DE2243188B2 - Schaltungsanordnung mit dauernder speichereigenschaft fuer nachgeschaltete bistabile kippschaltungen - Google Patents
Schaltungsanordnung mit dauernder speichereigenschaft fuer nachgeschaltete bistabile kippschaltungenInfo
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- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/22—Modifications for ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied
- H03K17/24—Storing the actual state when the supply voltage fails
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- Electronic Switches (AREA)
Description
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Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung mit dauernder Speichereigenschaft für nachgeschaltete
bistabile Kippschaltungen, bei der ein aus einem Magnetkern mit rechteckförmiger Hystereseschleife
aufgebauter Speicher verwendet ist. dessen jede der beiden Remanenzlagen einem bestimmten
Schaltzustand der bistabilen Kippschaltung entspricht.
Es sind schon verschiedene bistabile Kippschaltungen bekanntgeworden (DT-AS 12 12 587, 1050376,
996, 1134 710, 12 00 357, 12 68 202, 12 65 274,50 1138099, 1070225, 1188 131, britische Patentschrift
851, DT-PS 12 02 827), die eine Speichereigen-•chaft aufweisen. Im Prinzip beruhen sie alle darauf,
daß der beim Spannungsausfall vorhandene Schaltzustand mit Hilfe eines Magnetkerns mit nahezu rechteckförmiger
Hystereseschleife gespeichert wird. Die Wicklungen dieser Kerne sind dabei integrierender Bestandteil
dieser Kippschaltungen und liegen in den Steuerkreisen und/oder Kollektorkreisen der Transistoren.
Diese unmittelbare Verbindung der bekannten Bauelemente einer Kippstufe mit mindestens einem
Magnetkernspeicher hat jedoch vielerlei Nachteile. So hängt der sich nach Spannungswiederkehr einstellende
Schaltzustand nicht nur von dem in den Magnetkern gespeicherten Schaltzustand ab, sondern auch mit weleher
Geschwindigkeit und nach welchem Kurvenverlauf die Versorgungsspannung wiederkehrt. Die meisten
dieser Schaltungen arbeiten daher nur dann zuverlässig, wenn man durch besondere Kunstgriffe die
Stromversorgungsgeräte so gestaltet, daß ein bestimmter Spannungsgradient unter keinen Umständen unterschritten
wird. Ein weiterer Nachteil dieser bekannten Technik besteht darin, daß durch die in den Schaltkreisen
der Kippstufe liegenden Drosseln die Form der Ausgangsimpulse nachteilig beeinträchtigt wird. Ferner
wird durch die Drosseln eine Herabsetzung der maximalen Betriebsfrequenz erzwungen. Beides ist in vielen
Anwendungsfällen also unerwünscht.
Bei einer bekannten Schaltungsanordnung (DT-PS 11 71 060) wird der nachteilige Einfluß von Speicherdrosseln
dadurch vermieden, daß diese nichtintegrierende Bestandteile dieser Kippschaltungen bilden. Bei
dieser bekannten Schaltungsanordnung weist der Magnetkern eine Magnetisierungswicklung und eine Lesewicklung
auf, wobei die Magnetisierungswicklung über einen Entkupplungsverstärker an den Ausgang der bistabilen
Kippschaltung angeschlossen ist, während die Lesewicklung über einen Impulsformer mit dem Eingang
der bistabilen Kippschaltung in Verbindung steht. Der Impulsformer liefert immer dann ein Signal, wenn
der Kern von der einen Remanenzlage in die andere ummagneiisiert wird. Eine einwandfreie Funktion dieser
bekannten Schaltungsanordnung ist jedoch nur gewährleistet, wenn ein zeitlich definiertes Ein- bzw. Abschalten
der Versorgungsspannung gewährleistet ist
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Schaltungsanordnung der eingangs beschriebenen Art
derart weiterzubilden, daß ein zeitlich definiertes Einbzw. Abschalten der Versorgungsspannung nicht mehr
erforderlich ist. Ferner soll die Schaltungsanordnung derart ausgebildet sein, daß zum Setzen und Abfragen
des Speichers nur mehr eine einzige Wicklung erforderlich ist und daß die Abfrage des Speichers auch
mehrmals vorgenommen werden kann, ohne daß sich der ursprüngliche Magnetisierungszustand des Kerns
ändert.
Die Schaltungsanordnung gemäß der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß die Magnetisierungswicklung
des Magnetkerns zwischen den Emittern von in Emitterschaltung betriebenen Transistoren liegt, deren
Basen über Steuerstufen derart von der bistabilen Kippschaltung ansteuerbar sind, daß die beiden Transistoren
im Normalbetrieb ebenfalls als bistabile Kippschaltung arbeiten, daß die Ansteuerung der beiden
Transistoren nach Ausfall der Versorgungsspannung bei Wiederkehr derselben über einen gemeinsamen lnhibiteingang
der beiden Steuerstufen verhinderbar ist und daß nach Erreichen der vollen Höhe der Versorgungsspannung
über eine der Steuerstufen ein definier ter Abfrageimpuls auf die Magnetisierungswicklung
des Magnetkerns gebbar ist, der nur bei einer bestimmten Remanenzlage des Kerns an einem im Emitteranschluß
des der anderen Steuerstufe zugeordneten Transistors liegenden Widerstand einen als Setzimpuls für
die bistabile Schaltung verwendbaren Spannungsimpuls hervorruft.
An Hand der Zeichnung, in der ein Ausführungsbeispiel schematisch dargestellt ist, wird die Erfindung näher
erläutert.
Die Schaltungsanordnung enthält als wesentlichen Bestandteil einen Magnetkern 1 mit nahezu rechteckförmiger
Hystereseschleife, der mit einer Magnetisierungswicklung 2 versehen ist. Die Magnetisierungswicklung 2 ist mit ihren beiden Enden an die Emitter
von zwei Transistoren 3 und 4 angeschlossen. Diese werden in Emitterschaltung betrieben. Die Basen der
beiden Transistoren 3 und 4 stehen mit Steuerstufen 5 und 6 in Verbindung, welche über einen Steuereingang
7 mit der zu überwachenden bistabilen Schaltung in Verbindung stehen. Die Steuerstufe 5 enthält zwei
NAND-Gatter 8 und 9, während die Steuerstufe 6 ein UND-Gatter 10 aufweist. Da die beiden Transistoren 3
lind 4 als Spannungsfolger (Emitterschaltung) arbeiten,
müssen die Steuerstufen 5 und 6 definierte Ausgangsfpannungen liefern, um den vollen Wert des Magnetilie;ungsstromes
für den Magnetkern 1 zu erhalten. Aus diesem Grunde sind die beiden Gatter 9 und 10 als integrierte
Digitalschaltungen mit offenen Kollektoren ausgebildet, weil dann infolge der Beschallung mit den
Widerständen 11 und 12 die Ausgangsspannungen der Steuerstufen 5 und 6 der Betriebsspannung Ub entsprechen,
die meistens stabil gehalten wird.
Der Speicherkern 1 kann also über die Transistoren 3 und 4 entsprechend der Stellung der Steuerstufen 5
und 6 in den positiven oder negativen Sätiigungszustand
gebracht werden. Der jeweilige Magnetisierungsstrom ist durch die Werte der Widerstände 13. 14 und
15 vorgegeben. Das an dem Steuereingang 7 anliegende Signal wird über einen Inverter 16 an den Eingang
der Steuerstufe 5 gegeben. An Stelle über den Inverter
16 könnte das Eingangssignal für die Steuerstufe 5 auch unmittelbar dem komplementären Ausgang der zu
überwachenden bistabilen Kippstufe entnommen werden. Mit 17 ist noch ein Inhibiteingang bezeichnet, der
auf die Eingänge der beiden Gatter 8 und 10 wirkt. Ferner weist das NAND-Gatter 9 noch einen Abfrageeingang
auf.
Die Schaltungsanordnung arbeitet wie folgt:
Liegt beispielsweise am Steuereingang 7 Signal, so liegt auch am Ausgang des UND-Gatters 10 Signal, da auch der Inhibiteingang Signal führt. An dem NAND-Gatter 8 liegt infolge der Einschaltung des Inverters 16 Nullsignal, so daß unabhängig vom Signal am Inhibiteingang der Ausgang des NAND-Gatters 8 Signal führt. Da an dem Abfrageeingang 18 ebenfalls Signal anliegt, liegt an dem Ausgang des NAND-Gatters 9 Nullsignal, d. h. der Transistor 3 ist gesperrt und der Transistor 4 geöffnet. Es fließt von der Betriebsspannungsklemme Ub Strom über den Transistor 4. die Magnetisierungswicklung 2 und den Widerstand 13. so daß der Mapnetkern 1 in eine bestimmte Remanenzlage gekippt wird. Verschwindet das Signal am Steuereingang 7, so verschwindet auch am Ausgang der Steuerstufe 6 das Signal, wodurch der Transistor 4 sperrt. Über den Inverter 16 erhält nunmehr auch der Eingang des NAND-Gatters 8 Signal, und de auch der Inhibiteingang A Signal führt, verschwindet das Signal am Ausgang des NAND-Gatters 8. Dadurch erscheint auch am Ausgang des NAND-Gatters 9 ein Ausgangssignal, das den Transistor 3 nunmehr öffnet, so daß der Magnetisierungsstrom nunmehr über den Transistor 3, die Wicklung 2 und die Widerstände 14 und 15 fließt. Dadurch wird der Magnetkern in seine andere Remanenzlage gebracht.
Liegt beispielsweise am Steuereingang 7 Signal, so liegt auch am Ausgang des UND-Gatters 10 Signal, da auch der Inhibiteingang Signal führt. An dem NAND-Gatter 8 liegt infolge der Einschaltung des Inverters 16 Nullsignal, so daß unabhängig vom Signal am Inhibiteingang der Ausgang des NAND-Gatters 8 Signal führt. Da an dem Abfrageeingang 18 ebenfalls Signal anliegt, liegt an dem Ausgang des NAND-Gatters 9 Nullsignal, d. h. der Transistor 3 ist gesperrt und der Transistor 4 geöffnet. Es fließt von der Betriebsspannungsklemme Ub Strom über den Transistor 4. die Magnetisierungswicklung 2 und den Widerstand 13. so daß der Mapnetkern 1 in eine bestimmte Remanenzlage gekippt wird. Verschwindet das Signal am Steuereingang 7, so verschwindet auch am Ausgang der Steuerstufe 6 das Signal, wodurch der Transistor 4 sperrt. Über den Inverter 16 erhält nunmehr auch der Eingang des NAND-Gatters 8 Signal, und de auch der Inhibiteingang A Signal führt, verschwindet das Signal am Ausgang des NAND-Gatters 8. Dadurch erscheint auch am Ausgang des NAND-Gatters 9 ein Ausgangssignal, das den Transistor 3 nunmehr öffnet, so daß der Magnetisierungsstrom nunmehr über den Transistor 3, die Wicklung 2 und die Widerstände 14 und 15 fließt. Dadurch wird der Magnetkern in seine andere Remanenzlage gebracht.
Es wird nun angenommen, daß in diesem Zustand die Betriebsspannung ausfällt. Der Strom durch den Transistor
3 nimmt dann ab, während der Transistor 4 ja bereits stromlos ist. Der Kern kann auch unter ungünstigen
Abschaltbedingungen (z. B. Fehlimpulse am Signaleingang 7) nicht mehr ummagnetisiert werden. Der
dazu nötige Stromwert wird nicht mehr erreicht, weil die Speisespannung voraussetzungsgemäß abfällt.
Bei Wiederkehr der Betriebsspannung wird zunächst über den Inhibiteingang 17 die Ansteuerung der Transistoren
3 und 4 verhindert, um den Kern nicht durch falsche Steuersignale umzumagnetisieren. Dies wird
beispielsweise dadurch erreicht, daß die Signalspannung dem Inhibiteingang 17 mit einer gewissen Zeitverzögerung
zugeführt wird, lsi die vorgeschriebene Versorgungsspannung erreicht, wird die zu überwachende
bistabile Kippschaltung in an sich bekannnter Weise in eine definierte Lage (Nullstellung) gebracht.
Danach wird ein Abfrageimpuls erzeugt, der über den Eingang 18 unmittelbar über die Steuerstufe 5 an den
Emitter von dem Transistor 3 gelangt. )e nach der Richtung des Steuersignals vor Ausfall der Betriebsspannung
ist der Magnetkern 1 in der gleichen oder in der entgegengesetzten Richtung des Abfrageimpulses
magnetisiert. Entspricht die vorherige Magnelisierung des Kerns der Richtung des Abfrageimpulses, so erscheint
die Magnetisierungswicklung 2 niederohmig. weil der Magnetkern 1 durch den Abfrageimpuls weiter
in die Sättigung getrieben wird und demzufolge die Induktivität klein ist. In diesem Fall kann an dem Widerstand
15 über eine Leitung 19 ein Impuls abgenommen werden, mit dem die zu überwachende bistabile Kippschaltung
entsprechend gesetzt wird.
Bei entgegengesetzter Magnetisierung des Magnetkerns 1 ist die Magnetisierungswicklung 2 hoehohmig.
weil der Abfrageimpuls versucht, den Kern umzumagnetisieren und damit die Induktivität der Magnetisierungswicklung
2 zunimmt. Die Dauer des Abfrageimpulses ist so gewählt, daß der Magnetkern nicht ummagnetisiert
werden kann. Es entsteht dann an dem Widerstand 15 kein Setzimpuls, d. h. die Schaltung
bleibt in der Nullstellung. Durch entsprechende Bemessung des Abfrageimpulses kann eine mehrmalige Abfrage
vorgenommen werden, ohne daß der Kern seine
Magnetisierung ändert. Sob?ld die Abfrage beendet ist, wird an dem Inhibiteingang 17 Signal gelegt, wodurch
die Steuerstufen 5 und 6 freigegeben werden. Die Magnetisierung des Magnetkerns 1 richtet sich dann nach
der an dem Eingang 7 anliegenden Signalspannung.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (2)
1. Schaltungsanordnung mit dauernder Speichereigenschaft für nachgeschaltete bistabile Kippschaltungen,
bei der ein aus einem Magnetkern mit rechteckförmiger
Hystereseschleife aufgebauter Speicher verwendet ist, dessen jede der beiden Remanenzlagen
einem bestimmten Schaltzustand der bistabilen Kippschaltung entspricht, dadurch ge- ίο
kennzeichnet, daß die Mtgnetisierungswicklung
(2) des Magnetkerns (1) zwischen den Emittern von in Emitterschaltung betriebenen Transistoren
(3,4) liegt, deren Basen über Steuerstufen (5,6) derart
von der bistabilen Kippschaltung ansteuerbar sind, daß die beiden Transistoren (3, 4) im Normalbetrieb
ebenfalls als bistabile Kippschaltung arbeiten, daß die Ansteuerung der beiden Transistoren
(3, 4) nach Ausfall der Versorgungsspannung (Ub) bei Wiederkehr derselben über einen gemeinsamen
lnhibiteingang (17) der beiden Steuerstufen (5. 6) verhinderbar ist und daß nach Erreichen der vollen
Höhe der Versorgungsspannung (Ub) über eine der Steuerstufen (5 oder 6) ein definierter Abfrageimpuls
auf die Magnetisierungswicklung (2) des Magnetkerns (1) gebbar ist, der nur bei einer bestimmten
Remanenzlage des Kerns (1) an einem im Emitteranschluß des der anderen Steuerstufe (6
oder 5) zugeordneten Transistors (4 oder 3) liegenden Widerstand (15) einen als Setzimpuls für die bistabile
Schaltung verwendbaren Spannungsimpuls hervorruft.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerstufen (5, 6)
integrierte Digitalschaltungen mit offenen Kollektoren enthalten.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19722243188 DE2243188C3 (de) | 1972-09-01 | Schaltungsanordnung mit dauernder Speichereigenschaft für nachgeschaltete bistabile Kippschaltungen | |
FR7331274A FR2198320B1 (de) | 1972-09-01 | 1973-08-29 | |
IT2845273A IT993114B (it) | 1972-09-01 | 1973-08-31 | Disposizione circuitale con capacita di memorizzazione perma nente per circuiti multivibratori bistabili |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19722243188 DE2243188C3 (de) | 1972-09-01 | Schaltungsanordnung mit dauernder Speichereigenschaft für nachgeschaltete bistabile Kippschaltungen |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
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DE2243188A1 DE2243188A1 (de) | 1974-03-14 |
DE2243188B2 true DE2243188B2 (de) | 1976-04-08 |
DE2243188C3 DE2243188C3 (de) | 1976-11-18 |
Family
ID=
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IT993114B (it) | 1975-09-30 |
FR2198320B1 (de) | 1976-04-30 |
FR2198320A1 (de) | 1974-03-29 |
DE2243188A1 (de) | 1974-03-14 |
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