DE2312499A1 - Diazochinon-siloxane und verwendung derselben fuer photolacke und lichtempfindliche gegenstaende - Google Patents

Diazochinon-siloxane und verwendung derselben fuer photolacke und lichtempfindliche gegenstaende

Info

Publication number
DE2312499A1
DE2312499A1 DE19732312499 DE2312499A DE2312499A1 DE 2312499 A1 DE2312499 A1 DE 2312499A1 DE 19732312499 DE19732312499 DE 19732312499 DE 2312499 A DE2312499 A DE 2312499A DE 2312499 A1 DE2312499 A1 DE 2312499A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
parts
compound
compound according
photosensitive
diazo
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19732312499
Other languages
English (en)
Inventor
Sam Lazarus
Edwin John Turner
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Philip A Hunt Chemical Corp
Original Assignee
Philip A Hunt Chemical Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philip A Hunt Chemical Corp filed Critical Philip A Hunt Chemical Corp
Publication of DE2312499A1 publication Critical patent/DE2312499A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/0008—Organic ingredients according to more than one of the "one dot" groups of C08K5/01 - C08K5/59
    • C08K5/0025—Crosslinking or vulcanising agents; including accelerators
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Description

PAlENTAtsWALT DR. HANS ULRICH MAY 2312499
D a MONOHEN 2. OTTOSTRASSE 1a TELEaBAMME: MAYPATENT MONOHEN TELEFON CO81O ββ3β08
Η-5-Ρ-1/1116 München, 13,März 1973
Dr.M./se
Philip A. Hunt Chemical Corporation in Palisades Park, N.J.,
V. St. v. A.
Diazochinon-Siloxane und Verwendung derselben für Photolacke und lichtempfindliche Gegenstände.
Kurze Zusammenfassung (abstract) der Erfindung:
Die Erfindung betrifft Diazochinon-Siloxane und deren Verwendung als Bestandteil eines Photolacks, der ein alkalilösliches Phenolharz, ein alkalilösliches Polymermaterial und ein Diazochinon enthält, zur Verbesserung seiner Haftung an einem festen Träger bei der Behandlung in wässrigen Ätzlösungen.
Stand der Technik und Hintergrund der Erfindungί
Die Erfindung betrifft das Gebiet von Verfahren und Bestandteilen zur Herstellung von Photolacken. Besonders betrifft sie Photolackbestandteile, die in wässrigen Ätzlösungen brauchbar sind. Geeignete Stoffzusammensetzungen, Bestandteile und Verfahren zur Herstellung solcher Photolacke sind in der US-PS 3 551 154 und den darin genannten Veröffentlichungen beschrieben. Auf die dort gegebenen Lehren hinsichtlich Photolacken und Methoden zu ihrer Herstellung wird hier ausdrücklich Bezug genommen. Eine Übliche Verwendung für einen solchen Photolack ist beim Ätzen von Siliciurodioxidabbildungen. Bei solchen Ver-
309849/1239
Wendungen wird der Photolack auf ein geeignetes Substrat, im allgemeinen ein Siliciumplättchen mit einer Oxidschicht, aufgebracht und durch ein Transparentbild mit actinischem Licht bestrahlt (belichtet). Eine entsprechende Entwicklerlösung wird benutzt, um den Photolack an den belichteten Stellen zu entfernen, worauf die nicht mehr geschützte Oberfläche in verschiedener Weise modifiziert und benutzt werden kann. So kann sie mit einem geeigneten Reagenz behandelt werden, um durch die darunter liegende Oxidschicht bis zum Siliciumplättchen zu ätzen. Ein geeignetes Material kann dann in den freigelegten Teil des Siliciums diffundiert werden, um dem Siliciumplättchen bestimmte elektrische Eigenschaften zu verleihen. Das ist ein bekanntes Grundverfahren.
Wenn der Photolack auf Siliciumoxiden in wässrigen Ätzlösungen benutzt wird, besteht eine Schwierigkeit darin, daß die unlöslichen Flächen des Photolackfilms von der wässrigen Ätzlösung unterschnitten werden. Das führt zu einer Ablösung und Abhebung des Photolacks vom Träger, was unerwünscht ist, da es einen Verlust an Randschärfe des Musters bewirkt. Aus diesem Grund muß eine große Zahl von Siliciumplättchen als Ausschuß verworfen werden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Photolack und Photolackfilm mit verbesserten Eigenschaften in wässrigen Ätzlösungen, besonders bessererHaftung an einem Träger bei der Behandlung in wässrigen Ätzlösungen zu schaffen. ' "
Beschreibung der Erfindung:
Die gestellte Aufgabe wird gelöst und ein Photolack mit verbesserten Hafteigenschaften beim Eintauchen in wässrige Ätzlösungen geschaffen, wenn man dem Photolack, der ein Phenolharz und/oder ein Polymermaterial und ein lichtempfindliches Diazochinon enthält und nach Belichtung mit aktinischem Licht in Lösung gebracht werden
30984 9/12 39
kann, erfindungsgemäß eine kleine Menge einer Verbindung der Formel
R-X-CH2-Si(OR')3
zusetzt» worin R ein aromatisches, lichtempfindliches Diazochinon und R1 eine niedrige Alkylgruppe, wie Methyl oder Äthyl, und X eine geeignete Gruppe von Atomen ist, beispielsweise -SOpO-, welche R mit dem Molekülteil -CH2Si(OR1)3 verbinden kann.
Die erfindungsgemäße photoempfindliche Stoffzusammensetzung kann, wie oben angegeben, für Zwecke der MiKroelektronik oder in der Drucktechnik (graphische Verfahren) benutzt werden.
Photolacklösungen zur Herstellung der oben angegebenen photoempfindlichen Stoffzusammensetzungen können verschiedenste photoempfind— liehe Verbindungen und dafür geeignete Harze enthalten. Beispielsweise sind die in der US-PS 3 061 430 beschriebenen photoempfindlichen Materialien ebenso geeignet, wie die lichtempfindlichen Stoffzusammensetzungen, die in der US-PS 2 772 972 beschrieben sind, sowie auch die in der US-PS 3 551 154 beschriebenen Stoffzusammensetzungen. Auf alle diese Patentschriften wird ausdrücklich Bezug genommen.
Typische Verbindungen der erfindungsgemäßen sensibilisierten Si-1oxoverbindungen, die in den erfindungsgemäßen Stoffzusammensetzungen und Bestandteilen brauchbar sind, sind:' 1-(2-Diazo-1-naphthol-5-sulfonamido)-3-(triäthoxy-silyl)-propan · 1 -(2-Diazo-1-naphthol-6-sulfonamido)-3-(triäthoxy-silyl)-propan;
1-(2-Diazo-1 -naphthol-5-sulfonamido)-2-trimethoxy-silyl-propyl)-äthan j
1 -(2-Diazo-1 -naphthol-6-sulfonamido)-2-(trimethoxy-silyl-propyl)-äthan '}
1 ,1 -(Methyl propionyl)(2-diazo-1-naphthol-5-sulfonamido)-3-(trimethoxy-silyl)-propan)
3 0 9 B /, J / 1 2 3 9
1 ,iCyppyJ
methoxy-silyl)-propan .
Weitere Verbindungen sind unten als Varianten der Verbindung (V) beschrieben.
Zur praktischen Durchführung der Erfindung werden Photolacklösungen hergestellt, wie in der US-PS 3 o6i 430 beschrieben. Eine kleine Menge des sensibilisierten Siloxans, z.B. 1-(2-Diazo-1-naphthol-5-sulfonamido)-3-(triäthoxy silyl)-propan, wird während der Herstellung der Photolackstoffzusammensetzung zugefügt. Die Vorteile dieser Zugabe können bereits mit einer Menge von 1 Gewichtsprozent der festen Bestandteile des sensibilisierten Siloxans erhalten werden. Es können auch größere Mengen der sensibilisierten Siloxanverbindung zugesetzt werden, wobei die obere Grenze für jede Verbindung nur von der gewünschten physikalischen Härte der erhaltenen Photolackstoffzusammensetzung abhängt.
Der Hauptvorteil der erfindungsgemäßen Stoffzusammensetzung besteht darin, die Haftung des Photolacks an Siliciumoxidunterlagen zu verbessern. Dabei wird die Haftung der Filmmischung an anderen Substraten nicht nachteilig beeinflußt.
Bei der bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird ein mit Siliciumdioxid überzogenes Siliciumplättchen als fester Grundträger verwendet, auf den die photoempfindliche Schicht aufgebracht wird. Es sei bemerkt, daß die Schicht auch auf Metall oder andere ätzbare Oberflächen aufgebracht werden kann.
Der beschichtete Gegenstand wird durch ein Transparentbild eines integrierten Schaltkreises (IC) belichtet (bestrahlt). Nach der Belichtung der photoempfindlichen Schicht werden die belichteten Flächen mit einem geeigneten Entwickler, z.B. einer verdünnten Lösung von Tetram'ethylammoniumhydroxid und einem Netzmittel in
3098/^/1239
Wasser entfernt. Wenn die photoempfindlichen StoffZusammensetzungen auf ein mit Siliciumdioxid beschichtetes Siliciumplättchen aufgebracht sind, wird die Grundschicht von Siliciumoxid nach diesem Verfahrensschritt freigelegt. Das mit dem Bild versehene, mit
Photolack überzogene Plättchen wird dann in gepufferte Fluorwasserstoffsäure gebracht, bis der freigelegte Teil des Siliciumoxids
entfernt ist.
Bei Verwendung der erfindungsgemäßen sensibilisierten Siloxanverbindungen als Bestandteil des Photolacks kann man beim Ätzverfahren auf ein Erhitzen nach dem Belichten verzichten. Photoempfine liehe Stoffzusammensetzungen, welche ein Methacrylsäurecopolymer, ein lichtempfindliches Chinondiazidsulfonat und z.B. ein i-(2-Diazo-1-naphthol-5-sulfonamido)-3-(triäthoxysilyl)-propan in der
Stoffzusammensetzung enthalten, verleihen dem Photolack eine verbesserte Haftung an der Siliciumoxidschicht und geben infolgedessen eine verbesserte Randschärfe (Definition) beim Ätzen.
Andere Anwendungen für die erfindungsgemäßen Stoffzusammensetzungen sind beispielsweise bei Verwendung von heißen Ätzmitteln in
IC-Verfahren, bei der Herstellung der Platten gedruckter Schaltungen und bei der Herstellung von Druckplatten.
Die folgenden Beispiele erläutern die Erfindung mit weiteren Einzelheiten und Vorteilen.
Beispiel 1
15,4 Gewichtsteile der Verbindung (l),also des Reaktionsproduktes von 60 Teilen der Verbindung (II), eines Nonylphenol-phenolformaldehydharzes, und 20 Teilen der Verbindung (ill), nämlich 2-Diazo-1-naphthol-5-sulfonylchlorid, werden in 72 Teilen 3-Pentanon
gelöst. Zu der Lösung werden 2,2 Teile der Verbindung (lV)t eines
3098/, 9/1239
Methacrylsauremethylmethacrylatcopolymers, in,14 Teilen Äthylenglykolmonomethyläther (Methylcellosalvs) und 1,8 Teile der Verbindung (V)f nämlich 1-(2-Diazo-1-naphthol-5-sulfonamido)-3-(triäthoxysilyl)-propan, gegeben. Die Lösung wird filtriert und dann nach, der Schleudermethode als Schicht auf ein mit Siliciumdioxid überzogenes Siliciumplättchen (Wafer) aufgebracht. Das Plättchen wird durch Vorhärten bei 82°C während 20 Minuten an der Luft getrocknet. Die beschichtete Seite wird dann unter einer .Transparentvorlage 5 Sekunden lang der Belichtung mit einer Hochdruck-Quecksilberdampflampe ausgesetzt. Die Energie an der Plättchenoberfläche beträgt 1,5 mW/cm (Milliwatt pro cm ). Der .belichtete Teil wird dann mit einer wässrigen Lösung von 1,7% Tetramethylammoniumhydroxid und 0,46 % eines Netzmittels, wie Ammoniumalkylpolyäthersulfat (Handelsprodukt Avirol DOD 253 der Firma Henkel, Ine) entwikskelt. Das Plättchen wird 5 Minuten in deionisiertem Wasser gespült und dann in ein gepuffertes Fluorwasserstoffsäureätzbad gebracht, welches aus 7 Teilen einer 40 %xgen wässrigen Ammoniumfluoridlösung und 1 Teil 50 %iger Fluorwasserstoffsäure hergestellt ist. ■
Man kann das Verfahren auch ähnlich, jedoch anschließend mit 85 % Phosphorsäure bei 165°C statt der gepufferten Fluorwasserstoffsäure durchführen. Es ist erwünscht, das mit dem Bild versehene Plättchen (Wafer) nach der Belichtung bei über 135°C nachzuhärten, wenn heiße Phosphorsäure als Ätzmittel verwendet wird.-
Die oben angegebene Verbindung (i) wird wie folgt hergestellt: 60 Gewichtsteile der Verbindung (il), d.h. des Copolymerharzes, werden in 120 Volumenteilen Dioxan gelöst. 29 Volumenteile einer 10 gewichtsprozentigen wässrigen Natriumhydroxidlösung und 60 Volumenteile Wasser werden unter Rühren zugegeben. 20 Gewichtsteile
3098 49/1239
der Verbindimg (ill) in 100 Volumenteilen Dioxan werden unter Rühren zugegeben. Die Mischung wird eine halbe Stunde bei pH 8 gerührt. Sie wird dann mit konzentrierter Chlorwasserstoffsäure stark angesäuert und mit 12oo Teilen Wasser verdünnt. Die überstehende Flüssigkeit wird abgegossen, und der Rückstand wird in 180 Volumenteilen 3-Propanon gelöst. Die Propanonlösung wird mit Natriumchloridlösung gewaschen und über Natriumsulfat getrocknet. Nach dem Filtrieren und Verdünnen des Filtrats wird die Lösung für die Herstellung von Photolacken benutzt.
Die oben angegebene Verbindung (il) wird wie folgt hergestellt: 101 Gewichtsteile Nonylphenol werden 15 Minuten mit 220 Gewichtsteilen Phenol gerührt. 175 Volumenteile 37 /Sige wässrige Formaldehydlösung und 2 Gewichtsteile Oxalsäure werden zugegeben, und die Mischung wird 10 Minuten am Rückfluß erwärmt, worauf weitere 2 Teile Oxalsäure zugegeben werden und das Erhitzen unter Rückfluß weitere 3 Stunden fortgesetzt wird. Dann wird das Erhitzen beendet und die Mischung mit 400 Teilen Wasser gerührt, worauf 100 Teile Salzlösung zugegeben werden. Das Rühren wird beendet, und die wässrige Base wird entfernt. Der Rückstand wird bei 60 - loo mm Hg erwärmt und das Destillat aufgefangen. Die Mischung wird schließlich bei 1600C und 30 mm Hg erwärmt und dann auf 130°C abgekühlt und schließlich in eine offene Schale gegossen.
Die oben angegebene Verbindung (iv) wird wie folgt hergestellt: Unter Stickstoffschutzgas werden 37»5 Volumenteile Methylmethacrylat und 12,5 Volumenteile Methacrylsäure in 100 Volumenteilen Benzol bei 65 - 7 0°C gerührt. Das Erwärmen wird beendet, und 2 Gewichtsteile Azobisisobutyronitril in 40 Volumenteilen Benzol werden während 10 Minuten zugegeben. Nach Stehen über Nacht wird die Mischung mit Äther gerührt. Das Produkt wird abfiltriert und
3098 4 1/1239
an der Luft getrocknet. Die oben angegebene Verbindung (v) wird wie folgt hergestellt:
4,7 Volumenteile V-Aminopropyltriäthoxysilan werden in ίθ Volumenteilen Dioxan gelöst und unter'Rühren auf 200C gekühlt. 5,4 Gewichtsteile der Verbindung (Hl) in 30 Volumenteilen Dioxan werden mit einer solchen Geschwindigkeit zugegeben, daß die Reaktionstemperatur unter 25°C gehalten wird. O18 Gewichtsteile Natriumhydroxid in 40 Teilen Wasser werden mit einer solchen Geschwindigkeit zugefügt, daß die Temperatur unter 25°C bleibt. Nach 10 Minuten bei Raumtemperatur wird die Mischung in Wasser gegossen. Das Produkt wird abfiltriert, der Filterkuchen wird mit Wasser gewaschen und an der Luft getrocknet. .
Abwandlungen der Verbindungen (i), (il), (ill), (IV), und (V), sind die folgenden:
(D
OH
L R
Verbindung (i) : R = CgIL g
Verbindung (il):
; y = 5x ; der mit Index ζ versehene Molekülteil beträgt 25 % des Gesamtmoleküls.
Als Variante von (i) kann bei R= -CqH1Q ; y = 5x
der mit Index ζ versehene Molekülteil 5 bis 50 Gewichtsprozent des Gesamtmoleküls betragen.
das ist der mit Index χ versehene Teil von (i). Variante! von (il): R = H ; R = C. bis C-^ 3 0 9 82
_ 9 —
Verbindung (III)
das ist der mit Index ζ versehene Teil von (i). Variationen von (in):
P N2
(IV)
SO2 (Ilia) SO2 (Illb)
Isomere von (nib) - Naphthochinon-d i ...-:dsulfonate - ,wie in der US-PS 3 130 048 (1964) beschrieben, auf die hier ausdrücklich Bezug genommen wird, können hier auch verwendet werden.
CH„
CH3
t 		X
CH2 - η
I
C = O
I
OCH3
CH9 - C
CO2H
Verbindung (IV) j In der vorangehenden Formel (iv) beträgt der
Molekülteil mit Index y 35 Gewichtsprozent des Moleküls.
Varianten von (iv) : der Molekülteil y kann 5 bis 50 Gewichtsprozent des Moleküls ausmachen. Es können auch andere Carbonsäuren als y-Teil und andere inerte Monomeren als Molekülteil χ verwendet werden, wie in der US-PS 3 551 154 beschrieben.
(V)
'- Si(O-R')31
Verbindung (V) s In der vorangehenden Formel (V) ist R» = ~
3098A9/1239
Varianten von (V) ϊ In der vorangehenden Formel (V) kann der Molekülteil χ eine der oben als Varianten von (III) angegebenen Strukturen haben. Als Molekül teil y können folgende Strukturen vorgesehen sein:
- NH - (CHg)2NH - [CH2I3 - Si(OCH3)
- N - (CHg)3 - Si(OCH3)3 ■
sowie andere Amino-Reste, wie in der US-PS
3 615 538 beschrieben, auf die ausdrücklich
Bezug genommen wird.
Beispiel 2
Nach einem Verfahren ähnlich wie in Beispiel 1 wird eine erfindui 3 s«~ gemäße Stoffzusammensetzung hergestellt aus 15,9 Teilen der Verbindung (l), 2,4 Teilen der Verbindung (IV) und 1,9 Teilen der Verbindung (V) gelöst in 33 Teilen 3-Propanon und 46 Teilen Äthylen,-glykolmonomethyläther. Die Lösung hat einen Gesamtfeststoffgehalt von 20 Gewichtsprozent,
Beispiel 3
Eine Stoffzusammensetzung ähnlich der von Beispiel 2 wird mit 30 % Feststoffgehalt hergestellt. Sie besteht aus 15,9 Teilen der Verbindung (i), 2,4 Teilen der Verbindung (IV), 1,9 Teilen der Verbindung (V) gelöst in 33 Teilen 3-Propanon und 9,5 Teilen Äthylenglykolmonome thyl äther. Die Lösung wird nach einem Tauchverfahren als Schicht auf eine mit 0,27 mm (1,3. Mils) Kupfer beschichtete Phenolharzplatte aufgebracht. Die mit der Lösung beschichtete Platte wird durch Vorhärten bei 8O0C während 15 Minuten an der Luft getrocknet. Die Dicke des getrockneten Films beträgt mehr als 0,O51 mm. Die Platte wird dann unter einer Transpar'entvorlage mit Licht
309849/1239
von einem Kohl^lichtbbgen 90 Sekunden lang belichtet. Die belichteten Flächen werden mit einer wässrigen Lösung von 1,7 % Tetramethylammoniumhydroxid und 0,46 % Netzmittel (Handelsbezeichnung Avirol BOD 253 der Firma Henkel, Inc.) entwickelt. Die das Photolackabbild enthaltende Platte wird mit einer 30° Baume Eisen-III-chloridätzlösung, wie das Produkt 30° Baume Etch-O-Graph der Firma Philip A. Hunt, besprüht, und nach 5 Minuten wird das freiliegende Kupfer entfernt. Dann wird der unbelichtet gebliebene Photolack mit Athylenglykolmonomethyläther abgezogen, so daß ein dem Originaltransparent entsprechendes Kupfermuster verbleibt.
Beispiel 4
Nach einem Verfahren ähnlich wie Beispiel 1 wird die folgende?
Stoffzusammensetzung hergestellt: 25 Teile der Verbindung (i) und 1 Teil der Verbindung (V), gelöst in 49 Teilen 3-Propanol und 25 Teilen Athylenglykolmonomethyläther.
Beispiel 5
Die in Beispiel 4 beschriebene Stoffzusammensetzung wird nach dem Schleuderverfahren als Schicht auf ein aluminiumbeschichtetes Plättchen aufgebracht. Das Plättchen (Wafer) wird durch Vorhärten während einer Stunde bei 95°C getrocknet. Die beschichtete Seite wird wie in Beispiel 1 beschrieben belichtet und entwickelt. Nach Abspülen in entionisiertem Wasser wird das Plättchen bei 35°C in ein Aluminiumätzbad der folgenden Zusammensetzung gebracht: 80 Gewichtsteile Phosphorsäure, 16 Gewichtsteile entionisiertes Wasser und 4 Gewichtsteile Salpetersäure. 1 Gewichtsteil Nonylphenoxypoly(äthylenoxy)äthanol (Handelsbezeichnung Igepal - GAF-C0-710 der Firma GAF) wird auf 100 Volumenteile der Ätzlösung zugesetzt.
3 0 98/ J /1239
Beispiel ξ>
Das Verfahren nach Beispiel 5 wird mit der in Beispiel 2 beschriebenen Stoffzusammensetzung durchgeführt.
Beispiel 7
Ein Verfahren wie in Beispiel 1 wird mit der folgenden Stoffzusammensetzung durchgeführt: 15,4 Teile der Verbindung (i), 2,2 Teile der Verbindung (IV) und 0,T8 Teile der Verbindung (V) werden in 31 Teilen 3-Propanon und 45 Teilen Äthylenglykolmonomethyläther gelöst.
Beispiel 8
Ein Verfahren wie in Beispiel 1 wird mit der folgenden Stoffzusammensetzung durchgeführt: 9,4 Teile der Verbindung (Vl), nämlich des Reaktionsproduktes von 10 Teilen der Verbindung (II) und 10 Teilen der Verbindung (XIl), werden in <4 Teilen 3-Propanon gelöst. Zu der Lösung werden 9 Teile der "Verbindung (VIl), nämlich eines Cresolglyoxalharzes, in 36 Teilen Äthylenglykolmonomethylätheracetat (Methylcellosolveacetat) zugegeben. Ferner werden zu der Lösung 1,8 Teile der Verbindung ( V) zugegeben.
Die Verbindung (Vl) wird in der gleichen Weise wie die Verbindung (i), jedoch mit gleichen Teilen der Verbindungen (II) und (Hl) hergestellt.
Die Verbindung (VIl) wird nach der in der US-PS 3 013 087 gegebenen Vorschrift hergestellt, auf die hiermit Bezug genommen wird.
Beispiel 9
Nach dem Verfahren des Beispiels 4 werden ähnliche Stoffzusammensetzungen, jedoch mit folgenden Veränderungen der Menge der Verbindung (V) hergestellt:
3Q98.V-J/1 2 39
A - 10 Teile von (V)
B - 5 Teile von (V)
C - 2 Teile von (v)
D -0,5 Teile von (V)
Die folgenden Stoffzusammensetzungen sind Beispiele von Photolackbestandteilen, welche eine einzigartige Zusammensetzung aufweisen und die Qualität von Photolacküberzügen auf Siliciumoxidunterlagen verbessern. Besonders verbessern sie deren Haftung am Oxid während der Fluorwasserstoffsäureätzung. Diese Stoffzusammensetzungen sind mit der Verbindung (V) verträglich.
Beispiel 3 0
17»6 Gewichtsteile der Verbindung (VIII} ; nämlich des Reaktionsproduktes von 19 Teilen der Verbindung (il) und 1 Teil der Verbindung (lll)/ werden in 82,4 Teilen Butylacetat gelöst. Die Verbindung (VIII) wird in gleicher Weise wie die Verbindung (l) hergestellt.
Beispiel 11
17f6 Gewichtsteile der Verbindung (IX), nämlich des Reaktionsproduktes von 17»25 Teilen der Verbindung (il) und 2,75 Teilen der Verbindung (ill) werden in 82,4 Teilen Butylacetat gelöst. Die Verbindung ("IX) wird in gleicher Weise wie die Verbindung (i) hergestellt.
Beispiel 12
17»6 Gewichtsteile der wie in Beispiel 8 beschrieben hergestellten Verbindung (VI) werden in 82,4 Teilen 3-Propanon gelöst.
Beispiel 13
6,6 Teile der Verbindung Xx), nämlich des Reaktionsproduktes von 3,2 Teilen der Verbindung (Xl), welche ein Nonylphenol-phenolformaldehydharz ist, und 2,7 Teilen der Verbindung (ill), werden in 82,4 Teilen 3-Propanon gelöst. Zu der Lösung werden 11 Teile der Verbinduna (Xl), nämlich eines Nonylphenol-phenol-formaldehydharzes
3 0 9 8 U * / 1 2 3 9
- 14~ 2312493
gegeben.
Die Verbindimg (X)- wird in gleicher Weise wie die Verbindung. (l) mit 3,2 Teilen der Verbindung (XI) und 2,7 Teilen der Verbindung (III) hergestellt.
Die Verbindung (Xl) wird in ähnlicher Weise wie die Verbindung (II) mit 152 Teilen Nbnylphenol und 65 Teilen Phenol hergestellt.
Beispiel 14
6,6 Teile der Verbindung (X) und 11 Teile der Verbindung (XIl), nämlich eines Nonylphenol-phenol-formaldehydharzes, werden in 82,4 Teilen 3-Propanon gelöst.
Die Verbindung (XIl) wird in ähnlicher Weise wie die Verbindung (II) mit 76,5 Teilen Nonylphenol und 98,5 Teilen Phenol hergestellt,
Beispiel 1 5
6t6 Teile der Verbindung (x) und 11 Teile der Verbindung (II) werden in 82,4 Teilen 3-Propanon gelöst.
Beispiel 16 -
6,6 Teile der Verbindung (XIIl),'nämlich des Reaktionsprodulctes von 159 Teilen der Verbindung (VIl) und 188 Teilen der Verbindung (Hl) werden in 82,4 Teilen 3-Pentanon gelöst. Zu der Lösung werden 2,1 Teile der Verbindung (XTV),- eines p- Phenyl phenol—formalde— hydharzes(- Handelsprodukt Resin Aerofene 618 der Firma Ashland Chemical Co. -) und 8*9 Teile der Verbindung (XV)(Handelsbezeichnung resin SP 6701 der Fa.Schenectady) gegeben. Die Verbindung (XIII) wird ähnlich wie die Verbindung (i) mit 159 Teilen der Verbindung ζΨΙΧ) und 188 Teilen der Verbindung (TIl) hergestellt.
Beispiel 17
6t6 Teile der Verbindung (x), 2tt Teile der Verbindung (XIV) und 8,9 Teile der Verbindung (XV) werden in 82,4 Teilen 3-Pentanon ge-
30S843/1239
Beispiel 18
6,6 Teile der Verbindung (XIIl) und 11 Teile der Verbindung (II) werden in 82,4 Teilen 3-Propanon gelöst.
Es sei darauf hingewiesen, daß in den vorangehenden Beispielen besondere zahlenmäßige Rezepturen angegeben.sind, welche die brauchbaren Stoffzusammensetzungen für den Gebrauch und die Herstellung von Chips erläutern, welche elektronische Schaltkreise tragen und unter Verwendung der Phototransfermethode und der erfindungsgernäßen Photolacke hergestellt sind, um saubere, scharfe photographische Abbildungen in den Scheiben (Platten oder Disks) zu entwickeln, welche schließlich in die Chips getrennt werden. Die Methode der Verteilung der Stoffzusammensetzung über die Siliciumdioxidscheibe oder Basis ist eine Schleudertechnik, bei der die Scheibe durch ein Vakuum auf einer Drehvorrichtung gehalten, mit verhältnismäßig hoher Umdrehungsgeschwindigkeit gedreht und einige wenige Tropfen der Lösung aufgebracht werden, worauf der Überschuß abgeschleudert und so eine dünne, gleichmäßige Schicht auf der Scheibe gebildet wird. Auf diese Scheibe wird dann die Abbildung übertragen, worauf das Ätzen erfolgt.
Es ist von größter Bedeutung, daß die Einzelelemente des übertragenen elektronischen Schaltkreises scharf definiert sind, und diese Bedingung ergibt sich schon aus der Größenordnung der Abmessungen der Schaltkreise selbst. Die einzelne Scheibe kann einen Durchmesser von nicht mehr als 3 oder 4 cm haben, und darauf werden vielleicht 100 oder mehr einzelne Schaltkreise reproduziert, welche die Chips bilden, welche schließlich zur Verwendung in den damit hergestellten Miniaturvorrichtungen abgeschnitten werden. Der Einzelchip von nur einigen Millimetern Länge und Breite trägt daher
3 0 9 8*. J / 1 23 9
einen vollständigen elektronischen Schaltkreis. Die Präzision der Arbeit erfordert, daß der Photolaclc an der abzudeckenden Fläche
praktisch quantitativ haftet. Tatsächlich werden alle Kontrollen bei diesen Arbeitsgängen durch mikroskopische Prüfung der Stücke, vorgenommen, um jedes Abheben von Kanten des Photolacks festzustellen. ·
Entsprechend wurden in den vorangehenden Beispielen in allen Fällen die Photolacke hergestellt und benutzt, um auf Scheiben Chips zu bilden, und die mikroskopische Prüfung zeigte, daß die bei Verwendung von 5 bis etwa 50 % des silanhaltigen photoempfindlichen Materials erhaltene Haftung so verbessert war, daß praktisch jeder Ausschuß vermieden wurde.
3098 A J/ 12 39

Claims (12)

  1. Patentansprüche: Eine Verbindung der Formel
    R-X-CH2Si(OR')3 /
    worin R ein aromatisches, lichtempfindliches Diazochinon, R· eine niedrige Alkylgruppe mit bis zu etwa 4 Kohlenstoffatomen und X eine R mit -CH2Si(OR*)3 verbindende, besonders die Gruppierung -SO2- enthaltende Gruppe ist.
  2. 2. Verbindung nach Anspruch 1 , nämlich
    1-(2-Diazo-1-naphthol-5-sulfonamido)-3-(triäthoxy-silyl)propan.
  3. 3. Verbindung nach Anspruch 1, nämlich
    1-(2-Diazo-1 -naphthol-6-sulfonamido)-3-(triäthoxy-silyl) propan.
  4. 4. Verbindung nach Anspruch 1 , nämlich
    1 -(2-Diazo-1 -naphthol-5-sulfonamido)-2-(trimethoxy-silyl-propyl)-
    äthan.
  5. 5. Verbindung nach Anspruch 1, nämlich
    1-(2-Diazo-1-naphthol-6-sulfonamido)-2-(trimethoxy-silyl-propyl)-
    äthan.
  6. 6. Verbindung nach Anspruch 1 , nämlich
    1,1-(Methylpropionyl)(2-diazo-1-naphthol-5-sulfonamido)-3-(trimethoxy-silyl) propan.
  7. 7. Verbindung nach Anspruch 1, nämlich
    1,1-( ethylpropionyl)(2-diazo-1-naphthol-6-sulfonamido)-3-(trimethoxy-silyl) propan.
  8. 8. Verwendung einer Verbindung gemäß einem der Ansprüche 1 bis in einer photoempfindlichen Stoffzusammensetzung, die als photoempfindliche Schicht auf ein Substrat aufgebracht werden kann und auf diesem als Säure-Photolack wirksam ist und in einer Lösung eines Phenolharzes und eines Polymermaterials eine lichtempfindliche Chinonverbindung enthält, die nach Belichtung mit actini-
    3 0 9 8 % J /' 1 2 3 9
    - 18Λ 2312493
    sehem Licht löslich ist.
  9. 9. Verwendung einer Verbindung gemäß einem der Ansprüche.1 bis 7 in einer photoempfindlichen Stoffzusammensetzung, die als photoempfindliche Schicht auf ein Substrat aufgebracht werden kann und auf diesem als Säure-Photolack dient, wobei die Mischung in einer Lösung eines Phenolharzes und eines polymeren Materials als nach Belichtung mit actinischem Licht lösliche lichtempfindliche Verbindungen mindestens eine kleine, jedoch wirksame Menge einer Verbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 7 allein oder gegebenenfalls zusammen mit einer lichtempfindlichen Chinonverbindung, 550 daß die Gesamtmenge 100 % der lichtempfindlichen Verbindungen ausmacht, enthält.
  10. 10. Verwendung nach Anspruch 9, wobei das Phenolharz ein Nonylphenol-formaldehyd-reaktionsprodukt ist.
  11. 11. Verwendung einer Verbindung nach einen der Ansprüche 1 bis 7 in der auf einen 'Präger aufgebrachten Beschichtung einer vorsensibilisierten Druckplatte.
  12. 12. Verwendung einer Verbindung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7 in der Beschichtung einer Platte, die durch eine Transparentvorlage belichtet und nach dem Belichten mit einer Entwicklerlösung behandelt wurde.
    98/. 9/ I 2 39
DE19732312499 1972-05-23 1973-03-13 Diazochinon-siloxane und verwendung derselben fuer photolacke und lichtempfindliche gegenstaende Pending DE2312499A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US25609772A 1972-05-23 1972-05-23

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2312499A1 true DE2312499A1 (de) 1973-12-06

Family

ID=22971094

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19732312499 Pending DE2312499A1 (de) 1972-05-23 1973-03-13 Diazochinon-siloxane und verwendung derselben fuer photolacke und lichtempfindliche gegenstaende

Country Status (4)

Country Link
BE (1) BE793490A (de)
DE (1) DE2312499A1 (de)
FR (1) FR2185631A1 (de)
GB (1) GB1367830A (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5378502A (en) * 1992-09-09 1995-01-03 U.S. Philips Corporation Method of chemically modifying a surface in accordance with a pattern

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4141733A (en) * 1977-10-25 1979-02-27 Eastman Kodak Company Development of light-sensitive quinone diazide compositions
JPS55127553A (en) * 1979-03-27 1980-10-02 Daicel Chem Ind Ltd Photosensitive composition
JPS55123614A (en) * 1979-03-16 1980-09-24 Daicel Chem Ind Ltd Photosensitive resin and positive type-photosensitive resin composition
JPS62149717A (ja) * 1979-03-16 1987-07-03 Daicel Chem Ind Ltd 感光性樹脂の製造方法
US4294911A (en) 1979-06-18 1981-10-13 Eastman Kodak Company Development of light-sensitive quinone diazide compositions using sulfite stabilizer
FR2478641A1 (fr) * 1980-03-24 1981-09-25 Rhone Poulenc Ind Nouveaux photosensibilisateurs, leur procede d'obtention et leur utilisation dans des compositions photoresists
US4628023A (en) * 1981-04-10 1986-12-09 Shipley Company Inc. Metal ion free photoresist developer composition with lower alkyl quaternary ammonium hydrozide as alkalai agent and a quaternary ammonium compound as surfactant
US4423138A (en) 1982-01-21 1983-12-27 Eastman Kodak Company Resist developer with ammonium or phosphonium compound and method of use to develop o-quinone diazide and novolac resist
DE3230171A1 (de) * 1982-08-13 1984-02-16 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Waessrig-alkalische loesung und verfahren zum entwickeln von positiv-arbeitenden reproduktionsschichten
US4517276A (en) * 1982-11-29 1985-05-14 Varian Associates, Inc. Metal-containing organic photoresists
JPS59219743A (ja) * 1983-05-28 1984-12-11 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型レジスト現像液
EP0130599B1 (de) * 1983-06-29 1988-08-10 Fuji Photo Film Co., Ltd. Photolösungsfähige Zusammensetzung
US4606999A (en) * 1983-12-21 1986-08-19 Thiokol Corporation Development of positive photoresists using cyclic quaternary ammonium hydroxides
US4603195A (en) * 1983-12-30 1986-07-29 International Business Machines Corporation Organosilicon compound and use thereof in photolithography
GB8403698D0 (en) * 1984-02-13 1984-03-14 British Telecomm Semiconductor device fabrication
JPS60237439A (ja) * 1984-04-26 1985-11-26 Oki Electric Ind Co Ltd レジスト材料及びそのレジストによる微細パタ−ン形成方法
US4791046A (en) * 1984-04-26 1988-12-13 Oki Electric Industry Co., Ltd. Process for forming mask patterns of positive type resist material with trimethylsilynitrile
JPH063549B2 (ja) * 1984-12-25 1994-01-12 株式会社東芝 ポジ型フォトレジスト現像液組成物
US4782008A (en) * 1985-03-19 1988-11-01 International Business Machines Corporation Plasma-resistant polymeric material, preparation thereof, and use thereof
JPS6232453A (ja) * 1985-08-06 1987-02-12 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型ホトレジスト用現像液
US4784937A (en) * 1985-08-06 1988-11-15 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Developing solution for positive-working photoresist comprising a metal ion free organic base and an anionic surfactant
US4737425A (en) * 1986-06-10 1988-04-12 International Business Machines Corporation Patterned resist and process
JPH0772799B2 (ja) * 1986-08-13 1995-08-02 ソニー株式会社 レジスト材料
US5543268A (en) * 1992-05-14 1996-08-06 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Developer solution for actinic ray-sensitive resist
JP2007246417A (ja) 2006-03-14 2007-09-27 Canon Inc 感光性シランカップリング剤、表面修飾方法、パターン形成方法およびデバイスの製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5378502A (en) * 1992-09-09 1995-01-03 U.S. Philips Corporation Method of chemically modifying a surface in accordance with a pattern

Also Published As

Publication number Publication date
GB1367830A (en) 1974-09-25
FR2185631A1 (de) 1974-01-04
BE793490A (fr) 1973-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2312499A1 (de) Diazochinon-siloxane und verwendung derselben fuer photolacke und lichtempfindliche gegenstaende
EP0164620B1 (de) Positiv-arbeitende strahlungsempfindliche Beschichtungslösung
DE3309222A1 (de) Temperaturbestaendige photoresistzusammensetzung
EP0146834A2 (de) Entwickler für Positiv-Fotoresists
DE2754396A1 (de) Verfahren zum herstellen von duennfilmmustern
DE2007208A1 (de) Positivkopierlack
DE3831574C2 (de) Entfernerlösung für Resists
EP0193166B1 (de) Lichtempfindliches Gemisch und lichtempfindliches, positiv arbeitendes Kopiermaterial
EP0144880A2 (de) Positiv-Fotoresistzusammensetzungen
DE1771182B2 (de) Photolack
DE3626582C2 (de)
EP0176871A2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Photoresists
EP0278996A1 (de) Verfahren zur Verbesserung der Haftung von Photoresistmaterialien
EP0355015B1 (de) Verfahren zur Entwicklung positiv arbeitender Photoresists
DE3811242A1 (de) Im waessrigem alkali loesliche, silanylgruppen in der seitenkette enthaltende bindemittel, verfahren zu deren herstellung sowie lichtempfindliches gemisch, enthaltend diese verbindungen
DE69911999T2 (de) Reduzierung von metallionenspuren durch ionenaustauschverpackung systemen
EP0195315B1 (de) Verfahren zum Herstellen von Photoresist-Strukturen
EP0221428B1 (de) Behandlungsflüssigkeit für ein Photoresistgemisch und hierfür geeignetes Verfahren
EP0508267B1 (de) Strahlungsempfindliches Gemisch mit Estern der 1,2-Naphthochinon-2-diazid-sulfonsäure und ein damit hergestelltes strahlungsempfindliches Aufzeichnungsmaterial
US7172996B2 (en) Cleaning agent composition for a positive or a negative photoresist
EP0226741B1 (de) Verfahren zur Herstellung eines positiv arbeitenden Photoresists
DE60103772T2 (de) Entferner von unerwünschtem randmaterial für photoresists
DE1920932C3 (de) Photolack fur die Halbleitermaskierung
EP0563663B1 (de) 1,2-Naphthochinon-2-diazid-sulfonsäureester, damit hergestelltes strahlungsempfindliches Gemisch und strahlungsempfindliches Aufzeichnungsmaterial
DE3337303A1 (de) Verfahren zur photolithographischen erzeugung von resistschichten und hierfuer verwendbare lichtempfindliche zusammensetzungen