DE2320878C3 - Elektromechanisches System für hohe Resonanzfrequenzen und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents

Description

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idUrcnAUluaiiiHivu—e— .

9 Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Herausarbeiten der Ausnehmung (10) im Substrat (6) durch lonenbearbeitung erfolgt

10 Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß jede der Lötsch.chten M6 171 durch aufeinanderfolgendes Aufdampfen einer Goldschicht und einer Indiumschicht hergestellt wird.

Die Erfindung betrifft ein elektromechanisches Svstem für hohe Resonanzfrequenzen, das mindestens Pin Plättchen piezoelektrischen Materials aufweist, auf dessen sich gegenüberliegenden Oberflächen jeweils wenigstens eine metallische Elektrode angeordnet ,st, und das auf einem starren Substrat befestigt ist, das eine Aussparung aufweist und das piezoelektrische Plattchen am K dieser Aussparung auf dem Substrat befestigt isT und die Schwingungszone duich die Elektroden

1. Elektromechanisches System für hohe Resonanzfrequenzen, das mindestens em Plattchen piezoelektrischen Materials aufweist, auf dessen sich gegenüberliegenden Oberfläichen jeweils wenigstens eine metallische Elektrode angeordnet ist, und das auf einem starren Substrat befestigt ist, das eine Aussparung aufweist und das piezoelektrische Plättchen am Rand dieser Aussparung auf dem Substrat befestigt ist und, die Schwingungszone durch die Elektroden begrenzt ^ dadurch g e k e η η ζ e ic fa η e t, daß eine der Elektroden (18) aus der Verbindung zweier Lötscbichten (16, U) besteht, die einerseits an der Seite des Plättchens (7) und andererseits am Rand der Aussparung (10) im Substrat (6) haften, währen-j die andere Elektrode (8 oder 11) auf der gegenüberliegenden Seite aes Plättchens (7) innerhalb des über der Aussparung (10) liegenden Bereiches angebracht ist

2. Elektromechanisches System nach Anspruch, 1
dadurch gekennzeichnet, daß die Lötschicht (»*,·/)
gleichzeitig als durchgehende Gegenelektrode (18) _hp„_enztist

dient und wenigstens zwei Elektroden (8,11) auf die 25 w« _Erfi_ndung behandelt elektromechanische Resoandere Seite des Plättchen (7) innerhalb des über _{die zur} Herstellung von Geräten, wie

der Aussparung (10) liegenden Bereiches aufge- na«. . ^^ ^ _Frequenzdj_skriminatoren,

bracht sind, um ein Paar gekoppelter Resonatoren ""^ _sj_{nd Ein} elektromechanischer Resonator zu begrenzen. _{b t ht aus} einem Plättchen eines piezoelektrischen

3. Elektromechanisches System nach Anspruch 1 30 °f^l _auf dessen beiden Seiten Elektroden vorgese- oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Plattchen J^™^™,. _{Art V}on Zweipolnetzwerken haben ein (7) auf dem Substrat (6) durch eine ringförmige die "leinleitwertsverhalten, dessen Maxima und Minima Aussparung (10) umgebende Lötschicht befestigt ist, ~J? _{h rf sind und} die es erlauben, Resonanzfrequen- und daß die Elektroden (8, 11, 18) durch auf das sehr senary ^.^ ^ _{parallelresonanzeni zu} Plättchen (7) aufgedampfte metallische Schichten 35 ·._{mmen Die einem} elektromechanischen Resonator gebildet sind. . eieenen Frequenzen sind um so höher, je dünner das

4. Elektromechanisches System nach einem d.r e.|c _ μ _{dadurch wird deut}lich, daß es mit vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich- ™. "" _b'_{isher hcrges}teHter Resonatoren nicht net, daß die Lötschicht (18) eine Indiumschicht ist, *¹™* . _Frequenzbereiche zu erfassen, die höher als die an den beiden einander zugekehrten ebenen 40 ^mog"^c ,^ _MH ^M _{Z sindi denn} für diese Frequenzbereiche Flächen des Plättchens (7) und des Substrates (6) ^nd "e Plattehen zu zerbrechlich. Mit modernen

Ionen-Herstellungsverfahren ist es jedoch möglich, sehr dünne Plättchen herzustellea. mit denen Resonatoren « für hohe Frequenzen realisierbar sind, aber das übliche Aufbauverfahren für solche Resonatorplattchen ist

haftet.

5. Verfahren zur Herstellung eines elektromechanischen Systems nach einem der Ansprüche 1 bis 5, gekennzeichnet durch folgende Verfahrensschritte:

Bearbeiten der Seite (15) des Substrates (6), die die Aussparung (10) enthält;

Anbringen einer ersten (16) Lötschicht auf der

bearbeiteten Seite (15);

Bearbeiten einer Seite des piezoelektrischen

Plättchens (7) und Aufbringen einer zweiten

Lötschicht (17) auf dieser Seite;

Verlöten durch Zusammenpressen der ersten

und zweiten Lötschicht (16, 17), Verringerung

der Dicke des Plättchens (7) durch Erosion und

Bearbeiten der der Seite (15) des Substrates (6) gegenüberliegenden Seite;

Aufbringen wenigstens einer Elektrode (z. B. 8) auf diese Seite.

6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Bearbeitung durch Ionen erfolgt.

7. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Lötschicht (17) auf die Ringzonc des Plättchens (7) aufgebracht wird, um

AUiDauveniaucii iui ■>"■-·- ■ ...

nicht geeignet, denn es führt zu sehr schwierigen Herstellungsverfahren und zu sehr zerbrechlichen

_S5

60 DieLösung, die darin besteht, verhältnismäßig robuste Plättchen zu benutzen, die in einer Oberschwincrung arbeiten, ist nur ein Notbehelf, da die Grundschwingung bei verhältnismäßig tiefen Frequenzen ,. _f p;_n. andere Lösung besteht darin, eine sehr dünne

^l'g^£« ™Je ScSi auf ein Substrat aufzubringen, Pjaoete kWcte*» ^ _{klt Aber diese}

das ^e Roiie^ e^^ _{verführerisch} erscheint, bringt eine nicht vernachlässigbare Dämpfung der Schwingungsenergie und zahlreiche parasitäre Schwingungsformen mit sich.

Wie bereits erwähnt, wird im folgenden ein elektromechanisches System verwendet, in dem das dünne Plättchen piezoelektrischen Materials nur in seinem Randbereich an einem ausgehöhlten Substrat

,. r-.. .ι,,,- J-- J-«:~;«r<>r< f4ohf»i eine

Ringzonc des Plättchens (7) aufgebracht wird, um seinem KanaDcrcitn an vn.w „—_ö ,.

den Rand der Aussparung (10) zu'bedecken, und daß 65 befestigt ist; die Elektroden dcfir.ierer. dabei eine

im Innern der Ringzone anschließend eine dünne Schwingungszone, deren Mitte über der Aushöhlung

Metallschicht angebracht wird. des Substrates liegt, damit die Schwingungsenergie auf

8. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 7, den Bereich dieser Zone begrenzt bleibt.

Aus der DT-OS 17 66 913 ist eine monolithisch ntegrierte Schaltungsanordnung bekannt, bei der in inem Halbleiterkristall mit einer darin vorgesehenen Vertiefung ein mit dem Kristall integrierter Resonator de Vertiefung überbrückt Es wird bei der Realisierung nach dieser bekannten Anordnung jedoch von der Verwendung p- bzw. η-leitender Materialien ausgegangen die insbesondere auch für die dam Resonator mechanische Energie zuführenden Vorrichtungen erforderlich sind, wodurch ein gewisser technologischer Aufwand nicht unterschritten werden kann.

Ferner ist aus der US-PS 33 96 287 eine Resonatoranordnung bekannt, bei der auf sich gegenüberliegenden Seiten eines piezoelektrischen Plättchens Elektroden angeordnet sind. Das piezoelektrische Plättchen ist dabei zur starren Halterung auf einem Substrat befestigt das mit einer gegenüber den Elektrodenflächen größeren Aussparung versehen ist Die Elektrodenflächen befinden sich dabei innerhalb der Aussparung Auch ist in der vorgenannten US-Patentschrift ein Herstellungsverfahren angegeben, wozu lediglich ausgesagt ist, daß das piezoelektrische Plättchen und das Substrat durch ein geeignetes verbindendes Material miteinander verbunden werden sollen.

Darüber hinaus muß bei dieser bekannten Anordnung für die innerhalb der Aussparung liegende Elektrode eine eigene Zuführungsleitung vorgesehen werden, da die das piezoelektrische Plättchen und das Substrat verbindende Schicht lediglich der Verbindung dieser beiden Teile dient

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein elektromechanisches System für hohe Resonanzfrequenzen anzugeben, bei dem einerseits die Verwendung halbleitender Materialien nicht zwingend erforderlich ist und bei dem es andererseits durch eine mehrfache Ausnutzung der der Aushöhlung zugewandten Schicht möglich ist, einen widerstandsfähigen Aufbau bei einem möglichst einfachen Herstellungsverfahren zu errei-

Ausgehend von einem elektromechanischen System für hohe Resonanzfrequenzen, das mindestens ein Plättchen piezoelektrischen Materials aufweist, auf dessen sich gegenüberliegenden Oberflächen jeweils wenigstens eine metallische Elektrode angeordnet ist, und das auf einem starren Substrat befestigt ist, das eine Aussparung aufweist und das piezoelektrische Plättchen am Rand dieser Aussparung auf dem Substrat befestigt ist und die Schwingungszone durch die Elektroden begrenzt ist, wird diese Aufgabe gemäß der Erfindung dadurch gelöst, daß eine der Elektroden aus der Verbindung zweier Lötschichten besteht, die einerseits an der Seite des Plättchens und andererseits am Rand der Aussparung im Substrat haften, während die andere Elektrode auf der gegenüberliegenden Seite des Plättchens innerhalb des über der Aussparung liegenden Bereiches angebracht ist

Hierbei ist auch daran gedacht, daß die Lötschicht gleichzeitig als durchgehende Gegenelektrode dient und wenigstens zwei Elektroden auf die andere Seite des Plättchens innerhalb des über der Aussparung liegenden Bereiches aufgebracht sind, um ein Paar gekoppelter Resonatoren zu begrenzen.

Eine vorteilhafte Ausgestaltung ist ferner dann zu sehen, daß die Lötschichi dne Indiumschicht ist, die an

den Deiaen einander zugcncm ivu w..».. . —

Plättchens und des Substrates haftet

Als Lötschichten eignen «ich auch Indiumschichten.

Die Erfindung behandelt auch ein Herstellungsverfahren des obenerwähnten elektromechanischen Systems.

Hierzu sind folgende Verfahrensschritte vorgesehen: Bearbeiten der Seite des Substrates, die die Aussparung enthält;

Anbringen einer ersten Lötschicht auf der bearbeiteten Seite;

Bearbeiten einer Seite des piezoelektrischen Plättchens und Aufbringen einer zweiten Lötschicht auf dieser Seite;

Verlöten durch Zusammenpressen der ersten und zweiten Lötschicht Verringerung der Dicke des Plättchens durch Erosion und Bearbeiten der der Seite des Substrates gegenüberliegenden Seite; Aufbringen wenigstens einer Elektrode auf diese Seite.

Es ist bei diesem Verfahren insbesondere möglich, die Bearbeitung durch Ionenbeschuß vorzunehmen.

In Weiterbildung des genannten Verfahrens ist es möglich, daß die zweite Lötschicht auf die Ringzone des Plättchens aufgebracht wird, um den Rand der Aussparung zu bedecken, und daß im Inneren der Ringzone anschließend eine dünne Metallschicht angebracht wird.

Eine vorteilhafte Möglichkeit ist ferner darin zu sehen, daß die Schichten durch Aufdampfen aufgebracht werden.

Bei eier Bearbeitung des Substrates kann zur Herstellung der Aussparung vorteilhaft ebenfalls eine Ionenbearbeitung angewendet werden.

Besonders widerstandsfähige Verbindungen ergeben sich dann, wenn jede der Lötschichten durch aufeinanderfolgendes Aufdampfen einer Goldschicht und einer Indiumschicht hergestellt wird.

Nachstehend wird die Erfindung anhand der in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiele näher erläutert

Es zeigt in der Zeichnung

F i g. 1 eine perspektivische Darstellung eines elektromechanischen Systems gemäß der Erfindung,

F i g. 2 das Herstellungsverfahren des in F i g. 1 dargestellten Systems,
F i g. 3 und 4 sind Erklärungen zur Funktion. F i g. 1 zeigt ein elektromechanisches Filter, das aus zwei gekoppelten Resonatoren besteht und dazu bestimmt ist, als selektives Übertragungsmittel für ein hohes Frequenzband zu dienen.

Das Filter besteht aus einer Grundplatte 1, an der drei Verbindungsstifte 2, 3 und 4 befestigt sind, die mit der Grundplatte mechanisch durch isolierende Durchführungen 13 verbunden sind. Am Rand der Grundplatte 1 läßt sich eine Abdeckhaube 5 anbringen und in der Mitte der Grundplatte ist ein starres Substrat 6 befestigt. Das Substrat 6 weist eine Aussparung 10 auf, die gestrichelt dargestellt ist; diese Aussparung kann, wie es in F i g. 1 gezeichnet ist, das Substrat von einer Seite zur anderen durchdringen oder es kann auch nur die obere Seite ausgehöhlt sein. Die obere Seite des Substrates 6 weist einen leitenden Belag 18 auf, der elektrisch mit dem Stift 4 durch einen Anschlußdraht 14 verbunden ist Ein dünnes Plättchen 7 piezoelektrischen Materials haftet am Belag 18 und überdeckt die Aussparung 10 des Substrates 6. Die Oberseite des Plättchens 7 trägt zwei Elektroden 8 und 11, die mit den Stiften 2 bzw. 3 über Anschlußdrähte 9 und 12 verbunden sind. Die Elektroden 8 und 11 befinden sich eindeutig innerhalb der Kontur der Aussparung 10 und begrenzen mit der Gegenelektrode 18 zwei Schwingungszonen des Platt-

chens 7, das longitudinale und transversale Schwingungen ausführen kann. Der longitudinale Schwingungsmodus entspricht Schwingungsamplituden, die senkrecht /.ur Ebene der großen Flächen des Plättchens 7 gerichtet sind, während der transversale Schwingungsmodus Amplituden entspricht, die parallel zu dieser Ebene gerichtet sind.

Aufgrund der Aussparung 10 sind die großen Flächen des Plättchens 7 in dem Bereich, der über der Aussparung 10 liegt, völlig frei; daraus resultiert, daß diese Flächen in den Schwingungsbäuchen der stationären Schwingung liegen, die sich unter dem Einfluß einer an die Klemmenpaare 3, 4 oder 2, 4 angelegten elektrischen Wechselspannung ausbildet.

Die elektrischen Wechselströme oder Wechselspannungen, die an den Anschlußklemmen des Resonators entstehen, sind abhängig von den mechanischen Größen, die die stationäre Schwingung des piezoelektrischen Plättchens bestimmen; diese Größen bzw. deren Verhältnis lassen sich durch einen elektrischen Scheinleitwert Y darstellen, dessen Elemente im elektrischen Ersatzschaltbild der F i g. 4 dargestellt sind.

In diesem Schaltbild erkennt man einen Kondensator Co, dessen Kapazität zwischen der Elektrode 8 oder 11 und der Gegenelektrode 18 wirksam wird; der Schwingkreis Li, Ri, C der parallel zu C₀ geschaltet ist, bildet die Resonanz- und Dämpfungseigenschaften des Plättchens 7 nach. Die Induktivität L\ und die Kapazität C-, bestimmen eine der natürlicher. Eigenfrequenzen des Plättchens 7 und der Widerstand Ri bildet die Dämpfung der Schwingung nach.

In F i g. 3 ist die Frequenzabhängigkeit des Scheinleitwertes j YI eines Resonators dargestellt.

Die gestrichelte Linie 19 stellt den Leitwert des Kondensators C₀ dar. Die ausgezogen gezeichnete kurve 20 zeigt den Frequenzgang von |V|; er enthält ein erstes Maximum bei der Resonanzfrequenz /',. da bei dieser Frequenz das Plättchen als Halbwellenresonator bei der Grundfrequenz schwingt; diesem Maximum folgt ein Minimum, das der Parallelresonanzfrequenz /), entspricht. Wenn man die Frequenz Γ weiter erhöht, beobachtet man Maxima und Minima, wie beispielsweise bei den Frequenzen 3/_rund 3/],, die den Oberschwingungen des Plättchens entsprechen; es ist hierbei darauf hinzuweisen, daß es Oberschwingungen der dritten Ordnung bei den Frequenzen 3f_r und 3f_a gibt, die nicht genau das Dreifache der Frequenzen Ä und f-, sind. Um die Güte eines derartigen Resonators zu beurteilen, muß man die Gut·.'. Q betrachten, die gleich dem Verhältnis der Große bei der Frequenz /Vzur Größe Af, bei -- 3 dB ,. 1 ■;■ r Rcsonatv'.spif/e ist; weiterhin ist es erforderlieh, den i-'.ujipii'nsiskoeili/ienien zu betr'chlen, dei durcii die tollende i ileichuiis* >"<:;:ebeü ist:

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Die Erfahrung zeigt, daß man bei Verwendung eines ,uisgehühllen Substrates gemäß F i g. 1 Resonatoren „•rhält. die für hohe Frequenzen eine Im)K Güte aufweisen, aufgrund der Tatsache, daß die Schwingiings-.■one get.'.,':;m1 ■■■ r dem Substrat sehr put entkoppelt ist. !'•e/üj;lii ¹Ii des Kupplum^koe-ffr/uMilen sind die Kip.eii '!■halHVi ebenfalls sehr imt. was an: 'tilgenden Beispiel

■'■■■' ·■ ■ ph .-lies .-■ vsie.m, das mit hilfe eines : · ■ . ■ p:">. i.nstal'ineu I .viliiiunmobat

ι« i-iri;>lli'.elH.-s ! (Meii auf einem ausgehöhlten Siliziumsubstrai befestigt ist, hat man für den Betrieb bei der dritten Oberschwingung eine Resonanzfrequenz von 230MFIz, ein Gütefaktor von 460 und einen Kopplungskoeffizienten von 0,05 erreicht.

Bei Verwendung eines Paares kritisch gekoppelter Resonatoren ist das von einem derartigen Filter übertragene Durchlaßband verhältnismäßig breit.

Obwohl die Dicke edes Lythiumniobatplättchens nur 50 Mikron beträgt, ist es wegen der Montage auf das Substrat sehr widerstandsfähig.

Es ist darauf hinzuweisen, daß man Resonatoren mit einer Plättchendicke von weniger als 50 Mikron herstellen kann. Bei Verwendung von Lythiumtantalat, das einen geringeren thermischen Koeffizienten als Lythiumniobat hat, ist es möglich, einen Resonator herzustellen, dessen Grundfrequenz bei etwa 100 MHz liegt.

Zur Realisierung von Filtern muß man mindestens zwei Elektroden vorsehen, die in geringer Entfernung auf der Oberseite des Plättchens 7 liegen; ihr Abstand ist so zu wählen, daß sich die gewünschte Kopplung ergibt, und ihre Entfernung zum Rand der Aussparung 10 ist so zu wählen, daß sich eine hohe Entkopplung gegenüber dem Substrat 6 ergibt.

Man kann gleichermaßen das System der Fig. 1 /ur Herstellung eines einfachen Resonators benutzen, indem man eine der Elektroden 8 oder 11 wegläßt. Man kann auch einen Doppelresonator realisieren, indem man um jede der Elektroden 8 und Ii eine Aussparung vorsieht. In diesem Fall müssen die Elektroden 8 und ί < so weit voneinander entfernt sein, daß jede unerwiinsch te Kopplung zwischen den Resonatoren vermieden wird und erforderlichenfalls muß für das Plättchen ei*; Zwischenstück aus Substratmaterial zwischen tie;. Elektroden vorgesehen werden.

Die Herstellung eines elektromechanischen Systems nach Fig. 1 erweist sich dann als problematisch, v--c:h man das Plättchen 7 vor dem Aufbringen aui &■.>.>. Substrat dünner macht, denn dieses Plättchen ist außenzerbrechlich und schwer zu handhaben.

Um diese Schwierigkeiten zu umgehen, schlagt die Erfindung ein Herstellungsverfahren vor. dessen wichtigste Verfahrensschritte schematisch in F i g. 2 dargc stellt sind. Zur einfacheren Darstellung wird ir F i g. nur eine Anordnung gezeigt; man. konnte jedoch ir einem einzigen Arbeitsgang mehrere Anordnungen gleichzeitig herstellen, die erst kurz vor dem F.iidstaü! um der Umhüllung mit einer Schutzhaube umerteil werden.

Der erste in F i g. 2a dargestellte Schritt besien .;■.: ■■ die obere Fläche 15 des mit seiner Aussparen;· versehenen Substrats6 sorgfältig z.u irkitien.

Wie in Fig. 2b gezeigt wird, ist die Sei·..: ■■■■ Substrats mit einer aufgedampften Indium¹.;■';!.. ii ^: versehen, während eine gleichartige Schicht ^:.^; ".i,i ^ glatte Seite eines pie,'.ociek::i: vlien Pliit'iei.eü. aufgebracht ist; indem man die Schichte;- v.·. '.·:·■·'. zusammendrückt, verlötet sich ;i is Phiitciiet ··.'.;'· metallische Diffusion mit dem Substrat ·■> w·. '■ ι.;■'■ '■· vollkommen am Rand der /uissparun;¹, Hi. '■*■■■::■. .".■' ■' Substrat β gelötete Plättchen 7 weist eiiie ^-■:.■■■! ■>''■> auf als es für die Funktion bei d-.Ί .■.'.■.-. ^! ην■■ Frequenz erlorderlieb ist. Man mul' a>·.··. ·.-■ u !''ig. 2;- gezeigt wird, die "here Nach- :'·■ ■ ^; i:i,■■ i:fü bearbeiten, um seine Dick: aiii das ,'<■.,>.ι "> . /η bringen. Die Bearbeitung dea ,j-■ *■ ι ■ -,. ■■!..■■.■■· ' I¹Hilichens 7 kanu durch die ül.li, h·, ι, .:ί. ...

ken erfolgen, aber vorteilhafterweise wendet man eine Bearbeitungstechnik mit Ionen an, wenn das Plättchen besonders dünn und klein sein muß. Der letzte Verfahrensschritt nach der Bearbeitung der oberen Fläche des Plättchens 7 besteht darin, auf dieser Fläche eine über der Aussparung 10 liegende Elektrode 8 anzubringen. Wie in Fig.2d gezeigt, arbeitet die Elektrode 8 mit der Gegenelektrode 18 zusammen, die aus dem Verlöten der Schichten 16 und 17 entstanden ist. Der Vorteil der Bearbeitung mit Ionen besteht in der ι ο Möglichkeit, das Plättchen 7 in dem Bereich, in dem es die Aussparung 10 bedeckt, entsprechend dünn herzustellen, denn es ist überflüssig, auch den Rand des Plättchens 7 auf die für den schwingenden Bereich erforderliche Dicke zu bringen. Im oben beschriebenen Beispiel kann die Elektrode 8 aus einem metallischen Scheibchen von 0,1 mm Durchmesser bestehen, das sich im Zentrum einer Aussparung von 7 mm Durchmesser befindet; diese Aussparung ist aus dem mittleren Bereich eines quadratischen Siliziumscheibchens von 10 mm Kantenlänge und 2 mm Dicke herausgenommen. Damit die Gegenelektrode 18 so leicht wie möglich ist, kann man im Hinblick auf das Verlöten in einem ersten Verfahrensschritt ringförmige Indiumschichten aufbringen und in einem zweiten Verfahrensschritt im mittleren Bereich dieser Schichten einen sehr dünnen Metallfilm aufdampfen, ähnlich demjenigen, der die gegenüberliegende Elektrode 8 bildet. Die Aussparung des Substrats kann durch Ionenbearbeitung gewonnen werden.

Um eine gute Haftung des Plättchens auf dem Substrat zu erzielen, können die zur Lotung zusammenzufügenden Schichten in zwei Schritten hergestellt werden, indem man nämlich in einem ersten Schritt auf die zu verlötenden Flächen eine Goldschicht und in einem zweiten Schritt die Indiumschichten aufdampft.

Die Lötung erfolgt durch Diffusion des Indiums in das Gold und zwischen den zu verbindenden Schichten. Selbstverständlich kann die Aufdampfung des Indiums auf die Goldschicht so erfolgen, daß der Bereich, der über der Aussparung des Substrats liegt freigelassen wird; durch diese Maßnahme wird das Gewicht der Gegenelektrode verringert.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

1. Patentansprüche:

   dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht (ζ. Β. 16,17, 18) durch Aufdampfen aufgebracht werden. ' .. ,-.ι ««^h >iot»m der AnsDruche 5 bis 8

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