DE2208758C3 - Vorrichtung zum Ziehen eines Halbleiterkristallstabes, insbesondere eines Einkristallstabes - Google Patents
Vorrichtung zum Ziehen eines Halbleiterkristallstabes, insbesondere eines EinkristallstabesInfo
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- DE2208758C3 DE2208758C3 DE19722208758 DE2208758A DE2208758C3 DE 2208758 C3 DE2208758 C3 DE 2208758C3 DE 19722208758 DE19722208758 DE 19722208758 DE 2208758 A DE2208758 A DE 2208758A DE 2208758 C3 DE2208758 C3 DE 2208758C3
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
- C30B15/22—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal
- C30B15/28—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal using weight changes of the crystal or the melt, e.g. flotation methods
Description
Die . Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Ziehen eines Halbleiterkristallstabes, insbesondere
. eine» Einkristallstabes mit einem eine Halbleiter- «5
»chmelze enthaltenden axial verschiebbaren Tiegel,
mit einer Einrichtung zum Herausziehen des Stabes »u» dem Tiegel und einer Steuereinrichtung zur
Steuerung der Ziehgeschwindigkeit und damit des Durchmessers de» Stabes,
Es wurden bereits verschiedene Verfahren vorgeschlagen, um beim Ziehen von Einkristallen den
Durchmesser der gezogenen Kristalle automatisch zu steuern. Bei diesen Verfahren wird kontinuierlich das
Gewicht des gezogenen Einkristalls oder das Gewicht der zurückbleibenden Schmelze bestimmt und
hiernach die Temperatur der Schmelze gesteuert. Diese Verfahren sind jedoch mit verschiedenen
Nachteilen behaftet:
a) Die Gewichtsmessung kann nicht sehr genau durchgeführt werden. Da bei diesen bekannten
Vi Tfahren Spannungsmeßelemente (Drucloneßdosen)
verwendet werden, treten Probleme wegen der mangelnden Linearität, der Empfindlichkeit
und der Temperaturabhängigkeit dieser Elemente auf.
Im allgemeinen besitzt ein Halbleiter-Spannungsmeßekment
eine hohe Empfindlichkeit, jedoch eine schlechte Linearität. Um andererseits eine
gute Linearität zu erzielen, muß der spezifische Widerstand des Kristalls verringert werden,
was die Empfindlichkeit beeinträchtigt Wird ein Kristall von 75 mm Durchmesser gezogen, so
wird eine Empfindlichkeit von 0,1 g oder weniger benötigt, selbst wenn der Durchmesser des
Kristalls mit einer Genauigkeit von ± 0,5 mm gemessen wird. Diese Genauigkeit hängt von
dem gewünschten Durchmesser des zu ziehenden Kristalls ab. Eine in der Linearität und
Empfindlichkeit derart hochqualitative Spannungsmeßdose steht jedoch nicht zur Verfugung.
b) Es ist sehr schwierig, ein Bezugssignal zu erhalten, das mit einem Ausgang3signal verglichen
wird, das von den Spannungsmeßdosen proportional
zum Gewicht der gezogenen Kristalle erzeugt wird. Wird ein Gleitwiderstand verwendet,
um die Zieh-Strecke der Kristalle zu messen, so. ergeben sich hierdurch schwer zu verhindernde
Störungen. Noch schwieriger erweist sich die Erzeugung des Bezugssignals, wenn man vollautomatisch
(nach dem Impfvorgang) Kristalle unterschiedlicher Abmessungen erzeugen will.
Es wurde ferner ein optisches Prüfverfahren vorgeschlagen, bei dem der Durchmesser einer Berührungsfläche
zwischen dem wachsenden Kristall und der Schmelze durch eine Strahlung der Berührungsfläche
(ermittelt durch einen Strahlungsdetektor) gemessen wird. Dieses optische Prüfverfahren ist jedoch
mit mehreren Nachteilen behaftet:
a) Da man den Strahlungsdetektor in einem festen Abstand von der Grenzfläche halten muß, ist
eine Bewegung des Detektors erforderlich, um die Spitzen der wachsenden Kristalle zu messen.
Es ist unmöglich, die Strahlung speziell der Spitzen der Kristalle festzustellen, da sie hinter den
Einkristallen verdeckt ist.
b) Durch die exzentrische Drehung der Einkristalle wird ein Fehler verursacht
Beim Ziehen der Kristalle verursacht die nicht gleichförmige Verteilung der Heizleistung eine
Vibration des Schmelzspiegels, was einen Meßfehler verursacht
3 4
c) Eine Korrektur der Datektoranlage ist erforder- Antriebsmotor5 über ein Schneckenrad«
lieh wegen der Absenkung des Schmelzspiegels ben. Der Tisch 7 kann mittels eines Ijege
beim Kristalfeiehen. Es muß infolgedessen eine tors 8 über ein Schneckenrad^ und eine
Tiegel-Hubeinrichtung verwendet werden, was spindel XO in vertikaler Richtung P6J^
die Form des Tiegels begrenzt, 5 Der Hubmotor 8 und die Gewindespindel λ
von einem stationären Tisch IX getragen. Der Tfe-
Beim Ziehen von Kristallen ist es erwünscht, daß gel 2 enthält eine Halbleiterschjnelze ** "^" I
die Kristalle an den Schulter- und Spitzenteilen einen weise eine Silidum-Scbmelze. Em «P2?uTrL*d
sich allmählich verringernden Durchmesser besitzen, aus Graphit od. dgl, ist in einem gewissen ADSianu
damit Einkristalle hoher Qualität mit reduzierten to am Umfang der Tiegelbalterung3 *ageoi
Verwerfungen erzielt werden. Die Kristalle sollen die Halterung 3 und der Tiegel 2 relativ 5
ferner fan mittleren Bereich einen gleichförmigen linder X3 drehbar sind. Der Tiegel 2 wrra
Querschnitt besitzen, da Kristallscheiben, die aus weise durch den Heizzylinder *? ^ eme f . -;t
dem mittleren Teil herausgeschnitten werden, leicht tür in der Größenordnung von 1430 Va.B. ~*
verarbeitet werden können und wegen der Gleichför- 15 Am Umfang des Heizzylinders 13 ist m*j***s
miekeit der Querschnittsflächer. eine geringere Zahl wissen Abstand hiervon em gleichfalls erwaj*
von Arbeitsstufen erfordern. Die Wachstumsge- drischer Isolator 14 vorgesehen, der emewarnic
schwindigkeit von stabförmigen Kristallen ist jedoch strahlung nach außen verhindert und die MraniunB
sehr klein, üblicherweise in der Größenordnung von Richtung auf den Tiegel 2 reflektiert,
pen Zahlreiche sich ändernde Störungen beim ao Im Bereich der Oberseite des dünnen leues ι σ
wVhsrumsvorgang machen es daher schwierig, Kri- des Ofens 1 ist durch ein geschlossenes Lager 121 ein
staJ'a mit gleichförmigem Querschnitt zu erzeugen. äußere Welle 16 eingeführt, durch die eine «™
Γ-'t Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, Ziehachse 17 hindurchgeführt ist. ^bin KnsiailK="
ein'· Vorrichtung zum selbsttätigen Ziehen von Halb- einspannfutter 18 und ein Keim 19 smd am um«
leiurkristallstäben, insbesondere von Einkristall- *5 Ende der Achse 17 angebracht. Wird dei_ Keim w
ben zu entwickeln, die es gestattet, den Querschnitt d:e Schmelze 12 des Tiegels 2 eingetaucht un<ittann
da Mäbe auf einem gewünschten konstanten Wert zu herausgezogen, so wächst er zu einem tin*™wi
haitc-i Hierbei soll das Ziehen der Halbleiterstäbe in Stabform. Geschlossene Metandichnmgen _*l,
ohp.i- Verwendung eines speziell programmierten 21 b sind zwischen der äußeren Welle l& unu
Rechners so gesteuert werden, daß sich konstante 30 Ziehachse 17 angeordnet und dichten den uicu
Qu^schnittsflächen der Stäbe und eine hohe Qualität vollständig ab. Vpretell
ά-'-ϊ Stäbe (ohne Verwerfungen und ohne Störun- Das untere Ende 22a eines beweglicnen v.e£";'
aeVoc- spezifischen Widerstandes) ergeben. Weiter- körpers 22 ist mit dem oberen Ende der auHeren
hin soll die Vorrichtung so ausgebildet sein, daß der Welle 16 in Eingriff. Der Verstellkorper ZZ ist im.
Querschnitt der Stäbe ohne größere Umstellarbeiten 35 Bereich des oberen Teiles des Ofens 1 m veruMic
auf irgendeinen beliebigen konstanten Wert geändert Richti.™ beweelich. Die äußere Welle lft Ka""
werden kann. diese Weise mittels des Verstellkorpers 22 axial ver
Gelöst wird diese Aufgabe gemäß der Erfindung schoben werden. Sie kann darüber hinaus aur
daduS, daß ein mit einer Flüssigkeit gefülltes Rohr einen die Kristalldrehung bewirken Motor
sowie ein in diese Flüssigkeit eingetauchter Auf- 40 über einen Schneckentrieb Z4
triebskörper, eine Einrichtung zum Herausziehen des Drehgeschwindigkeit in entgegei
Auftriebskörpers aus der Flüssigkeit oder zum Ab- zum Tiegel 2 gedreht werden. L
senken des Rohres und eine Vergleichseinrichtung Kristall-Ziehachse 17 »J"0^"1™*"^'
zum Vergleich des Gewichts des Stabes und des Auf- keil mit der äußeren Welk 16 gedreh · - R q
triebsHö«?ers angeordnet sind, und daß die Steuer- 45 achse 17 ist mit e.nem ersten G^^™^
einrichtung zur Steuerung der Ziehgeschwindigkeit verbunden und^ wird ■« «n«^™^ e 2 rste
des Stabes von dem Ausgangssignal der Vergleichs-
ÄÄe der Erfindung werden nach- Α^^^£
stehend an Hand der Fig. 1 bis 3 erläutert. Es zeigt 5« formte AuHiangestange ^b ^ JJ^»
eine Schemadarstellung eines ersten Aus- 26 gesehen ist Am oberen Teüjcr^»8
iil der erfindungsgemäßen Vomch- g f^^^^ ^6nTe ϊ3ϊΓΐΙ«& 26 d,
tUFgig.2 ein ergänztes Blockschaltbild der Vorrich-Ä
zur Erläuterung der Funktion
^ Ofenl (Fig.l)
^ Ofenl (Fig.l)
ähnlichem Material. Es wird von einer Tiegelhalte- Ein Rohr 32, das eine ™M'i£eit. ^ stationärei
rung 3, beispielsweise aus Graphit getragen. Der Ol cd .dgl. en^ lst ^stjJgjKe mit der
angebracht ist, daß ein Flüssigkeitsniveau 31 α auf
einer vorbestimmten Höhe gebildet wird. Ein Auftriebskörper 35 ist in die Flüssigkeit 31 im Rohr 32
eingetaucht und steht mit dem unteren Ende einer Zugstangc 38 in Verbindung, die von einer zweiten
Aufhängung 36 und einem zweiten Gewichtsdetektor 37 herunterhängt; die Aufhängung 36 und der Detektor
37 sind an dem beweglichen Verstellkörper 22 gehaltert. Sie entsprechen in ihrem Aufbau der ersten
Aufhängung 26 und dem ersten Gewichtsdetektor 25.
Der Auftriebskörper 35 ist so ausgebildet, daß er in seinem mittleren Bereich einen Hauptteil 35 fr mit
etwa gleichförmigem Durchmesser, entsprechend einem endgültigen Einkristall, aufweist; an den beiden
Enden des Auftriebskörpers 35 sind eine Schulter 35 α bzw. eine sich im Durchmesser allmählicher
verringernde Spitze 35 c vorgesehen. Die Länge des Auftriebskörpers ist so gewählt, daß sie etwa der des
fertigen Einkristalls entspricht. Das Querschnittsverhältnis zwischen dem Auftriebskörper 35 und dem
fertigen Einkristall entspricht dem Verhältnis der spezifischen Gewichte der Flüssigkeit 31 und des
Einkristalls 20.
Der Auftriebskörper 35 besteht aus Aluminium, Tetrafluoräthylen, Zirkon od. dgl.; er kann gewünschtenfalls
als Hohlkörper ausgebildet sein. Ein Schraubzapfen 39 ist einerseits mit der Schulter 35 a
des Auftriebskörpers 35 und andererseits mit der Zugstange 38 verschraubt.
Die beiden Gewichtsdetektoren 25 und 37 sind als Halbleiter-Spannungsmeßelemente ausgebildet; sie
wandeln die Gewichtssignale, die von dem Kristall 20 über die Zugstange 17 und vom Schwimmkörper
35 über die Zugstange 38 ausgeübt werden, in elektrische Signale um und stellen diese umgeformten
elektrischen Signale fest. Die Ausgangssignale der beiden Gewichtsdetektoren 25, 37 werden durch
einen Vergleichskreis 40 verglichen; das Ausgangssignal dieses Vergleichskreises 40 gelangt zu einem
Steuerkreis 41. Hiervon gelangen Signale zu einem Leistungs-Steuerglied 42, einem Hubgeschwindigkeits-Steuerglied
43 und einem Ziehgeschwindigkeits-Steuerglied 44. Die Ausgänge dieser Steuerglieder
steuern den Heizzylinder 13 bzw. den Tiegel-Hubmotor 8 bzw. den Kristallzieh-Motor 28. Der
den Kristall drehende Motor 23 und der den Tiegel drehende Motor 5 werden mit vorbestimmten Drehzahlen,
beispielsweise S bzw. 10 U/min angetrieben. Die Steuerung des Tiegel-Hubmotors 8, die das Herausziehen
des Kristalls 20 aus dem gleichfalls aufwärts bewegten Tiegel 2 beeinflußt, erfolgt derart,
daß das Niveau der Schmelze 12 in einer festen Relativlage zum Hetzzylinder 13 bleibt. Wird nämlich die
Relativlage des Schmelzspiegels gegenüber dem Heizzylinder 13 geändert, so wird hierdurch zugleich
der Querschnitt des Kristalls 20 beeinflußt.
Beim Betrieb der Vorrichtung wird zu Beginn des Herausziehens des Einkristalls der Keim 19 in die
Schmelze 12 eingetaucht oder hiermit in Berührung gebracht, während das obere Ende des Auftriebskörpers
35 mit dem Flüssigkeitsspiegel 31 α zusammenfällt. Die Tiegel-Halterung 3 und damit der Tiegel 2
wird durch die Welle 4 relativ zum Heizzylinder 13 gedreht. Die Kristalt-Ziehwelle 17 wird mit vorbestimmter
Drehzahl in entgegengesetzter Drehrichtung zum Tiegel 2 gedreht
Der Motor 28, durch den das Ziehen des Kristalls erfolgt, wird — gesteuert durch das Steuerglied 44
— mit vorbestimmter Drehzahl angetrieben. Über das Schneckengetriebe 29 wird die Spindel 27 gedreht
und dadurch der Verstellkörper 22 in vertikaler Richtung bewegt. Die äußere Welle 16 und die
Kristall-Ziehachse 17 werden auf diese Weise gemeinsam langsam nach oben bewegt, so daß aus dem
Keim 19 ein Kristall 20 wächst. Da der Heizzylinder 13 und der Tiegel 2 relativ zueinander gedreht werden,
wird die Wärmeemission des Heizzylinders 13
ίο gleichförmig verteilt und gemittelt, so daß der Einkristall
20 in der gewünschten Form gezogen wird. Der Kristall 20 nimmt hierbei an Gewicht zu, so daß
der erste Gewichtsdetektor 25 ein entsprechend vergrößertes Gewichts-Ausgangssignal liefert.
Andererseits wird der Auftriebskörper 35 durch die Aufwärtsbewegung des Verstellkörpers 22 gegenüber
dem Flüssigkeitsniveau 31 α angehoben, so daß die Auftriebswirkung des Körpers 35 verkleinert
wird. Da hierdurch das Gewicht des Auftriebskörpers 35 vergrößert wird, liefert der zweite Gewichtsdetektor 37 ein Ausgangssignal proportional dem
Gewicht. Wenn das Flüssigkeitsniveau 31a durch das teilweise Herausziehen des Auftriebskörpers 35
absinkt, so strömt eine entsprechende Flüssigkeitsm :nge zusätzlich durch den Einlaß 33 ein; überschüssige
Flüssigkeit tritt durch den Auslaß 34 aus.
Es sei angenommen, daß zu Beginn des Ziehens des Einkristalls 20 die Ausgangssignale der beiden
Gewichtsdetektoren 25 und 27 gleich groß sind; der Motor 28 ist auf eine bestimmte Drehgeschwindigkeit
eingestellt. Während nun der Einkristall 20 herausgezogen wird und wächst, wird das vom zweiten Gewichtsdetektor
37 festgestellte Gewicht des Systems mit dem Auftriebskörper 35 verglichen mit dem vom
ersten Gewichtsdetektor 25 ermittelten Gewicht des Systems, in dem der Kristall 20 hängt. Ist das vom
ersten Detektor 25 festgestellte Gewicht größer als das vom zweiten Detektor 37 festgestellte Gewicht,
so wird die Drehzahl des den Kristall ziehenden Motors 28 dadurch erhöht, daß der Vergleichskreis 40
über den Steuerkreis 41 ein Signal an das Steuerglied 44 liefert. Wird auf diese Weise die Ziehgeschwindigkeit
des Einkristalls erhöht, so verringert sich damit der Durchmesser des Einkristalls 20. Ist dagegen das
vom ersten Detektor 25 festgestellte Gewicht kleiner als das des zweiten Detektors 37, so "ird die Ausziehgeschwindigkeit
des Kristalls 20 verringert, so daß der Kristall einen größeren Durchmesser erhält.
Der Kristall 20 wird also in einer der Form des Auftriebskörpers
25 entsprechenden, vorbestimmten Form gezogen. Der gezogene Einkristall 20 besitzt
eine Schulter 35 α und eine Spitze 36 c (F i g. 3) entsprechend
Schulter und Spitze des Auftriebskörper·. 35, ferner einen gleichförmigen Haüptteil entspre-
chend dem Hauptteil 356 im mittleren Bereich des
Auftriebskörpers 35.
Werden die Länge und der Durchmesser des Auftriebskörpers 35 entsprechend der gewünschten Endform eines Einkristalls gewählt, so läßt sich zuverläs-
sig der Kristall in dieser gewünschten Form herstellen. Um irgendeinen gewünschten Einkristall mit der
erfindungsgemäßen Vorrichtung herzustellen, wird der Auftriebskörper gegen einen entsprechend anders
ausgebildeten ausgewechselt; allein durch Auswechsein des Hauptteiles 3Sb durch einen anderen
Hauptteil im Auftriebskörper 35 lassen sich beliebige Langen erzielen.
Wenngleich bei dem erläuterten Ausführungsbei-
Wenngleich bei dem erläuterten Ausführungsbei-
spiel die Kristall-Zichachse 17 gedreht w.rc se, -s» es
statt dessen auch möglich, «c stationär anzuordnen
und den Heizzylinder 13 zu drehen. Da j diesem
Falle mechanische Unregelmäßigkeiten «n der Dreh
bewegung der Kristall-Zichachsc 17 nicht "Vertragen
werden, wird die Genauigkeit in der Gcwithtsbcstim
mung verbessert. das
Wenngleich der stationäre Tis*.h 30, an dem das
Rohr 32 befestigt ist, in fester Verbindung mit ^rn
dicht abgeschlossenen Ofen 1 steh so >°ηη^η d.oc^
auch andere (nicht dargestellte) Trager.ischemit dem
Ofen 1 verbunden werden. Der zweile Gc^htsde
tektor 37 ist bei dem erläuterten Ausfuhrungsbeispic
d beweglichen Verstellkörper 22 vorgesehen
Pnl-irisations-Fchlcrverstärkcrs 47 über die Länge
Pca£«on differenziert durch einen Differentiade
^ pID.Steuerschaltung 48 d,e einen
jalionskreiS) einen mtcgrationskreis usw.
^ ^.^ wjrd s al entSpre
^^^ des vorgegebenen Querschnitts
c Auftriebskörpers 35 gegenüber dem Querschnitt
des gezogenen Kristalls ermitteis Dieses Ausgangs-
B b „^ cjncn verstarker 49 zum Kr-
J ,_zi*hmolor 28 und weiterhin über ein Tiegel-
hub-Stcucrglied 50 zum Tiegcl-Hubmotor 8
^ ^ programrn steuers.gnaquelle 51
hcn die in Abhängigkeit von der Lange des
B cbcnen und gezogenen Einkristalls 20 ein verJ°ng8
Steuersignal erzeugt Dieses Steuersignal
SiÄ?JSg
wie bä wie bei
Die Einstellung des ™
in der Weise erfolgen, daß das R steüung des Quecksilberspiegels eines ^ rometcrs angehoben wird. In fesem Falle ist kontinuierliche Flüssigkeitszufuhr nicht "forderlich. Γ"λ ferner bei dem beschriebenen Ausfun Tbdsp^ de Auftriebskörper 35 hochgezogen so kann man statt dessen ?uch das Rohr unten ziehen und den Auftrieb skorpe 35uto den zweiten Gewichtsdetektor 37 und die zwciie Aufhängung 36 fest an einer sUt.onaren ηκ^t darge stellten Zahnstange anbringen. Auch in diesem ran w d das Gewichfdes Auftriebskörpers3! gm«sen. Da das Ausgangssignal aus dem ^8"JJjn) anale von zwei Wandlern (wie Spannungsrneuaose ; tonnen ™rd, die jeweils ein Gewchusigri in m Slekirisches Signal umwandeln, bestehen keine Pro blcme hinsichtlich der Linearität und d« Temper turvcrhaltens der einzelnen Wandle .^-Spannung meßdosen mit gleichen Charakteristiken ™ m beispielsweise durch Bearbeiten bewchbart«^i eines identischen Si-Elementcs erha ten Habe^Me ner das Rohr 32 und der Tiegel2 des^e [orni ist eine Korrektur der Absenkung d ^ 1^ S^ veaus 31« nicht erforderlich da Hch das . keitsnivcau im Rohr 32 und der Schmelzspiegei Tiegel 2 synchron absenken. . ht der
in der Weise erfolgen, daß das R steüung des Quecksilberspiegels eines ^ rometcrs angehoben wird. In fesem Falle ist kontinuierliche Flüssigkeitszufuhr nicht "forderlich. Γ"λ ferner bei dem beschriebenen Ausfun Tbdsp^ de Auftriebskörper 35 hochgezogen so kann man statt dessen ?uch das Rohr unten ziehen und den Auftrieb skorpe 35uto den zweiten Gewichtsdetektor 37 und die zwciie Aufhängung 36 fest an einer sUt.onaren ηκ^t darge stellten Zahnstange anbringen. Auch in diesem ran w d das Gewichfdes Auftriebskörpers3! gm«sen. Da das Ausgangssignal aus dem ^8"JJjn) anale von zwei Wandlern (wie Spannungsrneuaose ; tonnen ™rd, die jeweils ein Gewchusigri in m Slekirisches Signal umwandeln, bestehen keine Pro blcme hinsichtlich der Linearität und d« Temper turvcrhaltens der einzelnen Wandle .^-Spannung meßdosen mit gleichen Charakteristiken ™ m beispielsweise durch Bearbeiten bewchbart«^i eines identischen Si-Elementcs erha ten Habe^Me ner das Rohr 32 und der Tiegel2 des^e [orni ist eine Korrektur der Absenkung d ^ 1^ S^ veaus 31« nicht erforderlich da Hch das . keitsnivcau im Rohr 32 und der Schmelzspiegei Tiegel 2 synchron absenken. . ht der
Vom Ausfühnmgsbeispiel der Fig.2ί *JJ*\^
Hauptteil nicht erläutert zu werden, da « ™t i-' |
WenEsch ist Das Gewicht des gezogenen.Etnknstaus
20 wfrd edc?h durch den ersten Detektor M be
stimmt; das Ausgangssignal wird einem &«
einerpolarisations-Fehlerverstärkers 47 zugetunn
waScnd dalSewicht des Auftriebsko^S^durc«
den zweiten Detektor 37 ermittel und dessen.aus
SSal einer Null-Einstelleinnchtung 45 zugeto
üer Null-Einstelleinrichtuog 45 wird ferner
WS,Ijurchmesser-Einstellemnchtung 46^M
enal zueeführt das einem vorgegebenen D^ri
Sr de?|ezogeAen Einfachkristalls 20 entepnchL
Ausg^gSS der ^^^f^Sl
langt zuTdern anderen Eingang;de^^staEsnkri
lerverstärkers 47. Zu Beginn des Ziehem oes c.
stalls 20 ist das Ausgangssignal der_Null ^'
trchtung 45 so eingestellt, daß ^£Αζ
signal des Polarisations-Fehlerverstarkers V gj
Null ist. Dann wird das Feßier-rtubg ug e
Einkristalls 20 und der Größe des Steuersignals c eT solche Beziehung, daß dieses Steuers.gnal £
wenn die Lange dcs Κπ8ΐβΠ? m der
g ößcnordnu der halben Gesamtlange ,st; das
proportional an, wenn die Lange r a,s der vors ehcnd genannte
α vorgegebene Steuersignal kann dann
J «^ ^ um aufeinanderfolgend die
g EinkristaHs 20 zu bes,immen. Dem Heiz-
^ ^ ^ kann eine y Le, t efuhrt
wcnn da$ S(cuc| na, £ g,eich Nu1I ist.
Änderungcn dcr Ausz.ehgeschwindigke.t des Ein„
20 können dadurch kleiner gemacht werden,
knsta ^ ^.^^ n {~h Heizleistung
gesteuert wird in Abhängigkeit von der ^«teilten
^ zwischen dem vorgegebenen Querschnitt
U Au{triebskörpers 35 und dem Querschnitt aes
abgenommen von der PID-SteuerschaItung
4g ^ ^^^ paUe ^^ das AusgangSSlgnai de
piD.Steuerschaltung 48 mit einem Bezugssignal
^ Programm-Bezugsquelle 55 in einer Verglcichsschaltung
54 verglichen. Ist die Differenz wischen dem ^ηβη QuerSchni« des Auftriebskörper
^ dem Querschniu des KnstaUs großer als ein
vorgegebener Wert, so liefert das Vergleichsgl.ed 54 Ausgangssignal. Es wird dann durch einen Di-{crenüa^onskreis 56 über die Lknge
des Kristalls differenziert; das differenzierte Signal wird einem Steuersignäl
der Programm-Steuersignalquelle M^ oder
Hand-Leistungsreglers 57 in einer Addiersrufe dem Hekeleroent 13 vom Konstant-
«stu s.Steuerglied 53 ^geführte Heizleistung wird
dann von dem Additions-Ausgangssignal gesteuert
Polarisations-Fehlerverstarker 47 gelie-Fehlerausgangssigr,ai
wird über die Läoge ta
kristalls 20 durch den Differentiationskreis
differenzierti wodurch die Differenz zwrachen dem vor-
^ ^^^ und dem tatsächlichetl Quer-
^n {esl teiu ^ das so gewonnene Ausgangseinem
sdltt&ber w uber emen Gleich.
S s^mverstarker 59 zugeführt. Die Aufzeichnung dieses
Signals ist für eine folgende Kristallanalyse an·
ßerst nützlich. ^ .„·,.„
Um d ht ρ Ekll
h. ^ .„·,.„
Um ^ dne gew^schte ρΟΓΠ? eines Einkristalls
m erzielen, muß das Verhältnis der Ausziehge-
schwmdigkeit des Knstalls 20 zur Hubgeschwindig-
^ d Tils2 ^ gleich dem VeAatnis des
9 10
Querschnitts des Tiegels 2 zu dem des Kristalls 20 dessen Ausgangssignal; der Tiegel-Hubmotor 8 wird
sein. Ist der Durchmesser des Einkristalls 20 kon- hierdurch so gesteuert, daß die Hubgeschwindigkeit
stant, so ist das Verhältnis der Ausziehgeschwindig- des Tiegels 2 im Bereich der Schulter 35 a, des mittkeit
des Kristalls 20 zur Hubgeschwindigkeit des Tie- leren Teiles 35 b und der Spitze 35 c des Auftriebsgels
2 konstant. Vergrößert oder verkleinert sich da- 5 körpers 35 den Kurven«,ft bzw. c in Fig. 3 C entgegen
der Durchmesser des Kristalls 20 allmählich, spricht. Das Vergleichs-Ausgangssignal des Verso
muß die Hubgeschwindigkeit des Tiegels 2 pro- gleichsgliedes 63 wird ferner der PID-Steuerschalportional
zur Änderung des Querschnittes des Kri- tung 48 zugeführt, so daß die Proportional-Empfindstalls
20 geändert werden, falls die Ausziehgeschwin- Hchkeit im umgekehrten Verhältnis zu den Kurdigkeit
des Kristalls 20 konstant ist. io vena, ft und c (Fig. 3C) im Bereich der Schulter,
Bezeichnet man eine kleine Änderung der Aus- des mittleren Teiles bzw. des Sprosses des gezogenen
Ziehgeschwindigkeit des Kristalls 20 mit f V, eine Kristalls 20 gesteuert wird.
Änderung des Querschnitts des Kristalls 20 mit Δ A, Die Hubgeschwindigkeit des Tiegels 12 wird somit
so besteht die Beziehung AA = KAV, wobei K an der Schulter und an der Spitze des Einkristalls in
eine Variable ist; je größer der Durchmesser des Kri- 15 Abhängigkeit von der Änderung des Querschnittes
stalls 20 ist und damit sein Querschnitt, um so größer des Kristalls 20 geändert, so daß der Spiegel der
ist der Koeffizient K. Anders ausgedrückt: Je größer Schmelze 12 im Tiegel 2 in der Höhe im Bereich der
der Querschnitt des Kristalls 20 bei einer bestimmten Schulter und der Spitze des Einkristalls konstant ge-
Änderung der Ausziehgeschwindigkeit ist, um so grö- halten wird; weiterhin werden die Übertragungsfunk-
ßer ist unter diesen Umständen AA. Die Übertra- 20 tioüen des Steuersystems für die Motoren8 und 28
gungsfunktionen der Motoren 8 und 28 müssen je- stets konstant gehalten, so daß das Steuersystem sta-
doch stets konstant gehalten werden, damit das Steu- bil arbeitet.
ersystem für die Motoren 8 und 28 stabil arbeitet. Zu Liegt die Länge des zu ziehenden Einkristalls 20
diesem Zweck muß das Produkt aus den» Koeffizien- über einem %'orgegebenen Wert und ist die Menge
ten K und der Proportional-Empfindlichkeit der as der Schmelze 12 unter einem vorbestimmten Wert,
PID-Steuerschaltung 48 stets konstant sein. Wird der so sinkt die Schmelze 12 in der Temperatur ab; der
Koeffizient K bei einer Änderung des Querschnittes Querschnitt des zu ziehenden Einkristalls wird verdes
Kristalls 20, wie oben erwähnt, geändert, so größert, woraus eine höhere Ausziehgeschwindigkeit
muß die Proportional-Empfindlichkeit im umgekehr- des Kristalls 20 resultiert. Wird jedoch die Ausziehten
Verhältnis zum Koeffizient K geändert werden. 30 geschwindigkeit des Kristalls 20 wesentlich höher, so
Zu diesem Zweck werden das Tiegelhub-Steuerglied kann man einen Einkristall hoher Qualität nicht er-50
und die Proportional-Empfindlichkeit der PID- zielen, da nachteilige Erscheinungen auftreten, die zu
Steuerschaltung 48 für das obenerwähnte Steuersy- einem ungleichmäßigen spezifischen Widerstand des
stern durch ein Steuersignal gesteuert, das durch An- Kristalls führen. Im Hinblick hierauf wird ein bederung
des Gewichts des Kristalls 20 auf Grund 35 trächtliches Ansteigen des Querschnitts des Einkrieiner
Längenänderung gewonnen wird. Die Propor- stalls 20 verhindert, d. h. ein beträchtliches Ansteigen
tional-Empfindlichkeit des Tiegelhub-Motors 8 und der Ausziehgeschwindigkeit des Einkristalls 20, indes
Kristall-Ziehmotors 28 wird also durch das Steu- dem die Heiztemperatur des Tiegels 2 durch das
ersignal gesteuert Heizelement 13 in Abhängigkeit von der Länge des
Ein Ausführungssignal E1 des einen Gewichtsde- 40 zu ziehenden Einkristalls 20 gesteuert wird. Dies er-
tektors, nämlich des ersten Detektors 25, wird über reicht man dadurch, daß die dem Heizelement 13 zu-
die Länge / des Kristalls 20 durch einen Differentia- geführte Heizleistung mittels des Ausgangssignals der
tionskreis 61 differenziert F i g. 3 B zeigt den gmnd- Programm-Steuersignalquelle 51 in Abhängigkeit
sätzlichen Verlauf des Ausgangssignals E1 in Abhän- von der Länge des Einkristalls 20 gesteuert wird. Ein
gigkeit von / in den Kurven a, b und c. Kurve α zeigt 45 Eingangssignal des Differentiationskreises 61 kann
die Abhängigkeit zwischen E1 und Z im Bereich der vom Ausgangssignal des zweiten Gewichtsdetektors
Schulter 35 a des Auftriebskörpers 35. Kurve ft gibt 37 abgenommen werden.
die Abhängigkeit zwischen C1 und Z im mittleren Be- T.iegt die Länge des zu ziehenden Einkristalls 20
reich 356 des Auftriebskörpers wieder und Kurve c über einem vorbestimmten Wert und ist die Menge
schließlich die Abhängigkeit zwischen E1 und" I im so der Schmelze 12 im Tiegel 2 unter einem vorbe-
Bereich der Spitze 35 c des Auftriebskörpers 35. stimmten Wert, so besteht die Tendenz einer starken
F i g. 3 C zeigt in den Kurven a, b und c die differen- Absenkung der Temperatur der Schmelze 12. Wird
zierten Signale -^- (geliefert durch den Kreis 61), jed°ch die. dem Heizelement 13 von dem Konstaöt-
^ ·" ** ' leistungs-Steuerghed 53 zugeführte Leistung durch
a · , · λ ■··_ · ν ..., « . , .-, Querschnitt des Ein-
Ausgangssignal wird über einen Verstarker 62 einem knstalls 20 wird infolgedessen nicht so stark verErö-
VergleichsgHed 63 zugeführt, wo es mit einem Be- ßert, so daß die Ausziehgeschwindigkeit des Einkri-
zugssignal verglichen wird, das von einer Pro- 6o stalls 20 nicht so sehr erhöht wird Die Ausziehee-
gramm-Bezagsquelle 64 geliefert wird. schwindigkeit des Einkristalls 20, gesteuert durch die
tiegel-Steuerglied 50 und beeinflußt die Größe von so stark vergrößert
Claims (9)
1. Vorrichtung zum Ziehen eines Halbleiterkristallstabes,
insbesondere eines Einkristallstabes s mit einem eine Halbleiterschmelze enthaltenden
axial verschiebbaren Tiegel, mit einer Einrichtung zum Herausziehen des Stabes aus dem Tiegel
und einer Steuereinrichtung zur Steuerung der Ziehgeschwindigkeit und damit des Durchmessers jo
des Stabes, dadurch gekennzeichnet, daß ein mit einer Flüssigkeit gefülltes Rohr (32)
sowie ein in diese Flüssigkeit eingetauchter Auftriebskörper (35), eine Einrichtung (36) zum Herausziehen
des Auftriebskörpers aus der Flüssigkeit oder zum Absenken des Rohres und eine Vergleichseinrichtung
(40) zum Vergleich des Gewichts des Stabes (20) und des Auftriebskörpers
(35) angeordnet sind und daß die Steuereinrichtung (41) zur Steuerung der Ziehgeschwindigkeit ao
des Stabes von dem Ausgangssignal der Vergleichseinrichtung abhängt
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Form des Auftriebskörpers
(35) der Form der aus dem Tiegel (2) zu ziehen- »5 den Stäbe (20) entspricht
3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Steuereinrichtung (41) zugleich die axiale Aufwärtsverschiebung des Tiegels
(2) steuert.
4. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuereinrichtung (41) zugleich
die Heiztemperatur für den Ti- ?el (2) steuert.
5. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Vergleichseinrichtung (40)
einen ersten und einen zweiten Gewichtsdetektor (25, 37) enthält, von denen der eine mit der den
Stab (20) ziehenden Einrichtung (26) und der andere mit der den Auftriebskörper (35) ziehenden
Einrichtung (36) verbunden ist.
6. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuereinrichtung (41)
durch die elektrischen Signale proportional zum Verhältnis der Gewichtsänderung zur Längenänderung
des Stabes (20) gesteuert wird.
7. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Rohr kontinuierlich mit
Flüssigkeit gespeist wird, so daß ein konstantes Flüssigkeitsniveau aufrechterhalten wird.
8. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Form des Rohres (32) der
Form des Tiegels (2) ähnlich ist.
9. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß beim Herausziehen des Auftriebskörpers
(35) das Rohr (32) angehoben wird, um ein äquivalentes Flüssigkeitsniveau konstant
zu halten.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP951771A JPS5126400B1 (de) | 1971-02-25 | 1971-02-25 | |
JP8883871A JPS5210117B2 (de) | 1971-11-08 | 1971-11-08 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2208758A1 DE2208758A1 (de) | 1972-09-14 |
DE2208758B2 DE2208758B2 (de) | 1973-10-31 |
DE2208758C3 true DE2208758C3 (de) | 1974-06-06 |
Family
ID=26344265
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19722208758 Expired DE2208758C3 (de) | 1971-02-25 | 1972-02-24 | Vorrichtung zum Ziehen eines Halbleiterkristallstabes, insbesondere eines Einkristallstabes |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
CA (1) | CA971085A (de) |
DE (1) | DE2208758C3 (de) |
FR (1) | FR2126434B1 (de) |
GB (1) | GB1376665A (de) |
IT (1) | IT947939B (de) |
NL (1) | NL162975C (de) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0097676A4 (de) * | 1982-01-04 | 1985-11-11 | Commw Of Australia | Steuerung des diameters im czochralski-kristallwachstum. |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR1408658A (fr) * | 1963-09-26 | 1965-08-13 | Consortium Elektrochem Ind | Procédé de réalisation et de régulation du mouvement de translation lors de la fabrication de masses formées de semi-conducteurs |
US3493348A (en) * | 1966-07-01 | 1970-02-03 | Ibm | Buoyant device in crystal growing |
FR2038683A5 (en) * | 1969-03-21 | 1971-01-08 | Radiotechnique Compelec | Single crystal growing apparatus |
-
1972
- 1972-02-24 DE DE19722208758 patent/DE2208758C3/de not_active Expired
- 1972-02-24 NL NL7202422A patent/NL162975C/xx not_active IP Right Cessation
- 1972-02-24 CA CA135,457A patent/CA971085A/en not_active Expired
- 1972-02-24 GB GB869272A patent/GB1376665A/en not_active Expired
- 1972-02-25 FR FR7206536A patent/FR2126434B1/fr not_active Expired
- 1972-02-25 IT IT2108472A patent/IT947939B/it active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2208758A1 (de) | 1972-09-14 |
NL162975C (nl) | 1980-07-15 |
FR2126434B1 (de) | 1978-03-03 |
NL162975B (nl) | 1980-02-15 |
FR2126434A1 (de) | 1972-10-06 |
NL7202422A (de) | 1972-08-29 |
CA971085A (en) | 1975-07-15 |
DE2208758B2 (de) | 1973-10-31 |
GB1376665A (en) | 1974-12-11 |
IT947939B (it) | 1973-05-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |