DE2318255A1

DE2318255A1 - Schaltungsanordnung mit veraenderlicher verstaerkung

Info

Publication number: DE2318255A1
Application number: DE2318255A
Authority: DE
Inventors: Robert Keith Portway Galpin
Original assignee: PLESSEY HANDEL und INVESTMENTS AG ZUG (SCHWEIZ); Plessey Handel und Investments AG
Current assignee: Plessey Overseas Ltd
Priority date: 1972-04-13
Filing date: 1973-04-11
Publication date: 1973-10-31
Also published as: GB1424670A; US3882330A

Description

PIJESSEY HANDEL UND INVESTMENTS AG Zug 6300, Schweiz
Gartenstrasse 2

Schaltungsanordnung mit veränderlicher Verstärkung

Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung und insbesondere auf eine Schaltungsanordnung mit veränderlicher Verstärkung zur Verwendung bei anjiassungsfähigen Entzerrern.

Das Grundbauelement der meisten automatischen oder anpassungsfähigen Entzerrer ist eine angezapfte Verzögerungsleitung, an deren Anzapfungen Verstärker mit veränderlicher Verstärkung oder Dämpfungsglieder angeschlossen sind. Der Entzerrer arbeitet durch Einstellungen dieser Elemente mit unterschiedlicher Verstärkung entsprechend einer Zahl von Algorithmen, von denen erhofft wird, daß sie zur Minimalisierung der Verzerrung eines Eingangssignals führen. Obgleich solche Entzerrer im Hinblick auf lineare Analogsignale konzipiert sind, ist es möglich, das Eingangssignal in eine mehrwertige digitale Form umzusetzen und den Entzerrer dann in digitaler Hardware auszuführen.Dias wird von einigen Herstellern durchgeführt,

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damit das Erfordernis, Verzögerungsleitungen und Analogelemente mit variabler Verstärkung aufzubauen vermieden wird.

Die Erfindung betrifft mehrere lineare Elemente mit veränderlicher Verstärkung für Analogsignale für die Verwendung bei Verzögerungsnetzwerken vom Analogabtasttyp; die Elemente können jedoch auch ebenso bei Entzerrern mit aktiven RC-Verzögerungsnetzwerken, aktiven RLC-Verzögerungsnetzwerken oder passiven LC-Verzögerungs~ netzwerken (vorzugsweise mit gepufferten Anzapfungspunkten) verwendet werden.

Nach der Erfindung ist eine Schaltungsanordnung mit veränderlicher Verstärkung zur Verwendung bei einem anpassungsfähigen Entzerrer gekennzeichnet durch eine Integriereinrichtung zur Steuerung des Leitwerts einer an ihren Ausgang angeschlossenen Feldeffekttransistorvorrichtung in Abhängigkeit von Signal/ Fehler-Spannungen, die an die Integriereinrichtung angelegt sind, und eine Spannungsquelle, deren Spannung in Abhängigkeit von einem an die Feldeffekttransistorvorrichtung und an eine elektrische Impedanz angelegten elektrischen Signal veränderlich ist, wobei die Feldeffekttransistorvorrichtung und die elektrische Impedanz Ausgangssignale abgeben, die wahlweise kombinierbar sind.

Eine Weiterbildung der Erfindung besteht darin, daß eine Modulatoreinrichtung vorgesehen ist, an die die Signal/Fehler-Spannungen angelegt sind, und daß das Ausgangssignal der Modulatoreinrichtung vorzugsweise über einen Ladewiderstand an die Integriereinrichtung angelegt ist.

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Ferner ist eine weitere Ausgestaltung der Erfindung dadurch gekennzeichnet, daß die Modulatoreinrichtung in Form eines Gegentaktmodulators ausgeführt ist, der in Abhängigkeit vom Ausgangssignal der Spannungsquelle und einem abgeleiteten Fehlersignal betrieben wird.

Eine weitere vorteilhafte Ausgestaltung der Erfindung besteht darin, daß der Gegentaktmodulator einen Differenzverstärker mit zwei Eingängen, von denen einer an Masse liegt, und einen Ausgang enthält, daß eine erste Widerstandsvorrichtung in Serie zu dem anderen Eingang und zum Ausgang der Spannungsquelle geschaltet ist, daß zwischen den Ausgang des Differenzverstärkers und den anderen Eingang eine zweite Widerstandsvorrichtung angeschlossen ist, daß eine zweite Feldeffekttransistorvorrichtung zum Anlegen des Ausgangssignals des Differenzverstärkers an den Ladewiderstand in Abhängigkeit von der Polarität eines Fehlersignals vorgesehen ist, und daß eine dritte Feldeffekttransistorvorrichtung zum Anlegen des Ausgangssignals der Spannungsquelle an den Ladewiderstand in Abhängigkeit von dem hinsichtlich der Polarität invertierten Signal, das an die zweite Feleffekttransistorvorrichtung angelegt ist, vorgesehen ist.

Andrerseits kann eine vorteilhafte Weiterbildung der Erfindung darin bestehen, daß der Gegentaktmodulator einen Differenzverstärker mit zwei Eingängen und einem Ausgang enthält, daß erste unlzweite Widerstandsvorrichtungen Jeweils zwischen einen der Eingänge und den Ausgang der Spannungsquelle angeschlossen sind,daß zwischen den Ausgang des Differenzverstärkers und einen der Eingänge eine dritte Widerstandsvorrichtung eingefügt ist und daß eine zweite Feldeffekttransistorvorrichtung vorgesehen ist, die den anderen Eingang abhängig von der Polarität eines Fehlersignals an Masse legt.

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Eine erfindungsgemäße Weiterbildung wird darin gesehen, daß der Modulator in unsymmetrischer Form aufgebaut ist, daß die Integriereinrichtung einen Differenzverstärker mit zwei Eingängen und einem Ausgang enthält, daß der Ladewiderstand mit einem dieser Eingänge in Serie geschaltet ist, daß zwischen dem Ausgang des Differenzverstärkers und dem einen Eingang ein Kondensator angebracht ist, und daß der andere Eingang an eine Anzapfung (beispielsweise eine Mittelanzapfung) der elektrischen Impedanz angeschlossen ist.

Eine weitere vorteilhafte Ausgestaltung der Erfindung besteht darin, daß der Modulator eine zweite Feldeffekttransistorvorrichtung zum Verbinden des Ausgangs der Spannungsquelle mit dem Ladewiderstand in Abhängigkeit von der Polarität eines Fehlersignals enthält und daß in dem Modulator eine dritte Feldeffekttransistorvorrichtung vorgesehen ist, die den Ladewiderstand in Abhängigkeit von dem hinsichtlich der Polarität gegenüber dem an die zweite Transistorvorrichtung angelegten Signal invertierten Signal mit Masse verbindet.

Eine Weiterbildung der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung ist dadurch gekennzeichnet, daß der Modulator eine zweite Feldeffekttransistorvorrichtung zur Verbindung des Ausgangs der Spannungsquelle mit dem Eingang der Integriereinrichtung enthält, daß eine dritte Feldeffekttransistorvorrichtung zum Verbinden des Eingangs der Integriereinrichtung mit Masse vorgesehen ist, daß die zweite und die dritte Feldeffekttransistorvorrichtung in Abhängigkeit von der Größe und von der Polarität eines Fehlersignals in Kombination mit einem von der Schwellwertspannung der Transistorvorrichtungen abhängigen

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Signal arbeiten, und daß der Widerstand der zweiten und dritten Feldeffekttransistorvorrichtungen den an den Eingang der Integriereinrichtung angeschlossenen Ladewiderstand bildet.

Eine weitere vorteilhafte Ausgestaltung der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung besteht darin, daß der Modulator einen Differenzverstärker mit zwei Eingängen und einem Ausgang enthält, daß in Serie mit einem der Eingänge eine erste Widerstandsvorrichtung geschaltet ißt, daß zwischen dem Ausgang des Differenzverstärkers und dem einen Eingang eine zweite Widerstandsvorrichtung eingefügt ist, daß der andere Eingang des Differenz-Verstärkers an eine weitere Anzapfung der elektrischen Impedanz angeschlossen ist, daß eine zweite Feldeffekttransistorvorrichtung zum Anlegen eines Fehlersignals an das freie Ende der ersten V/iderstandsvorrichtung in Abhängigkeit -von der Polarität des Ausgangssignals der Spannungsquelle vorgesehen ist und daß eine vierte Feldeffekttransistorvorrichtung zum Anlegen des invertierten Werts des Fehlersignals an das freie Ende der ersten Transistorvorrichtung in Abhängigkeit von dem hinsichtlich der Polarität invertierten Ausgangssignal der Spannungsquelle vorgesehen ist.

Die Erfindung umfaßt auch anpassungsfähige Entzerrer, die eine Schaltungsanordnung mit variabler Verstärkung gemäß der obigen Beschreibung enthalten.

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AusfUhrungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt. Darin zeigen:

Fig.1 ein teilweise in Blockdarstellung ausgeführtes Schaltbild einer bekannten Schaltung mit veränderlicher Verstärkung und

Fig.2 bis 7 teilweise in Blockdarstellung ausgeführte Schaltbilder mit gemäß der Erfindung vorgenommenen Änderungen der Schaltung von Fig.1.

Ein Element' mit veränderlicher Verstärkung, das vom veränderlichen Leitwert eines Feldeffekttransistors Gebrauch macht, ist von Hirsch & Wolf in I.E.E. Transactions Comm. Tech. Com-18 No. 1, Februar 1970 auf Seite 5 beschrieben und dort insbesondere in Fig.9 dargestellt worden; die wesentlichen Merkmale sind daraus in der anliegenden Figur 1 dargestellt. Die Gate-Spannung V eines Feldeffekttransistors 1 wird von einer Integrationsschaltung 2 geliefert, die in Abhängigkeit von der Addition der Polarität Sp eines an den Eingang 3 eines modulo-2-Addierers 5 angelegten Signalwerts und der Polarität Ep eines an den Eingang 4 dieses Addierers angelegten Fehlerwerts mit positiven oder negativen Impulsen des Stroms 1+ oder I- gespeist wird. Die veränderliche Verstärkung wird dadurch erzielt, daß ein dem Abgriffsignal proportionaler Strom zwischen dem Feldeffekttransistor 1 und einem Festwiderstand R_Q aufgeteilt wird und daß die aufgeteilten Ströme i+ und iin einen (nicht dargestellten) Differenzverstärker eingegeben werden. Wenn der Widerstandswert des Feldeffekttransistors 1 gleich dem Wert des Festwiderstandes R_Q ist,

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ist die Abgriffverstärkung somit Null. Auf diese Weise können positive und negative Verstärkungen erzeugt v/erden.

Die Schaltung hat zwei grundlegende Nachteile. Erstens kann gezeigt werden, daß der Leitwert eines Metall-Oxid-Silizium-Feldeffekttransistors über der Schwellwertspannung der Gate-Spannung etwa linear proportional ist und daß durch eine Ansteuerung dieser Stromaufteilschaltung aus einer Stromquelle eine nichtlineare Beziehung zwischen der Abgriffverstärkung und der Gate-Spannung vorliegt. Auf diese Weise verursachen in die Integrierschalturig eingegebene Stromimpulse, die feste Zunahmen der Gate-Spannung zur Folge haben, unterschiedliche Verstärkungszunahmen in Abhängigkeit vom Wert der vorhandenen Verstärkung. Zweitens weisen die in die Integrierschaltung eingegebenen Stromimpulse fesie Amplitudenwerte auf, da sie den aus der modulo-2-Addition der Signal- und Fehlerpolaritäten erhaltenen Binärwert wiedergeben. Die in der Fehlergröße und in der Signalgröße enthaltene zusätzliche "Information, die für eine schnelle Konvergenz und für einen kleinen Restfehler wertvoll ist, wird auf diese Weise fallengelassen.

Durch Ersetzen der Stromquelle i_ von "Fig.1 durch eine Spannungsquelle V nach Fig.2 werden die Ströme im Feldeffekttransistor 1 und im Festwiderstand R_Q porportional •zu deren Leitfähigkeiten und unabhängig voneinander gemacht. Dies ergibt zusammen mit der etwa linearen Kennlinie der Feldeffekt-Transistor-Leitfähigkeit in Abhängigkeit von der Gate-Spannung über der Schwellwertspannung eine linearere Verstärkungskennlinie bezüglich der Gate-Spannung.

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Eine weitere Verbesserung der Anordnung von Fig.1 ist in Fig.3 dargestellt. In dieser Anordnung ist der modulo-2-Addierer von Fig.1 durch einen Gegentaktmodulator 6 und einen Ladewiderstand R^ ersetzt. Die Ladung, die zu oder aus der Integrierschaltung 1 fließt, ist dann der Polarität und der Amplitude des Signals V₀ multipliziert mit der Fehlerpolarität E proportional. Die Anordnung hat weit bessere Konvergenzeigenschaften. Geeignete Ausführungen eines Gegentaktmodulator 6 sind beispielsweise in den Figuren 4 (a) und 4(b) dargestellt; auch der in der Patentanmeldung Nr. 16072/72 beschriebene Gegentaktmodulator könnte verwendet werden.

Der in Fig.4(a) dargestellte Gegentaktmodulator 6 besteht aus einem Differenzverstärker 7, dessen positive Eingangsklemme (+) an Masse liegt, und dessen Verstärkung mit Hilfe eines Serieneingangswiderstandes R^ und eines zwischen die negative Eingangsklemme (-) und seine Ausgangsklemme eingefügten Rückkopplungswiderstandes R£ bestimmt wird, wobei die Spannungsquelle V₀ über den Serieneingangswiderstand R«j an die negative Eingangsklemme (-) angelegt ist. Das Ausgangssignal des Differenzverstärkers wird über einen Feldeffekttransistor 8 an den Ladewiderstand R^ angelegt; an der Gate-Elektrode dieses c

Feldeffekttransistors liegt das Signal E an, das die Polarität des Fehlersignals anzeigt, das über einen Eingang 4 zugeführt wird. Über einen weiteren Feldeffekttransistor 9 wird auch die Spannungsquelle V₀ mit dem Ladewiderstand R verbunden, wobei die Gate-Elektrode dieses Feldeffekttransistors den invertierten Wert des Signals E , d.h. das Signal -E empfängt, das über einen Eingang 4^f an sie angelegt wird.

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Der in Fig.4(b) dargestellte Gegentaktmodulator 6 gleicht im Grunde dem in Fig.4(a) dargestellten Modulator, doch ist in diesem Fall der positive Eingang (+) des Differenzverstärkers 7 über einen Serienwiderstand FU an die Spannungsquelle V_ angeschlossen, und dieser Eingang kann auch über einen Feldeffekttransistor 10 mit Masse verbunden vrerden, an dessen Gate-Elektrode das Signal E über den Eingang 4 angelegt werden kann. Das Ausgangssignal des Differenzverstärkers 7 ist dann direkt an den Ladewiderstand R_c angelegt.

Die lineare Signalverarbeitungsfähigkeit des Feldeffekttransistors kann wie Hirsch & Wolf besohrieben haben, dadurch erhöht werden, daß die halbe Abgriffsignalspannung zur Gate-Spannung addiert wird. Eine Möglichkeit dazu ist in Fig.5 dargestellt, wo der Mittelpunkt des Festwiderstandes R_Q an die Integrierschaltung angeschlossen ist. Bei Anwendung dieser Möglichkeit würden die in Fig.4(a) und (b) dargestellten Schaltungen zu ungleichen Ladespannungen für positive und negative Fehler führen.

Eine zufriedenstellende Arbeitsweise wird mit Hilfe der in Fig.5 gezeigten Änderung wiederhergestellt, wo der invertierende Modulator durch einen unsymmetrischen Modulator ersetzt ist, der aus zwei Feldeffekttransistoren 11 und 12 besteht, die die Spannungsquelle V bzw. Masse mit dem Ladewiderstand R_ verbinden. An der Gate-Elektrode des Feldeffekttransistors 11 liegt dabei das über den Eingang 4 angelegte Signal E , während an der Gate-Elektrode des Feldeffekttransistors 12 der invertierte Wert des Signals E , d.h. das Signal -E über den Eingang 4' angelegt ist. Diese Schaltung

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arbeitet folgendermaßen:

Wenn das Signal V_ an die Integrierschaltimg 2 angelegt ist, dann hat die Spannung am Ladewiderstand R. den Wert (V_n - V₀/2) = V₀/2. Wenn der Ladewiderstand

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R an Masse liegt, dann hat die Spannung an ihm den Wert (0-V₀/2) = -V_o/2; somit sind gleiche positive und negative Abweichungen möglich. Wenn der Widerstand R_c wie in der Anordnung von Fig.4 (a) und 4(b) mit der Spannung -V verbunden wäre, dann würde die an ihm anliegende Spannung den Wert (-V -V_/2) = -3 V_c/2 haben, so daß die negative Abweichung dreimal so groß wie die positive Abweichung für den gleichen Wert der Spannung V wäre.

In der Anordnung von Fig.6 sind die Eingänge des unsymmetrischen Modulators vertauscht, so daß die zu oder aus der Integrierschaltung fliessende Ladung der Polarität und der Größe eines Fehlersignals E, multipliziert mit der Signalpolarität V , proportional ist. Auch diese Anordnung weist bessere Konvergenzeigenschaften als die in Fig.1 gezeigte modulo-2-Anordnung auf, und sie führt zu einem kleineren Restfehler als die in den Figuren 3, 4 und 5 dargestellten Anordnungen, insbesondere, wenn sie in rückgekoppelten Entzerrern verwendet wird. Es wird eine Linearisierung des Feldeffekttransistors angewendet, und es sind Einrichtungen vorgesehen, mit deren Hilfe der Spannungswert V₀/2 von der Ladespannung subtrahiert werden· kann, damit die positiven und negativen Abweichungen ausgeglichen werden können, wie oben erklärt wurde.

Eine rasche Anfangskonvergenz und ein minimaler Restfehler können dadurch erzielt werden, daß die zu und aus der Integrierschaltung fliessenden Ladungsbeiträge proportional

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sowohl zur Polarität als auch zur Größe des Abgriffsignals V multipliziert mit der Polarität und der Größe des Fehlersignals, gemacht werden. Eine dazu geeignete Schaltung ist in, Fig.7 dargestellt. Aufbauend auf der in Fig.5 dargestellten Anordnung wird als Ladewiderstand der veränderliche Durchlaßwiderstand der Feldeffekttransistoren 11 und 12 verwendet, und das Fehlersignal wird anstelle einer derartigen Quantisierung, daß die Feldeffekttransistoren 11 und 12 weit in den Durchlaß oder Sperrzustand geschaltet werden, nun mit einer der Schwellenspannung überlagerten Größe E zugeführt, so daß die Leitwerte der Feldeffekttransistoren 11 und der Fehlergröße etwa linear proportional sind. Die Fehlerpolarität E wird dazu verwendet, diese Größe an den entsprechenden Feldeffekttransistor anzulegen. Diese Anordnung ergibt bei niedrigen Kosten eine enge Annäherung an einen auf dem mittleren Fehlerquadrat basierenden Minimalisierungsalgorithmus, der zu einer maximalen Anfangskonvergenzgeschwindigkeit und zu einem minimalen Restfehler führt.

Patentansprüche

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Claims

Patentansprüche

/il Schaltungsanordnung mit veränderlicher Verstärkung zur Verwendung bei einem anpassungsfälligen Entzerrer, gekennzeichnet durch eine Integriereinrichtung zur Steuerung des Leitwerts einer an ihren Ausgang angeschlossenen Feldeffekttransistorvorrichtung in Abhängigkeit von Signal/Fehler-Spannungen, die an die Integriereinrichtung angelegt sind, und eine Spannungsquelle, deren Spannung in Abhängigkeit von einem an die Feldeffekttransistorvorrichtung und an eine elektrische Impedanz angelegten elektrischen Signal veränderlich ist, Avobei die Feldeffekttransistorvorrichtung und die elektrische Impedanz Ausgangssignale abgeben, die wahlweise kombinierbar sind.
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Modulatoreinrichtung vorgesehen ist, an die die Signal/Fehler-Spannungen angelegt sind, und daß das Ausgangssignal der Modulatoreinrichtung an die Integriereinrichtung angelegt ist.
3. Anordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Ausgangssignal der Modulatoreinrichtung über einen Ladewiderstand an die Integriereinrichtung angelegt ist.
4. Anordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Modulatoreinrichtung in Form eines Gegentaktmodulators ausgeführt ist, der in Abhängigkeit vom Ausgangssignal der Spannungsquelle und einem abgeleiteten Fehlersignal betrieben wird.

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5. Anordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Gegentaktmodulator einen Differenzverstärker mit zwei Eingängen, von denen einer an Masse liegt, und einen Ausgang enthält, daß eine erste Widerstandsvorrichtung in Serie zu dem anderen Eingang und zum Ausgang der Spannungsquelle geschaltet ist, daß zwischen den Ausgang des Differenzverstärkers und den anderen Eingang eine zweite Widerstandsvorrichtung angeschlossen ist, daß eine zweite Feldeffekttransistorvorrichtung zum Anlegen des Ausgangssignals des Differenzverstärkers an den Ladewiderstand in Abhängigkeit von der Polarität eines Fehlersignals vorgesehen ist, und daß eine dritte Feldeffekttransistorvorrich- · tung zum Anlegen des Ausgangssignals der Spannungsquelle an den Ladewiderstand in Abhängigkeit von dem hinsichtlich der Polarität invertierten Signal, das

an die zweite Feldeffekttransistorvorrichtung angelegt . ist.
6. Anordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Gegentaktmodulator einen Differenzverstärker mit zwei Eingängen und einem Ausgang enthält, daß erste und zweite Widerstandsvorrichtungen jeweils zwischen einen der Eingänge und den Ausgang der Spannungsquelle angeschlossen sind, daß zwischen den Ausgang des Differenzverstärkers und einen der Eingänge eine dritte Widerstandsvorrichtung eingefügt ist und daß eine zweite Feldeffekttransistorvorrichtung vorgesehen ist, die den anderen Eingang abhängig von der Polarität eines Fehlersignals an Masse legt.

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7. Anordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Modulator in unsymmetrischer Form aufgebaut ist, daß die Integriereinrichtung einen Differenzverstärker mit zwei Eingängen und einem Ausgang enthält, daß der Ladewiderstand mit einem dieser Eingänge in Serie geschaltet ist, daß zwischen dem Ausgang des Differenzverstärkers und dem einen Eingang ein Kondensator angebracht ist, und daß der andere Eingang an eine Anzapfung der elektrischen Impedanz angeschlossen ist.
8. Anordnung nach Anspruch 7» dadurch gekennzeichnet, daß der Modulator eine zweite Feldeffekttransistorvorrichtung zum Verbinden des Ausgangs der Spannungsquelle mit dem Ladewiderstand in Abhängigkeit von der Polarität eines Fehlersignals enthält und daß in dem Modulator eine dritte Feldeffekttransistorvorrichtung vorgesehen ist, die den Ladewiderstand in Abhängigkeit von dem hinsichtlich der Polarität gegenüber dem an die zweite Transistorvorrichtung angelegten Signal invertierten Signal mit Masse verbindet.
9. Anordnung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Modulator eine zweite Feldeffekttransistorvorrichtung zur Verbindung des Ausgangs der Spannungsquelle mit dem Eingang der Integriereinrichtung enthält, daß eine dritte Feldeffekttransistorvorrichtung zum Verbinden des Eingangs der Integriereinrichtung mit Masse vorgesehen ist, daß die zweite und die dritte Feldeffekttransistorvorrichtung in Abhängigkeit von der Größe und von der Polarität eines Fehlersignals in Kombination mit einem von der Schwellwert spannung der Transistorvorrichtungen abhängigen Signal arbeiten, und daß der Widerstand

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der zweiten und dritten Feldeffekttransistorvorrichtungen den an den Eingang der Integriereinrichtung angeschlossenen Ladewiderstand bildet.
10. Anordnung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Modulator einen Differenzverstärker mit zwei Eingängen und einem Ausgang enthält, daß in Serie mit einem der Eingänge eine erste Widerstandsvorrichtung geschaltet ist, daß zwischen dem Ausgang des Differenzverstärkers und dem einen Eingang eine zweite Widerstandsvorrichtung eingefügt ist, daß der andere Eingang des Differenzverstärkers an eine weitere Anzapfung der elektrischen Impedanz angeschlossen ist, daß eine zweite Feldeffekttransistorvorrichtung zum Anlegen eines Fehlersignals an das freie Ende der ersten Widerstandsvorrichtung in Abhängigkeit von der Polarität des Ausgangssignals der Spannungsquelle vorgesehen ist und daß eine vierte Feldeffekttrans istorvorrichtung zum Anlegen des invertierten Werts des Fehlersignals an das freie Ende der ersten Transistorvorrichtung in Abhängigkeit von dem hinsichtlich der Polarität invertierten Ausgangssignal der Spannungsquelle vorgesehen ist.

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