DE2211759A1 - Schaltungsanordnung zur stetigen temperaturregelung - Google Patents

Schaltungsanordnung zur stetigen temperaturregelung

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Description

  • Schaltungsanordnung zur stetigen Temperaturregelung Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur stetigen Temperaturregelung, welche eine Widerstandsbrücke mit einem temperaturabhängigen Widerstand als Temperaturfühler und einen Transistorverstärker aufweist, in dessen Ausgangskreis ein Heizwiderstand liegt.
  • Eine derartige Schaltungsanordnung, auch Thermostat genannt, ist aus der deutschen Offenlegungsschrift 1 957 150 bekannt.
  • Zur Erzielung einer von Schwankungen der Umgebungstemperatur praktisch unabhängigen Verstärkung des Transistorverstärkers sind bei diesem Thermostaten die Transistoren der ersten beiden Stufen des Verstärkers mit dem Heizmantel des Thermostaten in guten Wärmekontakt gebracht. Damit sind diejenigen Transistoren, die den größten Anteil an der Gesamtverstärkung des Verstärkers haben, undefinierbaren SchwantKtIngen der Umgebungstemperatur entzogen und auf konstante Temperatur geregelt. Dieser Weg zur Erhöhung der Zuverlässigkeit eines Thermostaten kann jedoch in einer Reihe von Anwendungsfällen nicht eingeschlagen werden. Zum einen erfordert die thermische Kontaktierung der Transirt;oren mit dem Heizmantel des Thermostaten zusätzlichen Konstruktionselemente und damit größeren Raumbedarf. Dies steht einer Miniaturisierung des Thermostaten im Wege. Zum anderen wird durch die Temperaturregelung für die.Transistoren zusätzliche Heizleistung benötigt. Dies kann nicht nur im Hinblick auf 'die Stromversorgung des Thermostaten sondern auch hinsichtlich der Ableitung der durch den Thermostaten erzeugten Wärme zu Problemen führen.
  • Der Erfindung nun die Aufgabe zugrunde, eine Schaltungsanordnung zur stetigen Temperaturregelung zu schaffen, die eine Widerstandsbrücke, einen Transistorverstärker und einen im Ausgaügskreis des Transistorverstärkers liegenden Heizwiderstand aufweist, die einfach und raumsparend im Aufbau ist und nur geringer Heizleistung bedarf.
  • Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß der Transistorverstärker aus einem in integrierter Technik erstellten Operationsverstärker, welcher mit seinen beiden Differenzeingängen in den Nullzweig der WiderstandsbrUcke eingeschaltet ist und einem in Emitterschaltung betriebenen, dem Operationsverstärker nachgeschalteten Transistor besteht, daß der Heizwiderstand an die gollektorelektrode des Transistors angeschaltet ist und parallel zum Heizwiderstand ein Spannungsteiler angeordnet ist, daß ein Teilwiderstand des Spannungsteilers zugleich in einem Zweig der Widerstandsbrücke eingeschaltet ist und daß die Widerstandswerte der in den einzelnen Brückeneweigen liegenden Widerstände so gewählt sind, daß sie bei Nenntemperatur gleich groß sind.
  • Durch die Verwendung eines Operatbnsverstärkers in Verbindung mit einer Widerstandsbrücke, deren Widerstände bei Nenntemperatur gleich groß sind, erhält man eine hochempfindliche Temperaturregelschaltung. Als temperaturabhängiger Widerstand findet in der Widerstandsbrücke ein Heißleiter oder eine Kaltleiter Verwendung. Insgesamt ergibt sich eine Regel schaltung die räumlich klein ist, sie weist insbesondere eine sehr geringe Bauhöhe auf, und die zugleich stabil gegen Änderungen der Versorgungsspannung und der Umgebungstemperatur ist. Infolge der geringen Bauhöhe ist die Temperaturregelschaltung auch auf Baugruppenträgern verwendbar, für die-, bedingt durch die Einschubtechnik, nur geringe Bauhöhen erlaubt sind.
  • Infolge der ohne Gegenkopplung sehr großen Verstärkung hängt die Regelverstärkung nur von der Dimensionierung des Spannungsteilers im Gegenkopplungsweg ab, d.h. Beerlaufverstärkungs-Streuungen der Operationsverstärker und Stromverstärkungæstreuungen der Transistoren haben keinen Einfluß auf die Regelschaltung.
  • Die Schaltungsanordnung findet bevorzugt für Schwingquarze Verwendung deren Schwingfrequenzen im Frequenzbereich von 4 Mliz bis 150 11hz liegen. Durch die Schaltungsanordnung wird der Schwingquarz so weit temperaturstabilisiert, daß sich im Arbeitstemperaturbereich von 100 bis + 65QC eine Frequenzstabilität af/f ergibt, die besser als 3 . 10-7 -7 ist.
  • Der kompakte Aufbau der Schaltungsanordnung zur Temperaturregelung wird ferner dadurch begünstigt, daß alle Bauteile einschließlich eines über das Schwingquarzgehäuse geschobenen Kupfer- Heizantels, welcher vom Heizwiderstand beheizt wird, auf einer Leiterplatte angeordnet sind. Da über den Heizmantel lediglich das Schwingquarzgehäuse mit dem Schwing quarz und damit ein Minimum an Raum beheizt wird, tritt nur eine äußerst geringe Warmeableitung auf. Damit ist nur wenig Heizleistung erforderlich, wobei trotzdem gewährleistet ist, daß sich der Thermostat in kurzer Zeit auf Nennteuperatur aufheizt. Eine weitere Verringerung der Wärmeableitung kann beispielsweise durch eine Isolation des vom Heizwiderstand beheizten Raumes erreicht werden.
  • Bei der Schaltungsanordnung nach der Erfindung wird die Umgebungstemperatur der verstärkenden Elemente nicht mitgeregelt, wodurch Heizleistung eingespart wird. Trotzdem bleibt aber auch die Verstärkung des Transistorverstärkers unabhängig von Schwankungen der Umgebungstemperatur, obwohl dieser diesen Schwankangen bis zu einem gewissen Grade ausgesetzt ist, da der Opertionsverstärkers der den wesentlichen Beitrag zur Gesamtverstärkung liefert, fur sich bereits hinreichend stabil gegen Änderungen der Umgebungstemperatur oder auch der Versorgungaspannung ist.
  • Eine Ausgestaltung der Erfindung besteht darin, daß der Teilwiderstand des Spannungsteilers, der in die Widerstandsbrücke eingeschaltet ist, niederohmig gegenüber einen mit ihm im selben Brücken zweig in Serie liegenden Brückenwiderstand ist.
  • Da die Leerlaufverstärkung des aus dem Operationeverstärker und der nachgeschalteten Transistorstufe bestehenden Reglers sehr hoch ist, läßt sich bereits durch den niederohmigen Teilwiderstand des Spannungsteilers ein hoher Gegenkopplungsfaktor erzielen. Man erreicht damit, daß der Einfluß von Verstärkungsstreuungen des Operationsverstärkers und des Transistors auf die Gesamtverstärkung vernachlässigbar ist. Da zudem der in der Widerstandsbrücke eingeschaltete Teilwiderstand im Vergleich zu dem mit ihm in Reihe liegenden Brückenwiderstand niederohmig ist, wird bei einer Veränderung des Gegenkopplungsfaktors und damit der Verstärkung des Reglers die vorher eingestellte Innentemperatur des Thermostaten praktisch nicht verändert.
  • Sine weitere Ausgestaltung der Erfindung besteht darin, daß eine Zenerdiode mit ihrer Kathode an den Ausgang des Operationsverstärkers angeschaltet ist und mit ihrer Anode entweder unmittelbar oder unter Zwischenschaltung eines ohmschen Widerstandes mit der Basis des Transistors verbunden ist.
  • Die Zenerspannung der Zenerdiode ist beispielsweise so gewählt, daß sie etwa bei der Hälfte der Betriebsspannung der Schaltungsanordnung liegt. Durch die Zenerdiode wird verhindert, daß der dem Operationsverstärker nachgeschaltete Transistor ständig durchgesteuert ist. Der darüber hinaus zwischen die Zenerdiode und die Basis des Transistors einschaltbare Widerstand bewirkt eine Begrenzung des Ausgangsstromes des Operationsverstärkers.
  • Die Erfindung wird im folgenden anhand eines in der Zeichnung dargeatellten Ausführungsbeispiels näher erläuterte Die in der Figur gezeigte Schaltungsanordnung zur konti nuierlichen Temperaturregelung wird von der Betriebsspannung UB gespeist und weist als Temperaturfühler einen temperaturabhängigen Widerstand in Form eines Hißleiters Thl auf, der thermisch gut mit dem Heizmantel kontaktiert- ist..
  • Die thermische Kopplung ist hierbei durch die gestrichelte Linie 1 angedeutet. Das temperaturabhängige Ausgangs signal der aus den Widerstanden R1y P915, R6, R7, R8 und dem Heißleiter Th1 gebildeten Brücke steuert die Differenzeingänge 2, 3 des Operationsverstärkers V1, der mit interner Frequenzkompensation versehen ist Zur Optimierung von Offset-Spannung und thermischer Drift des Operationeverstärkers V1 ist die Brücke so dimensioniert, daß die Brückenglieder Ri und R6, R7 und R8 9 Yh1 sowie R5 bei Nenntemperatur des Thermostaten etwa gleiche Widerstandswerte haben. Die Diode D1 schützt den Operationsverstärker V1, der an seinen Anschlüssen 4, 7 mit der Betriebsspannung UB versorgt wird, vor Zerstörung in balge auch nur kurzzeitig Falschpolung der Thermostatenanschlüsse. Das Ausgangssignal des integrierten Verstärkers V1, das an dessen Anschluß 6 zur Verfugung steht, steuert über die Zenerdiode Z1 und den Widerstand R4 den Transistor T1, in dessen Sollektorkreis der Heizwiderstand RH liegt. Der Widerstand R4 begrenzt den Ausgangsstrom des Operationsverstärkers V1.
  • Ohne die Zenerdiode Z1 ware der Transistor TI ständig durchgesteuert. Für optimalen Betrieb des Verstärkers V1 wird die Zenerspannung der Zenerdiode Z1 so gewählt, daß die mittlere Ausgangsspannung des Verstärkers V1 am Anschluß 6, bezogen auf einen der mit + bzw. - gekennzeichneten Anschlüsse der Betriebsspannung UB etwa gleich der Hälfte der Betriebsspannung UB, also UB/2 ist. Aus dem aus den Widerständen Ri und R2 gebildeten Spannungsteiler, der parallel zum Heizwiderstand RH geschaltet ist, wird die.Gegenkopplungsspannung abgegriffen. Dabei ist der Widerstand R1 niederohmig gegenüber dem Widerstand R6 bemessen. Der Gegenkopplungsfaktor k der Regelschaltung beträgt etwa 500, d.h., daß der Einfluß von Verstärkungsstreuungen des Verstärkers V1 und des Transitors TI auf die GUsamtverstärRung der Schaltungsanordnung vernachläßigbar sind. Da die Widerstandstoleranzen der Brückenglieder R5 und R6 + 5 % und die des Heißleiters Th1 sogar + 20 % betragen, muß zum Einstellen der Thermwtattemperatur ein Toleranzausgleich mit Hilfe des aus den Widerständen R7 und R8 gebildeten Brückerigliedes erfolgen. Die Leistung, die die Schaltungsanordnung bei bereits gesperrtem Transistor T1 noch aufnimmt, ist so gering, daß sie den Thermostat nur um etwa 20C aufheizt, d.h. die obere Grenze des Arbeitstemperaturbereichs liegt dicht unterhalb der Innentemperatur.
  • Um mit möglichst geringer Heizleistung auszukommen, muß die beheizte Fläche, und damit die Wärmeableitung,klein gehalten werden. Die kleinste Heizfläche erhält man, wenn direkt auf den Quarzhalter eine Heizwicklung avkebracht wird. DieseS Verfahren hätte jedoch unter anderem den Nachteil des nur noch bedingt möglichen Quarz- und damit Frequenzwechsels. Aus diesem Grunde wird beim beschriebenen Thermostaten ein dünner Kupfer-Heizmantel verwendet, der die Kappe des Scbwingquarzes eng umschließt.
  • Der Heizwiderstand RH ist beispielsweise ein Drahtwiderstand, wobei der Widerstandsdraht auf den Kupfer-Heizmantel aufgewickelt ist. Man erreicht auf diese Weise eine äußerst geringe Wärmeableitung von nur ca. 12 mwloa. Durch die Anbringung des Heizwiderstandes RH auf dem Kupfer-Heizmantel, der in Wärmekontakt mit dem Schwingquarzgehäuse steht, wird der Schwingquarz selbst zum Bestandteil des Regelkreises, d.h. der Thermostat erfüllt die gewünschte Regelaufgabe nur, wenn das in der Temperatur zu stabilisierende Bauteil in den Querzhalter eingebaut ist. Die mit dem beschriebenen Thermostaten erreichbaren Innentemperaturänderungen im Arbeitstemperaturbereich betragen nur + 0,5°C bezogen auf die Mitte des Arbeitstemperaturbereichs. Da die Änderung der Brückenausgangsspannung bei Schwankungen der Betriebsspannung infolge der Wahl von bei Nenntemperatur gleich großen Brückenwiderständen sehr gering ist, ist eine Spannungsstabilisierung der Widerstandsbrücke überflüssig. Betriebsspannungsänderungen von hUB/UB - + 5 % verursachen lediglich eine Innentemperaturänderung von 0,05°C.
  • 3 Patentansprüche 1 Figur

Claims (3)

  1. Patentansprüche 1. Schaltungsanordnung zur stetigen Temperaturregelung, welche eine Widerstandsbrücke mit einem temperaturabilängigen Widerstand als Temperaturfühler und einen Transistcrverstärker aufweist, in dessen Ausgangskreis ein Heizwiderstand liegt, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t , daß der Transistorverstärker aus einet in integrierter Technik erstellten Operaionsverstärker, welcher mit seinen beiden Differenzeingängen in den Nullzvweig der Widerstandsbrücke eingeschaltet ist und einem in Emitterschaltung betriebenen, dem Operationsverstärke nachgeschalteten Transistor besteht, daß der Heizwiderstand an die Kollektorelektlode des Transistors angeschaltet ist und parallel zum Heizwiderstand ein Spannungsteiler angeordnet ist, daß ein Teilwiderstand des Spannungsteilers zugleich in einem Zweig der Widerstandsbrücke eingeschaltet ist und daß die Widerstandswerte der in den einzelnen Briickenzweigen liegenden Widerstände so gewählt sind , daß sie bei Uenntemperatur gleich groß sind.
  2. 2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß der Teliwiderstand des Spannungsteilers, der in die Widerstandsbrücke eingeschaltet ist, niederohmig gegenüber einem mit ihm im selben Brückenzweig in Serie liegenden Brückenwiderstand ist.
  3. 3. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 oder 2, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß eine Zenerdiode mit ihrer Kathode an den Ausgang des Operationsverstärkers angeschaltet ist und mit ihrer Anode entweder unwittelbar oder unter Zwischenschaltung eines ohmschen Widerstandes mit der Basis des Transistors verbundes ist.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP0408853A2 (de) * 1989-07-21 1991-01-23 Hohe Kg Elektrische Heizeinrichtung für ein Spiegelglas eines Kraftfahrzeugspiegels
FR2726148A1 (fr) * 1994-10-24 1996-04-26 Sextant Avionique Systeme de chauffage stabilise en temperature, notamment pour sonde d'aeronef

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0408853A2 (de) * 1989-07-21 1991-01-23 Hohe Kg Elektrische Heizeinrichtung für ein Spiegelglas eines Kraftfahrzeugspiegels
EP0408853A3 (en) * 1989-07-21 1992-01-15 Hohe Kg Electrical heating device for the reflective surface of a vehicle rearview mirror
FR2726148A1 (fr) * 1994-10-24 1996-04-26 Sextant Avionique Systeme de chauffage stabilise en temperature, notamment pour sonde d'aeronef

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BR7301713D0 (pt) 1974-07-11

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