DE2263813C3 - Erregerschaltung für einen elektromechanischen Resonator - Google Patents
Erregerschaltung für einen elektromechanischen ResonatorInfo
- Publication number
- DE2263813C3 DE2263813C3 DE2263813A DE2263813A DE2263813C3 DE 2263813 C3 DE2263813 C3 DE 2263813C3 DE 2263813 A DE2263813 A DE 2263813A DE 2263813 A DE2263813 A DE 2263813A DE 2263813 C3 DE2263813 C3 DE 2263813C3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- capacitor
- transistor
- resonator
- tuning fork
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G04—HOROLOGY
- G04C—ELECTROMECHANICAL CLOCKS OR WATCHES
- G04C3/00—Electromechanical clocks or watches independent of other time-pieces and in which the movement is maintained by electric means
- G04C3/08—Electromechanical clocks or watches independent of other time-pieces and in which the movement is maintained by electric means wherein movement is regulated by a mechanical oscillator other than a pendulum or balance, e.g. by a tuning fork, e.g. electrostatically
- G04C3/10—Electromechanical clocks or watches independent of other time-pieces and in which the movement is maintained by electric means wherein movement is regulated by a mechanical oscillator other than a pendulum or balance, e.g. by a tuning fork, e.g. electrostatically driven by electromagnetic means
- G04C3/108—Driving circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for
Description
25
Die Erfindung betrifft eine Erregerschaltung für einen elektromechanischen Resonator zur Aufrechterhaltung
der Schwingung des Resonators, wobei die Ankopplung jo des Resonators über eine Treiberspule und eine
Phasenmeßspule, die im Erregerkreis liegen, erfolgt, mit einem Transistor, dessen Eingang über einen Kondensator
mit der Phasenmeßspule und dessen Ausgang über eine äußere Spannungsquelle mit der Treiberspule
verbunden ist, und mit einem zwischen Eingang und Ausgang liegenden Widerstand.
Eine Erregerschaltung dieser Art ist bekannt (US-PS 34 21 309). Der Resonator ist hierbei eine Stimmgabel,
die als Frequenznormal für einen elektronisch gesteuerten Zeitmesser dient. Die Kopplung zwischen Erregerschaltung
und Resonator erfolgt dadurch, daß die Treiberspule und die Phasenmeßspule auf der einen
Zinke der Stimmgabel befestigt sind, während auf der anderen Zinke ein Permanentmagnet sitzt, der in die
genannten Spulen eintaucht Ebenso ist es möglich, an den beiden Zinken der Stimmgabel jeweils einen
Magneten anzubringen und die eine Zinke gegenüber der ortsfest angeordneten Treiberspule und die andere
Zinke gegenüber der ebenfalls ortsfest angeordneten Phasenmeßspule schwingen zu lassen. Derartige Schaltungen bilden sogenannte Resonanz-Rückkopplungsoszillatoren,
die sich von einem herkömmlichen elektrischen Oszillator dadurch unterscheiden, daß an Stelle
einer LC-Kombination ein äquivalenter elektromechanischer Resonator verwendet wird.
Bei der bekannten Erregerschaltung sind Transistor, Kondensator und Widerstand als Einzelelemente
ausgebildet.
Wenn ein batteriegespeister elektronischer Zeitmes- fco
ser für die Unterbringung in einem Armbanduhrengehäuse oder einem Miniaturgehäuse ähnlicher Abmessungen
ausgelegt ist, bei dem Raumausnutzung vorrangig ist, könnte sich an sich die Technologie der
Mikroelektronik zur Verminderung von Größe und b1»
Kosten der elektronischen Schaltung als zweckmäßig anbieten. Aus den im folgenden noch näher zu
erläuternden Gründen war es jedoch bisher nicht möglich, integrierte Schaltkreise voll für die Miniaturisierung
der elektronischen Schaltung von elektronischen Zeitmessern mit mechanischen Resonatoren
einzusetzen
Bekanntlich wird eine übliche Schaltung durch Verbindung einzelner Bauteile aufgebaut, während bei
einer integrierten Schaltung die verschiedenen Bauteile auf einem einzigen Plättchen, dem sogenannten Chip,
ausgebildet werden. Die hauptsächlichen Vorteile von integrierten Schaltungen sind außerordentlich geringe
Größe, niedrige Fertigungskosten und hohe Zuverlässigkeit
Die Herstellung einer aus einem einzigen Kristall bestehenden, monolithischen integrierten Schaltung
umfaßt die Ausbildung von Transistoren, Widerständen und Kondensatoren auf einem einzigen Siliziumsubstrat,
wobei ausreichende isolierung zwischen den Bauteilen vorgesehen wird, um störende Wechselwirkungen
weitgehend zu unterdrücken.
Bei der Herstellung von monolithischen Einkristallgebilden wird von einem Plättchen oder einer Scheibe aus
p-leitendem Silizium als Substrat ausgegangen. Auf der Oberfläche der Scheibe wird eine epitaxiale Schicht als
η-leitendes Material wachsen gelassen, und die integrierten Schaltungsbauteile werden unter Anwendung
eines Maskenverfahrens gebildet, welches in bekannter Weise durch aufeinanderfolgende Diffusion die abwechselnde
Ausbildung von p- und n- Bereichen in der epitaxialen Schicht ermöglicht Transistoren werden in
Form von drei Lagen in n-p-n- oder p-n-p-Schichtung gebildet, während Dioden durch Verwendung von zwei
Schichten oder durch entsprechende Schaltung von Transistoren als Dioden hergestellt werden. Nach
Beendigung aller Diffusionsvorgänge ist über der Scheibenoberfläche eine Schicht aus Siliziumdioxid
vorhanden, welche zum Schutz oder zum »Passivieren« der integrierten Schaltung dient damit diese durch
Umgebungseinflüsse nicht verunreinigt wird. Widerstände erhält man üblicherweise durch Verwendung
einer diffundierten Schicht, in welcher der Strom zwangsweise parallel zum so gebildeten p-n-Übergang
fließen muß, oder durch Ablagerung dünner Filme aus Widerstandsmaterial auf der Oberseite der Siliziumdioxid-Schicht.
Kondensatoren werden dadurch hergestellt, daß p-n-Übergangskapazitäten verwendet werden
oder leitfähiges Material über der Siliziumdioxid-Schicht abgelagert wird. Die Verbindung zwischen den
Bauteilen werden unter Auswahl der gewünschten Flächenbereiche durch Ablagerung eines leitfähigen
Materials über dem Oxid unter Anwendung von Maskenverfahren gebildet
Der Schicht- oder Flächenkondensator ist die einfachste Art eines Kondensators, die sich bei
integrierten Schaltungen herstellen läßt Schichtkondensatoren !können im ρ F-Bereich hergestellt werden,
so daß sie hauptsächlich als Entkopplungs- oder Überbrückungs-Kondensatoren Verwendung finden.
Der Metalloxidsilizium- bzw. MOS-Kondensator wird durch einen η+-Bereich (Emitterdiffusion) und einen
Metallfilm, üblicherweise aus Aluminium, hergestellt, die
durch ein Siliziumdioxid-Dielektrikum voneinander getrennt sind.
In manchen Fällen werden an die Klemmenleistung integrierter Schaltungen solche Anforderungen gestellt,
daß in monolithischer Eiinkristalltechnik ausgeführte Kondensatoren unbrauchbar sind, weil die richtigen
Werte nicht erreicht werden können, da die Temperaturschwankungen zu groß sind oder unzulässige
parasitäre Effekte auftreten. In diesen Fällen kann eine
Dünnschichttechnik zur Bildung des Kondensators angewandt werden, wobei die Boden- oder Grundplatte
durch Ablagerung einer Alurniniumschicht auf der
endgültigen SiOrSchicht des monolithischen Gebildes erzeugt wird. Sodann wird eine Schicht eines dielektrischen Materials auf der Aluminiumschicht abgelagert,
über welcher eine weitere Aluminiumschicht folgt, um
die obere Platte des Kondensators zu bilden. Aber auch in diesem 1FaIl liegen die größten, auf Chips zu
erzielenden Werte im pF-Bereich.
Eine detaillierte Beschreibung der integrierten Schaltungstechnik für die Herstellung von Widerständen, Kondensatoren und Transistoren findet sich in
»Analysis and Design of Integrated Circuits« von Lynn, Meyer & Hamilton — 1967 — McGraw Hill
Book Co.
Insoweit als bei elektronischen Schaltungen der bisher in Verbindung mit Stimmgabeln und anderen
Formen mechanischer Resonatoren verwendeten Art ein Kondensator benötigt wird, dessen Wert im
μΡ-ΒβΓείοη liegt, schließt dieses Erfordernis die volle
Integration der Schalktung aus. Unter Anwendung der Diffusions- oder Dünnschichttechnik ist es nicht
möglich, auf einem Chip einen Kondensator mit z. B. einem Wert von 0,1 oder nur 0,03 Mikrofarad oder
einem beliebigen anderen Wert im Mikrofaradbereich herzustellen.
Bisher gelang lediglich die Herstellung einer Hybridschaltung, bei welcher ein den Widerstand und den
Kondensator aufweisender integriertes Schaltungs-Chip mit einem getrennten Kondensator des gewünschten hohen Werts kombiniert ist Derartige Hybridschaltungen sind jedoch teuerer in der Herstellung und nicht
so kompakt und zuverlässig wie echte integrierte Schaltungen.
Im Hinblick auf die vorstehenden Ausführungen liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, die Erregerschaltung so zu gestalten, daß sie miniaturisiert und unter
Vermeidung einer Hybridschaltung ausgebildet werden kann. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch
gelöst, daß der Transistor einen übergroßen Verstärkungsgrad, der Kondensator eine Kapazität von
weniger als 400 Picofarad und der Widerstand einen Wert von mehr als 100 Megohm aufweist und daß der
Transistor, der Kondensator und der Widerstand eine Einheit inMonoliihtechnik bilden.
Wie weiter unten anhand eines Ausführungsbeispiels noch im einzelnen erläutert, ist es zur Erregung des
Resonators an seiner Eigenfrequenz nötig, das Produkt aus Widerstand und Kapazität groß gegen die
Eigenschwingungsdauer des Resonators zu machen. Die erfindungsgemäße Kombination der Kenndaten von
Kondensator, Widerstand und Transistor ermöglicht es, diese Bedingung mit einem in Monolithtechnik herstellbaren Kondensator zu erfüllen, da durch die Wahl eines
Transistors mit hinreichend großem Verstärkungsgrad der Resonator erregt werden kann, obwohl im
Eingangkreis des Transistors zur Kompensation der vergleichsweise kleinen Kapazität des Kondensators
ein Widerstand mit vergleichsweise hohem Widerstandswert liegt.
Obgleich die Erfindung in Verbindung mit Stimmgabeloszilldtoren beschrieben ist, sind, wie auch die
weitere Beschreibung erkennen läßt, die gleichen Grundprinzipien ersichtlicherweise auch auf Oszillatoren mit anderen Formen elektromechanischer Resonatoren anwendbar, beispielsweise auf solche elektroni
schen Zeitmesser, die als Zeithaltenormal eine bin- und herschwingende Unruh verwenden, deren Schwingung
durch die elektronische Schaltung aufrechterhalten wird. Auch sei darauf hingewiesen, daß die im folgenden
in Verbindung mit Zeitmessern beschriebenen mechanischen Resonatoren als Frequenznormale noch auf
zahlreichen anderen praktischen Anwendungsgebieten, beispielsweise für Resonanzfilter und optische Unterbrecher einsetzbar sind.
Ein bedeutsamer Vorteil der Erfindung besteht vor allem darin, daß trotz Verwendung einer Stimmgabel als
Frequenznormal oder Zeitbasis für einen Zeitmesser durch die kompakte integrierte Schaltung eine sehr
bedeutende Verkleinerung solcher Uhren möglich wird.
Im wesentlichen die gleiche Anordnung k inn aber auch,
wie bereits angedeutet, bei Stimmgabel-Tongeneratoren, -Filtern und anderen niederfrequenten Vorrichtungen benutzt werden, die einen mechanischen Resonator
bzw. Schwinger als frequenzbestimmendes Element
verwenden.
Im folgenden sind bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert Es
zeigt
F i g. 1 eine schematische Darstellung eines Stimmga
bel-Frequenznormals mit einer integrierten Schaltung,
F i g. 2 ein vereinfachtes Schaltbild einer äquivalenten elektrischen Schaltung der Stimmgabel und ihrer
zugeordneten elektronischen Schaltung und
Fig.3 ein vereinfachtes schematisches Schaltbild
jo einer abgewandelten Ausführungsform der der äquivalenten Schaltung der Stimmgabel zugeordneten elektronischen Schaltung.
Das in F i g. 1 dargestellte Frequenznormal weist eine Stimmgabel 10 mit zwei flexiblen Zinken 1OA und 10ß
is sowie einem Halteschaft 11 auf. Bei Verwendung als
Zeitbasis für eine Armbanduhr oder eine andere Miniatur-Zeitmesservorrichtung wird die Schwingung
der Stimmgabel durch einen zweckmäßigen Bewegungsumformer in eine Drehbewegung zur Betätigung
der Zeiger der Uhr od. dgl. umgewandelt
Dies kann mittels eines Fortschalt- oder Steigradmechanismus oder mittels einer magnetischen Hemmung
geschehen. Wahlweise können die Stimmgabelschwingungen dazu benutzt werden, periodische elektrische
Impulse zur Aktivierung einer elektronischen Zeitanzeige zu liefern.
Das hier zu beschreibende Ausfuhrungsbeispiel der Erfindung ist lediglich auf die der Stimmgabel oder
einem ähnlichen mechanischen Resonator zugeordnete
elektronische Schaltung beschränkt, die den Resonator
in Betrieb hält, wobei das System als Frequenznormal für Zeithalte- oder andere bekannte Zwecke wirkt Die
Anwendungsart der Stimmgabel oder des Resonators sowie die Art und Weise dieser Anwendung stellen
mithin keinen Teil der Erfindung dar.
Die Stimmgabel 10 ist mit elektromagnetischen Treiber- und Phasenmeßwandlern versehen, von denen
der erste durch einen an der einen Gabelzinke montierten und mit einer ortsfesten Spule 13 zusam
menwirkenden Permanentmagneten 12 und der zweite
durch einen einer ortsfesten Spule 15 zugeordneten Permanentmagneten 14 gebildet wird. Obgleich zwei
getrennte Treiber- und Phasenmeßwandier dargestellt
sind, können sie in der Praxis zu einem einzigen
bri elektromagnetischen Wandler kombiniert sein, der
Phasenmeß- und Treiberspulenabschnitte aufweist, wie dies beispielsweise in der US-PS 35 17 288 offenbart ist.
Den elektromagnetischen Wandlern isi ein inieKrier-
tes Schaltungs-Chip 16 zugeordnet, dessen Schaltkreis durch einen Transistor 17 mit Bais B, Kollektor C und
Emitter E einen Kondensator 18 und einen Widerstand 19 gebildet wird.
Der Kondensator 18 ist mit dem Widerstand 19 in Reihe geschaltet, und der Verbindungspunkt zwischen
diesen beiden Elementen ist an die Basis B des Transistors 17 angeschlossen. Das andere Ende des
Kondensators 18 ist mit einer Chip-Klemme Ti verbunden, während das andere Ende des Widerstands
19 an den Kollektor C und an die Chip-Klemme T2
angeschlossen ist. Der Emitter E steht mit einer Chip-Klemme T3 in Verbindung. Für den Einbau des
Chips in eine Stimmgabeluhr sind somit nur drei Anschlüsse nötig.
Die Klemme T\ ist mit dem einen Ende der Phasenmeß-Spule 15 verbunden, die mit der Treiberspule
13 in Reihe geschaltet ist. Die Verbindung zwischen den beiden Spulen ist an die Klemme T3 angeschlossen.
Die Klemme T2 liegt über eine Gleichstromquelle bzw.
Batterie 20 in Reihe zum anderen Ende der Treiberspule 13.
Der Ausgang des einen Verstärkers darstellenden Transistors 17 ist über die Batterie 20 mit der
Treiberspule 13 verbunden. Wenn der Transistor 17 im Betrieb kurzzeitig durchgeschaltet wird, wird ein
Stromimpuls von der Batterie 20 an die Treiberspule 13 angelegt, wobei das resultierende Magnetfeld einen
Schub auf den Zinken-Magneten 13 ausübt und dadurch die Stimmgabel betätigt. Die durch den Magneten 14 in
der Phasenmeß-Spule 15 induzierte Spannung wird über den Kondensator 18 an die Basis B des Transistors 17
angelegt und überwindet die an ihm anliegende Vorspannung infolge des Basisstromflusses über den
Widerstand 19, um die augenblickliche bzw. Phasenposition im Verlauf jedes Schwingungszyklus zu steuern,
wenn der Treiberimpuls an die Treiberspule geliefert werden soll.
Die Stimmgabel mit ihrer zugeordneten elektronischen Schaltung bildet ein rückgekoppeltes Resonanzsystem,
wie es etwa im Buch »Transistor Manual«, 7. Auflage (1964), herausgegeben von der Firma General
Electric Company, im Grundsatz beschrieben ist. Im Resonanz-Rückkopplungsoszillator werden dabei entweder
LC-Resonatoren oder deren elektromechanische Äquivalente verwendet.
In der Standardform des Resonanz-Rückkopplungs-Transistoroszillators
ist der Ausgang des als Verstärker wirkenden Transistors an die abgestimmte Primärwicklung
eines Transformators angekoppelt, dessen Sekundärwicklung mit dem Eingang verbunden ist, um eine
Regeneration bzw. positive Rückkopplung zu gewährleisten, wodurch der Verstärker zum Schwingen
gebracht wird. Bei der Anordnung gemäß Fi g. 1 ist der
Resonanz-Rückkopplungsoszillator als Hartley-Schaltung
aufgebaut, bei welcher in Reihe geschaltete Phasen- und Treiberspulenwicklungen in Spartransformator-Schaltung
anstelle der üblichen Schaltung als Doppelwicklungs-Obertrager angeordnet sind.
Im folgenden seien nunmehr die qualitativen Aspekte des Frequenznonnais gemäß Fig. 1 betrachtet Dies
geschieht am zweckmäßigsten im Zusammenhang mit der Äquivalenzschaltung des Stimmgabelresonators, da
im vorliegenden Fall hauptsächlich die elektrischen Wirkungen der Oszillatorschaltung auf den Resonator
betrachtet werden sollen.
In F i g. 2 ist das elektrische Äquivalent der Stimmgabel 10 durch die Induktivität Lr, die Kapazität Qund den
Widerstand R/ angegeben, die sämtlich parallelgeschaltet sind und einen Parallel-Resonanzkreis bilden, dessen
Frequenz durch die reaktiven Werte von Induktivität und Kapazität und dessen <?-Wert durch den Wert des
Widerstands bestimmt ist. Da die Stimmgabel im Vergleich z. B. zu einem Resonator mit hohem Q-V/ert,
etwa einem piezoelektrischen Kristall, eine Vorrichtung mit mittlerem Q-Wert ist, ist der Widerstandswert zu
berücksichtigen.
in In F i g. 2 kann man den Schalttransistor vernachlässigen
und sich auf die Reihenschaltung aus Widerstand 9 und Kondensator 18 konzentrieren, die mit der
äquivalenten Stimmgabel-Resonatorschalting in Nebenschluß geschaltet sind. Der Widerstand 19 besitzt einen
Wert Ro, der zwischen Kollektor C und Basis B auftritt, während der Kondensator 18 einen zwischen Basis B
und Emitter E dargestellten Wert Q, aufweist. Diese Werte können gemäß F i g. 3 durch ihr Paralleläquivalent
ersetzt werden, wobei
C0 = C0(I +(,,,C0R0)2
(Gleichung I)
(Gleichung II)
(Gleichung II)
In den obigen Gleichungen bedeutet das Symbol tu die Winkelfrequenzen der Stimmgabel, d. h. 2π multipliziert
mit der Stimmgabelfrequenz.
Aus Gleichung II ist ersichtlich, daß zur weitgehenden Verminderung des Werts der Kapazität CJ die Werte Rt und Co groß sein sollten. Wünschenswerterweise sollte der Wert C0 im Vergleich zu Cr möglichst weitgehend vermindert werden, um die Frequenzverschiebung des Systems von der Eigenfrequenz der Stimmgabel hinweg möglichst weitgehend zu reduzieren. Wenn der Wert von Cj im Vergleich zu Ci nicht klein ist, wird die Stimmgabel gezwungen, in einem gegenüber ihrer Eigenfrequenz verschobenen Frequenzbereich zu schwingen, so daß die für den Betrieb der Stimmgabel erforderliche Leistung erhöht wird. Außerdem ist das System dann empfindlicher gegenüber Schwankungen der Kapazität C0, was unerwünscht ist
Aus Gleichung II ist ersichtlich, daß zur weitgehenden Verminderung des Werts der Kapazität CJ die Werte Rt und Co groß sein sollten. Wünschenswerterweise sollte der Wert C0 im Vergleich zu Cr möglichst weitgehend vermindert werden, um die Frequenzverschiebung des Systems von der Eigenfrequenz der Stimmgabel hinweg möglichst weitgehend zu reduzieren. Wenn der Wert von Cj im Vergleich zu Ci nicht klein ist, wird die Stimmgabel gezwungen, in einem gegenüber ihrer Eigenfrequenz verschobenen Frequenzbereich zu schwingen, so daß die für den Betrieb der Stimmgabel erforderliche Leistung erhöht wird. Außerdem ist das System dann empfindlicher gegenüber Schwankungen der Kapazität C0, was unerwünscht ist
Für die Herstellung als integrierte Schaltung ist es
aber wesentlich, den Wert von C0 klein (unter 400 pF) zu
wählen, da der Kondensator sonst nicht nach integrierter Schaltungstechnik hergestellt werden kann. Hierbei
ergibt sich dann die Notwendigkeit die Wirkung der Verwendung eines kleinen Kondensators im pF-Bereich
dadurch auszugleichen, daß der Wert R0 sehr groß (d. h.
so größer als 100 ΜΩ) gewählt wird.
Der Widerstand Ro ist der Haupt-Bestimmungsfaktor
für den Basisstrom des Transistors. Da jedoch der Transistor als stromverstärkendes Element nur begrenzten
Verstärkungsgrad besitzt, liefert die sich aus der Erhöhung des Werts des Widerstands Ro ergebende
Verminderung des Basisstroms im Fall eines üblichen Transistors der bisher bei elektronischen Zeitmessern
verwendeten Art nicht genügend Strom in der Kollektor-Ausgangsschaltung, um die Stimmgabel anzutreiben.
Dieser Kollektorstrom liefert die die Stimmgabel in Schwingung haltende Energie, und bei
vorgegebener Amplitude der Stimmgabelschwingung ist eine bestimmte Energiemenge nötig, die durch den
<?-Wert der Stimmgabel bestimmt wird.
Es hat sich nun herausgestellt, daß die Verminderung
Verminderung des Basisstroms Verwendung eines Basisstrom-Widerstands mit einem Wert von mehr als
100ΜΩ hervorgerufen wird, durch Verwendung eines
Transistors mit übergroßem Verstärkungsgrad der Art ausgeglichen werden kann, wie er beispielsweise im
»Electronic Products Magazine« (19. April 1971) im Artikel »Super-Gain-Transistor für ICs« beschrieben ist.
Wie in diesem Artikel erwähnt, sind Transistoren mit übergroßen Verstärkungsgrad (im Handel auch als
Superbeta-Transistoren bekannt) normale, d. h. genormte bipolare Transistoren, deren Emitter für extrem
hohe Ströme diffundiert worden sind.
Beim normal dotierten Transistor ist der Gleichstrom-Verstärkungsgrad
Beta umgekehrt abhängig von der Basisbreite. Wenn der Emitter aber tiefer in den
Basisbereich hinein diffundiert wird, erhöht sich der Beta-Wert auf mehrere Tausend. Typische Stromverstärkungsgrade
von 5000 sind bei Kollektorströmen von 1 Mikroampere erzielbar.
Bei der vorstehenden qualitativen Auswertung der elektronischen Schaltung für den Antrieb der Stimmgabel
ist der Einfluß des Transistors vernachlässigt worden. Wenn der Transistor in der Praxis zur
Erzeugung des Treiberimpulses bei jeder Periode einmal durchgeschaltet wird, ist die Äquivalenzschaltung
des im C-Betrieb arbeitenden Hartley-Oszillators komplizierter. Die hauptsächlichen qualitativen Merkmale
der Schaltung sind aber dennoch im wesentlichen dieselben wie die vorher beschriebenen, weshalb es
nicht nötig ist, die komplizierteren Aspekte des Schaltungsverhaltens näher zu betrachten.
Zusammenfassend kann gesagt werden, daß es zur Ermöglichung einer Integration aller die elektronische
Schaltung bildenden Elemente, die der elektromagnetisch betätigten Stimmgabel oder einem anderen
mechanischen Resonator zugeordnet ist, erforderlich wird, einen Kondensator im pF-Bereich (d. h. von z. B.
200 pF) zu verwenden. Dieser Wert kann ohne weiteres durch bekannte Mikroelektronik-Techniken hergestellt
werden. Dieser kleine Kapazitätswert erfordert dann einen wesentlich höheren Wert für den Basisstrom-Widerstand
(über 100 ΜΩ), wodurch ein merklich reduzierter Basisstrom hervorgerufen wird. Dies macht
wiederum die Verwendung eines Transistors mit übergroßem Verstärkungsgrad zur Betätigung der
zugeordneten Stimmgabel, um sie in Schwingung zu halten, erforderlich.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (2)
1. Erregerschaltung für einen elektromechanischen Resonator zur Aufrechterhaltung der Schwingung
des Resonators, wobei die Ankopplung des Resonators über eine Treiberspule und eine
Phasenmeßspule, die im Erregerkreis liegen, erfolgt,
mit einem Transistor, dessen Eingang über einen Kondensator mit der Phasenmeßspule und dessen
Ausgang über eine äußere Spannungsquelle mit der Treiberspule verbunden ist, und mit einem zwischen
Eingang und Ausgang liegenden Widerstand, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor
(17) einen übergroßen Verstärkungsgrad, der Kondensator (18) eine Kapazität von weniger als 400
Picofarad und der Widerstand (19) einen Wert von mehr als 100 Megohm aufweist und daß der
Transistor, der Kondensator und der Widerstand eine Einheit in Monolithtechnik bilden.
2. Erregerschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Resonator eine Stimmgabel
(10) ist
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US00244644A US3727151A (en) | 1972-04-17 | 1972-04-17 | Integrated circuit for electronic timepieces |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2263813A1 DE2263813A1 (de) | 1973-10-25 |
DE2263813B2 DE2263813B2 (de) | 1978-04-13 |
DE2263813C3 true DE2263813C3 (de) | 1978-11-23 |
Family
ID=22923573
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2263813A Expired DE2263813C3 (de) | 1972-04-17 | 1972-12-28 | Erregerschaltung für einen elektromechanischen Resonator |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3727151A (de) |
JP (1) | JPS4919932A (de) |
CA (1) | CA964869A (de) |
CH (1) | CH556052A (de) |
DE (1) | DE2263813C3 (de) |
ES (1) | ES410071A1 (de) |
FR (1) | FR2180640B1 (de) |
GB (1) | GB1416728A (de) |
HK (1) | HK56676A (de) |
IT (1) | IT973247B (de) |
NL (1) | NL150240B (de) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5156674A (de) * | 1974-11-14 | 1976-05-18 | Citizen Watch Co Ltd | |
JPS51138064U (de) * | 1975-04-28 | 1976-11-08 | ||
JPS51127657A (en) * | 1975-04-28 | 1976-11-06 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Standard signal generator |
US4001869A (en) * | 1975-06-09 | 1977-01-04 | Sprague Electric Company | Mos-capacitor for integrated circuits |
JPH0540224A (ja) * | 1990-07-26 | 1993-02-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 走査型顕微鏡 |
FI124103B (fi) * | 2010-02-22 | 2014-03-14 | Murata Electronics Oy | Parannettu mikromekaaninen resonaattori |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3421309A (en) * | 1966-06-13 | 1969-01-14 | Bulova Watch Co Inc | Unitized tuning fork vibrator |
-
1972
- 1972-04-17 US US00244644A patent/US3727151A/en not_active Expired - Lifetime
- 1972-12-08 CA CA158,500A patent/CA964869A/en not_active Expired
- 1972-12-20 NL NL727217397A patent/NL150240B/xx unknown
- 1972-12-20 GB GB5893972A patent/GB1416728A/en not_active Expired
- 1972-12-27 CH CH1885672A patent/CH556052A/xx unknown
- 1972-12-27 ES ES410071A patent/ES410071A1/es not_active Expired
- 1972-12-28 FR FR7246672A patent/FR2180640B1/fr not_active Expired
- 1972-12-28 DE DE2263813A patent/DE2263813C3/de not_active Expired
- 1972-12-28 JP JP48004343A patent/JPS4919932A/ja active Pending
- 1972-12-29 IT IT33981/72A patent/IT973247B/it active
-
1976
- 1976-09-16 HK HK566/76*UA patent/HK56676A/xx unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL150240B (nl) | 1976-07-15 |
JPS4919932A (de) | 1974-02-21 |
CH556052A (de) | 1974-11-15 |
IT973247B (it) | 1974-06-10 |
HK56676A (en) | 1976-09-24 |
CA964869A (en) | 1975-03-25 |
ES410071A1 (es) | 1976-04-01 |
FR2180640A1 (de) | 1973-11-30 |
CH1885672A4 (de) | 1974-05-15 |
DE2263813A1 (de) | 1973-10-25 |
US3727151A (en) | 1973-04-10 |
GB1416728A (en) | 1975-12-03 |
FR2180640B1 (de) | 1977-04-08 |
NL7217397A (de) | 1973-10-19 |
DE2263813B2 (de) | 1978-04-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2253425A1 (de) | Differentiell einstellbare kondensatoreinheit zur abstimmung eines kristallgesteuerten oszillators | |
DE1171188C2 (de) | Vorrichtung zum umsetzen von elektrischer energie in mechanische schwingungsenergie | |
DE102007016642B4 (de) | Elektromechanisches System und Verfahren zum Betrieb eines elektromechanischen Systems | |
DE2263813C3 (de) | Erregerschaltung für einen elektromechanischen Resonator | |
DE1261242B (de) | Synchronmotor, insbesondere fur den Antrieb von zeithaltenden Geraten | |
DE2349749A1 (de) | Oszillator | |
DE2638055B2 (de) | Quarzoszillator mit Frequenzeinstellvorrichtung | |
DE1811625C3 (de) | Elektronische Zündschaltung für die Zündkerzen einer Brennkraftmaschine | |
DE1916604A1 (de) | Uhr mit Batterieantrieb | |
DE2425253B2 (de) | Elektronische Uhr | |
DE2556685A1 (de) | Elektronische uhr | |
DE3900958C2 (de) | ||
DE1766091A1 (de) | Kristallgesteuerter Halbleiteroszillator | |
DE2059888B2 (de) | Monolithisch integrierbare oszillatorschaltung mit freuqenzbestimmendem zweipol | |
DE2035587A1 (de) | Uhrenantneb mit piezoelektrischer Stimmgabel | |
DE2902253C2 (de) | Leistungsoszillatorschaltung für Ultraschallaerosolgeräte | |
DE2143103C3 (de) | ||
DE523193C (de) | Elektrisches Kopplungssystem fuer den Anodenkreis einer dreielektrodigen Entladungsroehre | |
DE1523876C (de) | Elektronische Kleinuhr mit einem elektromechanischen Oszillator als Zeit basis | |
DE2031843A1 (de) | Impulsgenerator | |
DE959927C (de) | Oszillatorschaltung mit Frequenzstabilisierung durch mehrere gleichzeitig auf die erzeugte Frequenz einwirkende elektromechanische Schwinger | |
DE2243632C3 (de) | Schaltungsanordnung für den Antrieb eines mit einem piezoelektrischen Element versehenen mechanischen Schwingers | |
DE476404C (de) | Einrichtung zur Konstanthaltung der Frequenz von Roehrenschwingungserzeugern, deren Entladungsstrecken unter dem Einfluss eines magnetischen Feldes stehen | |
DE2245644C3 (de) | Anordnung zur Aufrechterhaltung der Schwingungen eines mechanischen Resonators | |
DE1591111B1 (de) | Transistorisierter Oszillator |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |