DE2243170C3 - Meßbrücke mit transistorisierter Abgleich-Nachweisschaltung und nachgeschalteter Steuerschaltung, als BelichtungsmeB- oder -steuerschaltung - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Meßbrücke mit transistorisierter Abgieich-Nachweisschaltung und nachgeschalteter Steuerschaltung als Belichtungsmeß- oder -steuerschaltung nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.

Bei einer bekannten Meßbrücke dieser Art (Journal of the SMPTE, Oktober 1967, Bd. 76, S. 1003) ist zur Erhöhung der Nachweisempfindlichkeit der Abgieich-Nachweisschaltung eine Diode in den einen Brückenzweig eingeschaltet, welche eine bestimmte Vorspannung für den npn- und pnp-Transistor der Nachweisschaltung liefert. Wie an Hand der F i g. 1 dargelegt wird, reicht diese Erhöhung der Empfindlichkeit nicht aus, um die Breite des Ansprech-Unempfindlichkeitsbereichs auf eine bestimmte Größe zu bringen.

Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, eine Meßbrücke der eingangs angegebenen Art so auszugestalten, daß der Ansprech-Unempfindlichkeitsbereich auf einen tolerierbaren Wert eingestellt werden kann.

Die Lösung der gestellten Aufgabe ist dem Hauptanspruch zu entnehmen, während die Unteransprüche Weiterbildungen und Ausgestaltungen der Erfindung betreffen.

Zwei Ausführungsbeispiele der Erfindung werden an Hand der Zeichnung erläutert. Dabei zeigt

Fig 1 ein Schaltbild einer Abgleichnachweisschaltung eines Meßbrücken-Belichtungsmessers nach dem Stand der Technik,

Fig. 2 ein Schaltbild der Abgleichnachweisschaltung des Meßbrücken-Belichtungsmessers gemäß einer Ausführungsform der Erfindung und

Fig.3 ein Schaltbild eines Lichtstrom-Belichtungsmessers, auf dem die Erfindung Anwendung gefunden hat.

Zum besseren Verständnis der Erfindung wird nachfolgend zuerst die Abgleichnachweisschaltung des bekannten Meßbrücken-Belichtungsmessers beschrieben.

In F i g. 1 dienen ein npn-Transistor T1 und ein pnp-Transistor 7" 2 als Abgleich-Nachweistransistoren einer Brückenschaltung, die durch ein lichtelektrisches Element bzw. Photowiderstand RpIi als Geber, einen Abgleich-Regelwiderstand .Rv, der entsprechend von Belichtungsfaktoren (z. B. Blenden und Verschlußzeit) variiert wird, sowie von Widerständen R 1 und R 2 gebildet wird. Die Kollektorelektroden der Transistoren Tl und T 2 sind mit der Basis eines Transistors (nicht gezeigt) in einer Verstärker- und Steuerschaltung 10 verbunden, um die Signale aus der Brückenschaltung zu verstärken. Die Ausgänge der Nachweistransistoren Π und Tl können ein Meßgerät, einen Motor, eine Lampe od. dgl. steuern, um anzuzeigen, ob die Belichtung richtig ist oder nicht.

Zwischen die Widerstände R 1 und R 2 ist eine Vorspannungsdiode D geschaltet, die eine Vorspannung zwischen den Emitterelektroden der Nachweistransistoren Tl und 7" 2 anlegt und dadurch die

Breite eines Ansprech-Unempfjndlichkeitsbereiches verringert, wie nachfolgend beschrieben wird. Die Widerstände R 1 und R 2 haben den gleichen Widerttändswert, der so bemessen ist, daß ein solcher Strom in dem Bruckenzweig Rl, D, P 2 fließt, der zur Sättigungsspannung der Diode D zum Ausgleich für einen eventuellen Spannungsabfall der Versor- «ungsspannung E_B führt. Am Verbindungspunkt zwischen dem Photoelement Rph und dem Regekviderstandßv kann eine Signalspannung Vs erzeugt werilen. Mit V_BEl und V_BE, werden die Schwellenspannungen oder die Basis-Emitter-Spannungen bezeichnet, wie sie sich unmittelbar vor Fließen eines Basisstroms zu den Transistoren 71 und Tl und deren Leitendsteuerung ergeben. Diese Spannungen liegen normalerweise im Bereich von 0,4 bis 0,45 Volt, wenn Ί 1 und Tl Siliciumtransistoren sind. Die Versorgungsspannung E_B wird von einer Stromquelle E geliefert, während V_n eine durch die Vorspannungsdiode D erzeugte Vorspannung ist. Die Vorspannung liegt normalerweise im Bereich von 0,6 bis 0,7 Volt, wenn D eine Siliciumdiode ist.

Wenn die Signalspannung Vs unmittelbar vor Leitendwerden des Transistors Tl mit Ki₁ bezeichnet wird und die Signalspannung Vs unmittelbar vor Leitendwerden des Transistors Tl mit Vs₂, erhält Zone, weiche durch RpIi₁ und RpIi., bestimmt wird, und innerhalb welcher beide Transistoren Tl und Tl nichtleitend bleiben, wird als die »Ansprech-Unempfincilichkeitszone« bezeichnet. EVl bezeichnet den Lichtwert, der dem Widerstandswert RpIi₁ des lichtelektrischen Elements Rph äquivalent ist, und EV 2 bezeichnet den Lichtwert, der dem Widerstandswert Rph äquivalent ist.

Die Beziehung zwischen dem Lichtwert EV und der Helligkeit des aufzunehmenden Objekts ist gegeben durch:

=K-B_l

2 = KB,

(9)

wobei

- V₁

Rl+ Rl

. R₂

_BFl

Rl+ Rl

Rl + V₀- V

BF. 2

(1)

(2) B₁ = Helligkeit des Objekts, wenn Rph = Rph_t,

B₂ = Helligkeit des Objekts, wenn

Rph = Rph,, und
K — eine Konstante,

und wobei die Helligkeit des Objektes und der Widerstandswert des lichtelektrischen Elements die folgende Beziehung haben:

RPh₁ = a ■ B₁-'; Rph, = a ■ B,~. (10)

wobei

γ = eine dem lichtelektrischem Element eigene

Konstante ist, und
a = eine Konstante.

Aus den Gleichungen (9) und (10) kann die Breite der Ansprech-Unempfindlichkeitszone, welche durch RpIi₁, Rph, Rph, dargestellt ist, angegeben werden

Wenn zur Vereinfachung V_BFl = V_VE, = V_m:, ge- 35 durch einen Lichtwert wie folgt: setzt wird, ergibt sich wegen Rl = Rl:

En - Vr

+ V

BF.·

=- + Vo - V

_BI,

(3)

(4) EVl -EV 2= — -¹-)'log2

. Rph, log—-----Rph,

(H)

Wenn AEV ^EVl -EVl, ist aus der Gleichung (11) die Breite der Ansprech-Unempfindl'chkeitszone gegeben durch:

Wenn RpIt₁ und Rph, die Werte von Ryh sind, die sich für Fj₁ und Fj₂ eingestellt haben, ergibt sich

,„,. I₁ Rph,

AEV — — - log———

log 2 RpIi₁

(12)

Fj₁ = E_n ■

Rv

RpIi₁ + Rv

^S"- ^ß Rph, + Rv

(5)

(6) Durch Einsetzen der Gleichungen (7) und (8) in die Gleichung (12) erhält man:

JEF=

7 log 2

V_I)-2V_B,,

(13)

Aus Gleichung (3) und (5) sowie (4) und (6) ergibt sich:

E_B~V_D + 2V,_m,

Rph,= ^Ε»-^ν°Λ2Σ>^ _Rv

- E₀ +V₀ -2V_n,,

55

Da V₀ = 0,6 - 0,7 V und V_BI, = 0,4 bis 0,45 V, gibt V₀ < 2 V₁₁,;,. Daher ist RpIi₁ < Rph,.

Dies bedeutet, daß beide Transistoren Tl und Tl nichtleitend sind, wenn Rph derart ist, daß RpIi₁ <i Rph < RpIi₂. Die Transistoren Tl und Tl bleiben innerhalb des vorgenannten Bereiches unabhängig von jeder Änderung von Rph nichtleitend. Die

Daher wird während der Lichtmessung, selbst wenn der Abgleich der Brücke durch die Beziehung zwischen den Widerstandswerten der Elemente Rph und Rv gestört wird, ein Zustand ähnlich dem Abgleichzustand der Brücke angezeigt, solange eine solche Störung innerhalb des Bereiches von Δ Ev um den Abgleichpunkt herum liegt. Da die Brückenschaltung bei der richtigen Belichtung abgeglichen wird, wird I Ev durch verschiedene Faktoren j\ E_B,, VD und Vin-, bestimmt, wie sich aus der Gleichung (13) ergibt. Daher kann die Herabsetzung von JEv, d.h. die Toleranz der richtigen Belichtung, theoretisch beispielsweise dadurch erreicht werden, daß ein hoher Wert von γ für Rph verwendet wird oder E_n. vergrößert oder V₀ der Größe 2 V_n,, angenähert wird, oder 2 V_n,;, dem Wert V₀ angenähert wird. Ein

lichtelektrisches Element mit einem hohen Wert von γ ist wegen beschränkter Herstellungsmöglichkeiten schwierig zu erhalten. Eine Erhöhung von E_ß führt unvermeidlich und unerwünscht zu einem größeren Volumen und einem höheren Gewicht der verwendeten Stromquelle. Das letztgenannte Verfahren, d.h. die Annäherung von V₀ an 2V_Br., oder umgekehrt kann mit Rücksicht auf die physikalischen Eigenschaften des Transistors nicht frei angewendet werden.

Da die Vorspannung V₀ auch bei irgendeiner Veränderung in der Stromquellenspannung stabil sein muß, ist es unerwünscht, mit der Diode D in Reihe geschaltete Widerstände zwischen den Emitterelektroden der Transistoren Tl und T 2 einzusetzen, um V₀ an 2V_BF, anzunähern. Auch die Verwendung mehrerer ähnlicher Dioden wie die Diode D führt dazu, daß V₀ = OyN (N = I, 2 usw.), so daß, wenn N> 1, von der Bedingung V₀<.2V_BE, abgewichen wird. Die Verwendung von Germaniumdioden an Stelle von Siliciumdioden befriedigt diese Bedingung, jedoch ist dies wegen der Unregelmäßigkeit von 2 V_BF, unerwünscht und V_n ist nicht als tatsächliches Problem berücksichtigt und hat eine ernste nachteilige Einwirkung auf A EV.

Es ist daher bei dem bekannten Meßbrücken-Belichtungsmesser infolge der vorangehend beschriebenen verschiedenen Faktoren praktisch unmöglich, die Toleranz einer richtigen Belichtung zu verringern. Die Erfindung beseitigt alle die vorangehend beschriebenen Nachteile des bekannten Belichtungsmessers dadurch, daß die Diode durch Transistoren zum Zwecke der Vorspannung und des Ausgleichs des Versorgungsspannungsabfalls ersetzt wird, wobei eine freie Wahl des Wertes von V₀ ermöglicht und A EV herabgesetzt und femer die Unregelmäßigkeit von 2 V_BF, aufgefangen wird, so daß ständig ein konstanter Wert für A EV erzielt und ein der Diode gleichwertiges Verhalten bezüglich Ausgleich des Versorgungsspannungsabfalls erhalten wird.

Nachfolgend wird die Erfindung an Hand einer Ausführungsform beschrieben.

Wie sich aus F i g. 2 ergibt, sind ein lichtelektrisches Element Rph als Geber und ein Abgleich-RegelwiderstandKv miteinander in Reihe geschaltet. Das eine Ende des lichtelektrischen Elements Rph ist mit dem positiven Pol einer Stromquelle £ verbunden. Das eine Ende des Regelwiderstandes Rv ist mit dem negativen Pol der Stromquelle E verbunden.

Der Verbindungspunkt zwischen Rph und Rv ist mit den Basiselektroden des npn-Transistors T1 und des pnp-Transistors T 2 verbunden, welche dazu dienen, den Abgleich der Brücke nachzuweisen. Zwischen den Widerständen R 1 und R 2, welche mit den Elementen Rph und Rv zusammenwirken, um die Brückenschaltung zu bilden, sind ein Trimmwiderstand R 3 und ein Widerstand R 4 in Reihe geschaltet. Ein Vorspannungs-npn-Transistor T 3 ist

Die Gleichungen (16) und (17) ergeben:

an seiner Basis mit dem Mittelpunkt zwischen den beiden Widerständen R 3 und R 4 verbunden. Der Kollektor und der Emitter des Transistors Γ 3 ist mit dem Mittelpunkt zwischen dem Widerstand R 1 und dem Trimmwiderstand R 3 sowie mit dem Mittelpunkt zwischen dem Widerstand R 2 und dem Widerstand R 4 verbunden. Das eine Ende des Widerstandes R1. ist mit im positiven Pol der Stromquelle £ verbunden, während das eine Ende des

ίο Widerstandes R 2 mit dem negativen Pol der Stromquelle £ verbunden ist. Die Widerslände R 1 und R 2 haben gleiche Widerstandswerte.

Die Emitterelektroden der Transistoren Tl und Tl sind mit dem Emitter bzw. mit dem Kollektor des Transistors Γ 3 verbunden. Die Kollektorelektroden der Transistoren Tl und 7 2 sind mit der Basis eines nicht gezeigten Transistors in einer Verstärker- und Steuerschaltung 10 verbunden, um die Ausgangssignale aus den Kollektorelektroden zu verstärken. Die Ausgangssignale der Transistoren Tl und T 2 steuern ein Meßgerät, einen Motor, eine Lampe od. dgl. in der Verstärker- und Steuerschaltung zur Bestimmung der richtigen Belichtung.
Mit anderen Worten, das Meßgerät und die Lampe zeigen die richtige Belichtung durch einen Ausschlag des Zeigers des Meßgerätes bzw. durch das Aufleuchten der Lampe an, während der Motor mit einer Blendeneinstelleinrichtung (nicht gezeigt) verbunden wird, um den Blendenöffnungsgrad entspre-

chend den Ausgangssignalen der Transistoren T1 und T 2 zu steuern, wodurch automatisch die richtige Belichtung erhalten wird. V_n bezeichnet die Kollektor-Emitter-Spannung des Transistors T3, d.h. die Vorspannung für die Transistoren Tl und T 2.

welche den Abgleich der Brücke nachweisen. Der Stromverstärkungsfaktor h_Fn des Transistors T 3 ist ausreichend hoch, und der Trimmwiderstand R 3 ist so gewählt, daß die folgende Beziehung befriedigt ist:

40 h_lT. ■ R1>RZ

Im nachfolgenden ist mit / der durch den Trimmwiderstand R 3 fließende Strom, mit /_ß der zurr Transistor T 3 fließende Basisstrom und mit V_m ·, die Basis-Emitter-Spannung des Transistors T 3 be zeichnet. Sodann erhält man

R4

Ä1

- hf,-1η

V₀= i

(H)

(15)
(16)

Die Gleichungen (14) und (15) ergeben:

h_FF+

2Kl

+ .^e_YjL\\ (17)

R 3 E_n 2(/7,₇, + I)Rl

+ 1) R 1 -1 R3 2(h_FE + \)~R~t~+~R3

+ 1

Da h_rr > 1 und 2 h_FF R1 > R 3

R3

R4

Durch die Vorwahl der Widerstände R 1, R 2, R 3 und A4 derart, daß die Basis-Emitter-Spannung in einem Sättigung sbereich arbeiten kann, kann K_ß/.-₃ im wesentlichen konstant gehalten werden, d. h. im Bereich von 0,6 bis 0,7 V für Siliciumtransistorcn, unabhängig von jeder Veränderung in der Betriebsspannung. Die Gleichung (19) bedeutet, daß der Wert von V₀ stabil erhalten werden kann, ohne daß er durch irgendeine Betriebsspannungsänderung beeinflußt wird, und durch Verändern des Verhältnisses des Widerstandswertes des Widerstandes R 3 zum Widerstand R 4 frei wählbar ist. V₀ kann daher dem Wert 2 V_BE. innerhalb des Bereiches V_D<2 V_Bli, angenähert werden, so daß eine optimale Ansprech-Unempiindlichkeitszone erhalten wird, d. h. eine Toleranz richtiger Belichtung.

F i g. 3 zeigt eine Anwendung der Erfindung auf einen Belichtungsmesser mit Anzeigelampen. Im Prinzip ist die Schaltung nach F i g. 2 benutzt und die gegebenen Erläuterungen über die Bezugszeichen und Funktionen gelten entsprechend. Nachfolgend werden die Abweichungen behandelt und Ergänzungen hinzugefügt.

Der Widerstand Rν ist als Funktionswiderstand ausgebildet, dessen Charakteristik durch die Beleuchtungs-Widerstandswert-Kennlinie Y des Elements Rph und durch ein mechanisches Kopplungssystem mit Einstelleinrichtung für den Blenden-F-Wert, die Filmempfinalichkeit oder die Verschlußzeit bestimmt wird. Die Belichtungseinstellfaktoren, wie Filmempfindlichkeit, Verschlußzeit und Blenden-F-Wert müssen in den Funktionswiderstand Rv eingegeben werden.

Der Emitter des Transistors T1 ist über einen Widerstand R 5 mit dem Verbindungspunkt zwischen den Widerständen R 4 und R 2 verbunden. DerEmitter des Transistors T 2 ist über einen Widerstand R 6 mit dem Verbindungspunkt zwischen dem Widerstand R 1 und dem Trimmwiderstand R 3 verbunden. Die Widerstände R 5 und R 6 haben gleichen Widerstandswert. Ein Thermistor Rth ist zwischen dem Emitter des Transistors Tl und dem Emitter des Transistors T 2 zum Zusammenwirken mit den Widerständen R 5 und R 6 zum Ausgleich für Veränderungen der Breite der Ansprech-Unempfindlichkeitszone infolge von Ternperaturverändcrungeri geschaltet.

Der Trimmwiderstand R 3 wird so voreingestellt, daß die Vorspannung zwischen den Emitterelektroden der Transistoren Tl und T 2 die Spannung über die optimale Breite der Ansprech-Unempfindlichkeitszone ist.

Der Kollektor des Transistors T 2 ist mit der Basis eines npn-Transistors TA verbunden. Der Emitter des Transistors T 4 ist mit dem negativen Pol der Stromquelle E verbunden, und der Kollektor dieses Transistors ist über einen Widerstand R 7 mit der Basis eines pnp-Transistors T 5 verbunden. Der Emitter des Transistors T 5 ist mit dem positiven Pol der Stromquelle E verbunden, und der Kollektor des gleichen Transistors ist mit der Basis eines pnp-Transistors Γ 6 verbunden. Der Emitter des Transistors T 6 ist mit dem positiven Pol der Stromquelle E verbunden, und der Kollektor dieses Transistors ist mit der Anode einer Lumineszenzdiode D 3 verbunden, deren Kathode über einen Widerstand R 10 mit dem negativen Pol der Stromquelle E verbunden ist. Die Anode einer Temperaturausgieichuiode D 1 ist mit dem positiven Pol der Stromquelle E verbunden, und die Kathode der Diode D1 ist mit einem Trimmwiderstand R 8 verbunden, dessen eines Ende mit einem Widersland R 9 verbunden ist, von dem ein Ende seinerseits mit dem negativen Pol der Stromquelle £ verbunden ist. Der Verbindungspunkt zwischen dem Widerstand R 9 und dem Trimmwiderstand R 8 ist mit der Basis des Transistors T 6 verbunden, um an diesen Transistor eine Vorspannung

ίο zu legen. Der Trimmwiderstand R 8 ist so voreingestellt, daß der Transistor Γ 6 leitend ist, wenn der Transistor T 5 für die normale Betriebsspannung nichtleitend ist, und daß der Transistor 7" 6 unabhängig von dem Zustand des Transistors T 5 nichtleitend ist, wenn die Betriebsspannung unter einen nutzbaren Mindestwert abfällt. In ähnlicher Weise ist der Kollektor des Transistors Tl mit der Basis eines pnp-Transistors Tl verbunden. Der Emitter des Transistors T 7 ist mit dem positiven Pol der Stromquelle E verbunden, und der Kollektor des gleichen Transistors ist über einen Widerstand R 11 mit der Basis eines npn-Transistors TS verbunden. Der Emitter des Transistors TS ist mit dem negativen Pol der Stromquelle E verbunden und der Kollektor dieses Transistors ist mit der Basis eines npn-Transistors Γ 9 verbunden. Der Emitter des Transistors T9 ist mit dem negativen Pol der Stromquelle E verbunden, und der Kollektor dieses Transistors ist mit der Kathode der Lumineszenzdiode DA verbunden, deren Anode über einen Widerstand R 14 mit dem positiven Pol der Stromquelle E verbunden ist.

Die Kathode einer weiteren Temperaturausgleichsdiode D 2 ist mit dem negativen Pol der Stromquelle E verbunden, und die Anode dieser Diode ist mit einem Trimmwiderstand R 12 verbunden, dessen eines Ende mit einem Widerstand R 13 verbunden ist, der seinerseits mit seinem einen Ende mit dem positiven Pol der Stromquelle E verbunden ist. Der Verbindungspunkt zwischen dem Widerstand R13 und dem Trimmwiderstand R 12 ist mit der Basis des Transistors T 9 verbunden, um an diesen Transistor eine Vorspannung zu legen. Der Trimmwiderstand R 12 ist so voreingestellt, daß der Transistor T 9 leitend ist, wenn der Transistor Γ 8 für die normale Betriebsspannung nichtleitend ist, und daß der Transistor T 9 unabhängig von dem Zustand des Transistors Γ 8. wenn die Betriebsspannung unter dem nutzbaren Mindestwert abtaiu, niciulettend ist.

Die Arbeitsweise der erfindungsgemäßen Vorrichtung wird nachfolgend hinsichtlich der Unterbelichtung, der Überbelichtung und der Toleranz der richtigen Belichtung beschrieben.

Im Falle einer Unterbelichtung ist der Wiclerstandswert des Elementes Rph höher als der Wert für den abgeglichenen Zustand der Brücke, d. h. der Wert für die richtige Belichtung, so daß die Basisspannungen der Transistoren Tl und Π abfallen. Wenn diese Basisspannungen um einen bestimmten Wert niedriger als die Bezugsspannung wird, die durch die an den Emitter des Transistors T 2 gelegte Vorspannung bestimmt wird, d.h. niedriger als die Basis-Emitter-Spannung, die für den Transistor Tl für seinen Leitungszustand notwendig ist, wird der Transistor T1 leitend. Der Kollektorstrom des Transistors Tl wird durch den Transistor TA verstärkt und auf den Transistor T 5 übertragen, der dadurch leitend gemacht wird. Wenn der Transistor TS lei-

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lend ist, wird die Basisspannung des Transistors T 6 Schlußzeit usw., sich im Zustand der Überbelichtung gleich dessen Emitterspannung gemacht, wodurch der befindet. Ein solcher Zustand kann auf die richtige Transistor 76 nichtleitend gemacht wird. Anderer- Belichtung dadurch verstellt werden, daß die Kombiseits ist der Transistor 71 entgegengesetzt vorge- nation der Belichtungseinstellfaktoren in der Richspannt und daher nichtleitend, so daß die Transisto- 5 tung ?ur Unterbelichtung, d. h. in der Richtung zur ren 77 und 78 nichtleitend werden, während der Erhöhung des Wertes von Rv, verändert wird.
Transistor 79 leitend gemacht wird, da er in diesem Wenn die vorgenannte Kombination sich innerSinne durch den Widerstand R 13 vorgespannt ist. halb der Toleranz der richtigen Belichtung befindet Es fließt daher kein Strom zur Einschaltung der Di- (d. h. wenn der Widerstandswert von Rph innerhalb ode D 3, während zur Einschaltung der Diode D 4 io der Ansprech-Unempfindlichkeitszone Λ EV liegt, ein Strom fließt. Die Einschaltung der Diode D 4 die durch die von 7 3 gelieferte Vorspannung beallein zeigt an, daß die Kombination der Belichtungs- stimmt wird), sind beide Transistoren 71 und 72 einstellfaktoren, wie Blende, Verschlußzeit usw., nichtleitend und fließt kein Basisstrom zu ihnen, so sich im Zustand für Unterbelichtung befindet. Ein daß die Transistoren 74, 7 5, 77 und 78 ebenfalls solcher Zustand kann auf richtige Belichtung da- 15 nichtleitend werden. Dies hat zur Folge, daß die durch gebracht werden, daß die Kombination der Transistoren 7 6 und 7 9 leitend werden, um beide BelichtungseinsteHfaktoren in Richtung auf Über- Dioden D 3 und D 4 einzuschalten, wodurch angebelichtung, mit anderen Worten in der Richtung zur zeigt wird, daß die Kombination der Belichtungs-Erhöhung des Wertes von Rv, geändert wird. einstellfaktoren sich in dem Zustand zur richtigen

Im Falle einer Überbelichtung ist der Widerstands- io Belichtung befinden.

wert des lichtclektrischen Elements Rph niedriger als Außer der Anwendung auf einen Belichtungsmesder Wert für den abgeglichenen Zustand der Brücke, ser mit Anzeigelampen kommt eine Anwendung auch d. h. niedriger als der Widerstandswert für die rieh- auf andere Arten von Belichtungsmessern z. B. mit tige Belichtung, so daß die Basisspannungen der Galvanometer oder auf automatische Belichtungs-Transistoren 72 und 71 ansteigen. Wenn diese Ba- 25 Steuerungen in Frage. Das beschriebene Ausfühsisspannungen um einen bestimmten Wert höher als ningsbeispiel bezieht sich auf die Abgleichschaltung die Bezugsspannung werden, welche durch die an den eines Belichtungsmessers, jedoch ist eine Anwen-Emitter des Transistors 71 gelegte Vorspannung be- dung bei jeder Abgleich-Nachweisschaltung denkstimmt wird, d. h. höher als die Basis-Emitter-Span- bar, in der gewöhnliche Transistoren zum Nachweis nung, die für den Transistor 71 zum Leitendwerden 30 des Abgleiche der Brücke verwendet werden,
notwendig ist, wird der Transistor 71 leitend. Der Ferner ist der in den beiden Ausführungsformen Kollektorstrom des Transistors 71 wird durch den verwendete Transistor 73 ein npn-Transistor, ob-Transistor 77 verstärkt und auf den Transistor 7 8 wohl natürlich ein pnp-Transistor als Transistor 7 3 übertragen, der dadurch leitend gemacht wird. Wenn vorgesehen werden kann. Hieraus ergibt sich, daß die der Transistor 78 leitend wird, wird die Basisspan- 35 Erfindung es ermöglicht, den Wert von V₀ dem nung des Transistors 79 gleich dessen Emitterspan- Wert 2F_ßE dadurch frei anzunähern, daß das Vernung gemacht, wodurch der Transistor 7 9 nicht- hältnis des Widerstandswertes des Widerstandes R 3 leitend gemacht wird. Andererseits ist der Transistor zum Widerstand R 4 verändert wird, so daß die 7 2 entgegengesetzt vorgespannt, so daß die Transi- Breite der Ansprech-Unempfindlichkeitszone in dei stören 7 2, 74 und 75 nichtleitend werden, wäh- 40 gewünschten Weise verringert werden kann. Mit anrend der Transistor 76 leitend ist, da er durch den deren Worten, es kann die Toleranz für die Anzeige Widerstand Λ 9 in diesem Sinne vorgespannt ist. Es der richtigen Belichtung durch die Erfindung sehi fließt daher kein Strom zur Einschaltung der Diode viel kleiner als durch irgendeine bekannte herkömm- D 4, sondern ein Strom zur Einschaltung der Diode liehe Vorrichtung ähnlicher Art gemacht werden, se D 3, wodurch angezeigt wird, daß die Kombination 45 daß durch die Erfindung die richtige Belichtung mil der BelichtungseinsteHfaktoren, wie Blende, Ver- größerer Genauigkeit erzielt werden kann.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (6)

Patentansprüche: 22 170

1. Meßbrücke mit transistorisierter Abglcich-Nachweisschaltung und nachgeschalteter Steuerschaltung, als Belichtungsmeß- oder -steuerschaltung, bei der ein Geber, ein variabler Widerstand sowie ein dritter und vierter Widerstand die Brücke bilden, deren Ausgangsklemmen durch den gemeinsamen Punkt des Gebers und des variablen Widerstandes gegeben ist, bei der ferner die Abgieich-Nachweisschaltung einen npn- und einen pnp-Transistor aufweist, deren Basen mit den Ausgangsklemmen der Brücke, verbunden sind, und bei der die Steuerschaltung mit den Kollektoren der npn- und pnp-Transistoren verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß ein Spannungsteiler (R 3, R 4) zwischen dem dritten und vierten Widerstand (R 1, R 2) der Brücke eingefügt ist und daß ein dritter Transistör (T 3) an dem Spannungsteiler (R 3, R 4) so angeschlossen ist, daß die von dem Spannungsteiler (R 3, R 4) aufgeteilte Spannung an der Basis des dritten Transistors (T 3) anliegt, während dessen Emitter und der Emitter des npn- oder des pnp-Transistors (Γ1 oder Tl) an der einen äußeren Klemme des Spannungsteilers liegt, und daß an die andere äußere Klemme des Spannungsteilers (R 3, R 4) der Emitter des anderen npn- oder pnp-Transistors (T 2 oder Tl) angeschlossen ist.

2. Meßbrücke nach Anspruch 1, die ein erstes Signal erzeugt, wenn die Ausgangsspannung der Brücke auf oder über dem Abgleichpegel liegt, bzw. ein zweites Signal angibt, wenn die Ausgangsspannung auf oder unterhalb dem Abgleichpegel liegt, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerschaltung (10; T4, T5, T6, Tl, TS, T 9) eine erste von dem ersten Signal betätigte Anzeigelampe (D 3) und eine zweite, von dem zweiten Signal betätigte Anzeigelampe (D 4) aufweist.

3. Meßbrücke nach Anspruch 2, wobei der Geber als fotoelektrisches Element und der variable Widerstand zur Eingabe von Belichtungsfaktoren ausgebildet sind, gekennzeichnet durch eine solche Schaltung, daß Aufleuchten nur der ersten Anzeigelampe (D 3) eine Überbelichtung und Aufleuchten nur der zweiten Anzeigelampe (D 4) eine Unterbelichtung, während das Aufleuchten beider Lampen die richtige Belichtungseinstellung angeben.

4. Meßbrücke nach Anspruch 1, wobei der Geber als fotoelektrisches Element und der variable Widerstand zur Eingabe von Belichtungsfaktoren ausgebildet sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerschaltung (10) zur Steuerung der Blende einer Kamera in Abhängigkeit von dem Ausgangssignal der npn- und pnp-Transistoren (T 1, T 2) ausgebildet ist.

5. Meßbrücke nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Spannungsteiler zwei in Serie geschaltete Widerstände (R 3, R 4) aufweist und daß die Basis des dritten Transistors (T 3) an den Verbindungspunkt der beiden Widerstände angeschlossen ist.

6. Meßbrücke nach einem der Ansprüche 1 bis 5, für eine Belichtungsmeß- oder -steuerschaltung, dadurch gekennzeichnet, daß die Brücke abgeglichen ist, wenn die richtige Belichtung eingestellt ist.