DE2255229A1 - Ladungsuebertragungseinrichtung - Google Patents
LadungsuebertragungseinrichtungInfo
- Publication number
- DE2255229A1 DE2255229A1 DE2255229A DE2255229A DE2255229A1 DE 2255229 A1 DE2255229 A1 DE 2255229A1 DE 2255229 A DE2255229 A DE 2255229A DE 2255229 A DE2255229 A DE 2255229A DE 2255229 A1 DE2255229 A1 DE 2255229A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- electrode
- charge
- charge carriers
- semiconductor body
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 53
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims description 50
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 13
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 3
- YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 1H-indene Chemical compound C1=CC=C2CC=CC2=C1 YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D44/00—Charge transfer devices
- H10D44/40—Charge-coupled devices [CCD]
- H10D44/45—Charge-coupled devices [CCD] having field effect produced by insulated gate electrodes
- H10D44/452—Input structures
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Networks Using Active Elements (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP46089023A JPS5211877B2 (enrdf_load_stackoverflow) | 1971-11-10 | 1971-11-10 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2255229A1 true DE2255229A1 (de) | 1973-05-30 |
Family
ID=13959300
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2255229A Pending DE2255229A1 (de) | 1971-11-10 | 1972-11-10 | Ladungsuebertragungseinrichtung |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5211877B2 (enrdf_load_stackoverflow) |
DE (1) | DE2255229A1 (enrdf_load_stackoverflow) |
NL (1) | NL7215152A (enrdf_load_stackoverflow) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5724662B2 (enrdf_load_stackoverflow) * | 1973-12-26 | 1982-05-25 | ||
CA976662A (en) * | 1974-02-11 | 1975-10-21 | Douglas R. Colton | Input charge control for charge-coupled device |
-
1971
- 1971-11-10 JP JP46089023A patent/JPS5211877B2/ja not_active Expired
-
1972
- 1972-11-09 NL NL7215152A patent/NL7215152A/xx unknown
- 1972-11-10 DE DE2255229A patent/DE2255229A1/de active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5211877B2 (enrdf_load_stackoverflow) | 1977-04-02 |
NL7215152A (enrdf_load_stackoverflow) | 1973-05-14 |
JPS4854878A (enrdf_load_stackoverflow) | 1973-08-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2921037C2 (de) | Isolierschicht-Feldeffekttransistor-Schaltung | |
DE2525057B2 (de) | Spannungsverdopplerschaltung | |
DE3886025T2 (de) | Ladungsübertragungsanordnung mit einer verbesserten Ausgangsstufe. | |
EP0045469A2 (de) | Nichtflüchtige, programmierbare integrierte Halbleiterspeicherzelle | |
DE2412699A1 (de) | Halbleiteranordnung | |
DE1462952A1 (de) | Schaltungsanordnung zur Realisierung logischer Funktionen | |
DE1614144A1 (de) | Feldeffekttransistor mit isolierten Gattern | |
DE19735425B4 (de) | Mosfet | |
DE2558549C3 (de) | Anordnung zur Regelung des Potentials in einem MOS-CCD-Speicher | |
DE1920077C2 (de) | Schaltungsanordnung zum Übertragen von Ladungen | |
DE2740203C2 (de) | Ladungsgekoppelte Halbleiteranordnung | |
DE1514431A1 (de) | Halbleiteranordnung mit pn-UEbergang zur Verwendung als spannungsabhaengige Kapazitaet | |
DE2141627C3 (de) | Thyristor | |
DE2252148C3 (de) | Ladungsgekoppelte Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrem Betrieb | |
DE1763481A1 (de) | Steuervorrichtung fuer eine Maschine zum Falten eines flachen Werkstuecks | |
DE2644593A1 (de) | Verfahren und anordnung zur nachbildung eines ladungspakets | |
DE2528316A1 (de) | Von einer ladungsuebertragungsvorrichtung gebildete signalverarbeitungsanordnung | |
DE2231565A1 (de) | Umsteuerbare zweiphasige ladungsgekoppelte baueinheit | |
DE2238564C3 (de) | Thyristor | |
DE2255229A1 (de) | Ladungsuebertragungseinrichtung | |
DE1182293B (de) | Elektronische Festkoerperschaltung mit Feldeffekt-Transistoren mit isolierter Steuerelektrode | |
DE2341822A1 (de) | Digitales schieberegister | |
DE2259008C3 (de) | Bildaufnahmevorrichtung mit ladungsgekoppelter Halbleitereinrichtung | |
DE69426319T2 (de) | Thyristor mit Hilfsemitterelektrode mit erhohtem Haltestrom | |
DE2933440A1 (de) | Eingangsseitig bewertetes transversalfilter mit ladungsuebertragung |