DE2557164A1

DE2557164A1 - Transistoroszillator

Info

Publication number: DE2557164A1
Application number: DE19752557164
Authority: DE
Inventors: Anton Dipl Ing Sunkler
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Priority date: 1975-12-18
Filing date: 1975-12-18
Publication date: 1977-06-30

Description

Transistoroszillator
Die Erfindung bezieht sich auf einen Transistoroszillator für den Mikrowellenbereich. Die Oszillatoren, die in vielfältiger Weise in Einrichtungen der Nachrichtentechnik eingesetzt sind, sind dabei häufig sehr-unterschiedlichen Umgebungsemperaturen ausgesetzt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Lösung anzugeben, durch die eine hohe Linearität des Transistors über einen breiten Temperaturbereich erreicht wird.
Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung gelöst mit einem in einem beheizten Gehause eingebauten Transstorcszillator, wobei an der dem Transistoroszillator gegenüberliegenden Bodenseite des Gehäuses eine mit dem Transistoroszillator thermisch kontaktierte Oszillatorheizung angeordnet ist.
Die Oszillatorheizung besteht dabei in vorteilhafter Weise aus einem Leistungstransistor als Heizquelle und einem Heißleiter als temperaturabhängiges Element, wobei die KollektorverlustleltunZ des Leistungstransistors von dem Heißleiter über eine Operationsverstärkerschaltung und eine Treiberstufe geregelt ist.
In vorteilhafter Ausgestaltung des Erfindungsgegenstandes ist ferner vorgesehen, daß der Heißleiter einen Teilzweig einer am Eingang des OpratIonsverstärkers angeschalteten Brückenschaltung bildet, daß in einen weiteren Bruckentei7.zBeig ein Potentiometer für die Einstellung der Gehäuseübertemperatur eingeschaltet ist und daß im Verbindungsweg von Treiberstule und Lesstungsver stärker ein weiteres Potentiometer zur Einstellung der Heizleistung eingeschaltet ist.
Nachstehend wird die Erfindung anhand eines Ausführungsbeispieles näher erläutert.
In der Zeichnung zeigen Fig. 1 das Schaltbild der Oszillatorheizung und Fig. 2 die im Oszillatorgehäuse eingebaute Heizung.
Beim Schaltbild der Oszillatorheizung gemäß Fig. 1 sind der Oszillator Os und ein sich daran anschließender Zirkulator Z lediglich im Blockschaltbild dargestellt. Sie sind mit dem Leistungstransistor T1, der als Heizquelle dient, und dem Heißleiter H thermisch kontaktiert, was in der Fig. durch die Schraffierung des betreffenden Bereichs K zum Ausdruck gebracht wird. Der Heißleiter H bildet zusammen mit einem ohmschen Widerstand R2 den einen Längs zweig einer Brückenschaltung, ein Potentiometer P1 bildet zusammen mit einem weiteren ohmschen Widerstand R1 den zweiten Längszweig der BrücOnschaltung. Die Verbindungspunkte A und B zwischen dem Potentiometer Pl und dem Widerstand R1 bzw. dem Heißleiter H und dem Widerstand R2 sind mit der positiven bzw. negativen Anschlußklemme eines Operationsverstärkers OV verbunden. Mit dem Potentiometer Pl kann die Gehäuseübertemperatur eingestellt werden. Die Kollektorverlustleistung des Leistungstransistors T1 wird von dem Heißleiter H über die Operationsverstärkerschaltung und eine nachfolgende Treiberstufe mit dem Transistor T2 geregelt. Der Ausgang des Operationsverstärkers OV ist über einen ohmschen Widerstand R3 an die Basis des Transistors T2 der Treiberstufe geführt, dessen Kollektor an Masse liegt und dessen Emitter über ein Potentiometer P2 und einen ohmschen Widerstand R5 mit der Basis des Leistungstransistors T1 verbunden ist. Der Koilektor des Transistors T1 liegt an Masse, sein Emitter ist über den ohmschen Widerstand R6 mit der negativen Klemme der Speisespannung verbunden. Der Emitter des Transistors T1 ist ferner mit dem Widerstand R2 der Brückenschaltung verbunden. Zwischen dem Verbindungspunkt C des Widerstandes R3 und der Basis des Transistors T2 und der negativen Klemme der Speisespannung liegt der ohmsche Widerstand R4.
Fig. 2 zeigt die im Transistorgehäuse 1 eingebaute Heizung. Das Gehäuse 1 ist als Doppelbodengehäuse ausgebildet, so daß auf beiden Seiten des Bodens 2 eine Gehäusekammer entsteht. In der in der Fig. unten liegenden Gehäusekammer ist der Transistoroszillator eingebaut, auf der in der Fig. sichtbaren Bodenseite die Oszillatorheizung. Dabei sind der Leistungstransistor T1 und der Heißleiter H mit guter thermischer Kontaktgabe direkt auf dem Gehäuseboden 2 befestigt, die übrigen Bauelemente der Schaltung sind auf einer, in der Fig. in der rechten Kammerhälfte liegenden Isolierstoffplatte 3 angeordnet, die ihrerseits auf dem Gehäuseboden 2 aufgeschraubt ist.
Durch die erfindungsgemäßen Maßnahmen wird die Oszillatorcharakteristik über einen weiten Temperaturbereich unabhängig von der UTmgeburlgstemperatur, so daß extrem hohe Anforderungen an das Linearitätsverhalten des Oszillators erfüllt werden können. Um die Linearitätsanforderungen beispielsweise über den Temperaturbereich von -300C bis +7O0C einzuhalten, wird das Gehäuse auf ca. +600C aufgeheizt.
6 Patentansprüche 2 Figuren Leerseite

Claims

P a t e n t a n s p r ü c h e 1. Transistoroszilator für den Mikrowellenbereich, g e -k k e n n z e i c h n e t . d u r c h seinen Einbau in einem beheizten Gehäuse, bei dem an der dem Transistoroszillator gegenüberliegenden Bodenseite eine mit dem Transistoioszillator thermisch kontaktierte Oszillatorheizung angeordnet ist.
2. Transistoroszillator nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Oszilitorheizung aus einem Leistungstransistor als Heizquelle und einem Eeio,-leiter als temperaturabhängiges Element besteht.
3. Transistoroszillator nach Anspruch 2, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Kollektorverlustleistung des Leistungstransistors von dem Heißleiter über eine Operationsverstärkerschaltung und eine Treiberstufe geregelt ist.
4. Transistoroszillator nach Anspruch 3, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß der Heißleiter einen Teilzweig einer am Eingang des Operationsverstärkers angeschalteten Brückenschaltung bildet.
5. Transistoroszillator nach Anspruch 4, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß in einem weiteren Brückenteilzweig ein Potentiometer für die Einstellung der Gehäuseübertemperatur eingeschaltet ist.
6. Transistorzillator nach einem der Ansprüche 3 bis 5, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß im Verbindungsweg von Treiberstufe und Leistungsverstärker ein weiteres Potentiometer zur Einstellung der Heizleistung eingeschaltet ist.