DE2221072A1 - Duennfilm-Metallisierungsverfahren fuer Mikroschaltungen - Google Patents
Duennfilm-Metallisierungsverfahren fuer MikroschaltungenInfo
- Publication number
- DE2221072A1 DE2221072A1 DE19722221072 DE2221072A DE2221072A1 DE 2221072 A1 DE2221072 A1 DE 2221072A1 DE 19722221072 DE19722221072 DE 19722221072 DE 2221072 A DE2221072 A DE 2221072A DE 2221072 A1 DE2221072 A1 DE 2221072A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- metal film
- substrate
- pattern
- metal
- oxide coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body (electrodes)
- H01L23/485—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body (electrodes) consisting of layered constructions comprising conductive layers and insulating layers, e.g. planar contacts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/291—Oxides or nitrides or carbides, e.g. ceramics, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Weting (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US13822371A | 1971-04-28 | 1971-04-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2221072A1 true DE2221072A1 (de) | 1972-11-09 |
Family
ID=22481026
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19722221072 Pending DE2221072A1 (de) | 1971-04-28 | 1972-04-28 | Duennfilm-Metallisierungsverfahren fuer Mikroschaltungen |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3785937A (enExample) |
| JP (1) | JPS5212030B1 (enExample) |
| DE (1) | DE2221072A1 (enExample) |
| FR (1) | FR2134474A1 (enExample) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3837826A1 (de) * | 1988-11-08 | 1990-05-10 | Nokia Unterhaltungselektronik | Verfahren zum beschichten einer substratplatte fuer eine fluessigkristallzelle |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4995591A (enExample) * | 1973-01-12 | 1974-09-10 | ||
| JPS5434537U (enExample) * | 1977-08-13 | 1979-03-07 | ||
| FR2530077A1 (fr) * | 1982-07-09 | 1984-01-13 | Radiotechnique Compelec | Procede de realisation de condensateurs integres dans une structure microelectronique |
| JPS62168893U (enExample) * | 1986-04-16 | 1987-10-26 |
-
1971
- 1971-04-28 US US00138223A patent/US3785937A/en not_active Expired - Lifetime
-
1972
- 1972-04-25 FR FR7214588A patent/FR2134474A1/fr not_active Withdrawn
- 1972-04-26 JP JP47041408A patent/JPS5212030B1/ja active Pending
- 1972-04-28 DE DE19722221072 patent/DE2221072A1/de active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3837826A1 (de) * | 1988-11-08 | 1990-05-10 | Nokia Unterhaltungselektronik | Verfahren zum beschichten einer substratplatte fuer eine fluessigkristallzelle |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5212030B1 (enExample) | 1977-04-04 |
| FR2134474A1 (enExample) | 1972-12-08 |
| US3785937A (en) | 1974-01-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE69901142T2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschaltung mit Kupfer-Verbindungsleitungen | |
| DE2217538C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Zwischenverbindungen in einer Halbleiteranordnung | |
| DE1930669C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiterschaltung | |
| DE2036139A1 (de) | Dunnfümmetallisierungsverfahren fur Mikroschaltungen | |
| DE2521568A1 (de) | Verfahren zum herstellen von integrierten halbleiterbauelementen | |
| DE2355567B2 (de) | Verfahren zur herstellung metallischer leitungssysteme auf halbleiteranordnungen | |
| DE2709986A1 (de) | Verfahren zum herstellen von koplanaren schichten aus duennen filmen | |
| DE2401333A1 (de) | Verfahren zur herstellung von isolierfilmen auf verbindungsschichten | |
| DE1614306C3 (de) | Verfahren zur Herstellung elektrischer Anschlüsse auf einer Oberfläche eines elektronischen Bauelementes und durch Anwendung dieses Verfahrens hergestelltes Bauelement | |
| DE2615438A1 (de) | Verfahren zur herstellung von schaltungskomponenten integrierter schaltungen in einem siliziumsubstrat | |
| DE1961634B2 (de) | Verfahren zum herstellen eines metall isolator halbleiter feldeffekttransistors | |
| DE2123595A1 (de) | Halbleiteranordnung | |
| DE2550346A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines elektrisch isolierenden bereiches in dem halbleiterkoerper eines halbleiterbauelements | |
| DE2132034A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Zwischenverbindungen fuer elektrische Baueinheiten auf Festkoerpern | |
| DE2265257A1 (de) | Verfahren zum herstellen von inselartigen einkristallbereichen fuer integrierte halbleiterschaltungen | |
| DE2628382A1 (de) | Verfahren zum herstellen von aus aluminiumoxid bestehenden dielektrischen isolationszonen in integrierten schaltungen | |
| DE2221072A1 (de) | Duennfilm-Metallisierungsverfahren fuer Mikroschaltungen | |
| DE1812130B2 (de) | Verfahren zum herstellen einer halbleiter- oder dickfilmanordnung | |
| DE1929084C3 (de) | Ätzlösung für ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes | |
| DE2134291A1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
| DE1764937C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Isolationsschichten zwischen mehrschichtig übereinander angeordneten metallischen Leitungsverbindungen für eine Halbleiteranordnung | |
| DE2243682C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines leitenden Elektrodenmusters | |
| DE2546316C2 (de) | Verfahren zur Behandlung von Körpern mit einem Fluorid enthaltenden Ätzmittel und seine Anwendung bei der Herstellung von Halbleiteranordnungen | |
| DE1803025A1 (de) | Elektrisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE2725858A1 (de) | Vorrichtung fuer magnetische zylinderdomaenen |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OHA | Expiration of time for request for examination |