DE2347652B2 - Torschaltung - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft eine Torschaltung mit einem Informationssignal-Eingangsanschluß, mit einem
Schaltsignal-Eingangsanschluß, dem ent zwischen einem Sperrpegel und einem Durchlaßpegel veränderbares
Schaltsignal zuzuführen ist, mit einem ersten und einem zweiten Stromversorgungsanschluß* die
mit einer Gleichstromquelle zu verbinden sind, mit Informationssignal-Ausgangsanschlüssen^ von denen
ein Ausgangssignal entnehmbar ist und von denen der eine mit dem ersten Stromversorgungsanschluß verbunden
ist, mit einem Schalttransistor, dessen eine Elektrode als Eingangselektrode mit dem Schaltsignal-Eingangsanschluß
verbunden ist, wobei die Leit-
f ähigkeit seiner Ausgangsstrecke von dent Pegel des
Schaltsignales abhängt, mit einem ersten Verstärkertransistor,
dessen eine Elektrode als Eingangselektrode
mit dem Informationssignal-Eingangsanschluß verbunden ist, wöbet seine Ausgangsstrecke über eine
Ausgangslastimpedanz zwischen die Stromversorgungsanschlüsse geschaltet ist und wobei über seiner
Ausgangsstrecke nur dann das verstärkte Informationssignal auftritt, wenn das Schaltsignal seinen
3 4
Durchlaßpegel hat, und mit einem zweiten Verstär- den. Der zweite Infonnationssignal-Ausgangsankertransistor,
dessen eine Elektrode als Eingangs- Schluß ist mit dem Kollektor des zweiten Veistärkerelektrode
mit dem Ausgang des ersten Verstärker- transistors verbunden. Diese bekannte Torschaltung
transistors gekoppelt ist und dessen Ausgangsstrecke hat gegenüber der zuvor beschriebenen bekannten
zwischen den anderen Ausgangsanschluß und den S Torschaltung den Vorteil, daß—wenn der Schalttranzweiten
Stromversorgungsanschluß geschaltet ist, um sistor leitend und dementsprechend der erste Verstäreine
zweite Verstärkung des Informationssignals zu kertransistor nicht leitend ist — die Basis des ersten
erreichen, wobei der Schalttransistor sowie der erste Verstärkertransistors an Masse gelegt wird, wodurch,
und der zweite Verstärkertransistor alle vom gleichen die unerwünschten Signalströme, die sonst über die
Leitfähigkeitstyp sind. to Streukapazität des ersten Verstärkertransistors an den
Bekannt ist eine Torschaltung (Fig. 2) mit zwei in Eingang des zweiten Verstärkeltransistors gelangen
Differentialschaltung geschalteten Transitoren vom wurden, nach Masse abfließen. Der Streufluß ist hier
gleichen Leitfähigkeitstyp. Der eine der beiden Tran- also geringer. Allerdings ist auch bei dieser Schaltung
sistoren wirkt als Verstärkertransistor und der andere der zweite Verstärkertransistor ständig leitend, so daß
als Schalttransistor. Die Emitter der beiden Transisto- 15 der Stromverbrauch hoch und die Verlustwärme groß
ren sind miteinander verbunden und über einen Wi- ist. Auch diese Torschaltung eignet sich: daher nicht
derstand an den einen Stromversorgungsanschluß an- zur Realisierung in integrierter Schahungswehe.
geschlossen. Der Kollektor des Verstärkertransistors Bekannt ist weiterhin (Fig. 4) eine Torschaltung
geschlossen. Der Kollektor des Verstärkertransistors Bekannt ist weiterhin (Fig. 4) eine Torschaltung
ist über einen Lastwiderstand an den zweiten Strom- mit drei Transistoren gleichen Leitfähigkeftstyps, von
Versorgungsanschluß angeschlossen, während der ao denen jedoch zwei Transistoren als Schalttransistoren
Kollektor des Schalttransistors direkt mit dem zweiten und nur ein Transistor als Verstärkertransistor wirkt.
Stromversorgungsanschluß verbunden ist Der Basis Die Emitter der beiden Schalttransistoren sind mit
des Verstärkertransistors werden die Informationssi- dem ersten Stromversorgungsansdduß verbunden,
gnale zugeführt. Der Basis des Schalttransistors wer- Der Kollektor des ersten Schalttransistors ist über eiden
die Schaltsignale zugeführt. Mit dem Kollektor 35 nen Widerstand an den zweiten. StromversorgungsandesVerstärkertransistors
ist die Basis eines zweiten Schluß geführt. Der Basis des ersten Schalttransistors
Verstärkertransistors verbunden, der vom gleichen werden die Schaltsignale zugeführt. Der Kollektor des
Leitfähigkeitstyp wie der erstgenannte Verstärker- ersten Schalttransistors ist mit der Basis des zweiten
transistor ist. Der Emitter des zweiten Verstärker- Schalttransistors verbunden. Der KoOektor des zweitransistors
ist über einen Widerstand mit dem ersten 30 ten Schalttransistors ist über einen Widerstand mit
Stromversorgungsanschluß verbunden. Ein erster In- dem Emitter des Verstärkertransistors verbunden,
formationssignal-Ausgangsanschluß ist mit dem zwei- dessen Basis die Informaoonssignale zugeführt werten
Stromversorgungsanschluß verbunden. Ein zwei- den. Ein erster Informationssignal-Ausgangsanschluß
ter Informationssignal-Ausgangsanschluß ist mit dem ist mit dem ersten Stromversorgungsanschluß verbun-Kollektor
des zweiten Schalttransistors verbunden. 35 den. Mit dem zweiten Informationssignal-Ausgangs-Bei
dieser bekannten Torschaltung verstärkt der erste anschluß ist der Kollektor des Verstärkertransistors
Verstärkertransistor das InformationssignaL wenn der verbunden. Diese Torschaltung hat den Vorteil, daß
Schalttransistor nicht leitend ist. Wenn der Schalt- - wenn der erste Schalttransistor nicht leitend ist —
transistor leitend wird, wird der erste Verstärkertran- auch der Verstärkertransistor, der normalerweise den
sistor in den nicht-leitenden Zustand geschaltet Es 40 meisten Strom zieht, ebenfalls nicht leitend ist. Daist
dann jedoch immer noch möglich, daß ein Teil des durch wird in dem Zustand, in dent das Inf ormations-Informationssignals
über die Streukapazität des ersten signal nicht verstärkt werden soll, nur ein geringer
Verstärkertransistors an den Eingang des zweiten Strom verbraucht. Durch die Streukapazität des Ver-Verstärkertransistors
gelangt. Dieser verstärkt die in Stärkertransistors, dessen Kollektor direkt mit dem
unerwünschter Weise übertragenen Signale noch. Da 45 anderen Informationssignal-Ausgangsanschluß verer
außerdem immer leitend ist, ist der Stromverbrauch bunden ist, kann jedoch auch im gesperrten Zustand
der Torschaltung hock Dies ist insbesondere dann immer noch ein unerwünschter Signaktrom vom Einnachteilig,
wenn die Torschaltung in integrierter gang an den Ausgang gelangen.
Schaltungsweise realisiert werden soll. Sämtliche bisher erwähnten bekannten; Schaltun-
Schaltungsweise realisiert werden soll. Sämtliche bisher erwähnten bekannten; Schaltun-
Beieiner anderen bekannten Torschaltung ^ig. 3) 50 gen haben zudem den Nachteil, daß die Verstärkung
mit zwei Verstärkertransistoren und einem Schalt- relativ stark abhängig von Betriebsschwankungen ist
transistor, die alle vom gleichen Leitfähigkeitstyp sind, Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die be-
ist der Emitter des ersten Verstärkertransistors und kannte Torschaltung der eingangs beschriebenen Art
des Schalttransistors mit dem ersten Stromversor- (die beispielsweise dem Typ nach Fig. 3 entspricht)
gungsanschluß verbunden. Der Basis des Schalttransi- 55 so zu gestalten, daß die bei ähnlich guter Sperrdämpstors
wird das Schaltsignal zugeführt. Der Basis des · fung einen geringeren Stromverbrauch hat und ihre
ersten Verstärkertransistors wird über einen Wider- Verstärkung weniger stark von Spannungsschwanstand
das Informationssignal zugeführt. Außerdem ist kungen abhängt.
mit der Basis des Verstärkertransistors der Kollektor Die Aufgabe ist erfindungsgemäß dadurch gelöst,
des Schalttransistors verbunden. Der Kollektor des 60 daß die Ausgangsstrecke des Schahtransistors, die
Verstärkertransistors ist über einen Lastwiderstand Ausgangslastimpedanz und die Ausgangsstrecke des
mit dem zweiten Stromversorgungsanschluß verbun- ersten Verstärkertransistors in der genannten Reiden.
Weiterhin liegt an dem Kollektor des eisten Ver- henfolge in einer Serienschaltung liegen, welche direkt
Stärkertransistors die Basis des zweiten Verstärker- zwischen die beiden Stromversorgungsanschlüsse getransistors,
dessen Emitter über einen Widerstand mit 65 schaltet ist, und daß die Eingangselektrode des zweidem
ersten Stromversorgungsanschluß verbunden ist ten Verstärkertransistors mit der erwähnten Serien-Der
erste Informationssignal-Ausgangsanschluß ist schaltung an einer Stelle zwischen der Ausgangslastmit
dem zweiten Stromversorgungsanschluß verbun- impedanz und der* Ausgangsstrecke des. ersten
Ζό
Verstärkertransistors verbunden ist, derart, daß die Ausgangsstrecke des zweiten Verstärkertransistors
nur leitend ist, wenn das Schaltsignal seinen Durchlaßpegel hat.
Die erfindungsgemäße Torschaltung zeichnet sich dadurch aus, daß — wenn an den Schalttransistor der
Sperrpegel angelegt wird — alle drei Transistoren im nicht-leitenden Zustand sind, so daß in diesem Zustand
praktisch kein Strom verbraucht wird. Die Schaltung eignet sich daher besonders gut zur Realisierung
in integrierter Schaltungstechnik. Eine hohe Sperrdämpfung ist insofern gewährleistet, als das für
die im gesperrten Zustand der Transistoren über Streukapazitäten fließende unerwünschten Signalströme
die beiden Verstärkertransistoren hintereinander liegen. Da der Schalttransistor auf der Kollektorseite
des ersten Verstärkertransistors angeordnet ist, kann der Lastwiderstand stets mit genügend hohen
Spannungswerten versorgt werden, die eine weitgehende Unabhängigkeit von Betriebsspannungsschwankungen
gewährleisten.
Erwähnt werden soll noch, daß auch eine Torschaltung bekannt ist (US-PS 3671779), welche aus zwei
Schalttransistoren und einem Verstärkertransistor besteht. Die beiden Schalttransistoren sind normale
Flächentransistoren, während der Verstärkertransistor ein FET-Transistor ist. Auch hier liegt der eine
Schalttransistor auf der drain-Seite des FET-Transistors und gewährleistet somit, daß der Lastwiderstand
desd FET-Transistors jederzeit mit genügend hohen Spannungswerten versorgt wird; die Verwendung von
Transistoren unterschiedlichen Leitungstyps ist jedoch für die Herstellung in integrierter Schaltungsweise unrationell und aufwendig.
Eine zweckmäßige Ausgestaltung der Erfindung kann darin bestehen, daß ein zweiter Schalttransistor
von der gleichen Leitfähigkeitstype wie der erste Schalttransistor vorgesehen ist, dessen eine Elektrode
als Eingangselektrode mit dem Schaltsignal-Eingangsanschluß gekoppelt ist und dessen Ausgangsstrecke
in Serie mit einem Lastwiderstand zwischen die Stromversorgungsanschlüsse geschaltet ist, und
daß die Eingangselektrode des ersten Schalttransistors mit dem Ausgang des zweiten Schalttransistors an der
Verbindungsstelle des zweiten Transistors mit dem erwähnten Lastwiderstand verbunden ist.
Eine zweckmäßige Weiterbildung der erfindungsgemäßen
Torschaltung kann ferner darin bestehen, daß ein dritter Verstärkertransistor in Kaskade zwischen
die Ausgangsstrecke des ersten Verstärkertransistors und die Eingangselektrode des zweiten Verstärkertransistors
geschaltet ist, und daß ein zusätzlicher Schaltungsteil vorgesehen ist,jder die Eingangselektrode des dritten Verstärkertransistors mit dem
Schaltsignal-Eingangsanschluß verbindet und so ausgebildet ist, daß der dritte Verstärkertransistor nur
dann leitend wird, wenn das Schaltsignal seinen Durchlaßpegel hat.
Zwischen die Ausgangsstrecke des ersten Verstärkertransistors und die Eingangselektrode des zweiten
Verstärkertransistors kann noch ein dritter Verstärkertransistor geschaltet werden. Ferner kann ein zusätzlicher
Schaltungsteil vorgesehen werden, der die Eingangselektrode des dritten Verstärkertransistors
mit dem Schaltsignal-Eingangsanschluß verbindet und so ausgebildet ist, daß der dritte Verstärkertransistor
nur dann leitend wird, wenn das Schaltsignal seinen Durchlaßpegel hat.
Eine andere Weiterbildung kann darin bestehen, daß der zusätzliche Schaltungsteil eine Impedanz enthält,
weiche die Eingangselektrode des dritten Verstärkertransistors mit der Eingangselektrode des ersten
Schalttransistors verbindet, und daß der zusätzliche Schaltungsteil ferner nur in einer Richtung
gleitende Schaltelemente enthält, die in Serie zwischen die Eingangselektrode des dritten Transistors
und dem zweiten Stromversorgungsanschluß geschaltet sind. Gemäß einer weiteren Ausführungsform der
erfindungsgemäßen Torschaltung wird vorgeschlagen, daß ein dritter Verstärkertransistor vorgesehen ist,
dessen Ausgangsstrecke in Serie zwischen die Ausgangsstrecke des ersen Verstärkertransistors und die
Ausgangslastimpedanz geschaltet ist, daß einer als Eingangselektrode bestimmten Elektrode des dritten
Verstärkertransistors eine steuerbare Vorspannung zugeführt ist, 11m die Verstärkung des Informationssignals
durch den dritten Verstärkertransistor zu steuern, und daß ein vierter Verstärkertransistor vorgesehen
ist, welche so vorgespannt ist, daß er normalerweise leitend ist, wobei seine Ausgangsstrecke in Serie
zwischen die Ausgangsstrecke des ersten Verstärkertransistors und dem ersten Stromversorgungsanschluß
geschaltet ist, derart, daß der dritte und vierte Verstärkungstransistor
einen Differentialverstärker bilden.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend an Hand der Zeichnungen beschrieben. Es
zeigt
Fig. 1 ein Blockschaltbild eines Fernsehempfängers, in dem die erfindungsgemäße Torschaltung Verwendung
findet,
Fig. 2 bis 4 Schaltbilder bekannter Torschaltungen, Fig. S bis 7 Schaltbilder verschiedener Ausführungsformen
der erfindungsgemäßen Torschaltung. In der nachfolgenden Beschreibung werden unter
anderem die Begriffe »offener Pegel« und »geschlossener Pegel« verwendet. Es soll vorab klargestellt
werden, daß es sich bei dem »offenen Pegel« um einen
Sperrpegel und bei dem »geschlossenen Pegel« um einen Durchlaßpegel handelt.
Der Fernsehstromkreis bzw. die Fernsehschaltung, die in Fig. 1 dargestellt ist, weist eine Antenne 1 für
den Empfang von Fernsehsignalen sowie eine Antennenabstimmeinrichtung
2 zum Auswählen des Kanals für das Fernsehen auf. Der Ausgang der Antennenabstimmeinrichtung
2 ist mit einem ZF-Verstärker 3 verbunden, der Signale einem Videodetektor 4 zuführt.
Ein Ausgang des Videodetektors ist mit dem Videoverstärker in einem Helligkeitskanal 5 und mit
aufeinanderfolgenden Chrominanzverstärkern 6 und 7 verbunden. Ein anderer Ausgang der Videodetektorschaltung
4 ist mit einer Ablenk- und Synchroni-
SS siersignalschaltung 8 verbunden, welche Signale den
Klemmen X und Y eines Ablenkbügels zuführt. Die Ablenk- und Synchronisierschaltung 8 liefert auch
Torsteuerungssignale an eine Farbsynchronsignaltrennschaltung 9. Die Trennschaltung empfängt
Chrominanz- und Farbsynchronsignale aus dem ersten Chrominanzverstärker 6. Das torgesteuerte
Farbsynchronsignal aus der Trennschaltung 9 wird an eine Farbsynchronsignalüberschwingerschaltung 10,
welche die intermittierenden Farbsynchronsignale in ein kontinuierlicheres Signal derselben Frequenz umwandelt,
weitergegeben. Der Ausgang der Farbsynchronsignalüberschwingerschaltung
10 wird mit einem Farbsynchronsignaldetektor 11 verbunden, der
wiederum Signale an einen Gleichstromverstärker 12 liefert. Der Ausgang des Gleichstromverstärkers 12
wird mit einer automatischen Farbsteuerschaltung 13 verbunden, die mit dem Chrominanzverstärker 6 verbunden
ist, um den Verstärkungsgrad des Chrominanzverstärkers zu steuern.
Der Ausgang des Gleichstromverstärkers 12 ist also mit einem Farbkillersignalgeber 14 verbunden, dessen
Aufgabe es ist, ein Signal K zu erzeugen, welches zwei Pegel hat. Der Basispegel des Signals K stellt die Ausgangsspannung
dar, wenn die Antennenabstimmvorrichtung 2 auf ein Farbsignal genügender Stärke abgestimmt
ist, um eine entsprechende Farbwiedergabe zu ergeben. Der obere Pegel des Signals K stellt den
Spannungspegel in dem Punkt in dem Stromkreis dar, wenn die Abstimmeinrichtung 2 auf ein Signal abgestimmt
ist, das entweder ein Schwarz-Weiß-Signal oder ein derart schwaches Farbsignal ist, daß es unmöglich
ist, es richtig in Farbe wiederzugeben. Das Signal K ist somit kein Impuls in dem üblichen Sinn,
sondern eine Darstellung zweier Spannungspegel. Der Ausgang der Farbkillerschaltung kann, und gewöhnlich
wird, in jedem Pegel so lange verbleiben, als der Empfänger auf eine spezifische Station abgestimmt ist,
wobei diese Station einen Typ von Signalen, entweder Färb- oder Schwarz-Weiß-Signale überträgt.
Die Farbsynchronsignalüberschwingerschaltung 10 liefert auch Signale an einen Ortsoszillator 15, der den
Träger speist, um die Chrominanzsignale zu demodulieren. Das Ausgängssignal des Oszillators 15 ist mit
einem Farbdemodulator 16 verbunden, der Chrominanzsignale demoduliert und die demodulierten Signale
einer Matrixschaltung 17 liefert, in welcher sie mit Helligkeitssignalen aus dem Helligkeitskanal 5
kombiniert werden, um die erforderlichen Rot-, Grün-
und Blausignale zu erzeugen, und um die Intensität der Elektronstrahlen in der Fernsehbildröhre 18 zu modulieren.
Die vorliegende Erfindung befaßt sich mit Stromkreisen bzw. Schaltungen in dem zweiten Chrominanzverstärker
7. Die Klemmen 21 und 22 sind Eingangsklemmen zu diesem Verstärker, um das Chrominanzsignal aus dem Verstärker 6 und das
Farbkillersignal aus dem Farbkillersignalgeber 14 zu empfangen. Der Ausgang des zweiten Chrominanzverstärkers
7 ist über ein Paar Klemmen 23 und 24 mit einer gekoppelten abgestimmten Schaltung verbunden,
welche Ausgangsklemmen 25 und 26 aufweist, die mit dem Farbdemodulator 16 verbunden
sind.
Eine Ausführungsform eines Stromkreises nach dem Stand der Technik zur Verwendung bei dem
zweiten Chrominanzverstärker 7 ist in Fig. 2 gezeigt. Bei dieser Schaltung bzw. bei diesem Stromkreis wird
das Chrominanzsignal C an die Eingangsklemme 21 angelegt, während das Farbkillersignal K an die
Schaltsignaleingangsklemme 22 angelegt wird. Das Signal C ist nicht nur auf ein Chrominanzsignal beschränkt,
sondern kann allgemeiner als ein Informationssignal zum Unterschied vom Signal K betrachtet
werden. Das letztgenannte Signal kann als Schaltsignal bezeichnet werden.
Die Eingangsklemme 21 ist mit der Basis einer ersten Halbleiterverstärkervorrichtung Q1 verbunden.
Bei diesem Stromkreis bzw. bei dieser Schaltung ist die Halbleitervorrichtung Q1 ein NPN-Transistor, und
ist in einer Differentialverstärkerschaltung mit einer zweiten Halbleiterverstärkervorrichtung in Form eines
Transistors Q2 verbunden. Die Basis des Transistors
Q2 ist mit der Schaltsignaleingangsklemme 22 verbunden. Die Emitter der beiden Transistoren Q1
und Q2 sind durch einen gemeinsamen Emitterwiderstand
A1 mit Erde verbunden. Der Kollektor des
Transistors Q2 ist unmittelbar mit einer Positivstromspeiseklemme
27 und der Kollektor des Transistors Q1 ist über einen Belastungswiderstand A2 mit derselben
Stromspeiseklemme 27 verbunden. Der Kollektor
ίο des Transistors Q1 ist auch mit der Basis einer dritten
Halbleiterverstärkervorrichtung in Form eines Transistors Q3 verbunden. Der Emitter des Transistors Q3
ist über einen Vorspannungswiderstand R3 mit Erde
und der Kollektor des Transistors Q3 ist mit einer der
Klemmen der Kupplungsschaltung, insbesondere mit dem Primärteil eines Transformators T1 verbunden.
Die Primär- und Sekundärwicklungen des Transformators werden durch Kondensatoren C1 und C2 abgestimmt.
Die andere Klemme 23 der Primärwicklung
so ist unmittelbar mit der Speisestromklemme 27 verbunden.
Solange ein Farbsignal mit einer genügenden Stärke empfangen wird, wird das an die Klemme 22
angelegte Schaltsignal einen Wert unterhalb des Ab-
s5 schaltpegels des Transistors Q2 haben. Als Ergebnis
wird der Transistor Q1 leitend und verstärkt das Informationssignal und legt es an den zweiten Verstärkerstufentransistor
Q3 an.
Wenn das empfangene Signal ein Schwarz-Weiß-Signal ist und daher keine Farbsynchronsignale aufweist,
hat jedoch das an die Klemme 22 angelegte Schaltsignal K einen positiveren Wert, der genügend
ist, um den Transistor Q2 genügend leitend zu machen,
um zu bewirken, daß der Transistor Q1 nichtleitend
wird. In diesem Fall wird das an die Eingangsklemme 21 angelegte Informationssignal gesperrt und kommt
theoretisch nicht durch den Transistor Q1 durch, um
durch den Transistor Q3 verstärkt zu werden. Dieser
Zustand kann als OFFENER Zustand bezeichnet werden, während der Spannungspegel des Schaltsignals
K, der bewirkt, daß der Stromkreis den OFFENEN Zustand erreicht, als OFFENER Pegel betrachtet
werden kann. In diesem Fall kann ein Schaltpegel unterhalb des OFFENEN Pegels als der GE-SCHLOSSENE
Pegel für NPN-Transistoren betrachtet werden. Wie in Fig. 2 gezeigt, würde der OFFENE
Pegel positiver als der GESCHLOSSENE Pegel sein, wobei jedoch für PNP-Transistoren das Umgekehrte
zutreffen würde. Es ist ferner wünschenswert, daß die Stromkreise bzw. Schaltungen, welche das Schaltsignal
K an die Schaltsignaleingangsklemme 22 liefern, imstande sein sollen, ein Schaltsignal derartiger Amplitude
zu erzeugen, daß ein klarer Unterschied zwischen dem OFFENEN Pegel und dem GESCHLOS-SENEN
Pegel besteht.
Wenn der Transistor Q2 leitend und der Transistor
Q1 nichtleitend ist, ist es leider immer noch möglich,
daß die an die Klemme 21 angelegten Informationssignale einen Weg um den Transistor Q1 herum zur
Basis des Transistors Q3 finden. Ein derartiger Weg
ist durch die Streukapazität C6fi angedeutet, welche
gezeigt ist, als sie die Basiseingangselektrode des Transistors Q1 mit der Kollektorausgangselektrode
dieses Transistors verbindet. Da der Transistor Q3
auch ein NPN-Transistor ist, ist seine Basisvorspannung sogar höher, wenn der Transistor Q1 nichtleitend
ist, als wenn er leitend ist. Somit ist der Transistor Q3 imstande, Streusignale zu verstärken, welche durch
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die Streukapazität aus der Eingangsklemme 21 zur Basis des Transistors Q3 kommen, wenn sogar die
Schaltung 7 oder der Stromkreis 7 sich vermutlich in einem OFFENEN Zustand befinden. Der Transistor
Q3 vergeudet ferner Energie in dem OFFENEN Zustand, wobei diese Energie zum Erhitzen der Stromkreiselemente
beiträgt. Somit ist dieser Stromkreis zur Konstruktion als ein Teil einer integrierten Schaltung
ungeeignet.
Fig. 3 zeigt eine andere Schaltung bzw. einen weiteren Stromkreis nach dem Stand der Technik, bei
welchem die Informationssignaleingangsklemme 21 über einen Widerstand R4 mit der Basis eines ersten
Verstärkungstransistors Q4 verbunden ist. Dieser
Transistor hat einen Belastungswiderstand in Form eines Widerstandes R5 und ist mit einer zweiten Verstärkerstufe
verbunden, welche einen Transistor Q6 aufweist. Der letztere hat einen Vorspannungswiderstand
R6 in seiner Emitterschaltung. Das Schalten des Stromkreises 7 nach Fig. 3 zwischen dem OFFENEN
und GESCHLOSSENEN Zustand wird mittels eines Schalttransistors Q5 bewerkstelligt, der unmittelbar
mit den Basis-Emittereingangsklemmen des Transistors Q4 parallel geschaltet ist. Die Basis des Schalttransistors
Q5 ist mit der Schaltsignaleingangsklemme 22 verbunden.
Wenn ein Farbfernsehsignal einer genügenden Stärke empfangen wird, so ist der Spannungspegel an
der Schaltsignaleingangsklemme 22 kleiner als der Abschaltpegel des Transistors Q5. Daher ist der Transistor
Q5 nichtleitend, und das an die Informationssignaleingangsklemme
21 angelegte Signal wird durch die beiden Verstärkerstufen verstärkt und an die abgestimmte
Ausgangsschaltung angelegt.
Wenn ein Schwarz-Weiß-Fernsehsignal oder ein Farbfernsehen ungenügender Kraft empfangen wird,
so wird das Schaltsignal K an die Eingangsklemme 22 angelegt und hat einen genügend hohen Wert, um
zu bewirken, daß der Schalttransistor Q3 leitend wird.
Dies bewirkt, daß die Spannung an der Basis des Verstärkertransistors Q4 unter den leitenden Pegel sinkt,
wodurch die Amplitude des Signals wesentlich herabgesetzt wird, das an die Basis des zweiten Verstärkertransistor
Q6 angelegt ist. Wie bei dem Stromkreis nach Fig. 2, würde es für einen Teil des an die Eingangsklemme
21 angelegten Signals möglich sein, einen Streuweg in Form der Streukapazität Cbc von der
Basis des Transistors Q4 zum Kollektor dieses Transistors
zu finden. Der Widerstand R4 und die Emitter-Kollektorschaltung
des leitenden Schalttransistors Q5 bilden jedoch eine Spannungstrennschaltung, weiche
die Amplitude des Informationssignals an der Basis des Transistors Q4 weiter reduziert. Als Ergebnis ist
sehr wenig vom Signal verblieben, um durch die Streukapazität zum Transistor Q6 zu lecken. Der letztere
ist jedoch leitend, und zwar sogar in dem vermutlich OFFENEN Zustand der Schaltung 7, so daß diese
Schaltung sich zur Konstruktion in einer integrierten Schaltung nicht eignet.
Fig. 4 zeigt eine andere Schaltung bzw. einen anderen Stromkreis nach dem Stand der Technik mit einer
unterschiedlichen Schaltanordnung. Die Informationssignaleingangsklemme
21 ist mit der Basis eines Verstärkertransistors Q1 verbunden, der einen Widerstand
7 hat, der mit seinem Emitter verbunden ist. Die Basis eines Transistors Q8 ist mit der Schaltsignaleingangsklemme
22 verbunden, während ein Belastungswiderstand A8 vom Kollektor des Transistors
Q1 mit der Speisestromklemme 27 verbunden ist. Der Kollektor des Transistors Q8 ist auch mit der Basis
eines Transistors Q9 verbunden, welcher die zweite Stufe des Schaltstromkreises bildet. Die Emitter-Kol-Iektorschaltung
des Transistors Q9 ist zwischen dem Widerstand R7 und Erde in Reihe geschaltet. Der
Transformator T1 mit abgestimmtem Ausgang ist mit
den Ausgangsklemmen 23 bzw. 24 der Schaltung verbunden.
to Im Arbeitszustand des Stromkreises bzw. der
Schaltung nach Fig. 4, wenn sich der Spannungspegel,
der an die Schaltsignaleingangsklemme 22 angelegt ist, beim GESCHLOSSENEN Pegel befindet, ist der
Transistor Q8 nichtleitend, während der Transistor Q9
leitend ist. Dies ermöglicht es dem Verstärkertransistor Q7, auch leitend zu sein und das Informationssignal
C zu verstärken, das an die Eingangsklemmen 21 angelegt ist.
Wenn der an die Schaltsignaleingangsklemme 22 angelegte Spannungspegel zunimmt und OFFENER
Pegel ist, wird der Transistor Q8 leitend und bewirkt,
daß der Transistor Q9 nichtleitend wird. Dies hindert
den Transistor Q7 daran, Arbeitsstrom zu empfangen,
wodurch auch der Transistor Q7 nichtleitend gemacht wird.
Diese Arbeitsweise hat den Vorteil, daß der Transistor Q7, der das verstärkte Informationssignal mit hohem
Pegel dem Transformator T1 liefert, während des OFFENEN Zustande nichtleitend ist, so daß der
Stromkreis verhältnismäßig wenig Strom während dieser Zeit verbraucht. Der Transistor Q7 ist jedoch
die einzige Komponente zwischen der Eingangsklemme 21 und dem Transformator T1, so daß es
möglich ist, unerwünschten Strom hoher Streuung um den Transistor Q7 über die Streukapazität C607. zum
Fließen zu bringen. Ein weiteres unerwünschtes Merkmal dieses Stromkreises besteht darin, daß eine
Spannungsschwankung, wie z. B. 60 Brummperioden (cycle hum) in der Stromspeisequelle, die mit der
Klemme 27 verbunden ist, durch den Schalttransistor Q9 während der Zeit verstärkt wird, in welcher sich
der Stromkreis in seinem geschlossenen Zustand befindet. Dies ergibt eine unerwünschte Veränderung
bzw. Schwankung des Ausgangssignals an den Klemmen 25 bzw. 26.
Fig. 5 zeigt eine Grundausführungsform des erfindungsgemäßen
Stromkreises. Die Informationseingangsklemme 21 ist mit der Eingangsschaltung einer
Halbleiterverstärkervorrichtung. Q10 verbunden. Bei
dieser Ausführungsform ist die Halbleiterverstärkervorrichtung
ein NPN-Transistor. Der Belastungswiderstand R9 ist mit der Emitter-Kollektor-Ausgangsschaltung
des Transistors Qj0 in Reihe geschaltet. Der
Transistor Q10 ist als geerdeter Emitterverstärker verbunden.
Dies bedeutet, daß der Emitter, welcher sowohl der Basis-Emittereingangsschaltung des Transistors
als auch der Emitter-Kollektorausgangsschaltung des Transistors gemeinsam ist, mit Erde
verbunden ist, wobei der Belastungswiderstand mit dem Kollektor verbunden ist. Die Basiseingangselektrode
eines Schaltsignalhalbleiters in Form eines NPN-Transistors Qn ist mit der Schaltsignaleingangsklemme
22 verbunden. Die Emitter-Kollektorausgangsschaltung des Transistors Q11 ist zwischen Erde
und einen Belastungswiderstand A10 geschaltet, dessen
anderes Ende mit der Speisestromklemme 27 verbunden ist. Der Kollektor des Transistors Q11 ist auch
mit der Basis der Haupthalbleiterschaltvorrichtung
verbunden, die hier als ein NPN-Transistor Q12 dargestellt
ist. Die Emitter-Koüektorausgangsschaltung des Transistors Q12 ist zwischen die Speisestromklemme
27 und den Belastungswiderstand R9 in Reihe
geschaltet.
Die Basiseingangselektrode einer zweiten Halbleiterverstärkervorrichtung
in Form eines anderen NPN-Transistors Q13 ist mit einem Punkt in der Reihenschaltung
verbunden,, welche den Belastungswiderstand R9 und die Emitter-Kollektorausgangsschaltung
des Transistors Qm umfaßt, wobei in der Tat die
Basis des Transistors Q13 unmittelbar mit dem Kollektor
des Transistors Q10, verbunden ist. Ein Widerstand
A11 ist zwischen den Emitter des Transistors Q13
und die Erdklemme der Stromspeisequelle geschaltet. Der Kollektor des zweiten Verstärkertransistors Q13
ist über die Ausgangsklemme 24 mit dem abgestimmten Transformator T1 verbunden.
Im Arbeitszustand der Schaltung bzw. des Stromkreises nach Fig. 5, wenn sich die an die Schaltsignal- ao
eingangsklemme 22 angelegte Spannung bei dem geschlossenen Pegel befindet, ist der Schalttransistor Q11
nichtleitend und der zweite Schalttransistor Q12 leitend.
Dies ermöglicht, daß Arbeitsstrom durch den Belastungswiderstand R9 und die Emitter-Kollektorausgangsschaltung
des Transistors Q10 fließt. Ein Informationssignal
C, das an die Informationssignaleingangsklemme 21 angelegt ist, wird in einer Reihenfolge
durch die Transistoren Q10 und Q13 verstärkt
und an den Transformator T1 angelegt.
Obwohl die Impedanz bzw. der Widerstand der Emitter-Kollektorausgangsschaltung des Schalttransistors
Q12 immer noch durch Schwankungen der Arbeitsspannung beeinträchtigt werden kann, die an die
Klemme 27 angelegt ist, besteht ein Vorteil des Verbindens des Transistors Q12 auf der Kollektorseite des
Verstärkertransistors Q10 darin, daß der Belastungswiderstand
A9 genügend groß gemacht werden kann, so daß derartige Schwankungen keine Wirkung auf
die Verstärkung des Informationssignals haben.
Wenn die Schaltspannung K, welche an die Schaltsignaleingangsklemme
22 angelegt ist, aus dem GESCHLOSSENEN Pegel in den OFFENEN Pegel
übergeht, wird der Transistor Q11 leitend und reduziert
die Spannung an der Basis des Schalttransistors Q12 auf den Punkt, bei welchem der letztere auch nicht
mehr leitend ist. Als Ergebnis ist der Transistor Q12
wirksam von der Speisestromklemme 27 getrennt und wird nichtleitend. Gleichzeitig wird auch der Transistor
Q13 durch die Verschiebung in dem Vorspannungspegel seiner Basis nichtleitend gemacht. Da die
. beiden Verstärkertransistoren Q10 und Q13 nichtleitend
sind, wird etwaiger Streusignalstrom, welcher die Ausgangsklemme 24 aus der Eingangsklemme 21 erreicht
hat, durch zwei Streukapazitäten C6010 bzw. C1x
fließen müssen, wovon jede die Amplitude dieses Streustromes reduzieren wird. Wenn die an die
Schaltsignaleingangsklemme 22 angelegte Spannung sich im OFFENEN Pegel befindet, so ist ferner der
einzige Transistor im Stromkreis 7, der nichtleitend ist, der Transistor 11. Die durch den Stromkreis in
dem OFFENEN Zustand vergeudete Hitze ist daher sehr klein, was ein wünschenswerter Faktor ist, falls
der Stromkreis in eine integrierte Schaltung.eingesetzt werden soll.
Fig. 6 zeigt eine weitere Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung mit gewissen Vorteilen gegenüber der in Fig. 5 gezeigten Schaltung. Die meisten
Kupplungen nach Fig. 6 sind dieselben wie jene bei Fig. 5 und dienen ähnlichen Zwecken. Die zusätzlichen
Komponenten umfassen eine zusätzliche Halbleiterverstärkervorrichtung
in Form eines NPN-Transistors Q14, deren Emitter-Kollektorschaltung mit der
Emitter-Kollektorausgangsschaltung des Transistors Q10 und dem Betastungswiderstand R9 in Reihe geschaltet
ist. Die Basis des Transistors Q14 ist über den
Widerstand A12 mit dem Übergang des Widerstandes
10 und der Basis des Transistors Q12 verbunden. Eine
in einer Richtung leitende Schaltung in Form eines Paares von Dioden D1 und D2 ist in der Basis des
Transistors Q14 und der Erdklemme der Speisestromquelle
verbunden. Der Übergang zwischen dem Kollektor des Transistors Q14 und des Belastungswiderstandes
R9 ist unmittelbar mit der Basis einer weiteren Halbleiterverstärkervorriehtung in Form eines anderen
NPN-Transistors Q15 verbunden. Dieser Transistor
ist als Emitterfolger mit einem Widerstand A13
zwischen den Emitter des Transistors Q15 und die
Erdklemme geschaltet. Die Basis des Verstärkertransistors Q13 ist unmittelbar mit dem Emitter des Emitterfolgetransistors
Q15 verbunden.
Im Arbeitszustand des Stromkreises nach Fig. 6 verstärkt der Transistor Q14 weiter das Informationssignal, das an die Eingangsklemme 21 angelegt ist.
Der Transistor Q14 ist mit Bezug auf den Transistor
Q10 in Kaskode verbunden. Der Transistor Q15 ändert
lediglich den Impedanz- und Spannungspegel des Signals, wie an den Verstärkertransistor Q13 angelegt.
Der Zweck des Widerstandes A12 und der Dioden
D1 und D2 ist, als ein stabilisierter Basisvorspannungsstromkreis
für die Transistoren Q12 und Q14 zu
wirken, wenn diese Transistoren leitend sind, d. h. im geschlossenen Zustand des Stromkreises. Der Spannungsabfall
an den beiden Dioden D1 und D2 hat die
richtige Größe, um die richtige Vorspannung für den Transistor Q14 zu liefern, wobei jedoch eine dritte
Diode in Reihe geschaltet werden kann oder diese Dioden durch einen Widerstand zur Erzielung des
richtigen Spannungspegels ersetzt werden können.
Wenn der an die Schaltsignaleingangsklemme 22 angelegte Spannungspegel von dem geschlossenen
Pegel in den offenen Pegel übergeht, wird der Schalttransistor Q11 leitend und reduziert die Spannung an
den Basen der Transistoren Q12 und Q14 bis zu einem
Punkt, bei welchem sie nicht mehr Strom leiten können. Wie bei Fig. 5, sperrt dies den Durchgang des
Informationssignals aus der Klemme 21 zur Klemme 24, indem der Transistor Q10 nichtleitend gemacht
wird. Zusätzlich zur Tatsache, daß die Transistoren
Q10 und Q14 nichtleitend gemacht werden, wird diese
Basisvorspannung des Transistors Q15 auch zu einem
Punkt reduziert, bei welchem der Transistor nichtleitend ist. Dadurch wird wiederum die Spannung am
Widerstand A3 reduziert und der Transistor Q13 nichtleitend
gemacht. Infolge der Nichtleitfähigkeit sämtlicher
vier Transistoren, durch welche das Informationssignal hindurchgehen muß, und zwar aus der
Eingangsklemme 21 zur Ausgangsklemme 24, ist es klar, daß praktisch kein Signalstreustrom die Klemme
24 erreichen kann. Da der einzige Transistor im Stromkreis, der leitend verbleibt, wenn sich der
Stromkreis in seinem OFFENEN Zustand befindet, der Transistor Q11 ist, findet darüber hinaus sehr wenig
Wärmevergeudung in dem OFFENEN Zustand statt, so daß der Stromkreis sich sehr gut eignet, in
eine integrierte Schaltung eingebaut zu werden.
Eine typische Gruppe von "Parametern
Stromkreis nach Fig. 6 ist wie folgt:
R9 1,5 K
Stromkreis nach Fig. 6 ist wie folgt:
R9 1,5 K
R-in 6,5 K
100 Ohm
3,9 K
1,5 K
150 pF
C2 39 pF
Vcc ■ 12 Volt
Fig. 7 zeigt eine andere Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung. Dieser Stromkreis hat auch eine Anzahl Komponenten, welche dieselben wie jene
nach Fig. 5 sind, so daß nur die neuen Komponenten beschrieben werden. Zwei zusätzliche Halbleiterverstärkervorrichtungen,
die hier als NPN-Transistoren ß16 und ß17 dargestellt sind, sind mit dem Kollektor
des Verstärkertransistors Q10 differential verbunden.
In diesem Fall ist der Transistor Q16 sehr ähnlich dem
Kaskodentransistor Qu nach Fig. 6, wobei seine Emitter-Kollektorschaltung zwischen die Emitter-Kollektorschaltung
des Transistors Q10 und den Kollektorbelastungswiderstand
A9 in Reihe zwischengeschaltet ist. Die Basis des Transistors Q16 ist mit dem
Arm eines Potentiometers VR1 verbunden, während dieser Potentiometer an die Speisestromklemmen angeschlossen
ist, so daß die Speisestromspannung Vcc
daran angelegt wird. Ein Widerstand R14 ist mit dem
Widerstand R10 in Reihe geschaltet, um als eine Spannungstrennschaltung
zu wirken und die Vorspannung zu bestimmen, welche an die Basis des Schalttransistors
Q12 angelegt werden soll. Eine andere Spannungstrenneinrichtung,
welche die Widerstände R16 und l?17 aufweist, ist an den Speisestromklemmen zwischen
der Klemme 27 und Erde geschaltet, wobei der Mittelpunkt dieser Spannungstrenneinrichtung mit
der Basis des Transistors ß17 verbunden ist, so daß dann, wenn der Transistor Q15 nichtleitend ist, der
Transistor ß17 leitend ist und umgekehrt. Die Emitter-Kollektorausgangsschaltung
des Transistors Q17 ist zwischen den Kollektor des Transistors Q10 und
die Speisestromklemme 27 unmittelbar geschaltet.
Im Arbeitszustand des Stromkreises nach Fig. 7, wenn sich die an die Eingangsklemme 22 angelegte Spannung am GESCHLOSSENEN Pegel befindet, ist der Schalttransistor Q11 nichtleitend, während der Schalttransistor Q12 leitend ist. Die Leitfähigkeit des Transistors ß16 hängt von der Einstellung des Potentiometers VR1 ab, so daß dieser Potentiometer als Verstärkungsfaktorsteuerung für den Stromkreis wirkt. Diese Verstärkungsgradsteuerwirkung dient als Farbsättigungssteuerung, wenn der Stromkreis 7 nach Fig. 7 bei einem Fernsehempfänger Verwendung findet. Infolge der Differentialarbeitsweise der Transistoren Q16 bzw. Q17, ist der Transistor Q17 im GESCHLOSSENEN Zustand des Stromkreises nichtlei-
Im Arbeitszustand des Stromkreises nach Fig. 7, wenn sich die an die Eingangsklemme 22 angelegte Spannung am GESCHLOSSENEN Pegel befindet, ist der Schalttransistor Q11 nichtleitend, während der Schalttransistor Q12 leitend ist. Die Leitfähigkeit des Transistors ß16 hängt von der Einstellung des Potentiometers VR1 ab, so daß dieser Potentiometer als Verstärkungsfaktorsteuerung für den Stromkreis wirkt. Diese Verstärkungsgradsteuerwirkung dient als Farbsättigungssteuerung, wenn der Stromkreis 7 nach Fig. 7 bei einem Fernsehempfänger Verwendung findet. Infolge der Differentialarbeitsweise der Transistoren Q16 bzw. Q17, ist der Transistor Q17 im GESCHLOSSENEN Zustand des Stromkreises nichtlei-
für den tend.
Wenn das Schaltsignal K, das an die Schaltsignaleingangsklemme
22 angelegt ist, von dem GESCHLOSSENEN Pegel in den OFFENEN Pegel übergeht, schließt der Schalttransistor 11 den Widerstand
Ru kurz und senkt die Spannung an der Basis
des Transistors Q12 auf einen Punkt, bei welchem der
Transistor nicht mehr leiten kann. Als Ergebnis kann kein Strom durch den Transistor Q16 fließen, wobei
ίο jedoch infolge der Differentialarbeitsweise Strom
durch die Emitter-Kollektorschaltung des Transistors Q17 fließen kann. Da die Basis des Transistors Q13
mit dem Übergang zwischen dem Kollektor des Transistors Q16 und dem Belastungswiderstand R9 verbunden
ist, wird auch der Transistor Q13 zu dieser Zeit
nichtleitend.
Das an die Informationssignaleingangsklemme 21 im OFFENEN Zustand des Stromkreises angelegte
Informationssignal C kann nicht durch den Transistor Q10 durchgehen, wobei jedoch der Verstärkungsgrad
des Transistors, an seinem Kollektor gemessen, im wesentlichen gleich Null ist, da sein Kollektor praktisch
auf die Speisestromklemme 27 durch den leitenden Transistor Q17 kurzgeschlossen wird. Dadurch
wird die Amplitude eines Informationssignals am Kollektor des Transistors Q10 auf ein Minimum verringert.
Der Transistor Q16 ist nichtleitend, so daß verhältnismäßig wenig des Signalstromes einen Streuweg
durch den Transistor Q16 finden kann. Jeder soleher
etwaige Streustrom wird einen anderen Streuweg am nichtleitenden Transistor Q13 vorbeifinden müssen,
um die Ausgangsklemme 24 zu erreichen. Somit ergibt dieser Stromkreis, genau wie der in Fig. 6 gezeigteVeine
ausgezeichnete Trennung der Eingangssignalklemme 21 von der Ausgangssignalklemme 24.
Da die beiden Transistoren Q10 und Q17 im OFFENEN
Zustand des Stromkreises leitend sind, findet etwa mehr Wärmevergeudung im OFFENEN Zustand
statt als im Falle des Stromkreises nach Fig. 6.
Der Vorteil einer Verstärkungsgradsteuerung jedoch macht diesen Stromkreis nach Fig. 7 für gewisse
Zwecke bevorzugt gegenüber dem in F ig. 6 gezeigten.
Eine typische Gruppe von Parameterwerten für den
Stromkreis nach Fig. 7 ist wie folgt:
R15
16
VR1
C,
C,
3K
1,2 K
3K
HK
620 Ohm
8,2 K
3,6 K
1OK
15OpF
39 pF
12 Volt
1,2 K
3K
HK
620 Ohm
8,2 K
3,6 K
1OK
15OpF
39 pF
12 Volt
Hierzu 4 Blatt Zeichnungen
Claims (5)
1. Torschaltung mit einem Informationssignal-Eingangsanschluß,
mit einem Schaltsignal-Eingangsanschluß, dem ein zwischen einem Sperrpegel
und einem Durchlaßpegel veränderbares Schaltsignal zuzuführen ist, mit einem ersten und
einem zweiten Stromversorgungsanschluß, die mit einer Gleichstromquelle zu verbinden sind, mit
Informationssignal-Ausgangsanschlüssen, von denen ein Ausgangssignal entnehmbar ist und von
denen der eine mit dem ersten Stromversorgungsanschluß verbunden ist, mit einem Schalttransistor,
dessen eine Elektrode als Eingangselektrode mit dem Schaltsignal-Eingangsanschluß verbunden
ist, wobei die Leitfähigkeit seiner Ausgangsstrecke von dem Pegel des Schaltsignals abhängt,
mit einem ersten Verstärkertransistor, dessen eine Elektrode als Eingangselektrode mit dem Informationssignal-Eingangsanschluß
verbunden ist, wobei seine Ausgangsstrecke über eine Ausgangslastimpedanz
zwischen die Stromversorgungsanschlüsse geschaltet ist und wobei über seiner Ausgangsstrecke
nur dann das verstärkte Informationssignal auftritt, wenn das Schaltsignal seinen
Durchlaßpegel hat, und mit einem zweiten Verstärkertransistor, dessen eine Elektrode als Eingangselektrode
mit dem Ausgang des ersten Verstärkertransistors gekoppelt ist und dessen Ausgangsstrecke
zwischen den anderen Äusgangsanschluß und den zweiten Stromversorgungsanschluß
geschaltet ist, um eine zweite Verstärkung des Informationssignals zu erreichen, wobei der
Schalttransistor sowie der erste und der zweite Verstärkertransistor alle vom gleichen Leitfähigkeitstyp
sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgangsstrecke des Schalttransistors (Q12),
die Ausgangslastimpedanz (R9) und die Ausgangsstrecke
des ersten Verstärkertransistors XQi0) in der genannten Reihenfolge in einer Serienschaltung
liegen, welche direkt zwischen die beiden Stromversorgungsanschlüsse (27, Masse)
geschaltet ist, und daß die Eingangselektrode des
zweiten Verstärkertransistors (on) m^ der erwähnten
Serienschaltung an einer Stelle zwischen der Ausgangslastimpedanz (U9) und der Ausgangsstrecke
des ersten Verstärkertransistors (O10) verbunden ist, derart, daß die Ausgangsstrecke
des zweiten Verstärkertransistors (Q13)
nur leitend ist, wenn das Schaltsignal seinen Durchlaßpegel hat.
2. Torschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein zweiter Schalttransistor
(Q11) von der gleichen Leitfähigkeitstype wie der
erste Schalttransistor (Q12) vorgesehen ist, dessen
eine Elektrode als Eingangselektrode mit dem Schaltsignal-Eingangsanschluß (22) gekoppelt ist
und dessen Ausgangsstrecke in Serie mit dem Lastwiderstand (R10) zwischen die Stromversorgungsanschlüsse
(27, Masse) geschaltet ist, und daß die Eingangselektrode des ersten Schalttransistors
(G12) mit dem Ausgang des zweiten Schalttransistor»
(Q11) an der Verbindungsstelle des
zweiten Transistors (Q11) mit dem erwähnten
Lastwiderstand (A10) verbunden ist.
3. Torschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß ein dritter Verstärkertransistor
(Q14) in Kaskade zwischen die Ausgangsstrecke
des ersten Verstärkertransistors (Q10) und die Eingangselektrode des zweiten Verstärkertransistors
(ß13) geschaltet ist, und daß ein zusätzlicher
Schaltungsteil (D1, D2, R12) vorgesehen ist, der
die Eingangselektrode des dritten Verstärkertransistors (Q14) mit dem Schaltsignal-Eingangsanschluß
(22) verbindet und so ausgebildet ist, daß der dritte Verstärkertransistor ( Q14) nur dann leitend
wird, wenn das Schaltsignal (Κ} seinen Durchlaßpegel hat.
4. Torschaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet,
daß der zusätzliche Schaltungsteil eine Impedanz (Ri2) enthält, weiche die Eingangselektrode
des dritten Verstärkeltransistors (Q14) mit der Eingangselektrode des ersten
Schalttransistors ( Q12) verbindet,, und daß der zusätzliche Schaltungsteil ferner nur in einer Richtung
gleitende Schaltelemente (Z)1, D^ enthält,
die in Serie zwischen die Eingangselektrode, des dritten Transistors ( Q14) und dem zweiten Stromversorgungsanschluß
(Masse) geschaltet sind.
5. Torschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß ein dritter Verstärkertransistor
(Q16) vorgesehen ist, dessen Ausgangsstrecke in
Serie zwischen die Ausgangsstrecke des ersten Verstärker transistors ( Q10) und die Ausgangslastimpedanz.
(R9) geschaltet ist, daß eine als Eingangselektrode
bestimmten Elektrode des dritten Verstärkertransistors (Q16) eine steuerbare Vorspannung
( Fg1) zugeführt ist, um die Verstärkung
des Informationssignals durch den dritten Verstärkertransistors (Q16) zu steuern^, und daß ein
vierter Verstärkertransistor (Q17) vorgesehen, ist,
welcher so vorgespannt ist, daß er normalerweise leitend ist, wobei seine Ausgangsstrecke in Serie
zwischen die Ausgangsstrecke des ersten Verstärkertransistors (Q10) und dem ersten Stromversorgungsanschluß
(27) geschaltet ist, derart daß der dritte und vierte Verstärkungstransistor(QI6, Q17)
einen Differentialverstärker bilden.
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) |