DE2262737A1 - Verfahren und vorrichtung zum messen der oberflaechentemperatur eines metallgegenstands - Google Patents

Verfahren und vorrichtung zum messen der oberflaechentemperatur eines metallgegenstands

Info

Publication number
DE2262737A1
DE2262737A1 DE2262737A DE2262737A DE2262737A1 DE 2262737 A1 DE2262737 A1 DE 2262737A1 DE 2262737 A DE2262737 A DE 2262737A DE 2262737 A DE2262737 A DE 2262737A DE 2262737 A1 DE2262737 A1 DE 2262737A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
temperature
heating plate
emissivity
metal
area
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE2262737A
Other languages
English (en)
Other versions
DE2262737B2 (de
DE2262737C3 (de
Inventor
Teruo Shimotsuma
Takeo Yamada
Kanagawa Yokohama
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JFE Engineering Corp
Original Assignee
Nippon Kokan Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Kokan Ltd filed Critical Nippon Kokan Ltd
Publication of DE2262737A1 publication Critical patent/DE2262737A1/de
Publication of DE2262737B2 publication Critical patent/DE2262737B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2262737C3 publication Critical patent/DE2262737C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/52Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using comparison with reference sources, e.g. disappearing-filament pyrometer
    • G01J5/53Reference sources, e.g. standard lamps; Black bodies
    • G01J5/532Reference sources, e.g. standard lamps; Black bodies using a reference heater of the emissive surface type, e.g. for selectively absorbing materials

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Radiation Pyrometers (AREA)

Description

23 177
Nippon Kokan Kabushiki Kaisha, Tokyo / Japan
Verfahren und Vorrichtung zum Messen der Oberflächentemperatur eines Metallgegenstands.
Die Erfindung bezieht sich auf ein.Verfahren und eine Vorrichtung zum Messen der Oberflächentemperatur eines Metallgegenstands unter Verwendung eines Strahlungsthermometers und einer Wärmeplatte als Strahlungsquelle, deren Emissionsvermögen nahe eins ist und die gegenüber der Oberfläche des zu messenden Metallgegenstands angeordnet ist, insbesondere zum Messen der Oberflächentemperatur von mit Farbe überzogenem Eisenblech. Im einzelnen betrifft die Erfindung ein verbessertes Verfahren
309828/0352
zur Messung der Oberflächentemperatur mit Hilfe eines Strahlungsthermometers, während gleichzeitig das Reflexionsvermögen der Oberfläche des Gegenstands erfaßt wird, um hierdurch das Emissionsvermögen des Gegenstands zu bestimmen und einen Korrekturfaktor für die Messung der Oberflächentemperatur vorzusehen.
Allgemein sind bisher bekannte Strahlungsthermometer in weitem Umfang zur kontaktfreien Messung von Oberflächentemperaturen verwendet worden. Eine Schwierigkeit bei diesen bekannten Meßmethoden trat in der Berücksichtigung des Emissionsvermögens eines zu messenden Gegenstandes auf. Gebräuchliche Temperaturmeßverfahren, welche von dem Emissionsvermögen eines zu messenden Gegenstands unabhängig sind, sind beispielsweise das Becherform-Oberflächentemperaturthermometerverfahren, das Zweifarbenthermometerverfahren und das Wärmeplatten-Reflexionsvergleichsverfahren (Kellsall-Verfahren, Toyota-Verfahren). In der Praxis ist jedoch das Becherform-Oberflächentemperaturthermometerverfahren nicht für die Verwendung bei durchlaufendem Betrieh geeignet. In jüngster Zeit hat sich allgemein die Meinung durchgesetzt, daß das Zweifarbenthermometer infolge der Schwierigkeiten beim Erreichen der grauen Farbbedingungen unwirksam ist. Während das Wärmeplatten-Reflexionsvergleichsverfahren bezüglich seinem Arbeitsprinzip recht bemerkenswert ist, ist dort die Zeitkonstante für die Temperatursteuerung der Wärmeplatte groß und es sind daher Schwierigkeiten bei der Übernahme dieses Verfahrens zur praktischen Verwendung in der Industrie aufgetreten.
Ziel der Erfindung ist es, ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Messen der Oberflächentemperatur zu schaffen, bei welchen selbst dann, wenn das Emissionsvermögen der zu messenden Gegenstände beträchtliche Unterschiede aufweist, wie z.B. im Falle eines mit Farbe überzogenen Eisenblechs, das Emissionsvermögen des Gegenstands automatisch gemessen und als Korrekturfaktor zum Erzielen einer besseren Temperaturmessung verwendet werden kann.
-3t 309828/0352
Der hier verwendete Ausdruck "mit Farbe überzogenes Stahl oder Eisenblech" bezieht sich auf z.B. vorbeschichteten, vorbearbeiteten oder vorlackierten Stahl, welcher durch kontinuierliches Lackieren einer Stahlspule und Einbrennen bei z.B. bis 250° G während 90 bis 120 see hergestellt wird.
Das Ziel der Erfindung wird mit einem Verfahren der eingangs beschriebenen Art erfindungsgemäß dadurch erreicht, daß die Wärmeplatte Wärme zu einem Bereich der Metalloberfläche ausstrahlt, welcher sich auf einer beträchtlich niedrigeren !Temperatur als der Bereich der Metalloberfläche befindet, dessen Temperatur gemessen werden soll, die Temperatur der Wärmeplatte im wesentlichen konstant und beträchtlich höher als die des von der Wärmeplatte bestrahlten Bereichs der Metalloberfläche gehalten wird, die Wärmeplatte unter einem räumlichen Winkel θ gesehen von einem unbestrahlten Punkt auf der Metalloberfläche in einem BereichTC < Q < 2 TT angeordnet wird, die durch die Metalloberfläche von dem durch die Wärmeplatte unbestrahlten Bereich reflektierte Strahlungswärme gemessen wird, die von der Wärmeplatte abgegebene Strahlungsenergie in Beziehung zu der reflektierten Strahlungswärme gesetzt wird, um das Emissionsvermögen der Metalloberfläche zu bestimmen, die Temperatur der Metalloberfläche an einem Punkt wesentlich höherer Temperatur als der von der Wärmeplatte unbestrahlte Bereich der Metalloberfläche gemessen wird, und diese Temperaturmessung mit dem bestimmten Wert des Emissionsvermögens zum Erhalten der Oberflächentemperätur der Metalloberfläche korrigiert wird.
Eine Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens umfaßt gemäß der Erfindung ein Strahlungsthermometer zum Messen der Temperatur des Metallgegenstands, eine Wärmeplatte als Strahlungsquelle mit einem Emissionsvermögen £ nahe eins, welche gegenüber der zu messenden Oberfläche des Metallgegenstands angeordnet ist und Wärme zu einem Bereich der Oberfläche des Metallgegenstands abstrahlt, der sich auf einer Temperatur
- 4 309828/0352
beträchtlich niedriger als der durch das Strahlungsthermometer in der Temperatur gemessene Bereich der Oberfläche des Metallgegenstands befindet, eine Einrichtung zum Halten der Temperatur der Wärmeplatte im wesentlichen konstant und beträchtlich wärmer als der Bereich der Oberfläche, welche von der Wärm-eplatte bestrahlt wird, eine Einrichtung zum Messen der durch die Oberfläche des Metallgegenstands von dem durch die Wärmeplatte bestrahlten Bereich reflektierten Strahlungswärme, eine Korrelationseinriß htung zum Setzen der von der Wärmeplatte abgegebenen Strahlungsenergie in Beziehung mit der reflektierten Strahlungswärme und zum Bestimmen des Emissionsvermögens E der Oberfläche als Punktion der abgegebenen Strahlungsenergie und der reflektierten Strahlungswärme, und eine auf das bestimmte Emissionsvermögen der Oberfläche und den Ausgang des Strah lungsthermometers zum Erzeugen eines korrigierten Wertes der Temperatur derart ansprechende Einrichtung, daß der korrigierte Temperaturwert der Oberflächentemperatur des Metallgegenstands in dem Bereich hoher Temperatur entspricht.
Weiterbildungen und zweckmäßige Ausführungsformen der Erfindung ergeben sich aus den Ansprüchen.
Nach der Erfindung wird die Oberflächentemperatur eines Metallgegenstands von einer Temperaturmeßeinrichtung an einem Punkt oder in einem Bereich des Metallgegenstands gemessen, welcher eine relativ hohe Temperatur aufweist. Ein anderer Punkt oder Bereich des Metallgegenstands, welcher sich auf einer wesentlich geringeren Temperatur als der Punkt befindet, an dem die direkte Temperaturmessung erfolgt, wird durch eine Wärmeplatte als Strahlungsquelle, welche ein Emissionsvermögen nahe eins hat und auf einer im wesentlichen konstanten und höheren Temperatur als die von ihr bestrahlte Metalloberfläche gehalten wird, mit Wärme bestrahlt. Die Wärmeplatte ist derart angeordnet, daß ein räumlicher Winkel θ gesehen von einem Strahlungspunkt auf der Metalloberfläche in einem Bereich von "/äT< Q K 2 'TF liegt. Die von der Metalloberflache reflektierte
- 5 -309828/03 52
Strahlungswärme wird zu der von der Wärmeplatte abgegebenen Strahlungsenergie in Beziehung gesetzt, um das Emissionsvermögen der Metalloberfläche zu bestimmen. Der bestimmte Wert des Emissionsvermögens wird dann als Korrekturfaktor für die in dem Bereich hoher Temperatur des Metallgegenstands gemessene Temperatur benutzt, um die tatsächliche Oberflächentemperatur des Metallgegenstands zu bestimmen.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben. In der Zeichnung zeigen
Pig. 1 eine schematische Darstellung eines Systems entsprechend einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens,.
Mg· 2 eine schematische Darstellung einer anderen Ausfuhr ungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens, welche insbesondere eine bevorzugte Lage der Wärmeplatte als Strahlungsquelle relativ zu einem zu messenden Gegenstand zeigt, und
Pig. 3 und 4 Kurvendarstellungen, welche die Beziehung zwischen dem räumlichen Winkel θ und dem Reflexionsvermögen / zeigen.
Wenn in einem Körper der Zustand thermischen Gleichgewichts herrscht, ist die Beziehung zwischen dem Emissionsvermögen und dem Reflexionsvermögen seiner Oberfläche wie folgt-gegeben:
Ε +/ = 1,0 (1)
wobei € = das Emissionsvermögen und
/ = das Reflexionsvermögen der Oberfläche ist.
Es ist bekannt, daß die obige Gleichung selbst dann näherungsweise gilt, wenn sich der Körper nicht in einem thermischen Gleichgewicht befindet. Ein besonderes Merkmal: des verbesserten Meß-
- 6- 309 828/03 52
verfahrensgemäß der Erfindung besteht darin, daß das Reflexionsvermögen ν der Oberfläche eines Körpers erst gemessen und dann das Emissionsvermögen S der Oberfläche aus der obigen Gleichung (1) erhalten wird. Das Emissionsvermögen £. der Oberfläche wird dann dazu verwendet, um die Messung eines Strahlungsthermometers automatisch zu korrigieren. In einem solchen Fall wäre, während das Emissionsvermögen und das Reflexionsvermögen selbst dann Punktionen der Temperatur sind, wenn sie als im wesentlichen feste Werte betrachtet werden, der resultierende Fehler kleiner als die zulässige Grenze für die Temperaturmessung unter einigen hundert 0C.
In Fig. 1 ist schematisch eine Anordnung eines Meßsystems gemäß der Erfindung zur Verwendung in einer kontinuierlichen Bearbeitungsstraße gezeigt. In Fig. 1 soll die Temperatur einer Oberfläche 1 an einem Punkt oder Bereich 8b des Gegenstands 20 gemessen werden. Der Gegenstand 20 kann z.B. ein mit Farbe überzogenes Eisenblech sein, bei welchem sich das Emissionsvermögen des Gegenstands 20 beträchtlich ändert. Es sollte jedoch klar sein, daß die Erfindung auf gleiche Weise bei Jedem zu messenden Gegenstand mit einem irn wesentlichen konstanten Emissionsvermögen angewendet werden kann.
Eine Wärmeplatte 2 als Strahlungsquelle aus einem Material mit einem stabilen Emissionsvermögen nahe eins, um eine Mehrfachreflexion zu vermeiden, ist benachbart der Oberfläche 1 des zu messenden Gegenstands angeordnet. Die Wärmeplatte 2 enthält ein Heizelement 3 und ein Thermoelement 4 zum Messen der Oberflächentemperatur der Wärmeplatte 2. Ein Temperatursteuerelement 5 ist mit dem Heizelement j5 und dem Thermoelement 4 verbunden, um die Temperatur T- derWärmeplatte 2 als Strahlungsquelle im wesentlichen konstant zu halten. Bei der Durchführung der Steuerung ist es nötig, daß die Oberflächentemperatur des zu messenden Gegenstands 20 genügend niedrig relativ zu dem Wert von T, ist, so daß der Betrag der Strahlung von dem Gegenstand 20 vollständig
- 7 -309828/0352
■- φ -
vernachlässigt werden kann. Benachbart der Oberfläche 1 des Gegenstands ist ein Strahlungsdetektor 6 vorgesehen. Bei dem oben erwähnten thermischen Gleichgewicht stehen das Emissions vermögen E und das Reflexionsvermögen / des Gegenstands 20 und die Strahlungsenergie V- im Ausgang der Wärmeplatte 2 als Strahlungsquelle und die von der Oberfläche 1 des Gegenstands 20 reflektierte Strahlungsenergie 7 in folgenden Beziehungen zueinander:
1 (2)
Wenn man also das Reflexionsvermögen Jf erhalten will, wird erst die Strahlungsenergie Y^ im Ausgang der Wärmeplatte 2 als Strahlungsquelle direkt von dem Strahlungsdetektor 6 erfaßt, und dieser erfaßte Wert wird in einer Rechenvorrichtung 7 zum Berechnen von Reflexions- und Emissionsvermögen gespeichert. So ist es für eine On-Line- oder Direktmessung nur nötig, daß die von der Oberfläche 1 des Gegenstands reflektierte Strahlungsenergie Y durch den Strahlungsdetektor 6 erfaßt wird. Die reflektierte Strahlungsenergie Y entlang einer Sichtlinie 6a wird gemessen und dann der Reehenvorrichtung 7 zum Berechnen von Reflexions- und Emissionsvermögen zugeführt, welche das Emissionsvermögen entsprechend den Gleichungen (2) und (2) berechnet. In der Recheneinrichtung 7 war bereits der Wert V. gespeichert worden, und es wird zunächst die Gleichung (2) zum Bestimmen von tf und dann die Gleichung (3) zum Bestimmen von E benutzt.
Schaltungen zum Durchführen solcher Rechenoperationen entsprechend den oben dargestellten Gleichungen sind dem Fachmann geläufig.
Die als Ergebnis von Messungen im Zusammenhang mit verschiedenen Versuchen erhaltenen Daten haben gezeigt, daß bei einem Winkel θ , welcher der erhaltene räumliche Winkel ist, wenn die Wärmeplatte 2 als Strahlungsquelle von einem Erfassungspunkt oder Bereich 1a für das Reflexionsvermögen auf der Oberfläche 1 des
" - 8 309828/0352
nachgere/chf
Gegenstands 2 gesehen wird, die Genauigkeit der Messung des Rcflexionsvcrmögens / verbessert werden kann.., sofern der Wert des Winkels θ in dem folgenden Bereicli liegt:
Tl < O < 2 T (4)
Die Genauigkeit dos Reflexionsvermögons Y ninist zu, v.'omi sich der Wert von O 2 7/Γ nähert. J)er Zusammenhang zwischen den räumlichen'Winkel O und dem Reflexionsvermögen V wird im folgenden im Zusammenhang mit den Fig. 3 und 4 erläutert werden.
Die Darstellungen in den Pig. 5 und 4 sind das Ergebnis von Untersuchungen durchgeführt mit einein .Strahlungsdetektor aus PbS und mit farbbeschichteten J-Ietallbelchen als Meßobjckten mit eins r Temperatur der Wärmeplatte T- = 250° C. Es hat sich geneigt, daß bei Q = 1 ,5 1i (siehe Fig. 3) eine ließ—Genauigkeit von ^h 100C bei T- = 25O0O zu. erv/arton war, wenn das Emissionsvermögen <f von dem Reflexionsvermögen y abgeleitet und der erforderlichen Korrektur unterworfen wird. Fig. 4 zeigt den Zusammenhang zwischen S und J bei Q «« 0,1 7Γ..
Die automatische Korrekturschaltung der Erfindung ist einfach nit dem oben beschriebenen Meßsystem für das Reflexionsvermögen integriert. Das grundlegende Moßsystem für das Reflexions verwiegen umfaßt die Wärmeplatte 2 als Strahlungsquelle, das Temperatur-Steuerelement 5 j den Strahlungsdetektor 6 und die Rechenvorrich-'tung 7 RLm Berechnen von Reflexions·- und Ernissionsvemojen. Ein typisches automatisches Korrigsrcysteia enthält weiter ein Strah~ lungsthormometer 8 zuia Durchführen ej.ner Temiseratui'iaessung, Di'.s Strahlungstheriaouieter 8 v/eist einen .Strahlungsdetektor derselben allgemeinen Art wie der Strahlungsdetektor 6 auf, und mißt ate Temperatur eines Bereiches 8b entlang einer Sichtlinie Ca, welcher eine höhere Temperatur als der Bereich 1a für das Reflexionsvermögen hat. Eine Korrekturschaltung 9 für das Emissionsvermögen ist mit dem Ausgang der Rechenvorrichtung 7 und des Strahlungsthermometers 8 verbunden, und ein Aufzeichengerät 10 für die Temperaturanzeige ist mit dem Ausgang der Korrekturschaltung 9
309828/0352 BAD ORIGINAL
für das. Emissionsvermögen verbunden. Mit den Bezugszeichen 11, 12, 13, 14, 15 und 16 sind elektrische Signalleitungen bezeichnet. Durch das Zuführen des in der Rechnvorrichtung 7 zum Berechnen von Reflexions- und Emissionsvermögen berechneten Wertes des Emissionsvermögens zu der Korrekturschaltung 9 für das Emissionsvermögen kann d?r Ausgang des die Temperatur messenden Strahlungsthermometers 8 korrigiert v/erden, um hierdurch automatisch die Oberflächentemperatur des Gegenstands 20 auf der kontinuierlichen Bearbeitungsstraße aufzuzeichnen. Wenn z.B. die Abstufungen des AufZeichengeräts 10 für die Temperaturanzeige dem Pail, des Emissionsvermögens gleich eins entsprechen wird z.B., wenn ein Wert des Emissionsvermögens S = 0,5 von der Rechenvorrichtung 7 über die Signalleitung 14 übertragen wird, die von dem Strahlungsthermometer 8 erfaßte emittierte Energie mit Hilfe der Korrekturschaltung 9 verdoppelt. So werden hierdurch die richtigen Temperaturen von dem Aufzeichengerät 10 zur Temperaturanzeige angezeigt. Die Korrekturschaltung 9 enthält z.B. einen Verstärker wie einen Linearverstärker, dessen Verstärkungsfaktor umgekehrt proportional den Werten des Emissionsvermögens von der Rechenvorrichtung 7 variiert wird, oder eine potentiometerartige Vorrichtung, deren Übertragungseigenschaft· als Punktion der Werte des Emissionsvermögens von der Rechenvorrichtung 7 variiert wird.
In einem typischen Anwendungsfall ist die Temperatur T1 der Oberfläche der Wärmeplatte etwa 25O0C, die Temperatur im Bereich 8b ist etwa 2500G und die Temperatur im Bereich 1a ist Umgebungstemperatur. In dieser Hinsicht isx darauf hinzuweisen, daß die Bereiche 1a und 8b allgemein weit voneinander entfernt sind. In bezug auf die Darstellung der Orte für die Bereiche 1a und 8b ist Pig. 1 nicht maßgeblich.
Pig. 2 zeigt eine andere Ausführungsform der Erfindung,welche eine bevorzugte Lage der yärmeplatte 2 als Strahlungsquelle relativ zu der Oberfläche 1 des zu messenden Gegenstands 20 zeigt. 7/ie in Pig. 2 gezeigt, können, wenn die Messung durch den ;£itrah-
3 09828/0 352
lungsdetektor 6 durch eine in der Wärmeplatte 2 als Strahlungsquelle ausgebildete öffnung 2a erfolgt, die Oberfläche des Gegenstands und die Wärmeplatte 2 als Strahlungsquelle im wesentlichen parallel zueinander angeordnet werden, wodurch die physikalische Anordnung des gesamten Systems vereinfacht wird.
Es ist so zu erkennen, daß die Erfindung ein verbessertes Verfahren zum Messen der Oberflächentemperatur von Metallen durch ein Strahlun-gsthermometer umfaßt, bei welchem eine Wärmeplatte 2 als Strahlungsquelle mit einer Oberfläche, deren Temperatur im wesentlichen konstant gehalten wird und deren Emissionsvermögen der Oberfläche nahe eins ist, gegenüber dem Bereich la eines zu messenden Gegenstands 20 angeordnet ist. Die Oberflächentemperatur der Wärmeplatte 2 wird höher gehalten als die des Bereichs la des Gegenstands, und die Temperatur des Bereichs la ist beträchtlich niedriger als die Temperatur des Bereichs 8b. Die Wärmeplatte 2 als Strahlungsquelle ist so angeordnet, daß der räumliche Winkel θ gesehen von dem Bereich la der Reflexion auf dem zu messenden Gegenstand in dem Bereich <C θ 2 ^"liegt, wobei die reflektierte Strahlungsenergie V vom Ausgang der Wärmeplatte als Strahlungsquelle zuerst und dann die Strahlungsenergie V. der Wärmeplatte als Strahlungsquelle gemessen werden, und das Emissionsvermögen des Gegenstands dann aus den Gleichungen (1) bis (3) erhalten und einer Korrekturschaltung zugeführt wird, um hierdurch den Ausgang eines Strahlungsthermotneters automatisch zu korrigieren. So kann das verbesserte Verfahren gemäß der Erfindung aufgrund der Korrektur des Emissionsvermögens immer sehr vorteilhaft bei der Messung der Oberflächentemperatur von Metallprodukten wie mit Farbe überzogenem Eisenblech auf einer kontinuierlichen Bearbeitungsstraße angewendet werden, wc sich die Eigenschaften des zu messenden Gegenstands und daher das Emissionsvermögen beträchtlich ändern.
Die Erfindung schafft ein verbessertes Verfahren zum Messen der Oberflächentemperatur von Gegenständen, wie Metallen, z.B. mit
309828/0 3 52 - ii -
Farbe überzogenem Eisenblech, auf einer Fertigungsstraße mit Hilfe eines 3trahlungsthermometers, bei welchem eine Wärmeplatte als Strahlungsquelle mit einer Oberfläche, deren Temperatur im v«res ent liehen konstant ist und deren Emissionsvermögen nahezu gleich eins ist, gegenüber einem zu messenden Gegenstand und über dem zu messenden Teil des Gegenstands angeordnet ist. Die Temperatur des Teils des Gegenstands unter der Wärmeplatte ist beträchtlich niedriger als die des Teils des Gegenstands, an welchem die direkte Temperaturmessung durch das Strahlungsthe'rmometer erfolgt. Das Emissionsvermögen der Metalloberfläche wird erhalten aus einer Messung der reflektierten Strahlung der Wärmeplatte als Strahlungsquelle van der Oberfläche des Gegenstands, und der Wert des Emissionsvermögens der Oberfläche wird dazu verwendet, um automatisch den Ausgang des Strahlungsthermometers zu !korrigieren und genauere Temperaturmessungen zu erzielen.
- 12 -
309828/03 52

Claims (14)

_ 12 - Patentansprüche
1. Verfahren zum Messen der Oberflächentemperatur eines Metallgegenstandes unter Verwendung einesStrahlungsthermometers und einer Wärmeplatte als Strahlungsquelle, deren Emissionsvermögen nahe eins ist und die gegenüber der Oberfläche des zu messenden Metallgegenstandes angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmeplatte Wärme zu einem Bereich der Metalloberfläche ausstrahlt, v/elcher sich auf einer beträchtlich niedrigeren Temperatur als der Bereich der Metalloberfläche befindet, dessen Temperatur gemessen werden soll, dieTemperatur der Wärmeplatte Im wesentlichen konstant und beträchtlich höher als die des von der Wärmeplatte bestrahlten Bereichs derMetalloberfläche gehalten wird, die Wärmeplatte unter einem räumlichen Winkel θ gesehen von einem unbestiahlten Punkt auf der Metalloberfläche in einem Bereich ^" < θ < 2 /Γ angeordnet wird, die durch die Metalloberfläche von dem durch die Wärmeplatte unbestrahlten Bereich reflektierte Strahlungswärme gemessen wird, die von der Wärmeplatte abgegebene Strahlungsenergie in Beziehung zu der reflektierten Strahlungswärme gesetzt wird, um das Emissionsvermögen der Metalloberfläche zu bestimmen, die Temperatur der Metalloberfläche an einem Punkt wesentlich höherer Temperatur als der von der Wärmeplatte unbestrahlte Bereich der Metalloberfläche gemessen wird, und diese Temperaturmessung mit dem bestimmten Wert des Emissionsvermögens zum Erhalten der Oberflächentemperatur der Metalloberfläche korrigiert wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zum Setzen der von der Wärmeplatte abgegebenen Strahlungsenergie in Beziehung zu der reflektierten Strahlungswärme das Reflexionsvermögen \ der Metalloberfläche an dem von der Wärmeplatte bestrahlten Bereich bestimmt und hierauf das Emissionsvermögen £ entsprechend der Gleichung£ = 1,0 - >> bestimmt wird.
309828/0352
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Reflexionsvermögen /" der Metalloberfläche entsprechend der Gleichung/" = V/V., bestimmt wird, wobei V die von der Metalloberfläche reflektierte Strahlungswärme und V., die von der Wärmeplatte abgegebene- Strahlungsenergie ist.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Korrigierens der Temperaturmessung in einer Korrektur der Temperaturmessung besteht, bei welcher die Korrekturgröße eine Punktion des bestimmten Wertes des Emissionsvermögens £ ist.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Korrektur der Temperatur eine Funktion des bestimmten Wertes des Emissionsvermögens £ ist.
6. Vorrichtung zum Messen der Oberflächentemperatur eines Metallgegenstands mit einem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, gekennzeichnet durch ein Strahlungsthermometer (8) zum Messen der Temperatur des Metallgegenstands (20) in einem Bereich (8b) hoher Temperatur des Metall-, gegenstände, eine Wärmeplatte (2) als Strahlungsq.uelle mit einem Emissionsvermögen 6 nahe eins, welche gegenüber der zu messenden Oberfläche (1) des Metallgegenstands (20) angeordnet ist und Wärme zu einem Bereich (1a) der Oberfläche des Metallgegenstands abstrahlt, der sich auf einer Temperatur beträchtlich niedriger als der durch das Strahlungs"thermometer (8) in der Temperatur gemessene Bereich (1a) der Oberfläche (1) des Metallgegenstands (20) befindet, eine Einrichtung (3,4,5) zum Halten der Temperatur der Wärmeplatte (2) im wesentlichen konstant und beträchtlich wärmer als der Bereich (1a) der Oberflache (1), welche von der Wärmeplatte bestrahlt wird, eine Einrichtung (6) zum Messen der durch die Oberfläche (1) des Metallgegenstands (20) von dem durch die wärmeplatte (2) bestrahlten Bereich (1a) reflektierten Strahlungswärme, eine Korrelationseinrichtung· (7)-
309828/0352 U
- H
zum Setzen der von der .lärmeplatte (2) abgegebenen Strahlungsenergie in Beziehung mit der reflektierten Strahlungswärme und zum Bestimmen des Emissionsvermögens 6 der Oberfläche (ί) als Punktion der abgegebenen Strahlungsenergie und der reflektierten Strahlungswärme, tin*-, eine auf das bestimmte Emissionsvermögen £. der Oberfläche (1) und den Ausgang des Strahlungsthermometers (8) zum Erzeugen eines korrigerten Wertes der Temperatur derart ansprechende Einrichtung (9)> daß der korriegierte Temperaturwert der Oberflächenteiaperatur des Hetallgegenstands (20) in dem Bereich (1a) hoher Temperatur entspricht.
7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmeplatte (2) derart rela.tiv zu der Oberfläche (1) des Metallgegenstands (20) angeordnet ist, daß aer räumliche Winkel Q gesehen von einem Strahlungspunkt auf der Oberfläche (1) in einem Bereich von^T<Q < 2 7Γ liegt.
8. Vorrichtung nach Anspruch 6 oder 7, dadurch g e kennzeichnet, daß die Korrelationseinrichtung (7) eine Einrichtung zum Bestimmen des Reflexionsvermögens y der Oberfläche (1) in dem von der "wärmeplatte (2) bestrahlten Bereich (la) und eine Einrichtung zum Bestimmen des Emissionsvermögens £ entsprechend der Gleichung £ = 1,0 -^enthält.
9. Vorrichtung nach Anspruch ö, dadurch g e k e η η zeichnet, daß die Einrichtung zum Bestimmen des Reflexionsvermögens ^ der Oberfläche (1) des Metallgegenstands (20) eine Einrichtung zum Bestimmen des Verhältnisses V/V* enthält, wobei
V die von der Oberfläche (1) reflektierte Strahlungswärme und
VI die von der Wärmeplatte (2) abgegebene Strahlungsenergie ist und das Reflexionsvermögen durch die Gleichung f = VA1 gegeben ist.
10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 6 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtung (9) zum Erzeugen
- 15 309828/03 5 2
eines korrigierten Temperaturwertes eine Einrichtung zum Verändern der Temperaturmessung kommend von dem Strahlungsthermo-. meter (8) proportional dem von der Korrelationseinrichtung (7) bestimmten Wert des Emissionsvermögens 8 ist.
11. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch g e k e η η ze ie hne t, daß die Temperaturkorrekturgroße eine lineare Funktion des bestimmten Wertes des Emissionsvermögens £ ist.
12. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 6 bis 11, dadurch gekennzeichne t, daß die Wärmeplatte (2) relativ zu der Oberfläche (l) des Metallgegenstands (20) geneigt ist.
13. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 6 bis 11, dadurch gekennze i ohne t, daß die Wärmeplatte (2) im wesentlichen parallel zu der Oberfläche (l) des Metallgegenstands (20) angeordnet ist.
14. Vorrichtung nach Anspruch Ij5, dadurch g ek e η η zeichnet ,daß die Wärmeplatte (2) eine öffnung (2a) aufweist, durch welche die von der Oberfläche (l) des Metallgegenstands (20) reflektierte Strahlungswärme durch die Einrichtung (6) zum Messen der reflektierten Strahlungswärme gemessen wird.
309 828/0352
DE2262737A 1971-12-27 1972-12-21 Verfahren und Vorrichtung zum Messen der Oberflächentemperatur eines Metallgegenstandes Expired DE2262737C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP47001258A JPS5234230B2 (de) 1971-12-27 1971-12-27

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2262737A1 true DE2262737A1 (de) 1973-07-12
DE2262737B2 DE2262737B2 (de) 1974-11-07
DE2262737C3 DE2262737C3 (de) 1975-06-19

Family

ID=11496418

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2262737A Expired DE2262737C3 (de) 1971-12-27 1972-12-21 Verfahren und Vorrichtung zum Messen der Oberflächentemperatur eines Metallgegenstandes

Country Status (6)

Country Link
US (1) US3796099A (de)
JP (1) JPS5234230B2 (de)
DE (1) DE2262737C3 (de)
FR (1) FR2166072B1 (de)
GB (1) GB1401778A (de)
IT (1) IT972844B (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4553854A (en) * 1982-12-17 1985-11-19 Nippon Kokan Kabushiki Kaisha Method for continuously measuring surface temperature of heated steel strip
DE102004061101B3 (de) * 2004-12-18 2006-01-19 Miele & Cie. Kg Verfahren zur Bestimmung des Emissionskoeffizienten ε2 einer zu beheizenden Fläche A2
DE102005032750A1 (de) * 2005-07-13 2007-02-01 Raytek Gmbh Referenztemperaturvorrichtung

Families Citing this family (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH547487A (de) * 1972-07-27 1974-03-29 Bbc Brown Boveri & Cie Verfahren zur beruehrungslosen und materialunabhaengigen temperaturmessung an oberflaechen mittels infrarot-pyrometer.
JPS5115485A (en) * 1974-07-30 1976-02-06 Nippon Steel Corp Ondobunpusokuteisochi
US4117712A (en) * 1976-01-23 1978-10-03 Armstrong Cork Company Emissimeter and method of measuring emissivity
GB1599949A (en) * 1977-04-04 1981-10-07 Nippon Steel Corp Method and an apparatus for simultaneous measurement of both temperature and emissivity of a heated material
US4144758A (en) * 1977-09-12 1979-03-20 Jones & Laughlin Steel Corporation Radiation measurement of a product temperature in a furnace
US4465382A (en) * 1980-03-04 1984-08-14 Nippon Steel Corporation Method of and an apparatus for measuring surface temperature and emmissivity of a heated material
FR2505495A1 (fr) * 1981-05-05 1982-11-12 Centre Nat Rech Scient Procede et dispositifs de mesure de temperature d'un corps en micro-ondes
US4579461A (en) * 1983-02-14 1986-04-01 United States Steel Corporation Dual sensor radiation pyrometer
US5231595A (en) * 1983-06-06 1993-07-27 Minolta Camera Kabushiki Kaisha Pyrometer
DE3341234C1 (de) * 1983-11-15 1985-05-15 Kurt Wolf & Co Kg, 7547 Wildbad Anordnung zum Messen der Temperatur in einem Heizsystem aus Heizplatte und Kochtopf
EP0143282B1 (de) * 1983-11-28 1989-02-01 Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt e.V Verfahren zur berührungslosen, emissionsgradunabhängigen Strahlungsmessung der Temperatur eines Objektes
DD254114A3 (de) * 1985-07-30 1988-02-17 Univ Dresden Tech Pyrometrisches messverfahren
US4708493A (en) * 1986-05-19 1987-11-24 Quantum Logic Corporation Apparatus for remote measurement of temperatures
DE3787373T2 (de) * 1987-11-23 1994-01-13 Quantum Logic Corp Gerät zur Fernmessung von Temperaturen.
US4919542A (en) * 1988-04-27 1990-04-24 Ag Processing Technologies, Inc. Emissivity correction apparatus and method
US4883364A (en) * 1988-11-14 1989-11-28 Barnes Engineering Company Apparatus for accurately measuring temperature of materials of variable emissivity
US4984902A (en) * 1989-04-13 1991-01-15 Peak Systems, Inc. Apparatus and method for compensating for errors in temperature measurement of semiconductor wafers during rapid thermal processing
US4969748A (en) * 1989-04-13 1990-11-13 Peak Systems, Inc. Apparatus and method for compensating for errors in temperature measurement of semiconductor wafers during rapid thermal processing
US5029117A (en) * 1989-04-24 1991-07-02 Tektronix, Inc. Method and apparatus for active pyrometry
JP2939771B2 (ja) * 1990-04-09 1999-08-25 アネルバ 株式会社 半導体ウエハーの処理方法および装置
US5098198A (en) * 1990-04-19 1992-03-24 Applied Materials, Inc. Wafer heating and monitor module and method of operation
US5239488A (en) * 1990-04-23 1993-08-24 On-Line Technologies, Inc. Apparatus and method for determining high temperature surface emissivity through reflectance and radiance measurements
US5271084A (en) * 1990-05-23 1993-12-14 Interuniversitair Micro Elektronica Centrum Vzw Method and device for measuring temperature radiation using a pyrometer wherein compensation lamps are used
US5255286A (en) * 1991-05-17 1993-10-19 Texas Instruments Incorporated Multi-point pyrometry with real-time surface emissivity compensation
US5156461A (en) * 1991-05-17 1992-10-20 Texas Instruments Incorporated Multi-point pyrometry with real-time surface emissivity compensation
US5180226A (en) * 1991-10-30 1993-01-19 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for precise temperature measurement
US5326172A (en) * 1992-12-14 1994-07-05 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Multiwavelength pyrometer for gray and non-gray surfaces in the presence of interfering radiation
DE69312894T2 (de) * 1992-12-29 1998-02-12 Philips Electronics Nv Pyrometer mit Emissionsmesser
US5326173A (en) * 1993-01-11 1994-07-05 Alcan International Limited Apparatus and method for remote temperature measurement
US5501637A (en) * 1993-08-10 1996-03-26 Texas Instruments Incorporated Temperature sensor and method
US5823681A (en) * 1994-08-02 1998-10-20 C.I. Systems (Israel) Ltd. Multipoint temperature monitoring apparatus for semiconductor wafers during processing
IL110549A (en) * 1994-08-02 1998-02-08 C I Systems Israel Ltd Multipoint temperature monitoring apparatus for semiconductor wafers during processing
US5660472A (en) * 1994-12-19 1997-08-26 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for measuring substrate temperatures
US6179466B1 (en) * 1994-12-19 2001-01-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for measuring substrate temperatures
US5755511A (en) * 1994-12-19 1998-05-26 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for measuring substrate temperatures
JP3333353B2 (ja) * 1995-05-31 2002-10-15 安立計器株式会社 温度測定装置
US5704712A (en) * 1996-01-18 1998-01-06 Quantum Logic Corporation Method for remotely measuring temperatures which utilizes a two wavelength radiometer and a computer
US5690430A (en) * 1996-03-15 1997-11-25 Bethlehem Steel Corporation Apparatus and method for measuring temperature and/or emissivity of steel strip during a coating process
WO1999023690A1 (en) 1997-11-03 1999-05-14 Asm America, Inc. Method of processing wafers with low mass support
US6007241A (en) * 1998-02-20 1999-12-28 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for measuring substrate temperature
US6183130B1 (en) 1998-02-20 2001-02-06 Applied Materials, Inc. Apparatus for substrate temperature measurement using a reflecting cavity and detector
US6174080B1 (en) 1998-08-06 2001-01-16 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for measuring substrate temperature
US6164816A (en) * 1998-08-14 2000-12-26 Applied Materials, Inc. Tuning a substrate temperature measurement system
WO2000054017A1 (en) 1999-03-08 2000-09-14 C.I. Systems Ltd. Method and apparatus for active pyrometric measurement of the temperature of a body whose emissivity varies with wavelength
DE19919961B4 (de) * 1999-04-30 2008-04-30 BSH Bosch und Siemens Hausgeräte GmbH Pyrometer mit Ausgleichsheizeinrichtung
GB2358059A (en) * 2000-01-07 2001-07-11 Rotadata Ltd Pyrometric determination of radiance and/ or temperature
US6375350B1 (en) * 2000-08-08 2002-04-23 Quantum Logic Corp Range pyrometer
US6596973B1 (en) 2002-03-07 2003-07-22 Asm America, Inc. Pyrometer calibrated wafer temperature estimator
DE102004053659B3 (de) * 2004-11-03 2006-04-13 My Optical Systems Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur berührungslosen Erfassung von thermischen Eigenschaften einer Objektoberfläche
US20080224030A1 (en) * 2007-03-13 2008-09-18 International Business Machines Corporation Non-contact thermal imaging system for heterogeneous components
MX343388B (es) * 2009-08-06 2016-11-04 Nippon Steel & Sumitomo Metal Corp Lámina de metal para calentamiento por radiación, proceso para producir la misma, y metal procesado que tiene una porción con resistencia diferente y proceso para producir el mismo.
US9885123B2 (en) 2011-03-16 2018-02-06 Asm America, Inc. Rapid bake of semiconductor substrate with upper linear heating elements perpendicular to horizontal gas flow
JP5500120B2 (ja) * 2011-04-25 2014-05-21 パナソニック株式会社 電子デバイスの検査方法
CN102620836B (zh) * 2012-03-31 2013-09-11 中冶南方(武汉)威仕工业炉有限公司 金属平板表面温度标定方法
CN115931152B (zh) * 2022-12-08 2023-10-20 鞍钢股份有限公司 一种基于层流控制的高温计信号优化方法、系统及存储介质

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2837917A (en) * 1950-02-07 1958-06-10 Leeds & Northrup Co Radiation systems for measuring temperature
US2737809A (en) * 1950-02-07 1956-03-13 Leeds & Northrup Co Double beam radiation pyrometer
US2611541A (en) * 1950-02-07 1952-09-23 Leeds & Northrup Co Radiation pyrometer with illuminator
US2846882A (en) * 1952-09-20 1958-08-12 Leeds & Northrup Co Apparatus for measuring and/or controlling surface temperatures under non-black-body conditions
US3044297A (en) * 1960-09-15 1962-07-17 Industrial Nucleonics Corp Measuring system
US3157728A (en) * 1961-03-02 1964-11-17 Little Inc A Method and means for measuring high temperatures
US3492869A (en) * 1966-09-03 1970-02-03 Hiromichi Toyota Means of measuring surface temperature by reflection
US3698813A (en) * 1971-01-18 1972-10-17 Whittaker Corp Emissivity corrected optical pyrometer
JPS5221869Y2 (de) * 1971-05-08 1977-05-19

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4553854A (en) * 1982-12-17 1985-11-19 Nippon Kokan Kabushiki Kaisha Method for continuously measuring surface temperature of heated steel strip
DE102004061101B3 (de) * 2004-12-18 2006-01-19 Miele & Cie. Kg Verfahren zur Bestimmung des Emissionskoeffizienten ε2 einer zu beheizenden Fläche A2
US7316505B2 (en) 2004-12-18 2008-01-08 Miele & Cie Kg Method of defining the emission coefficient of a surface to be heated
DE102005032750A1 (de) * 2005-07-13 2007-02-01 Raytek Gmbh Referenztemperaturvorrichtung

Also Published As

Publication number Publication date
FR2166072B1 (de) 1976-04-23
JPS5234230B2 (de) 1977-09-02
DE2262737B2 (de) 1974-11-07
US3796099A (en) 1974-03-12
JPS4871688A (de) 1973-09-27
GB1401778A (en) 1975-07-30
IT972844B (it) 1974-05-31
FR2166072A1 (de) 1973-08-10
DE2262737C3 (de) 1975-06-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2262737A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum messen der oberflaechentemperatur eines metallgegenstands
DE102008046725B4 (de) Infrarotzielobjekt-Temperaturkorrektursystem und- verfahren
DE2136564C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Messung der Temperatur eines bewegten Meßobjektes
DE2834618A1 (de) Anordnung und verfahren zum messen der oberflaechentemperatur eines heissen gegenstands in einem ofen
DE2947549A1 (de) Faseroptisches temperaturmessgeraet
EP1110074B1 (de) Thermowellen-messverfahren
DE19728803C1 (de) Anordnung zur Temperaturmessung und/oder -regelung
EP0282900A2 (de) Verfahren und Anordnung zur Messung des Taupunktes
DE19832833C2 (de) Verfahren zur thermographischen Untersuchung eines Werkstückes und Vorrichtung hierfür
DE2247862B2 (de) Wärmeflußmesser zum Fernmessen des Wärmestromes eines wärmeabstrahlenden Drehofens
CH648138A5 (de) Verfahren und vorrichtung zum automatischen regeln einer groesse eines einen extruder verlassenden objekts.
DE1773088C3 (de) Verfahren zur Regelung der Ebenheit von einem Walzvorgang unter« orfenen Bandern
DE1623341B1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum fortlaufenden,berührungslosen Messen des Abstandes zwischen einer Metalloberfläche und einer Bezugsebene mit Hilfe von Mikrowellen
WO2005036115A1 (de) Berührungslose temperaturmessung
DE10045608A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Trocknen einer lackierten Kraftfahrzeugkarosserie
DE1648318A1 (de) Verfahren und Geraet zur Temperaturmessung
EP0592361A1 (de) Temperaturmessung mit Zweiwellenlängenpyrometern
DE19917239A1 (de) Verfahren zur Ermittlung von Korrekturfaktoren zur Kompensation der Temperaturdrift der Strahlstärke einer LED
DE1698084C3 (de) Einrichtung zur Messung der Temperatur einer durchlaufenden Bahn
EP2183064A1 (de) Vorrichtung zur ermittlung einer temperatur eines warmwalzgutes und verfahren zur steuerung und/oder regelung einer temperatur eines warmwalzguts
DE2153077A1 (de) Verfahren zur beruehrungslosen messung der oberflaechentemperatur an einem objekt
DE2710669C3 (de) Verfahren und Vorrichtung zur pyrometrischen Messung der Graphitrohrtemperatur in einer Graphitrohrküvette
EP0718735B1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Bestimmen der auf einer Flächeneinheit vorliegenden Menge eines Klebstoffes sowie Verfahren und Vorrichtung zum Steuern der auf eine Flächeneinheit aufzutragenden Menge eines Klebstoffes
DE10355440A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Messung der Wanddicke von Kunststoffteilen
DE2156621A1 (de) Verfahren zum messen der temperaturverteilung auf der oberflaeche eines periodisch bewegten objektes

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
E77 Valid patent as to the heymanns-index 1977
8339 Ceased/non-payment of the annual fee