DE2338248A1

DE2338248A1 - Lichtempfindliches elektrophotographisches aufzeichnungsmaterial

Info

Publication number: DE2338248A1
Application number: DE19732338248
Authority: DE
Inventors: Katutoshi Endo; Hideyo Nishizima; Makoto Ohira; Michio Takahashi
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1972-08-02
Filing date: 1973-07-27
Publication date: 1974-02-21
Also published as: JPS5033859B2; GB1441308A; JPS4935035A; FR2194991A1; FR2194991B1; CA993254A

Description

PATENTANWÄLTE HENKEL— KERN — FEILER — HÄNZEL-— MÜLLER

DR. I¹HlL. nil'L.-ING. DR. RER. NAT. DIPI..-ING. DIPL.-ING.

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Kabushiki Kaisha Ricoh, - 2338248

Tokio, Japan

27. JUL11973

Lichtempfindliches elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial

Die Erfindung betrifft ein lichtempfindliches elektrophotographisches bzw. elektrographisches Aufzeichnungsmaterial, insbesondere ein verbessertes lichtempfindliches" elektrophotographisches oder elektrographisches Aufzeichnungsmaterial mit einer eine amorphe Selen/Tellur- oder amorphe Selen/Arsen-Legierung enthaltenden photoleitfähigen Schicht.

Übliche elektrophotographische oder elektrographisehe Aufzeichnungsmaterialien besitzen in der Regel eine auf einen elektrisch leitenden Schichtträger aufgetragene photoleitfähige Schicht aus amorphem Selen, die lediglich eine spektrale Empfindlichkeit innerhalb eines eng begrenzten Bereichs des Spektrums besitzt. Um diesem Nachteil zu begegnen, wurden bereits lichtempfindliche Aufzeichnungsmaterialien entwickelt, in deren lichtempfindlicher Schicht das Selen in Form einer Legierung mit Tellur oder Arsen enthalten ist (vgl. US-PS 2 745 327 und 2 803 542). Diese lichtempfindlichen Aufzeichnungsmaterialien besitzen zwar eine verbesserte spektrale Empfindlichkeit, sie ermüden ,jedoch bei längerem Gebrauch oder längerer Belichtung mit starkem Licht, was dazu führt, daf3 bei kontinuierlicher

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Verwendung desselben Aufzeichnungsmaterials die Bilddichte der damit hergestellten Bildkopie erniedrigt und/oder der Bildhintergrund der damit hergestellten Bildkopie fleckig wird. Darüber hinaus erscheinen beim Kopieren mehrerer Vorlagen auf der jeweils nächsten Bildkopie Geisterbilder der vorherigen Vorlage. Aus der US-PS 2 803 541 und der japanischen Patentanmeldung 12670/1969 ist es bekannt, diesen Schwierigkeiten dadurch zu begegnen, daß man eine aus einer sehr dünnen Schicht aus einer Selen/Tellur- oder Selen/Arsen-Legierung über der Selenschicht bestehende photoleitfähige Doppelschicht verwendet. Derartige Aufzeichnungsmaterialien sind jedoch nur schwierig und unter größeren Kosten herzustellen, da jede der Schichten durch Vakuumbedampf ung hergestellt werden muß. Darüber hinaus ist die Haltbarkeit der Legierungsschicht unzureichend.

Aus der japanischen Patentanmeldung 30318/1970 ist ein Verfahren zur Erniedrigung der Lichtermüdung bekannt, bei welchem ein lichtempfindliches Aufzeichnungsmaterial mit einer aus einer amorphen Selen/Arsen-Legierung bestehenden photoleitfähigen Schicht mit Licht innerhalb eines engeren Bereichs als der spektrale Empfindlichkeitsbereich der photoleitfähigen Schicht belichtet wird. Dieses Verfahren bringt jedoch keine Ausweitung des Empfindlichkeitsbereichs von Selen.

Der Erfindung lag nun die Aufgabe zugrunde, ein lichtempfindliches elektrophotographisches oder elektrographisches Aufzeichnungsmaterial mit einer eine amorphe Selen/Telluroder Selen/Arsen-Legierung enthaltenden photoleitfähigen Schicht zu entwickeln, welches ungeachtet des Tellur- oder Arsengehalts hinsichtlich seiner Empfindlichkeit nicht beeinträchtigt ist, eine gute Haltbarkeit besitzt und infolge

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verminderter Lichtermüdung bei kontinuierlichen Kopierverfahren verwendet werden kann.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß man zwischen einer photoleitfähigen Schicht aus einer amorphen Selen/Tellur- oder amorphen Selen/Arsen-Legierung und dem jeweiligen elektrisch leitenden Schichtträger eine Zwischenschicht aus einem anorganischen Halbleiter vorsieht.

Zur Ausbildung dieser Zwischenschicht können die verschiedensten anorganischen Halbleiter mit Trägerinjektionseigenschaften, z.B. auch amorphe Formen von Halbleitern, verwendet werden. In typischer Weise geeignete Halbleiter sind beispielsweise Germanium, Silizium, Bor, Antimonsulfid, Aluminiumantimonid und dergleichen.

Im folgenden wird die Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert. Im einzelnen zeigen:

Fig. 1 ein lichtempfindliches elektrophotographisches oder elektrographisches Aufzeichnungsmaterial gemäß der Erfindung;

Fig. 2 eine graphische Darstellung zum Vergleich der Lichtermüdung (bei Vorbelichtung) eines lichtempfindlichen Aufzeichnungsmaterials gemäß der Erfindung mit Germanium als anorganischem Halbleiter und einem Vergleichsmaterial ohne Zwischenschicht und

3 eine graphische Darstellung zum Vergleich der Lichtermüdung (bei Vorbelichtung) eines lichtempfindlichen Aufzeichnungsmaterials gemäß der Erfindung mit Sb₂S, als anorganischem Halbleiter und einem Vergleichsmaterial ohne Zwischenschicht.

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Das in Figur 1 dargestellte elektrophotographische oder elektrographische Aufzeichnungsmaterial enthält als elektrisch leitenden Schichtträger 1 einen starren Schichtträger, z.B. eine Aluminiumplatte. Aluminium wird wegen seiner ausgezeichneten Be- und Verarbeifbarkeit, elektrischen Leitfähigkeit und seines geringen Gewichts allgemein als Schichtträger für die verschiedensten elektrophotographischen und elektrographischen Aufzeichnungsmaterialien verwendet. Ungeachtet dessen können jedoch auch andere starre Schichtträger verwendet werden. Gegebenenfalls kann der Schichtträger auch biegsam sein und beispielsweise aus elektrisch leitfähig gemachten Folien oder Geweben bestehen. Schließlich kann der Schichtträger auch noch aus Metall/Papier-Laminaten, mit Aluminium- oder Kupferjodidfilmen beschichteten Kunststoffolien oder mit Chrom- oder Zinnoxid beschichteten Glasplatten bestehen.

Eine aus einem anorganischen Halbleiter bestehende Zwischenschicht 2 dient zur Verbesserung der elektrischen Grenzflächeneigenschaften zwischen dem elektrisch leitenden Schichtträger bzw. dem oberflächlich elektrisch leitend gemachten Schichtträger und einer photoleitfähigen Schicht 3 aus einer amorphen Selen/Tellur- oder Selen/ Arsen-Legierung. Ferner dient diese Zwischenschicht zur Verminderung der Lichtermüdung der photoleitfähigen Schicht.

Lichtempfindliche elektrophotographische oder elektrographische Aufzeichnungsmaterialien gemäß der Erfindung können durch Auflaminieren eines anorganischen Halbleiters und einer amorphen Selen/Tellur- oder amorphen Selen/Arsen-Legierung (in der angegebenen Reihenfolge) auf einen Schichtträger nach einem Vakuumbedampfungsverfahren und dergleichen hergestellt werden. Zur Ausbildung der Zwi-

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schenschicht kann man sich auch eines Elektrolyseverfahrens bedienen. Der verwendete anorganische Halbleiter kann entweder kristallin oder amorph sein, in amorpher Form wird er erfindungsgemäß bevorzugt.

Das Gewichtsverhältnis Selen zu Tellur oder Arsen in der jeweiligen Legierung kann sehr verschieden sein. In typischer Weise beträgt dieses Verhältnis etwa 100 : 4 bis 100 : 25. Die Stärke der Zwischenschicht beträgt in der Regel etwa 0,01 bis 10 u, die Stärke der photoleitfähigen Schicht etwa 10 bis 100 u. Die Stärke der jeweiligen Schicht kann jedoch ohne Beeinträchtigung der angestrebten Ergebnisse auch beträchtlichen Änderungen unterliegen.

Auf derart hergestellte lichtempfindliche elektrophotographische oder elektrographische Aufzeichnungsmaterialien kann weiterhin ein organischer Photoleiter, in typischer Weise PoIy-N-vinylcarbazol, in Form einer Schicht einer Stärke von etwa 5 bis 20 u aufgetragen v/erden. Bei Verwendung einer (zusätzlichen) Schicht aus einem organischen Photoleiter soll die Stärke der Legierungsschicht vorzugsweise etwa 0,1 bis 5 η betragen.

Die in Figur 2 abgebildete graphische Darstellung läßt einen direkten Vergleich der Lichtermüdungseigenschaften / eines lichtempfindlichen Aufzeichnungsmaterials gemäß der Erfindung und eines keine Zwischenschicht enthaltenden lichtempfindlichen Vergleichsmaterials zu. Das lichtempfindliche Aufzeichnungsmaterial gemäß der Erfindung besaß eine 1 η starke Germaniumzwischenschicht und eine 50 ii starke Schicht aus einer amorphen Selen/Tellur-Legierung. Die photoleitfähige Schicht befand sich auf einer Aluminiumplatte. Das Vergleichsmaterial besaß einen entsprechenden Schichtträger und eine entsprechende photoleitfähige

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*/(l,ei einer Vorbelichtungy

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Schicht, jedoch keine Zwischenschicht aus dem anorganischen Photoleiter.

In Figur 2 gibt die Kurve (1) die Lichtermüdungseigenschaften eines lichtempfindlichen Aufzeichnungsmaterials gemäß der Erfindung, die Kurve (2) die Lichtermüdungseigenschaften des Vergleichsmaterials wieder. Die Kurven (3) und (4) veranschaulichen die Lichtabfalleigenschaften des lichtempfindlichen Aufzeichnungsmaterials gemäß der Erfindung bzw. des Vergleichsmaterials ohne Vorbelichtung (nach einer Dunkeladaption Ms zum Aufladen). Die ersten beiden Kurven wurden dadurch erhalten, daß die betreffenden Aufzeichnungsmaterialien 10 see lang mit Licht einer 800-Lux-Wolframlampe einer Farbtemperatur von 2854°K belichtet wurden. Nach der Vorbelichtung wurden die betreffenden Aufzeichnungsmaterialien im Dunkeln auf ein Anfangspotential von 1 kV aufgeladen und dann nacheinander mit Hilfe der beschriebenen Lichtquelle mit Licht von 10 Lux belichtet, wobei die Lichtabfalleigenschaften ermittelt wurden. Bei der Aufstellung der Kurven (3) und (4) wurden die Aufzeichnungsmaterialien in ähnlicher Weise aufgeladen und belichtet. Wie aus der graphischen Darstellung hervorgeht, betrug das Restpotential des Vergleichsmaterials etwa 5 see nach der Belichtung etwa 50 V. Ferner war hierbei eine Lichtermüdung festzustellen. Das lichtempfindliche Aufzeichnungsmaterial gemäß der Erfindung zeigte (nach derselben Zeit) nur noch ein Restpotential von unter 10 V und praktisch keine Lichtermüdung. Ein Restbild infolge Lichtermüdung beruht vermutlich auf einer Lokalisierung eines Lochs bzw. einer Elektronenmangelstelle in der amorphen Selen/Tellur-Legierung oder auf einer Sperre zwischen einem Schichtträger und einer photoleitfähigen Schicht. Bei lichtempfindlichen Aufzeichnungsmaterialien gemäß der Erfindung

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besteht eine geringere Neigung zur Lokalisierung von Löchern bzw. Elektronenmangelsteilen; darüber hinaus wird die Sperre durch Verwendung einer Halbleiterzwischenschicht beträchtlich gesenkt, was zu einer Verminderung der Lichtermüdung führt.

In Figur 3 veranschaulichen die Kurven (5) und (6) die entsprechenden Lichtermüdungserscheinungen eines lichtempfindlichen Aufzeichnungsmaterials gemäß der Erfindung und die Kurven (7) und (8) die entsprechenden Lichtermüdungserscheinungen eines Vergleichsmaterials. Das lichtempfindliche Aufzeichnungsmaterial gemäß der Erfindung bestand aus einem Aluminiumschichtträger, einer Sb2S,-Zwischenschicht und einer photoleitfähigen Schicht aus einer Selen/ Tellur-Legierung. Das Vergleichsmaterial bestand aus einem Aluminiumschichtträger und einer darauf aufgetragenen photoleitfähigen Schicht aus einer Selen /Tellur-Legierung.

Im Falle der Kurve (5) fiel das ursprüngliche Oberflächenpotential von 1000 V des Aufzeichnungsmaterials nach einer Dunkeladaption im Laufe der Zeit ab, wobei etwa 3,6 see zur Erniedrigung von 1000 V auf 50 V erforderlich waren. Die Kurve (6) zeigt einen Zustand, in welchem das lichtempfindliche Aufzeichnungsmaterial nach intensiver Belichtung mit einer 2600°K-Wolframlampe (Vorbelichtung) mit Licht einer Farbtemperatur von 2854°K belichtet wurde, um sein ursprüngliches Oberflächenpotential von 1000 V zu erniedrigen. Dieses war nach 3,6 see auf 83 V gefallen. Die Kurve (7) zeigt, daß das ursprüngliche Oberflächenpotential (bei entsprechender Bestimmung wie Kurve (5) auf 170 V gefallen war. Auch bei Kurve (8) war das Oberflächenpotential (bei entsprechender Messung wie bei Kurve (6) nur auf 170 V gefallen.

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Die folgenden Beispiele sollen die Erfindung näher veranschaulichen.

Beispiel 1

Auf einen vorher mit Trichlorethylen entfetteten Aluminiumschichtträger wurde mit Hilfe eines Elektronenstrahls in einem Vakuum von 10"^ Torr eine etwa 1000 S. (0,1 u ) starke Germaniumschicht aufgedampft. Auf diese Schicht, wurde im Vakuum eine 50 η starke Schicht aus einer vorher in einem Quarzschiffchen mit einem Wolframfaden widerstandserhitzten amorphen Selen/Tellur-Legierung aufgedampft. Hierbei wurde ein lichtempfindliches elektrophotographisches oder elektrographisches Aufzeichnungsmaterial gemäß der Erfindung erhalten. Die (die photoleitfähige Schicht bildende) Legierung wurde aus 99,99/° reinem Selen und 99,99/j reinem TeIIu^. Diese Legierung wurde hergestellt, indem Selen und Tellur in evakuierten und versiegelten Pyrex-Glas-Ampullen unter mechanischem Vermischen (durch Hin- und Herschwingen des Ofens) durch Erhitzen vorlegiert wurden.

Das erhaltene lichtempfindliche Aufzeichnungsmaterial (gemäß der Erfindung) eignete sich zur Herstellung von 1000 aufeinanderfolgenden Kopien einer Vorlage, ohne daß die Bilddichte der erhaltenen Kopien erniedrigt oder der Hintergrund der erhaltenen Kopien fleckig wurde.

Selbst nach kontinuierlichem Kopieren einer ersten Vorlage konnten auf einer von einer zweiten Vorlage hergestellten Kopie keine Geisterbilder festgestellt v/erden.

Beispiel 2

In schwefelsaurer Lösung wurde eine Germaniumdioxidlösung ti/ hergestellt _9_

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rait Hilfe einer negativen Elektrode aus einer polierten Kupferplatte und einer positiven Elektrode aus Kohlenstoff elektrolysiert (in einer Fluorwasserstoffsäurelösung bildet sich HpGeFg, wobei sich Germanium nicht abscheidet). Das auf der Kupferplatte abgeschiedene Germanium bildete einen 1 u starken Film. Auf den erhaltenen Film vrurde im Vakuum ein 40 u starker Film aus einer glasartigen Selen/Tellur-Legierung, die 8 Gew.-/'o Tellur enthielt und, wie im Beispiel 1 beschrieben, hergestellt wurde, aufgedampft, wobei ein lichtempfindliches Aufzeichnungsmaterial gemäß der Erfindung erhalten wurde. Wurde dieses, wie im Beispiel 1 geschildert, zu Kopierzwecken verwendet, zeigte es sich, daß es entsprechende Eigenschaften wie das gemäß Beispiel 1 hergestellte lichtempfindliche Aufzeichnungsmaterial besaß.

Beispiel 3

Bei der im folgenden beschriebenen Elektrolyse wurde als negative Elektrode eine Kupferplatte verwendet, die zuvor aus einer alkalischen Kupfersulfatlösung frisch hergestellt worden war. Diese Elektrode wurde in eine 3n Kaliumhydroxidlösung mit 0,025 mg Germaniumdioxid eingetaucht, wobei auf der Kupferplatte bei einer Spannung von 3 "V, einer Stromdichte von 0,2 A/dm und einer Badtemperatur von 80⁰C ein 15 u starker Germaniumfilm abgeschieden wurde. Auf den Germaniumfilm wurde im Vakuum eine 80 ii starke Schicht aus einer amorphen Selen/Tellur-Legierung, die 4 Gew.-% Tellur enthielt und, wie im Beispiel 1 beschrieben, hergestellt worden war, aufgedampft, wobei ein lichtempfindliches Aufzeichnungsmaterial gemäß der Erfindung erhalten wurde.

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Selbst nach einer größeren Anzahl kontinuierlicher Kopiervorgänge konnte bei Verwendung dieses lichtempfindlichen Aufzeichnungsmaterials kein Geisterbild festgestellt werden. Mit einem keine Germaniumzwischenschicht aufweisenden entsprechenden lichtempfindlichen Aufzeichnungsmaterial konnte dagegen bei Vorlagenwechsel das Auftreten von Geisterbildern festgestellt werden.

Beispiel 4

Eine Lösung von 29 g/l Germanitundisulfid, 40 g/l Kaliun:- hydroxid und 12 g/l Natriumsulfid wurde unter Verwendung einer aus einer Kupferplatte bestehenden negativen Elektrode und einer positiven Kohleelektrode bei einer Badtemperatur von 2O⁰C, einer Spannung von 2,5 V und einer Stromdichte von 25 A/dm elektrolysiert, wobei sich auf der Kupferplatte ein 0,2 u starker Germaniumfilm niederschlug. Auf den erhaltenen Germaniumfilm wurde im Vakuum eine 60 μ starke photoleitfähige Schicht aus einer amorphen Selen/ Arsen-Legierung aufgedampft. Die verwendete Selen/Arsen-Legierung wurde aus 99,99% reinem Selen und 99,99% reinem Arsen durch Versiegeln im Vakuum hergestellt.

Das hierbei erhaltene lichtempfindliche elektrophotographische oder elektrographische Aufzeichnungsmaterial zeigte bei seiner Verwendung zu Kopierzwecken entsprechende Eigenschaften wie die lichtempfindlichen elektrophotographischen oder elektrographischen Aufzeichnungsmaterialien (gemäß der Erfindung) der vorhergehenden Beispiele.

Beispiel 5

Eine 7%ige Athylenglykollösung von Germaniumtetrachlorid oder Germaniumtetrajodid wurde unter Verwendung einer aus

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einer Kupferplatte bestehenden negativen Elektrode und einer positiven Graphitelektrode bei einer Spannung von 6 V, einer Stromdichte von 0,4 A/dm und einer Badtemperatur von 60°C elektrolysiert, wobei sich auf der Kupferplatte ein 2,2 u starker Germaniumfilm niederschlug. Auf den erhaltenen Germaniumfilm wurde im Vakuum eine 90 η starke Schicht aus einer glasartigen Selen/Arsen-Legierung aufgedampft. Bei der verwendeten Selen/Arsen-Legierung handelte es sich um die auch in Beispiel 4 verwendete Selen/Arsen-Legierung.

Das erhaltene lichtempfindliche elektrophotographische oder elektrographische Aufzeichnungsmaterial zeigte bei seiner Verwendung zu Kopierzwecken entsprechende Eigenschaften wie die lichtempfindlichen elektrophotographischen oder ejektrographisehen Aufzeichnungsmaterialien (gemäß der Erfindung) der Beispiele 1 bis 4.

Beispiel 6

Durch Aufdampfen im Vakuum mittels eines Elektronenstrahls wurde auf einen eine dünne Kupferjodidschicht tragenden Polyesterfilm ein 0,2 u starker Germaniumfilm aufgetragen. Auf den erhaltenen Germaniumfilm wurde im Vakuum eine 0,5 U starke photoleitfähige Schicht aus einer glasartigen Selen/Tellur-Legierung, die 15 Gew.-% Tellur enthielt und, wie im Beispiel 1 beschrieben, hergestellt worden war, aufgedampft. Auf diese photoleitfähige Schicht wurde schließlich eine 15 U starke Schicht aus dem aus PoIy-N-vinylcarbazol bestehenden organischen Photoleiter aufgetragen.

Das erhaltene lichtempfindliche Aufzeichnungsmaterial zeigte bei seiner Verwendung zu Kopierzwecken entsprechende

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Eigenschaften wie die lichtempfindlichen Aufzeichnungsmaterialien (gemäß der Erfindung) der vorherigen Beispiele.

Beispiel 7

Auf einen vorher mit Trichloräthylen entfetteten Aluminiumschichtträger wurde mittels eines Elektronenstrahls 99,999% reines Silizium in einem Vakuum von ΙΟ"-³ Torr zu einer etwa 3000 Ä (0,3 n) starken Schicht aufgedampft. Auf die erhaltene Siliziumschicht wurde im Vakuum eine 50 u starke Schicht aus einer vorher mittels einer Wolframlampe in einem Quarzschiffchen vorerhitzten amorphen Selen/Arsen-Legierung aufgedampft, wobei ein lichtempfindliches elektrophotographisches oder elektrographisches Aufzeichnungsmaterial gemäß der Erfindung erhalten wurde. Die verwendete Legierung wurde in der in Beispiel 1 geschilderten Weise aus 99,99% reinem Selen und 99,999% reinem Arsen hergestellt und enthielt 4 Gew.-% Arsen.

Das erhaltene lichtempfindliche Aufzeichnungsmaterial konnte zur Herstellung von 50 aufeinanderfolgenden Bildkopien verwendet werden, ohne daß die Bilddichte erniedrigt oder der Bildhintergrund fleckig wurde.

Beispiel 8

Auf einen vorher mit Trichloräthylen entfetteten Aluminiumschichtträger wurde durch Vakuumverdampfen von 99,99% reinem Sb₀S, in einem Molybdänschiffchen bei einem Unterdruck von 10 Torr ein 0,1 η starker SbpS^-Film aufgedampft. Auf den erhaltenen SbpS^-Film wurde im Vakuum eine 70 u starke Schicht aus einer vorher mit einer Wolframlampe in einem Schmelztiegel erhitzten amorphen Selen/Tellur-Legierung aufgedampft, wobei ein lichtempfindliches

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elektrophotographisches oder elektrographisch.es Aufzeichnungsmaterial gemäß der Erfindung erhalten wurde. Die verwendete amorphe Selen/Tellur-Legierung war dieselbe, wie sich auch im Beispiel 1 verwendet wurde.

Zu Vergleichszwecken wurde ein lichtempfindliches Vergleichsmaterial hergestellt, indem auf den Aluminiumschichtträger (ohne die SbpS,-Schicht) im Vakuum direkt eine Schicht aus der amorphen Selen/Tellur-Legierung aufgedampft wurde.

Ein Vergleich der elektrostatischen Eigenschaften der beiden Aufzeichnungsmaterialien erbrachte die in der folgenden Tabelle zusammengestellten Ergebnisse:

Tabelle

Lichtempfindliches Auf- Empfindlichkeit Lichtermüdung Zeichnungsmaterial (Lux sec) (V)

Al/Sb₂S,/Se«Te (gemäß

der Erfindung) 5,29 83

Al/Se'Te (Vergleichsmaterial) 5,14 170

Lichtempfindlichkeit: Die zur Erniedrigung des ursprünglichen elektrischen Oberflächenpotentials von 1000 V auf 50 V durch Bestrahlung mit einer 2854⁰K-WoIframlampe nach 24-stündiger Dunkeladaption erforderliche Lichtmenge.

Lichtermüdung: Bei 1-minütiger Belichtung mit einer 2854⁰K-Wolframlampe einer Beleuchtungsstärke von 800 Lux nach 24-stündiger Dunkeladaption und entsprechend langer Vorbelichtung, wie sie unter Empfindlichkeit zur Erniedrigung des

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(ursprünglichen) OberfLächenpotentials von 1000 V auf 50 V durch Belichtung mit einer 2854°K-Wolframlampe nach 24-stündiger Dunkeladaption benötigt wurde, mit Licht einer Farbtemperatur von 260Q°K eines ursprünglich ein Oberflächenpotential von 1000 V aufweisenden lichtempfindlichen Aufzeichnungsmaterials erreichter Wert (für das Restpotential). Wenn das Lichtermüdungspotential zwischen 100 V und (möglichst nahe an) 50 V liegt, wird es auf dem einschlägigen Fachgebiet als ausreichend niedrig angesehen.

Aus der Tabelle geht hervor, daß ein lichtempfindliches Aufzeichnungsmaterial gemäß der Erfindung dem Vergleichsmaterial ohne Zwischenschicht in der Empfindlichkeit und den Lichtermüdungseigenschaften überlegen ist.

Beispiel 9

Auf einen zuvor mit Trichloräthylen entfetteten Aluminiumschichtträger wurde im Vakuum 99,99% reines AlSb in einem Molybdänschiffchen bei einem Unterdruck von 10 Torr zu einem 1 η starken AlSb-FiIm aufgedampft. Auf den erhaltenen AlSb-FiIm wurde im Vakuum eine 40 u starke Schicht aus einer mit einer Wolframlampe in einem Schmelztiegel erhitzten amorphen Selen/Arsen-Legierung aufgedampft, wobei ein lichtempfindliches Aufzeichnungsmaterial gemäß der Erfindung erhalten wurde. Die Legierung wurde, wie im Beispiel 7 beschrieben, hergestellt.

Bei Verwendung des erhaltenen lichtempfindlichen Aufzeichnung smat er ials zu Kopierzwecken konnten 50 aufeinanderfolgende Kopien hergestellt werden, ohne daß die Bilddichte erniedrigt wurde oder Geisterbilder erschienen.

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Claims

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Patentansprüche

/1. Lichtempfindliches elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial, bestehend aus einem elektrisch leitenden Schichtträger und einer darauf aufgetragenen photoleitfähigen Schicht aus einer amorphen Selen/Telluroder Selen/Arsen-Legierung, dadurch gekennzeichnet, daß es eine Zwischenschicht aus einem anorganischen Halbleiter enthält.
2. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Gewichtsverhältnis Selen zu Tellur oder Arsen in der die photoleitfähige Schicht bildenden Legierung etwa 100 s 4 bis 100 : 25 beträgt.
3. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Stärke der Zwischenschicht etwa 0,01 bis 10 u und der photoleitfähigen Schicht etwa 10 bis 100 u beträgt.
4. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenschicht und die photoleitfähige Schicht durch Vakuumbedampfung hergestellt wurden.
5. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenschicht und die photoleiijghige Schicht durch Elektrolyse bzw. Vakuumbedampfung hergestellt wurden.
6. Aufzeichnungsmaterial nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die

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Zwischenschicht aus Germanium, Silizium, Bor, Antimonsulfid oder Aluminiumantimonid besteht.
7. Aufzeichnungsmaterial nach Ansprüchen 1 und/oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß der die Zwischenschicht bildende anorganische Halbleiter amorph ist.
8. Aufzeichnungsmaterial nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß auf die photoleitfähige Schicht eine Schicht aus einem organischen Photoleiter aufgetragen ist.
9. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Stärke der Schicht aus dem organischen Photoleiter etwa 5 bis 20 ix und der aus der Legierung bestehenden photoleitfähigen Schicht etwa 0,1
bis 5 η beträgt.
10. Aufzeichnungsmaterial nach Ansprüchen 8 und/oder 9, dadurch gekennzeichnet, daß auf die aus der Legierung
bestehende photoleitfähige Schicht eine Schicht aus
PoIy-N-vinylcarbazol aufgetragen ist.

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