DE2263784A1 - Zerstaeubungsvorrichtung - Google Patents
ZerstaeubungsvorrichtungInfo
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
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Description
PATENTANWÄLTE
DipUng. WERNER COHAUSZ · DipWng. WILHELM FLORACK. Dipl.-Ing. RUDOLF KNAUF
4 Düsseldorf, Sdiumannstraße 97 2 2 β 3 7 R A
Die Erfindung betrifft eine Zerstäubungsvorrichtung zur Ablagerung
einer Materialschicht auf eineam Gegenstand, und ihr liegt die Aufgabe zugrunde, eine Zerstäubungsvorrichtung dieser Art in zweckmäßiger Form vorzusehen.
Erfindungsgekmäß ist eine Zerstäubungsvorrichtung gekennzeichnet
durch eine Kammer zum Halten eines inerten Gases, auf einem niedrigen
Druck, eine sich in die Kammer erstreckende Kathodenanordnung, eine Anode und eine sich in die Kammer erstreckende dritte Elektrode, an
die im Betrieb eine solche Spannung angelegt ist, daß der Aufbau eines Plasmas innerhalb der Kammer eingeleitet wird.
Die Erfindung ist nachstehend an Hand der Zeichnungen näher erläutert.
In den Zeichnungen sinds
Fig. 1 eine schematische Darstellung der Vorrichtung, bei der zur
Vereinfachung der Darstellung Teile weggelassen sind,
Fig. 3 *nd 4 in schematischer Darstellung im vergrößerten Haß st ab Teile aus Fig. 2 und
Gemäß Fig. 1 und 2 hat eine Kammer 10 Metallwaände 11. Die Kammer 10
weist eine in wesentlichen scheibenöfarige Partie 12 und eine periphere Partie 13 auf, die noch zu beschreiben sein wird. Von der oberen Wand der Partie 12 erstrecken sich zwei weitere Kammerpartien I4
und 13 und eine Luke 16, deren Lagen gestrichelt in Fig. 1 gezeigt
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Wa/Ti . . - 2 -
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sind. Die Partien 14 und 15 sind teilweise durch abgestufte zylindrische Bohrungen gebildet, die in die Kammerpartie 12 öffnen.
In der Kammerpartie 12 ist eine Transportanordnung 17 drehbar gelagert,
die im einzelnen in Fig. 3 gezeigt ist. Die Anordnung 17 besteht aus
einem Bad 18, das durch Standelemente 19 auf einer Armkreuzplatte 20
abgestützt ist. Das Rad 18 ist aus Metall, in das Heizelemente 21 und
Kühlrohre 22 eingegossen sind. Die Armkreuzplatte 20 ist dichtend mit einem Planschrohr 23 verbunden, das dichtend durch die Wand 11 unten
an der Kammerpartie 12 geht. Leitungen 24 stehen mit den Rohren 22 in Verbindung und gehen dichtend durch das Rohr 23, um eine Drehverbindung
(nicht dargestellt) mit einer Kühlmittelquelle einzugehen. Die Verbindungen mit den Elementen 21 erfolgen über Schleifringe 25 am
Rohr 2J. Die Transportanordnung 17 ist in sechs getrennte Positionen
durch einen Malteserkreuzmechanismus 26 drehbar, der von einem Motor 27 angetrieben wird. Das Rad 16 weist an sechs im gleichen Abstand
liegenden Stellen an seiner Oberseite Streifen auf, die TJ-förmige Ausnehmungen
28 bilden, welche zur Aufnahme und zum Orientieren von qmadratisehen
Glassubstraten 29 eingerichtet sind, auf denen Seine Zerstübung
vorgenommen werden soll. Dabei ist eine solche Anordnung vorgesehen, daß in irgendeiner der genannten sechs getrennten Positionen
des Rads 18 drei der Ausnehmungen 28 mit den Bohrungen der Kammerpartien 14 und 15 bzw. der Luke 16 in einer Flucht liegen. Das Rad
18 ist elektrisch mit der Wand 11 der Kammer 10 verbunden.
Die Kammer 10 steht mit einer Pumpenanordnung in Verbindung, die allgemein
bei 30 gezeigt ist und mittels der die Kammer 10 auf einen geringen
Druck gebracht werden kann. Die Pumpeananordnung 30 weist eine Molekularsaugpumpe und eine Vorpumpe auf, wobei die Anordnung den Druck
in der Kammer 10 auf einen Wert von 10 Torr senken kann.
Die Anordnung der Kammerpartie 15 ist im einzelnen in Fig. 4 gezeigt.
Die Kammerpartie Η ist dabei im wesentlichen identisch dazu. Die Wand 11 der Kammer 10 weist eine Partie 31 auf, die eine abgestufte
zylindrische Bohrung 32 hat, welche in die Kammpertie 12 öffnet.
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Die Partie 51 besteht aus Metall und ist an dem Rest der Wand 11 'befestigt,
derart, daß sie in dichtendem Eingriff steht und einen guten elektrischen Kontakt herstellt.
Kathodeneinheiten 53» 34 sind so angeordnet, daß sie dichtend die Enden
der Bohrungen 32 verschließen, die von der Kammerpartie 12 entfernt
liegen und jeweils die Kammerpartien 14 und 15 bilden, fig. 4
zeigt zur Vereinfachung der Verständlichkeit eine etwas auseinandergezogene Sarstellung, wobei die Kathodeneinheit 34 aus dem dichtenden
Angriff mit der Wandpartie 31 herausgenommen ist. Die Kathodeneinheit
34 weist ein mit einem Plansch versehenes zylinrisehes Element 35 auf, das einen ringförmigen Kanal 36 aufweist. Ein Deckel 37 greift
dichtend am Element 35 an und ist mit einem Einlaß 37a und mit einem
Auslaß 38 für Kühlmittel versehen. Ein Dichtring 39 aus Siliziumgummi
dient zur Abdichtung der Kähodeneinheit 34 der Wandpartie 31 gegenüber
und auch dazu sicherzustellen, daß die Partie 31 und die Kathodeneinheit gegeneinander elektrisch isoliert sind.
Sie Kathodeneinheit 34 weist eine runde Platte 40 auf, die die Zerstäubungsflangelektrode
bildet und die aus dem Metall gebildet ist, das auf ein Werkstück aufgesprüht werden soll, welches in einer Ausnehmung
28 unter der Kathodeneinheit 34 am Had 18 sitzt. Sie Platte
40 ist am Best des Elements 35 angeüötet, das aus irgendeinem geeigneten
Metall bestehen kann. Ein elektrischer Anschluß 41 ist am Element
35 befestigt.
Sie axialen Längen der Kathodeneinheit 34 und der abgestuften Partie
42 der Bohrung 32 sind derart, daß die Platte 40 nicht unter die abgestufte
Partie 42 vorsteht. Ein radiales Spiel 43 ist zwischen der
Kathodeneinheit 34 und der abgestuften Bohrungspartie 42 vorhanden.
Ein ringförmiger Gang 44 führt um die Bohrungspartie 42 in der Wand
31 herum und steht mit der Bohrung über radiale Löcher 45 in Verbindung.
Ein Fließweg 46 verbindet den Gang 44 mit einer Inertgasquelle.
Bei dem inerten Gas kanna es sich dabei um Argon handeln. Eine Sruck-
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sonde 47 steht mit der Kammerpartie 15 in Verbindung. Eine Zündkerze
48 für Kraftfahrzeuge mist durch Wegnahme der Maesenelektrode und
durch Entfernung eines Teils des Gewindemantels an der Hochspannungeelektrode abgeändert. Sie Kerze 48 sitzt dichtend in der Wandpartie
31, derart, daß die Hochspannungselektrode der Kerze in Richtung auf die Kammerpartie 15 zeigt. Eine Lochplatte 49 erstreckt sich über
das Ende der Bohrung 32, das von der Kathodeneinheit 54 entfernt liegt, und sie bildet ein Fenster, durch das Material auf das Werkstück
aufgesprüht werden kann.
Im beschriebenen Ausführungsbeispiel besteht die Platte 40 aus Gold,
und die entsprechende Platte in der Kathodeneinheit 33 besteht aus
einer Nickelchromlegierung.
Die Kammerpartie 16 hat keine zugehörige Kathodeneinheit, stattdessen
ist ein Zugmngsdeckel (nicht dargestellt) vorgesehen, der dichtend
Xn einen Angriff mit der Wand der Partie 16 bringbar ist. Die Werkstücke
können damit aus der Vorrichtung über die Kammperafetie 16 nach dem Besprühen entnommen werden.
Die Kammerpartie 13 (Fig. 1 und 2) weist ein Magazin 50 auf, in das
fünf Glassubstrate eingelegt werden können. Eine Kathodeneinheit 51
ist vorgesehen, die im wesentlichen genauso wie die Kathodeneinheit
34 ausgebildet ist. Die Kathodeneinheit 51 ist jedoch ohne Platte vorgesehen, die der Platte 40 entspräche. Ferner ist die Einheit
51 in dem Bodenteil der Kammerpartie 13 so angeordnet, daß sie im wesentlichen in einer Flucht mit der Bodenwand derselben liegt.
Ein Zahnstangen-Transferarm 52 ist in Funktion setzbar, um die Substrate
in einer Folge aus dem Magazin 50 in die Mitte der Kathodeneinheit
51 zu bewegen. Ein weiterer Zahnstangen-Transferarm 53 ist
in Funktion setzbar, um die einzelnen Substrate von der Kathodeneinheit
51 in eine angreenzende Lage auf dem Rad 18 zu bewegen, und
zwar über einen Durchgang 54» der die Kammerpartie 12 mit der Kammerpartie
13 verbindet.
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Die Wand 11 der Kammer und das Had 18 sind beide geerdet. Zwischen
den Anschluß 41 und die Wand 11 ist über eine Steuer- und Schalteinheit 55 (Pig. 5) eine Weohselstromspannung angelegt. Die -"requenz
dieser Spannung beträgt 13t5 Mhz, und die angelegte Spannung kann
auf 2,5 KV gebracht werden. Die entsprechenden Anschlüsse an den Kathodeneinheiten
33, 51 sind entsprechend mit einer Wechselstromspannung verbunden.
Die Wand 11 der Kammer 10 zusammen mit dem Bad 18 bilden die Anode
der Vorrichtung. Sie effektive Fläche der Anode ist dafemit sehr viel
größer als die irgendeiner der Kathoden. Das Anlegen einer Hochfrequenz spannung an irgendeine der Kathoden führt zu einer Gleichstrom-Vorspannung
der Erde gegenüber an der Kathode, nachdem einmal ein Plasma entstanden ist. Diese Vorspannung stellt sicher, daß Material
nur von der Kathode abgesprüht wird. Die Vorspannung wird von einem Gleichstrommesser 56 (Fig. 5) erfaßt, und sie wird auch über eine
Filterschaltung 57 an einen Eingang eines Differenzverstärkers 58
angelegt. Der andere Eingang des Verstärkers 58 wird mit einer Bezugsspannung
von einer Quelle 59 versorgt.
Ein Ausgangssignal vom Verstärker 58 liefert ein Steuersignal für die
Steuereinheit 55, die im Betrieb auf den Verstärker 58 anspricht, um
das Hochfrequenzpotential zu ändern, damit die Gleichstromvorspannung im wesentlichen konstant gehalten wird. Ein Ausgangssignal vom Verstärker
58 zeigt außerdem das Vorhandensein eines Plasmas zwischen
der Kathode und der Anode an und betätigt ein Heiais 6o. Das Heiais
60 seinerseits steuert einen Zeitgeber 61, mittels dessen die Länge einer Besprühungearbeit eingestellt werden kann. Am Ende einer bestimmten
Zeitdauer bewirkt der Zeitgeber 51, daß die Steuereinheit 55 die
Hochfrequenzzuleitung zur Kathode ausschaltet.
Eine Gleichförmigkeit in der Ablagerung und die Adhäsion einer abgesprühten
Lage werden dadurch verbessert, daß der Drcuk in einer Besprühungskammer
reduziert wird. Es ist jedooh nicht möglich, ein Plasmafeld
bei den idealen Versprühungsdrücken mittels der Hochfrequenz-
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spannung allein aufzubauen. Es ist jedoch festgestellt worden, daß ein
Plasma erzeugt werden kann, und zwar bei den niedrigsten Drücken, bei denen das Plasma aufrechterhalten werden kann, indem eine Zündkerze
48 verwendet wird, deren Hochspannungselektrode mit 20 ET von einem herkömmlichen Zündgenerator 62 über einen Schalter 63 versorgt wird.
Der Schalter 63 selbst steht unter der Steuerung des Beiais 60, so daß
die Zuleitung zur Kerze 48 ausgeschaltet wird, wenn das Plasma erzeugt
worden ist.
Venn das Plasma unbeabsichtigterweise zusammenbricht, hält das Relais
60 den Zeitgeber 61 an und bewirkt ein Einschalten der Kerze 48, um das Plasma erneut entstehen zu lassen. Wenn das erfolgreich geschieht,
beginnt das Zerstäuben von neuem und geht weiter bis zum Ablauf der Zeitdauer, die von dem Zeitgeber 61 eingestellt ist. Wenn das Plasma
jedoch nicht wieder aufgebaut werden kann, betätigt ein integrierender Zeitgeber 64» der auf die Betriebsdauer der Kerze 48 anspricht, einen
Alarm 65 und schaltet die Hochfrequenzzuleitung aus.
Bin weiterer Zeitgeber 66 spricht auf die Zeit an, während der das Plas
ma bestehen bleibt, und bei Fehlen des Plasmas während einer bestimmten Zeit wird von ihm ebenfalls der Alarm 65 betätigt und die Hochfrequenz-Zuleitung ausgeschaltet.
Im Betrieb werden fünf Substrate in das Magazin 50 eingelegt, wobei
drei Substrate zuvor gereinigt worden sind, um grobe Verunreinigungen zu entfernen. Die Substrate werden in einer Folge der Kathodeneinheit
51 zugeführt, wo sie einer Ä'tzbesprühung unterzogen werden, bei der
alle Spuren von Verunreinigungen entfernt werden. Nach dem Atzen
wird jedes Substrat vom Arm 53 auf das Ead 18 überführt, wobei fünf
der sechs Stellen auf dem Rad 18 damit am Ende des Reinigungs- und
überführungsvorgänge eingenommen sind.
Bas Rad wird schrittweise weiterbewegt, bis die leere Stelle in einer
Flucht mit der Kathodeneinheit 33 liegt. Das Rad 18 und folglich die
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Substrate werden auf eine Temperatur von 5000C erhitzt. Die Hochfrequenz
zuleitung wird an die Kathodeneinheit 33 angelegt, und das Plasma
wird mittels der zugehörigen Zündkerze erzeugt. Dieser Vorgang dient zum Reinigen der Elektrodenfangfläche der Kathodeneinheit 33, und das
ist der Grund, warum die leere Stelle am Had 18 vorgesehen ist. tfaohdem
die Kathode gereinigt worden ißt, wird das Bad» erneut schrittweise weiterbewegt, um das erste Substrat in eine flucht mit der Kathode
33 zu bringen, und eine Nickelchromlegierung wird auf das Substrat aufgesprüht. Das Aufsprühen wird für die anderen vier Substrate wiederholt,
und bis zu dieser Zeit befindet sich die leere Stelle in einer Flucht mit der Kathodeneinheit 34. Das Bad 18 und die Substrate werden
auf eine Tempefaatur von 130°C bis 200°0 abgekühlt, und das Sprühreinigen
wird an der Kathode 34 vorgenommen. Die Substrate werden dann in einer sukzessiven Folge mit Gold besprüht. Schließlich werden die Substrate
auf Saumtemperatur abgekühlt und über die Luke 16 entnommen.
Sowohl während des Sprühätzens als auch während der Sprühablagerung
wird ein Fluß an Argongas in die Kammer 10 durch den Gang eingeleitet, der dem Gang 44 entspricht, und zwar in der betreffenden Kathodeneinheit,
mit der gearbeitet wird. Das führt zu einer gleichmäßigen Verteilung
von Argon innerhalb der Kathodeneinheit, und es ist festgestellt worden, daß dadurch die Gleichförmigkeitin der Ablagerung ausgeprägt
verbessert wird. Es ist ferner festgestellt worden, daß dadurch, daß sichergestellt wird, daß alles elektrisch geerdete Material
in der Nähe der Kathode symmetrisch zur Kathode angeordnet ist, das Erreichen einer Gleichförmigkeit in der Ablagerung während des
Aufspftrühens unterstützt wird.
Die radiale Abmessung des Spalts 43 vna. jede Kathodeneinheit herum
ist kleeiner als die des Dunkelraums an der Kathode. Damit erfolgt
keine Ionenbeschießung irgendeines l'eils der Kammerpartie· Die Wände
der Kammer bilden damit eine "Dunkelraumn-Abschirmung für die Kathode.
Die Verwendung einer "Dunkelraum11-Abschirmung und der Steuerung der
Ablagerung durch die Zeitbestimmung der Plasmadauer beseitigt die
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Notwendigkeit, bewegliche Schirme innerhalb der Kammer vorzusehen.
Da in einem Arbeitsspiel, bei dem mit einer Charge von fünf Substraten gearbeitet wird, das Reinigen, Besprühen und Überführen insgesamt
unter der Steuerung durch elektrische Signale erfolgt, lassen sich die Zeitbestimmung und die Folge dieser Vorgänge ohne weiteres durch
eine Lochkarte oder einen Lochstreifen oder ein Magnetband steuern.
Pat entansprüche
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Claims (8)
- Pat ent ansprächeHalten eines inerten Gases auf einem niedrigen Druck, eine sich in die Kammer erstreckende Kathodenanordnung, eine Anode und eine sich in die Kammer erstreckende dritte Elektrode, an die im Betrieb eine solche Spannung angelegt ist, daß der Aufbau eines Plasmas innerhalb der Kammer eingeleitet wird.
- 2. Zerstäubungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Anode eine Wand der Kammer aufweist·
- 3. Zerstäubungsvorrichtung nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch Mittel zum Anordnen eines zu besprühenden Gegenstands an der Kathodenanordnung, wobei die Mittel zum Anordnen einen Teil der Anode bilden.
- 4· Zerstäubungsvorrichtung nach Anspruch 2 oder 3» gekennzeichnet durch Mittel zur Anlegung einer Wechselstromspannung zwischen die Anode und die Kathodenanordnung.
- 5. Zerstäubungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4» gekennzeichnet durch Mittel zum Anlegen einer Spannung an die dritte Elektrode.
- 6. Zerstäubungsvorrichtung nach Anspruch 5» dadurch gekennzeichnet, daß die Mittel zum Anlegen einer Sapannung an die dritte Elektrode einen Zündgenerator und einen auf das Vorhandensein eines Plasmas in der Kammer ansprechenden Schalter zuar Wegnahme der Spannung von der dritten Elektrode aufweisen.
- 7. Zerstäubungsvorrichtung nach Anspruch 6, gekennzeichnet durch einen auf ein Signal von den Mitteln zum Anlegen einer Spannung an die dritte Elektrode ansprechenden Zeitgeber zur Erzeugung eines Anzeigesignals dann, wenn die Spannung an die dritte Elektrode über26 475Wa/Ti - 2 -309828/1061-Ji-einen bestimmten Zeitraum hinaus angelegt worden ist.
- 8. Zerstäubungsvorrichtung nach Anspruch 7» gekennzeichnet durch eine Alarmvorrichtung, die auf das Anzeigesignal anspricht.309828/ 1 061
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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---|---|
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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-
1972
- 1972-12-27 FR FR7246311A patent/FR2170572A5/fr not_active Expired
- 1972-12-28 IT IT5508672A patent/IT974362B/it active
- 1972-12-28 DE DE19722263784 patent/DE2263784A1/de active Pending
- 1972-12-29 JP JP423373A patent/JPS4879181A/ja active Pending
Also Published As
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---|---|
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