DE2333283A1

DE2333283A1 - Photokathode fuer bildaufnahmeroehre

Info

Publication number: DE2333283A1
Application number: DE19732333283
Authority: DE
Inventors: Naohiro Goto; Tadaaki Hirai; Kiyohisa Inao; Yukinao Isozaki; Eiichi Maruyama; Keichi Shidara; Keiichi Shidara; Teruo Uchida; Hideaki Yamamoto
Original assignee: Hitachi Ltd; Japan Broadcasting Corp
Current assignee: Hitachi Ltd; Japan Broadcasting Corp
Priority date: 1972-07-03
Filing date: 1973-06-29
Publication date: 1974-01-31
Also published as: FR2237307A1; FR2237307B1; NL158019B; US3890525A; DE2333283B2; GB1422381A; NL7309190A

Description

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HITACHI, LTD., Tokio (Japan)

und
NIPPONHOSOKYOKAI, Tokio (Japan)

Photokathode für Bildaufnahmeröhre

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf die Ausbildung einer photoleitenden Schicht, die als Photokathode einer Bildaufnahmeröhre des Vidikontyps verwendet wird, und insbesondere auf eine photoleitende Schicht mit einem gleichrichtenden Kontakt, der eine erhöhte Empfindlichkeit und eine verbesserte spektrale Empfindlichkeit gegenüber rotem Licht aufweist. .

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81-(POS 30 252)-Ko-r (9)

Sb S', PbO und Si werden im allgemeinen als Materialien photoleitender Schichten für die Photokathode einer Bildaufnahmeröhre des Vidikontyps verwendet. Unter diesen Materialien bildet Sb S eine photoleitende Schicht eines injizierenden Kontakttyps, während PbO und Si für photoleitende Schichten des gleichrichtenden Kontakttyps oder des Übergangszo'nentyps verwendet werden. Die Vorteile der photoleitenden Schicht des gleichrichtenden Kontakttyps oder des Übergang szonentyps gegenüber einer photoleitenden Schicht des Injektionstyps sind eine höhere Ansprechgeschwindigkeit, ein kleinerer Dunkelstrom und eine höhere Empfindlichkeit. Jedoch sind die photoleitenden Materialien, die zur Herstellung eines gleichrichtenden Kontaktes geeignet sind, der in vorteilhafter Weise als Photokathode einer Bildaufnahmeröhre verwendbar ist, begrenzt, und es ist schwierig, ein photoleitendes Material mit Eigenschaften anzugeben, die in jeder Hinsicht zufriedenstellend sind.

Der Spitzenwert der spektralen Empfindlichkeit liegt beispielsweise in der Nähe des infraroten Bereiches für Si und auf der Seite der sichtbaren kurzen Wellenlängen für PbO, mit dem Ergebnis, daß jeweils Si und PbO bei ihrer Verwendung für eine Farbbildaufnahmeröhre eine ungenügende Empfindlichkeit gegenüber blauem und rotem Licht aufweisen. Versuche der Anmelderin haben ergeben, daß amorphes Selen ebenfalls durch Herstellung eines gleichrichtenden Kontaktes für die Photokathode einer Bildaufnahmeröhre geeignet ist, aber dieses Material hat auch den Nachteil einer nicht ausreichenden Empfindlichkeit gegenüber rotem Licht.

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Ein Verfahren zur Verbesserung der Empfindlichkeit gegenüber rotem Licht ist in der US-PS 3 350 595 beschrieben. Bei diesem Verfahren wird ein leitender dünner Film auf einem isolierenden Substrat abgelagert, das seinerseits mit einer photoleitenden Schicht bedeckt ist, die im Wesentlichen eine Mischung aus Tellur und Selen umfaßt. Der Oberflächenteil der photoleitenden Schicht neben dem leitenden dünnen Film enthält Selen mit 70 bis 80 Gew.-%, während der entgegengesetzte Oberflächenteil davon Selen mit 90 bis 100 Gew.-% umfaßt , wobei der Selengehalt sich leicht zwischen beiden Oberflächenteilen verändert. Jedoch führt die Tatsache, daß der Tellurgehalt in der photoleitenden Schicht in der Nähe von deren Zwischenfläche mit dem leitenden dünnen Film hoch ist, zu dem Nachteil eines vergrößerten Dunkelstromes. Zur Überwindung dieses Nachteils beschreibt die US-PS 3 350 595 ein Verfahren, bei dem eine Sperrschicht aus einem Metall, wie beispielsweise Cäsium, mit einer kleinen Austrittsarbeit zwisehen dem leitenden Film und der photoleitenden Schicht vorgesehen wird. Dieses Verfahren ist jedoch nachteilhaft, da die Herstellung schwierig ist.

Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die oben aufgezeigten Nachteile zu vermeiden und eine Photokathode einer Bildaufnahmeröhre anzugeben, die gegenüber rotem Licht eine hohe Empfindlichkeit aufweist, die einen kleinen Dunkelstrom besitzt und die leicht herstellbar ist.

Die erfindungsgemäße Photokathode einer Bildaufnahmeröhre ist gekennzeichnet durch

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ein lichtdurchlässiges Substrat,

eine erste η-leitende Schicht, die auf dem Substrat abgelagert ist, und

eine p-leitehde Schicht, die mit der ersten η-leitenden Schicht einen gleichrichtenden Kontakt bildet,

wobei die p-leitende Schicht mindestens Selen und Tellur enthält,

wobei die Zusammensetzung der p-leitenden Schicht in Richtung von deren Dicke unterschiedlich ist,

wobei der mittlere Gehalt von Selen in der p-leitenden Schicht nicht geringer als 50 Atom-% ist,

wobei der Gehalt an Tellur bei den Zwischenflächen der p-leitenden Schicht nicht größer als 10 Atom-% ist, und

wobei der maximale Tellurgehalt von 10 bis 40 Atom-% in einer Ebene in der p-leitenden Schicht näher zur ersten η-leitenden Schicht als zur Mittelebene der p-leitenden Schicht vorgesehen ist.

Die η-leitende Schicht ist ein lichtdurchlässiger, leitender Film, der vorzugsweise als Hauptbestandteil ein Oxid von Zinn, Indium oder Titan aufweist. Weiterhin kann zur Verhinderung einer Kristallisation der p-leitenden Schicht eine η-leitende Schicht aus einer Substanz, die aus der Gruppe aus CdS, CdSe, ZnS, ZnSe und einer Mischung davon ausgewählt ist, oder ein durchscheinendes Metall, das den Oberflächenteil des lichtdurchlässigen Substrates näher zur Seite des n-leiten-

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den Filmes bildet, zwischen der p-leitenden Schicht und dem lichtdurchlässigen leitenden Film vorgesehen sein. Die p-leitende Schicht kann As, Sb, P, Bi, Ge und/oder Si zusätzlich zu Selen und Tellur aufweisen.

Amorphes Selen ist im allgemeinen p-leitend und bildet einen gleichrichtenden Kontakt mit zahlreichen η-leitenden Materialien einschließlich Filmei aus Einkristallen oder Kristalliten von Halbleitermaterialien der vierten Gruppe des Periodensystems, wie beispielsweise Ge und Si, von A B -Halbleitern. Unter diesen sind die geeignetsten η-leitenden Materialien zur Herstellung einer photoleitenden Schicht für die Photokathode einer Bildaufnahmeröhre zusammen mit Selen ein Oxid von Zinn, das für einen transparenten leitenden Film verwendet wird, ein Oxid von Indium, ein Oxid von Titan und A B -Halbleitern, wie beispielsweise ZnS, ZnSe, CdS und CdSe. Obwohl es der niedere eigenleitende Widerstand der leitenden Filme der oben erwähnten Oxide ermöglicht, diese auch als Elektrode zum Abgriff eines Signals von der Bildaufnahmeröhre zu verwenden, so können doch die A B -Halbleiter nicht gleichzeitig als eine derartige Elektrode verwendet werden, ohne zusätzlich die transparente Elek-.trode von einem der oben erwähnten Oxide oder ein darauf vorgesehenes durchscheinendes Metall zu verwenden.

Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:

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Fig. 1 einen Schnitt mit der Grundanordnung der Photokathode der erfindungsgemäßen Bildaufnahmeröhre, und

Fig. 2-5 Diagramme zur Erläuterung der Verteilung der vorgesehenen Elemente entlang der Richtung der Dicke der pphotoleitencjen Schicht.

Ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung ist in der Fig. 1 dargestellt. Das Target einer erfindungsgemäßen Bildaufnahmeröhre umfaßt im wesentlichen ein Glassubstrat 1, eine auf dem Glassubstrat 1 ausgedehnte transparente Elektrode 2, eine n-leitende Schicht 3 und eine p-leitende Schicht 4. Schematisch ist ein einfallendes Licht 5 und ein abtastender Elektronenstrahl 6 angedeutet. Ein gleichrichtender Kontakt ist zwischen der η-leitenden Schicht 3 und der p-leitenden Schicht 4 vorgesehen.

Wenn die transparente Elektrode 2 aus einem η-leitenden Oxid besteht, dann sind die transparente Elektrode 2 und die n-leitende Elektrode 3 in Wirklichkeit in einer einzigen Schicht integriert. Wenn jeweils amorphes Selen und das oben erwähnte Oxid oder ein AB-Halbleiter als Materialien der p-leitenden Schicht und der n-leitenden Schicht verwendet werden, dann ist eine Sensibilisierung erforderlich, um die Empfindlichkeit gegenüber rotem Licht zu verbessern, da die oben erwähnten Materialien anders als CdSe gegenüber rotem Licht nicht empfindlich sind.

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Ein bereits diskutiertes Verfahren zur Verbesserung der Empfindlichkeit von A B -Materialien gegenüber rotem Licht besteht in einer . Dotierung mit Cl, Br, J, In, Ga oder anderen als Donatoren wirkenden Elementen, zusammen mit Cu, Ag oder ähnlichen Elementen, die Akzeptoren bilden. In einem Fall, in dem eine p-leitende Schicht mit Selen wie bei der vorliegenden Erfindung verwendet wird, wird die Empfindlichkeit gegenüber rotem Licht zusammen mit dem oben erwähnten Verfahren erfolgreich verbessert, das die Sensibilisierung der n-leitenden Schicht aus A B -Halbleitern betrifft.

Es ist auch schon bereits diskutiert worden, daß die Empfindlichkeit gegenüber rotem Licht durch Zusatz von Te zu amorphem Selen verbessert werden kann. Der elektrische Widerstand von Se, dem Te zugesetzt wird, nimmt scharf ab, wodurch die Eigenschaften oder Kennlinien der Photokathode der Bildaufnahmeröhre herabgesetzt werden. Wenn beispielsweise die Konzentration von Te in der Nähe der Zwischenfläche zwischen der η-leitenden Schicht 3 und der p-leitenden Schicht 4 zunimmt, dann nimmt die Sperrdurchbruchsspannung des gleichrichtenden Kontaktes ab, wodurch der Dunkelstrom in der Bildaufnahmeröhre ansteigt.

Wenn andererseits die Te-Konzentration der p-leitenden Schicht 4 insgesamt zunimmt, dann nimmt der Widerstand der p-leitenden Schicht ab oder die Trägerbeweglichkeit in der Schicht wird verringert, mit dem Ergebnis, daß der Dunkelstrom anwächst oder die Zeit-Ansprechkennlinie herabgesetzt wird.

Die von der Anmelderin durchgeführten Versuche haben ergeben,

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daß es zur Verbesserung der Empfindlichkeit der Se-leitenden Schicht gegenüber rotem Licht unter Verwendung von Te zweckmäßig ist, daß die Te-Konzentration in der Se-leitenden Schicht fortschreitend höher zur Seite der η-leitenden Schicht anstelle einer einheitlichen Verteilung ist, und daß die Te-Konzentration bei und in der Nähe der Zwischenschicht zwischen der η-leitenden Schicht und der p-leitenden Schicht auf einem niedrigen Pegel gehalten wird, wodurch es möglich wird zu verhindern, daß der Dunkelstrom anwächst, ohne daß die Eigenschaften oder Kennlinien der Photokathode der Bildaufnahmeröhre nachteilig beeinflußt werden. Zu diesem Zweck ist es erforderlich, die Te-Konzentration bei und in der Nähe der Zwischenschicht auf einem Pegel zu halten, der zwischen 0 und 10 Atom-% liegt. Auch wenn Te in einem beträchtlichen Teil der p-leitenden Schicht gegenüber zu deren entgegengesetzten Zwischenfläche enthalten ist, dann nimmt die Intensität oder Stärke des elektrischen Feldes in einem derartigen Teil für die Herabsetzung von deren Ansprechkennlinie ab, und deshalb ist es erforderlich, die Te-Konzentration in diesem Teil im Bereich zwisehen 0 und 10 Atom-% zu halten.

Eine derart geringe Te-Konzentration wie beispielsweise 10 Atom-% in der p-leitenden Schicht kann keine zufriedenstellende oder ausreichende Verbesserung in der Empfindlichkeit gegenüber rotem Licht bewirken. Unter diesem Gesichtspunkt besteht das erfolgreichste Verfahren zur Verbesserung der Empfindlichkeit gegenüber rotem Licht darin, einen Teil zwischen den Zwischenflächen der p-leitenden Schicht mit dem Hauptanteil von Se zu versehen, wo die Te-Konzentration am größten ist. Wenn die Erregung der Träger ausreichend an der Stelle der

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hohen Te-Konzentration durchgeführt wird, dann ist es wünschenswert, daß ein derartiger Teil möglichst nahe zur Einfallsebene eines Lichtsignales auf die p-leitende Schicht liegt, d. h. zur Zwischenfläche davon mit der η-leitenden Schicht. Mit anderen Worten, der Teil der höchsten Te-Konzentration sollte auf einer Ebene in der p-leitenden Schicht näher zur η-leitenden Schicht als zur Mittelebene der pleitenden Schicht liegen.

Da eine sehr hohe Te-Konzentration in diesem Teil einen vergrößerten Dunkelstrom bewirkt, sollte der maximale Wert der Te-Konzentration zwischen 10 und 40 Atom-% liegen. Wie weiter unten näher anhand eines Ausführungsbeispiels erläutert wird, muß Te nicht notwendigerweise glatt in der p-leitenden Schicht verteilt sein; vielmehr kann es aus einer geschichteten Struktur zahlreicher Filme, deren jeder ungefähr 10 A dick ist, bestehen, wobei Filme einer hohen Te-Konzentration und Filme einer niedrigen Te-Konzentration aufeinander vorgesehen sind. Aus. diesem Grund kann festgestellt werden, daß der oben erwähnte Bereich der Te-Konzentration von 10 - 40 Atom-% einen Mittelwert im Bereich einiger 100 Ä einschließlich des Teiles der maximalen Te-Konzentration darstellt.

Die anwachsende Veränderung in der Te-Konzentration in transversaler Richtung der p-leitenden S hicht kann in mikroskopischer Größenordnung von beispielsweise einigen 10 A steil sein. Etwas makroskopischer betrachtet sollte die Kurve der Veränderung jedoch vorzugsweise in der Größenordnung von einigen 100 A glatt sein. Wenn makroskopisch betrachtet ein Teil vorliegt, in dem die Te-Konzentration dis-

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kontinuierlich ist, dann wächst der Brenneffekt der Bildaufnahme-r röhre an.

Der Nachteil der photoleitenden Schicht mit Se als Hauptbestandteil liegt darin, daß die Schicht durch Wärmeeinwirkung leicht kristallisiert, mit dem Ergebnis, daß das erzeugte Bild durch Mängel in der Form weißer Punkte begleitet ist. Bei einem bereits diskutierten Verfahren zur Verhinderung dieser Mangel wird ein Element, wie beispielsweise As, Sb, P, Bi, Ge oder Si dem Material für die Schicht zugesetzt, wodurch deren Viskosität vergrößert und die Kristallisationsgeschwindigkeit verzögert wird. Dieses Prinzip wird auch bei der vorliegenden Erfindung angewendet, wobei die Lebensdauer der Photokathode durch Zufügung eines derartigen Elementes zur gleitenden Schicht verlängerbar ist, wodurch die Geschwindigkeit der Kristallisation verringert wird. Die Zufügung einer zu großen Menge dieses Elementes beeinflußt die Ansprechkennlinie der Photokathode nachteilig, wobei die wünschenswerte Menge des hinzuzufügenden Elementes geringer als 20 Atom-% ist.

Wenn das Element zur Verhinderung der Kristallisation zusammen mit Tellur zur Verbesserung der Empfindlichkeit vorliegt, dann erfordern die Aufrechterhaltung eines größeren Dunkelstromes und die Ansprechkennlinien, daß das Selen mindestens 50 Atom-% beträgt.

Die Tatsache, daß die Emission von Sekundär elektronen von der viel Se enthaltenden und als Photokathode verwendeten photoleitenden Schicht verhältnismäßig groß ist, stört das Auftreffen des abtastenden

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Strahles und bewirkt oft ungewöhnliche Erscheinungen einschließlich einer Verzeichnung des Bildes und einer Umkehr der Polarität eines Videosignales bei einer hohen Photokathodenspannung.

Ein wirksames Verfahren zur Verhinderung dieser Erscheinungen liegt darin, im Vakuum oder aus einer Gasatmosphäre auf der p-leitenden Schicht einen Film aus Sb S , As Se oder As S von

dt O dt O A 4b

ungefähr 1000 A Dicke abzuscheiden.

Im folgenden werden einzelne Ausführungsbeispiele der Erfindung näher erläutert:

Ausführungsbeispiel 1

Se, Ge und Te, die in verschiedenen Verdampfungsschiffchen aus Tantal enthalten sind, werden gleichzeitig durch Verdampfung in einem Vakuum von 3 χ 10 Torr auf einer transparenten n-leitenden Schicht mit Zinnoxid als Hauptbestandteil abgeschieden, die auf einem Glassubstrat vorgesehen ist. Auf diese Weise wird eine p-photoleitende Schicht erzeugt, die 3 iim dick ist.

Das Beschaffenheitsprofil der p-photoleitenden Schicht wird durch Steuerung des Stromes in jedem Schiffchen so eingestellt, daß es mit der in der Fig. 2 gezeigten Kurve übereinstimmt. Weiterhin wird ein ungefähr 1000 A dicker Sb₃S₃-FiIm durch Verdampfung auf der Oberfläche der p-photoleitenden Schicht in einer Argonatmosphäre eines

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_2

niedrigen Druckes von 5 χ 10 Torr abgeschieden, wodurch das Auftreffen (Auftreffkennlinien) des Abtaststrahles für die Photokathode einer Bildaufnahmeröhre verbessert wird.

Ausführungsbeispiel 2

Eine transparente η-leitende Schicht, die im wesentlichen aus

Indiumoxid besteht, wird auf einem Glassubstrat abgelagert. Ein CdSe-

o -6

Film von 2000 A Dicke wird dann in einem Vakuum von 2 χ 10 Torr bei einer Substrattemperatur von 200 C auf der Oberfläche einer transparenten η-leitenden Schicht durch Verdampfung abgelagert. Andererseits werden ein erstes photoleitendes Material aus Selen, das 40 Atom-% Tellur enthält, und ein zweites photoleitendes Material aus Selen, das 10 Atom-% Arsen enthält, in einer Quarzampulle vorbereitet. Diese beiden Arten von photoleitenden Materialien werden zerkleinert und in verschiedene Verdampfungsschiffchen aus Tantal gebracht und dann gleichzeitig auf der CdSe-Schicht in einem Vakuum von 3 χ 10~ Torr abgelagert. Bei diesem Verfahren wird die Verdampfungsgeschwindigkeit des ersten und des zweiten photoleitenden Materials kontinuierlich verändert, um einen 4 iim dicken Film mit einem Beschaffenheitsprofil aus Se, Te und As herzustellen, wie dieses durch die in der Fig. 3 gezeigten Kurve dargestellt ist. Auf der Oberfläche der sich ergebenden p-leitenden Schicht wird durch Verdampfung ein Film aus As Se von ungefähr 500 A Dicke in einem Vakuum von

-6
3 χ 10~ Torr abgelagert. Dieser As Se -Film wird weiterhin durch ein ähnliches Verfahren mit einem As Se -Film von ungefähr 500 A

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-2 Dicke in einer Argonatmosphäre eines niedrigen Druckes von 5 χ 10 Torr bedeckt. Diese Doppelschicht aus As Se wird zur Verbesserung des Auftreffens des abtastenden Elektronenstrahles hergestellt.

Ausführungsbeispiel 3

Ein durchscheinender Al-Film wird auf einem Glassubstrat in einem Vakuum von 1 χ 10 Torr bei einer Substrattemperatur von 150 C hergestellt, und dann wird auf diesem durchscheinenden Al-

o - -6

Film ein CdS-FiIm von 3000 A Dicke in einem Vakuum von 5 χ 10 Torr bei einer Substrattemperatur von 150 C abgelagert.

Sodann werden dünne Filme aus Se, As Se und Te nacheinander

-6 auf dem CdS-FiIm in einem Rotationsvakuumverdampfer bei 5 χ 10 Torr abgelagert. Als Ergebnis wird ein Film von 5 um Dicke mit 3000 bis 6000 Schichten aus Se, As Se und Te erhalten, von der

dl ό

jede eine mittlere Dicke von 10 A oder weniger aufweist.

Während des Verfahrens zur Herstellung der zahlreichen Schichten wird der Strom in den Te-Schiffchen oder die öffnung eines Spaltes zwischen dem Te-Verdampfungsschiffchen und dem Substrat kontinuierlich gesteuert, wodurch ein makroskopisches Profil einer transversalen Beschaffenheitsverteilung erhalten wird, wie dieses in der Fig. 4 gezeigt ist. Auf diesen zahlreichen Schichten wird weiterhin ein As S„-Film von ungefähr 500 A Dicke in einem Vakuum von 2 χ

10 Torr abgelagert, wodurch das Auftreffen des abtastenden Elektronenstrahles verbessert wird.

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Ausführungsbeispiel 4

Filme aus CdSe, CdTe und Se werden nacheinander in einem Vakuum von 5 χ 10 Torr auf einer transparenten η-leitenden Elektrode mit Zinnoxid als Hauptbestandteil abgelagert, die ihrerseits auf einem Glassubstrat vorgesehen ist. Auf diese Weise wird eine 2 um dicke Vielfachschicht 2 mit 2000 bis 4000 Filmen aus CdSe, CdTe und Se erhalten, deren jeder eine mittlere Dicke von 10 A oder weniger aufweist. Bei dem Verfahren zur Herstellung der Vielfachschicht wird die makroskopische Zusammensetzung oder Beschaffenheit der Elemente in transversaler Richtung der Schicht durch ähnliche Einrichtungen gesteuert, wie diese bei den oben beschriebenen Beispielen erläutert wurden, wodurch das in der Fig. 5 dargestellte Beschaffenheitsprofil erhalten wird.

Eine zu große Menge von Cd neigt dazu, im CdSe-FiIm bei dessen gewöhnlichem Herstellungsverfahren enthalten zu sein, was oft zu einem CdSe-FiIm mit einer η-Leitung führt. Diese Schwierigkeit kann durch Hinzufügung von Se wie bei dem betrachteten Ausführungsbeispiel überwunden werden, wodurch eine eigenleitende oder nahezu p-leitende Schicht erhalten ,wird. Auf dieser Schicht wird weiterhin ein Sb₃S-FiIm

von ungefähr 1000 A Dicke in einer Argonatmosphäre eines niedrigen

_2

Druckes von 5 χ 10 Torr zur Verbesserung des Auftreffens des abtastenden Strahles abgelagert.

Aus den obigen Ausführungsbeispielen geht hervor, daß bei der vorliegenden Erfindung die Empfindlichkeit, insbesondere gegenüber

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rotem Licht, verbessert wird, ohne nachteiligen Einfluß auf den gleichrichtenden Kontakt mit einer n-photoleitenden Schicht durch Verteilung von Te in einer p-photoleitenden Schicht mit Se von 50 oder mehr Atom-%, derart, daß der maximale Te-Gehalt in einer Ebene in der p-leitenden Schicht näher zur η-leitenden Schicht als zur Mittelebene der p-leitenden Schicht liegt. Die spektrale Empfindlichkeit der p-leitenden Schicht wird auf diese Weise stark verändert , wodurch es möglich ist, eine für besondere Zwecke geeignete photoleitende Schicht herzustellen. Obwohl sich die obigen Ausführungsbeispiele auf einen lichtempfangenden Film einer Photokathode für eine Bildaufnahmeröhre beziehen, so ist es doch möglich, die oben erwähnte photoleitende S hicht für ein Festkörper-Lichtempfangselement, ein Festkörper-Bildaufnahmeelement oder dergleichen zu verwenden, indem eine geeignete Metallelektrode anstelle eines Elektronenstrahles vorgesehen wird.

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Claims

Patentansprüche

1. Photokathode für Bildaufnahmeröhre, gekennzeichnet durch

ein lichtdurchlässiges Substrat (1),

eine erste η-leitende Schicht (3),. die auf dem Substrat (1) abgelagert ist,

und eine p-leitende Schicht (4), die mit der ersten η-leitenden Schicht (3) einen gleichrichtenden Kontakt bildet,

wobei die p-leitende Schicht (4) mindestens Selen und Tellur enthält,

wobei die Zusammensetzung der p-leitenden Schicht (4) in Richtung von deren Dicke unterschiedlich ist,

wobei der mittlere Gehalt von Selen in der p-leitenden Schicht (4) nicht geringer als 50 Atom-% ist,

wobei der Gehalt an Tellur bei den Zwischenflächen der p-leitenden Schicht (4) nicht größer als 10 Atom-% ist, und

wobei der maximale Tellurgehalt von 10 bis 40 Atom-% in einer Ebene in der p-leitenden Schicht (4) näher zur ersten n-leitenden Schicht (3) als zur Mittelebene der p-leitenden Schicht (4) vorgesehen ist.

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2. Photokathode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste n-Ieitende Schicht (3) ein transparenter leitender Film einschließlich einer Substanz ist, die aus einem Oxid von Zinn, Indium oder Titan als Hauptkomponente besteht.

3. Photokathode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine zweite η-leitende Schicht aus CdS, CdSe, ZnS oder ZnSe oder Mischungen davon zwischen der p-leitenden Schicht (4) und der ersten η-leitenden Schicht (3) vorgesehen ist, oder daß eine durchscheinende Metallelektrode den Oberflächenteil des lichtdurchlässigen Substrates (1) auf der Seite der η-leitenden Schicht bildet.

4. Photokathode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die p-leitende Schicht eine Substanz enthält, die aus As, Sb, P, Bi, Ge oder Si oder Mischungen davon zusätzlich zu ßelen und Tellur besteht.

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