10) die Ausgangsspannung V₀₁₁, als

Vou, = [{B_v -A_V)-(T_V- S_v)) AV. (11)

Wenn in Gleichung (11) der in eckige Klammem gesetzte Ausdruck zu Null wird, bedeutet dies, daß B_x, — A_x, = T_x, — S_x, ist. Dies ist die Belichtungsformel in APEX-Darstellung. Ihre Erfüllung bedeutet. daß die Belichtungsparameter einer optimalen Filmbelichtung entsprechen. Die Ausgangsspannung V_o::1 ist in diesem Falle also gleich Null, so daß bei Anschluß eines Anzeigeinstruments zwischen die Anschlußklemmen α und b die korrekten Belichtungsbedingungen bei Nullanzeige dieses Anzeigeinstruments vorliegen.

Wenn die Ausgangsspannung V₀₁₁, = ± J V ist, bedeutet dies, daß

(B_x,-A_x,)-(T_x.-S_x)= ±1

ist. Damit wird angezeigt, daß die eingestellten Belichtungsparameter in ihrer Gesamtheit eine wirksame Lichtmenge repräsentieren, die von der korrekten Filmbelichtung um einen Schritt abweicht.

Aus Gleichung (8) ist ersichtlich, daß der Spannungsschritt A V durch Abweichungen der Strom-Spannungs-Kennlinien der Dioden D₁ und D., und durch Änderung der Versorgungsspannung nicht beeinflußt wird, wenn die Anordnung so getroffen ist, daß die Ströme t", und i₂ der Konstantstromquellen 3 bzw. 4 durch Änderungen der Speisespannung und der Umgebungstemperatur nicht beeinflußt werden. Unter diesen Voraussetzungen besitzt die in Fig. 1 dargestellte Schaltung insgesamt eine sehr geringe Temperaturabhängigkeit und damit eine stabile Anzeige. Im allgemeinen ändert sich der Wert ;■ eines photoelektronischen Bauelements innerhalb eines gewissen Bereiches, womit sich die der Änderung der Objekthelligkeit B_x, um einen Schritt entsprechende

Änderung Λ V der Spannung V(B_x.) ebenfalls ändert. Der Spannungsschritt Z₁ R, der einer Änderung der anderen Belichtungsparameter um einen Schritt entspricht, muß nach dem obengesagten dem Spannungsschritt Δ V gleich sein. Diese Bedingung kann durch Einstellung des Stroms /, leicht erfüllt werden, wenn nur die schrittweisen Widerstandsänderungen R des linearen veränderbaren Widerstandes VR₁ sich in derselben Weise ändern. Auf die rechte Schaltungshälfte angewendet bedeutet dies: Wenn die einem Verstellungsschritt entsprechenden Widerstandsänderungen R des veränderbaren Widerstandes VR„ zur Einstellung der Belichtungrparameter stets gleich sind, kann der Strom /„ so eingestellt werden, daß das Produkt i„ R dem Wert AV gleich wird. Auch wenn die Kennlinien der Dioden D₁ und D₂ unterschiedlichen Verlauf aufweisen, können die Ströme ι, und I₂ so eingestellt werden, daß die Spannunesschritte A V in der rechten und in der linken Schaltungshälfte einander gleich sind. An die veränderbaren Widerstände VR₁ und VR₂ ist deshalb lediglich die Bedingung gestellt, daß ihre Kennlinie, d. h. die Abhängigkeit zwischen Widerstandswert und Verstellungbetrag, linear ist. Die Widerstandsänderungen R, die einem Verstellungsschritt entsprechen, können dagegen bei beiden veränderbaren Widerständen voreinander abweichen. Der Einstellbereich der veränderbaren Widerstände VR, und VR₂ muß so groß sein, daß er eine der Anzahl der von den jeweiligen Belichtungsparametern zu berücksichtigenden Belichtungsstufen entsprechende Zahl von Einstellschritten umfaßt. Dementsprechend erstreckt sich der Änderungsbereich im allgemeinen z. B. über zehn Einstellschritte. Da die veränderbaren Widerstände zur Einstellung der Belichtungsparameter linear sind, sind sie wesentlich einfacher und damit preisgünstiger herzustellen als solche Einstellwiderstände, deren Kennlinie nichtlinear, z. B. logarithmisch, verläuft. Änderungen des Innenwiderstandes des photoelektronischcn Bauelementes in Abhängigkeit von der Beleuchtungsstärke beeinträchtigen die Genauigkeit der Verknüpfung der übrigen Belichtungsparameter und damit der Belichtungsmessung nicht, da die Ausgangsspannung V₀,,, über Impedanzwandler entnommen wird. Die veränderbaren Widerstände VR₁ und VR„ zur Einstellung der Belichtungsparameter können entweder so angeordnet sein, daß alle Beiichtuncsparameter auf einer Scrtaltungsseite der Briickenschaltung berücksichtigt oder auf die rechte und auf die linke Schaltungshälfte aufgeteilt werden.

Zur Vereinfachung der Betrachtung wurde, angenommen, daß das photoelektronische Bauelement zur Messung der Objekthelligkeit ein CdS-Photowiderstand ist. Wenn es statt dessen als Photodiode ausgebildet ist. empfiehlt es sich, als Kornpensierur.gselement 2 eine Konstantstromquelle 711 verwenden, die z. B. als Source-Folgerschaltung eines Feldeffekttransistors ausgebildet ist. Da das Ausgangssignal einer Photodiode ohnehin dem Logarithmus der auf ihrer wirksamen Oberfläche herrschenden Beleuchtungsstärke proportional ist, erübrigt sich die Verwendung eines separaten logarithmierenden Schaltelementes. Es genügt vielmehr, die Photodiode an die Stelle der Diode D₁ zu setzen. Das Kompensierungselement 2 muß von einer Konstantspannungsquelle (z. B. einer Zenerdiode) gebildet sein. Die Diode D., entfällt dabei.

F i g. 2 zeigt das Schaltbild eines in der Praxis realisierten Ausführungsbeispiels. In diesem Ausführungsbeispiel sind die Konstantstromquellen von Fig. 1 durch Feldeffekttransistoren gebildet: Der Feldeffekttransistor Q₃ und der in seinen Source-Stromkreis eingefügte Widerstand r₃ bildet die Konstantstromquelle 3 der F i g. 1, der Feldeffekttransistör Q₄ bildet zusammen mit dem in seinem Source-Stromkreis eingefügten Widerstand r₄ die Konstantstromquelle 4 von Fig. 1. Infolge der charakteristischen Eigenschaften des Kennlinienfeldes von Feldeffekttransistoren liefern diese Konstantstrom-Schaltungen konstante Ströme von sehr hoher Genauigkeit. Die Feldeffekttransistoren können zwar durch Transistoren ersetzt werden, der Ausgangsstrom ist dann jedoch nicht mehr in ganz demselben Maße belastungsunabhängig. Ein CdS-Photowiderstand ist mit R, bezeichnet. R₂ bezeichnet einen Festwiderstand oder einen Trimmwiderstand. Die die Belichtungsparameter repräsentierenden Ausgangsspannungen der veränderbaren Widerstände VR₁ und VR„ liegen als Steuerspannungen an den Basiselektroden der in Emitter-Schaltung betriebenen Transistoren Q₅ bzw. Q_n der nächsten Stufe. Zwischen die Emitter der Transistoren Q₅ und Q₆ ist ein Anzeigeinstrument M geschaltet. Ein Widerstand r. dient zur Einstellung der Empfindlichkeit des Anzeigeinstruments. Er dient ferner zur Anzeige von Über- oder Unterschreitungen der der Nullanzeige entsprechenden korrekten Belichtungsbedingung, beispielsweise um eine Belichtungsstufe, indem er den Zeigerausschlag so beeinflußt, daß dieser bei den betreffenden Spannungsänderungen auf entsprechende Markierungen der Anzeigeskafa zeigt. Damit kann dem Kamerabenutzer angezeigt werden, ob die von ihm gewählte Kombination der Belichtungsparameter einer Über- oder Unterbelichtung, beispielsweise um eine Belichtungsstufe, entspricht. Der Kamerabenutzer wünscht häufig solche Abweichungen von der der Objekthelligkei! entsprechenden korrekten Belichtungsbedingung ir positiver oder negativer Richtung mit Rücksicht aul die Objektbeschaffenheit (z. B. bei Gegenlichtauf nahmen) oder aus Gründen der Bildgestaltung. Di< Skala des Anzeigeinstruments kann zu diesem Zwecl mit Marken versehen sein, die Abweichungen um ein< halbe oder um eine ganze Belichtungsstufe in positi ver und negativer Richtung entsprechen.

Bei den in den F i g. 1 und 2 dargestellten Schal tungen dienen Potentiometer als veränderbare Wider stände und zur Einstellung der BelichtungsparameteT Diese können durch einfache Regelwiderstände er setzt werden, die zwischen die Schaltungspunkte 1 und e bzw. b und / angeschlossen sind.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (4)

1 2 Objekthelligkeit für die Filmbelichtung bestimmend Patentansprüche: S'nd, d. h. die Blendenzahl, die Filmempfindlich keit und die Belichtungszeit, werden bei solchen Be-

1. Photoelektrischer Belichtungsmesser mit lichtungsmessern durch veränderbare Widerstände einer Brückenschaltung, mit einem in der Brücken- 5 berücksichtigt, die in einem oder mehreren Brückendiagonale angeordneten Anzeigeinstrument, mit zweigen der Brückenschaltung angeordnet sind. Das einem in einem ersten Brückenzweig angeordne- photoelektronische Bauelement zur Messung der Obten und als Emitterfolger geschalteten ersten jekthelligkeit wirkt ebenfalls auf einen der Brücken-Transistor, dessen Basis mit einer dem Logarith- zweige. Bei gegebener Objekthelligkeit ist die einer mus der Objekthelligkeit proportionalen Steuer- io korrekten Filmbelichtung entsprechende Kombination spannung beaufschlagt ist, mit einem ebenfalls der Belichtungsparameter dann gegeben, wenn der als Emitterfolger geschalteten zweiten Transi- Strom im Diagonalzweig der Brückenschaltung verstor in einem zweiten Brückenzweig, der auf der schwindet. Es handelt sich dabei also um eine Mesg'eichen Seite der Brückendiagonale liegt wie sung mit Nullabgleich.

der erste Brückenzweig, mit zwei in der Brücken- 15 Ein ernstes Problem bei derartigen Belichtungsschaltung enthaltenen veränderbaren Widerstän- messern besteht darin, das Meßergebnis von Schwanden zur Einstellung der Belichtungsparameter kungen der Umgebungstemperatur und/oder der Ver-(Blendenzahl, Filmempfindlichkeit und Beiich- sorgungsspannung möglichst unabhängig zu machen. tungszeit) und mit einer ebenfalls in der Brücken- So ist ein Belichtungsmesser bekannt (japaniscne

schaltung enthaltenen, dem zweiten Transistor zu- 20 Patentpublikation 1972-3 797), bei dem in zwei geordneten Konstantstromquelle, d ζ d u r c h g e - Brückenzweigen Dioden angeordnet sind, so daß kennzeichnet, daß der Emitter des ersten eine symmetrische Schaltungsstruktur entsteht. Zur Transistors (Q₁) mit einem der zwei veränder- Berücksichtigung der Belichtungsparameter dienen baren Widerstände (VR_x) und einer weiteren veränderbare Widerstände, bei denen die Abhängig-Konstantstromquelle (3; Q₃, r₃) und der Emitter 25 keit zwischen Verstellungsbetrag und Widerstandsdes zweiten Transistors (Q„) mit dem anderen wert eine nichtlineare Funktion ist. Zur Erfassung derzweiveränderbarenWiderstände(KR„)undder eines hinreichend großen Bereiches der Objektdiesem Transistor zugeordneten Konstantstrom- helligkeit müssen diese veränderbaren Widerstände quelle (4; Q₄, r₄) in Serie geschaltet ist, daß die Widerstandsänderungen von mehreren Zehnerpoten-Basis des zweiten Transistors (Q₂) mit einer Vor- 30 zen ermöglichen. Solche verändernden Widerstände spannung beaufschlagt ist, die "im wesentlichen sind schwierig herzustellen. Sie sind außerdem trot/ die gleiche Abhängigkeit von der Größe der allem vertretbaren Herstellungsaufwand vergleichs-Brückenversorgungsspannung (£) und der Um- weise ungenau. Weitere Schwierigkeiten ergeben sich gebungstemperatur aufweist wie die an der Basis dadurch, daß sie in Anpassung an Abweichungen der des ersten Transistors (Q₁) anliegende Steuer- 35 Kennwerte des photoelektronischen Bauelements zur spannung (K[R_x,]), und daß das Anzeigeinstru- Messung der Objekthelligkeit gegebenenfalls andeis ment (M) zwischen die veränderbaren Abgriffe justiert oder ausgewechselt werden müssen. All dies der veränderbaren Widerstände (KK₁ bzw. KK₂) verteuert die Produktion und/oder beeinträchtigt die geschaltet ist. Genauigkeit.

2. Photoelektrischer Belichtungsmesser nach 40 Die DT-OS 18 09 900, die eine Schaltungsanord-Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die nung zur automatischen Belichtungszeitsteuerung zum Konstantstromquellen aus Feldeffekttransistoren Gegenstand hat, zeigt in Fig. 2 und 3 Schaltungen. (Q₃ bzw. Q₄) gebildet sind, deren Gate-Elektro- die nicht nur zur Belichtungssteuerung, sondern auch den direkt und deren Source-Elektroden über zur Belichtungsmessung dienen. Die in Fig. 2 dar-Widerstände (r₃ bzw. r₄) mit einem Pol ( —) der 45 gestellte Schaltung besitzt einen völlig symmetrischen Brückenversorgungsspannung (E) verbunden sind. Aufbau. Sie ist deshalb von Schwankungen der Um-

3. Photoelektrischer Belichtungsmesser nach gebungstemperatur und/oder der Versorgungsspan-Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, nung weitgehend unabhängig, hat aber den Nachteil, daß die veränderbaren Abgriffe der veränder- daß die veränderbaren Widerstände, die zur Hinbaren Widerstände (VR_V VR„) zur Einstellung 50 steuerung derjenigen Belichtungsparameter dienen, der Belichtungsparanieter je mit der Basis eines welche außer der Objekthelligkeit für die Belichtungsais Impedanzwandler geschalteten Transistors zeit maßgebend sind, in ihrer Kennlinie der Charak-(Q_s, Q₆) verbunden sind und daß das Anzeige- teristik des photoelektronischen Bauelementes zur instrument (M) zwischen die Emitter dieser Messung der Objekthelligkeit angepaßt sein müssen. Transistoren (Q-, Q_n) geschaltet ist. 55 Da letzteres als CdS-Widerstand ausgebildet ist.

4. Photoelektrischer Belichtungsmesser nach ändert sich sein Innenwiderstand in Abhängigkeit einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch von der Objekthelligkeit in einem Bereich, der viele gekennzeichnet, daß in der Brückendiagonale in Zehnerpotenzen umfaßt. Dementsprechend müssen Reihe mit dem Anzciccinstrumcnt (Af) ein Wider- auch die veränderbaren Widerstände zur Bcrückstand (r₇) angeordnet ist. 60 sichtigung der übrigen Belichtungsparameter einen

entsprechend großen Widerstandsbercich überstreichen. Es ist praktisch unmöglich, diese Widerstände mit der erforderlichen Genauigkeit herzustellen.

Die in Fig. 3 der DT-OS 18 09 900 gezeigte An-

Die Erfindung betrifft einen photoelektrischen Be- 65 Ordnung besteht ebenfalls aus einer Brückenschal-

lichtungsmesser der im Gattungsbegriff des Patent- tung, die jedoch unsymmetrisch aufgebaut ist. Die

anspruchs 1 genannten Art. veränderbaren Widerstände zur Einsteuerune der

Diejenigen Belichtungsparameter, die außer der übrigen Belichtungspi.rameter sind mit einerKon-