DE2329570C3 - - Google Patents

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DE2329570C3 DE19732329570 DE2329570A DE2329570C3 DE 2329570 C3 DE2329570 C3 DE 2329570C3 DE 19732329570 DE19732329570 DE 19732329570 DE 2329570 A DE2329570 A DE 2329570A DE 2329570 C3 DE2329570 C3 DE 2329570C3
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DE2329570A1 DE2329570A1 (de) 1974-01-03
DE2329570B2 DE2329570B2 (de) 1975-04-17
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4124861A (en) * 1975-10-01 1978-11-07 General Electric Company Charge transfer filter
DE2646301C3 (de) * 1975-10-31 1981-01-15 Fujitsu Ltd., Kawasaki, Kanagawa (Japan) Ladungsgekoppeltes Halbleiterbauelement
US4041520A (en) * 1976-08-06 1977-08-09 Honeywell Information Systems Inc. Uniphase charge transfer device
US4150304A (en) * 1978-03-14 1979-04-17 Hughes Aircraft Company CCD Comparator
JPS57142855A (en) * 1981-02-18 1982-09-03 Toyota Motor Co Ltd Method of clogging hole to which fluid pressure work
US4348690A (en) * 1981-04-30 1982-09-07 Rca Corporation Semiconductor imagers
US4396438A (en) * 1981-08-31 1983-08-02 Rca Corporation Method of making CCD imagers
JPH01152148U (sv) * 1988-04-12 1989-10-20
DE58905356D1 (de) * 1988-05-11 1993-09-30 Siemens Ag MOS-Halbleiterbauelement für hohe Sperrspannung.
US4910569A (en) * 1988-08-29 1990-03-20 Eastman Kodak Company Charge-coupled device having improved transfer efficiency
KR940010932B1 (ko) * 1991-12-23 1994-11-19 금성일렉트론주식회사 Ccd영상소자 제조방법

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3643106A (en) * 1970-09-14 1972-02-15 Hughes Aircraft Co Analog shift register
FR2123592A5 (sv) * 1971-01-14 1972-09-15 Commissariat Energie Atomique
US3735156A (en) * 1971-06-28 1973-05-22 Bell Telephone Labor Inc Reversible two-phase charge coupled devices

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