DE2230172B2 - Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen - Google Patents
Verfahren zum Herstellen von HalbleiteranordnungenInfo
- Publication number
- DE2230172B2 DE2230172B2 DE2230172A DE2230172A DE2230172B2 DE 2230172 B2 DE2230172 B2 DE 2230172B2 DE 2230172 A DE2230172 A DE 2230172A DE 2230172 A DE2230172 A DE 2230172A DE 2230172 B2 DE2230172 B2 DE 2230172B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor body
- section
- contacting layer
- field effect
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/01—Manufacture or treatment
- H10D30/021—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
-
- H10P95/00—
Landscapes
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US15681371A | 1971-06-25 | 1971-06-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2230172A1 DE2230172A1 (de) | 1972-12-28 |
| DE2230172B2 true DE2230172B2 (de) | 1975-09-25 |
Family
ID=22561196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE2230172A Pending DE2230172B2 (de) | 1971-06-25 | 1972-06-21 | Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| BE (1) | BE785397A (cg-RX-API-DMAC10.html) |
| CA (1) | CA968468A (cg-RX-API-DMAC10.html) |
| DE (1) | DE2230172B2 (cg-RX-API-DMAC10.html) |
| FR (1) | FR2143418B1 (cg-RX-API-DMAC10.html) |
| GB (1) | GB1363588A (cg-RX-API-DMAC10.html) |
| IT (1) | IT956761B (cg-RX-API-DMAC10.html) |
| SE (1) | SE383940B (cg-RX-API-DMAC10.html) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4016587A (en) * | 1974-12-03 | 1977-04-05 | International Business Machines Corporation | Raised source and drain IGFET device and method |
| US4102733A (en) * | 1977-04-29 | 1978-07-25 | International Business Machines Corporation | Two and three mask process for IGFET fabrication |
| FR2417853A1 (fr) * | 1978-02-17 | 1979-09-14 | Thomson Csf | Procede de realisation d'un transistor de type mos et transistor realise selon ce procede |
-
1972
- 1972-05-23 CA CA142,806A patent/CA968468A/en not_active Expired
- 1972-06-20 GB GB2882172A patent/GB1363588A/en not_active Expired
- 1972-06-21 SE SE7208215A patent/SE383940B/xx unknown
- 1972-06-21 IT IT26010/72A patent/IT956761B/it active
- 1972-06-21 DE DE2230172A patent/DE2230172B2/de active Pending
- 1972-06-23 FR FR7222873A patent/FR2143418B1/fr not_active Expired
- 1972-06-23 BE BE785397A patent/BE785397A/xx unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2143418A1 (cg-RX-API-DMAC10.html) | 1973-02-02 |
| BE785397A (fr) | 1972-10-16 |
| CA968468A (en) | 1975-05-27 |
| IT956761B (it) | 1973-10-10 |
| FR2143418B1 (cg-RX-API-DMAC10.html) | 1978-03-03 |
| GB1363588A (en) | 1974-08-14 |
| SE383940B (sv) | 1976-04-05 |
| DE2230172A1 (de) | 1972-12-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2640525C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer MIS-Halbleiterschaltungsanordnung | |
| DE2646308C3 (de) | Verfahren zum Herstellen nahe beieinander liegender elektrisch leitender Schichten | |
| EP0239652B1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer monolithisch integrierten Schaltung mit mindestens einem bipolaren Planartransistor | |
| DE1764401C3 (de) | Feldeffekttransistor mit isolierter Steuerelektrode und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE2312413B2 (de) | Verfahren zur herstellung eines matrixschaltkreises | |
| DE69505348T2 (de) | Hochspannungs-MOSFET mit Feldplatten-Elektrode und Verfahren zur Herstellung | |
| DE2541548A1 (de) | Isolierschicht-feldeffekttransistor und verfahren zu dessen herstellung | |
| DE2242026A1 (de) | Mis-feldeffekttransistor | |
| CH623959A5 (cg-RX-API-DMAC10.html) | ||
| DE2153103A1 (de) | Integrierte Schaltungsanordnung und Verfahren zur Herstellung derselben | |
| DE2704626A1 (de) | Verfahren zur bildung einer verbindungszone in einem siliziumsubstrat bei der herstellung von n-kanal siliziumgate-bauelementen in integrierter mos-technologie | |
| DE2133184A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauteilen | |
| DE2351437B2 (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen mit mindestens zwei Schichten aus elektrisch leitendem Material | |
| DE2849373A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung | |
| DE2817342A1 (de) | Verfahren zur herstellung von feldeffekttransistoren | |
| DE2436517A1 (de) | Halbleiter-bauteil mit einem feldeffekt-transistor mit isolierter gateelektrode, sowie verfahren zur herstellung desselben | |
| DE2450230A1 (de) | Verfahren zur herstellung von feldeffekttransistoren | |
| DE2111633A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Oberflaechen-Feldeffekt-Transistors | |
| DE2703618C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines integrierten Halbleiterschaltkreises | |
| DE68911778T2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, bei dem auf einer Oberfläche eines Halbleiterkörpers isolierte Leiterbahnen angebracht werden. | |
| DE2316095A1 (de) | Verfahren zur herstellung integrierter schaltungen mit komplementaer-kanal-feldeffekttransistoren | |
| DE19734837B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines selbstausrichtenden Silicids | |
| DE2219696C3 (de) | Verfarhen zum Herstellen einer monolithisch integrierten Halbleiteranordnung | |
| DE2230172B2 (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen | |
| DE2436486A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines mit einem schutzband versehenen, integrierten mos-schaltungsbauteils |