DE2165315A1 - Mehrlagige antireflexionsschicht fuer uv-strahlung - Google Patents
Mehrlagige antireflexionsschicht fuer uv-strahlungInfo
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Description
Case 183
NIPPON KOGAKIJ K.K*
Tokyo
Tokyo
Mehrlagige Antireflexionsschicht für UV-Strahlung
Die Erfindung bezieht sich auf eine mehrlagige Antireflexschicht
für den UV-Bereich (200 bis 400 nm).
Zum Unterschied von Antireflexschichten für den sichtbaren Bereich
sind Antireflexschichten für den UV-Bereich (200-400 nm) kaum vorgeschlagen worden, weil zahlreiche einschränkende Schwierigkeiten
zu berücksichtigen sind, etwa die begrenzte Verfügbarkeit von Substanzen, die im UV durchlässig und stabil sind, die Schwierigkeiten
bei der Einstellung der Schichtdicke, die ein Herstellungsproblem
darstellen, und der gegenüber dem sichtbaren Bereich grössere Wellenlängenbereich der UV-Strahlung. Als einzige Schicht ist die
Antireflexschicht nach O.A. Motovilov (vgl. Pig.1 der Zeichnungen)
bekannt. Diese Schicht kann jedoch nicht als wirksame Antireflexschicht für den gesamten Bereich zwischen 200 und 400 nm an-
309828/0094
gesehen werden, da sie auf der Grundlage einer Zweilagenschicht von 2H.L beruht, die als Antireflexschicht für den sichtbaren
Bereich bekannt ist; die hier benutzten Substanzen (ZrOp, HfOp, SCpO, usw.) haben hohe Brechungskoeffizienten und verursachen Absorption
an der kurzwelligen Flanke (unterhalb 260 nro)· Gleichzeitig
kann die Absorptionswirkung dann nicht vernachlässigt werden, wenn ein optisches System mit zahlreichen gleichzeitig reflektierenden
und brechenden Flächen vorliegt.
Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe ist die Angabe einer Antireflexschicht, die eine Antireflexwirkung im gesamten Wellenlängenbereich
zwischen 200 und 400 nm ausüben kann und die ausserdem
chemisch-physikalisch stabil und im fraglichen Bereich durchlässig
ist.
Wenn der UV-Bereich hinsichtlich reflexvermindernder Schichten zur
Debatte steht, hängt die Ausführung der Antireflexschicht weitgehend mit Fragen der Steuerung der Schichtdicke zusammen. Genauer
gesagt, wenn die Steuerung der Schichtdicke unter Benutzung von UV-Strahlung vorgenommen und der Reflexions- oder Transmissionsgrad
für UV-Strahlung gemessen werden muss, entstehen Probleme hinsichtlich des dafür benutzten optischen Systems (insbesondere
bei Filtern u.dgl.) und des photometrischen Systems. Andererseits entspricht der Reflexionsgrad (oder der Transmissionsgrad)
bei einer optischen Schichtstärke m-4- (m = 1, 2, ....) einem
Extremwert, ungeachtet der Brechungskoeffizienten der die Schicht bildenden Substanzen. Um zwei derartige einander wiedersprechende
Gegebenheiten miteinander zu vereinbaren, sollte die Schichtstärke
auf - für den sichtbaren Bereich so gesteuert werden, dass sie der Stärke m—j^ für den UV-Bereich entspricht. Somit ist
(2)
wobei Ay die zentrale Wellenlänge im sichtbaren Bereich und Xu
die zentrale Wellenlänge im UV-Bereich bedeutet. So lässt sich zunächst eine optische Schicht mit eher Stärke von m-*^ (m = 1, 2,
leichter herstellen. Dann wird der Brechungsindex η(λ ), der für die Herstellbarkeit einer solchen optischen Schicht als einlagiger
Antireflexschicht für den UV-Bereich (200-400 nm) kennzeichnend ist, ermittelt. Die nach der Vektormethode für die verschiedenen
Wellenlängen von 200 nm, 25Oim, 300 nm, 35) nm und 400 nm erzielten
Resultate sind in den Figuren 2, 3» 4, 5 und 6 gezeigt. Diese Ergebnisse lassen deutlich erkennen, dass geeignete Substanzen,-die
eiie Lage mit einer Schichtdicke A. bilden und unter 1,3 und über 1,1
liegende Brechungskoeffizienten besitzen, geeignet sind, eine Antireflexschicht für die von der zentralen Wellenlänge abweichenden
309622/0094
Case 183
Wellenlängen zu "bilden. Bedauerlicherweise ist es jedoch kaum möglich,
sich absetzende (aufdampfbare) Substanzen zu finden, die die
gesuchten Brechungskoeffizxenten aufweisen und die im UV-Bereich durchlässig sind.
Als Möglichkeit, derartige Brechungskoeffizienten zu erlangen, ist
in der Technik die Theorie der Äquivalentschicht bekannt. Eine symmetrische mehrlagige Schicht hat die ausgesprochene Eigenschaft,
durch eine einlagige Schicht gleichermassen für alle Wellenlängen ausgetauscht werden zu können. Die Erfinder haben die Eigenschaft
einer Dreilagenschicht, die symmetrisch nur hinsichtlich einer Schichtstärke ist, ermittelt sowie zwei sehr wichtige grundlegende
Gesichtspunkte für die Anwendung dieser Eigenschaft.
cosG.
(η-.+ Δ IsInG1
cosG.
cosG
-2
siriG
-2
ρ COsGp
COsG1 ~
nl
SiIiG1 cos G.
(3)
worin
(4)
nai (i = 1, 2)
n± (i = 1, 2)
n± (i = 1, 2)
Δη
: optische Schichtstärke
: Brechungskoeffizient
: asymmetrische Komponente
: 1/Vellenlänge
: zentrale Wellenlänge
: imaginäre Zahl 3Ü9828/Q094
Case 183
Gleichung (3) wird zu:
η-,
η1+Δη
η.
COsG1 -£- SInG1
~~jL II-, —J.
nn sinG- COsG1
cosG0 -£-sinG,
-2 n2 -t
coSG,
COsG1 ~ OA^4W1
χ H1 *™*x
n,sinG, cosG.
cosö
1· )
worin N : äquivalenter Brechungskoeffizient
ND As
ND : äquivalente Schichtstärke. (5)
(6)
Ferner ist, wenn
2nd
ND
Γ η« ηΊ 1
= 2 - (—■ + -i) sln2Gn
L ηχ n2 j -1
sinG,
(7)
N =
ηΊ
n-,n0sin2G..cosG0 + (n'cos2G,
2 n-.n„sin2G-. cosG0 + (n, cos G1 -
X c.
—X ~~C
.L ~X
309828/0Ü9A
N.2
(8)
Aus den Gleichungen (7) und (8) ergibt sich, dass, wenn eine Kombination
der Lagen ü /4 - A /4 benutzt wird, der äquivalente Brechungsindex N(A) für einen Bereich, der die zentrale Wellenlänge
(Wellenzahl 1) enthält und umgibt, im wesentlichen gleich
nd * ndp
2 -«— + —c— ist. Daher ist
2 -«— + —c— ist. Daher ist
N(A)-N(A) (9)
nd-, nd0
- 2-τ~ + -5~
- 2-τ~ + -5~
λξ As (10)
Andererseits nimmt, wenn die zentrale Wellenlänge (Wellenzahl 1) beispielsweise 260 nm ist, der äquivalente Brechungskoeffizient
N, im Gegensatz zu N(A ) einen Wert an, der eine grosse Dispersion für die Randbereiche, etwa 350 - 400 nm und 200 - 225 nm, um
schliesst.
Ein Beispiel hierfür zeigt die Fig. 7. Wenn die symmetrische
Sdicht im Lichte der Theorie der äquivalenten Schicht betrachtet wird, lässt sich der Brechungsindex N, der eine starke Dispersion
für die Randbereiche (200 - 225 nm und 350 - 400 nm) hervorruft, erreichen, und ein Brechungskoeffizient, der sich zuvor
niemals verwirklichen liess, ist durch eine Kombination von chemisch-physikalisch
stabilen Substanzen herbeizuführen. Jedoch sind nur sehr wenige Substanzen chemisch-physikalisch stabil und
im UV-Bereich durchlässig. Um diese Schwierigkeiten zu umgehen»
309828/00 94
wurde bei der Entwicklung des Erfindungsgedankens eine Asymmetrie in den Brechungskoeffizienten der symmetrischen Dreilagenschicht
eingeführt. Der Einfachheit halber soll diese Dreilagenschicht nachfolgend als "pseudosymmetrische Dreilagenschicht" bezeichnet werden und der Brechungskoeffizient bzw. die Schichtstärke der Schicht
sollen als "pseudoäquivalenter Brechungskoeffizient N*" bzw. "pseu-
#"
doäquivalente Schichtstärke ND bezeichnet werden. Es seien N bzw. ND der äquivalente Brechungskoeffizient bzw. die äquivalente Schichtstärke der symmetrischen Dreilagenschicht, die aus den Lagen (n,, J^d,) - (n2, n2d2) - (n., n,d,) besteht, und es seien N* bzw. N*D* der pseudoäquivalente Brechungskoeffizient bzw. die pseudoäquivalente Schichtstärke der pseudosymmetrischen Dreilagenschicht, die aus den Lagen
doäquivalente Schichtstärke ND bezeichnet werden. Es seien N bzw. ND der äquivalente Brechungskoeffizient bzw. die äquivalente Schichtstärke der symmetrischen Dreilagenschicht, die aus den Lagen (n,, J^d,) - (n2, n2d2) - (n., n,d,) besteht, und es seien N* bzw. N*D* der pseudoäquivalente Brechungskoeffizient bzw. die pseudoäquivalente Schichtstärke der pseudosymmetrischen Dreilagenschicht, die aus den Lagen
Cn1 +Δη, Cn1 + Än)d«) - (n2, n^) - (^, ^d1) besteht,
wobei (η +Δ )d' = η-,ά.,. Dann ergeben sich folgende Beziehungen
:
N* ^ (1 + Zp-)
(11)
nl
S oobO*(1 +£)
(12^
worin q/ _ ^n (13)
nn
*1
^ Ύ —
309828/009Α
Daraus ergibt sich, dass durch Einfüllen einer asymmetrischen Komponente
Δ in die symmetrische Dreilagensehiht, die den äquivalenten
Brechungskoeffizienten N aufweisen kann, dieser äquivalente
/AnI Brechungskoeffizient N in seinem Bereich um / ——/ χ 100$ erhöht
I *l Jl
werden kann im Wellenlängenbereich leos θ / — 1, Zum Beispiel
lässt sich, wenn n* = 1,4 und A = 0,05, der äquivalente Brechungsindex
für jede Wellenlänge um 3»5$ erhöhen, und wenn
f—-S/
< 0,15 etwa, ergibt sich kein Widerspruch, selbst unter der Annahme, dass die äquivalente Schichtstärke ND für den Wellen—
I *f/.
längenbereich f cos θ — 1 praktisch konstant ist.
Hieraus ergibt sich, dass die pseudosymmetrische Dreilagenschicht als sehr wirksames Mittel anzusehen ist, um einen neuen Brechungskoeffizienten und eine grosse Dispersionswirkung zu erzielen, die
durch keine übliche Substanz, die chemisch-physikalisch stabil und für UV durchlässig ist, erreicht werden kann. Durch Erweitern
der obenbeschriebenen Theorie der pseudosymmetrischen Dreilagenschicht
kann angenommen warden, dass eine Lage mit einem nahe dem Brechungskoeffizienten des Substrats (etwa Bergkristall, Flußspat
o.dgl.) liegenden Brechungskoeffizienten auf das Substrat
gebracht wird. Eine solche Annahme kann zu einem Konzept für eine pseudosymmetrische, die genannte Lage einschliessende Dreilagen*-
schicht führen. Das führt zu der Annahme, dass eine Antireflexionsschicht
mit der gleichen Wirkung tatsächlich dadurch erreichbar ist, dass das Material des Substrats mit jener Schicht vertauscht
wird, wodurch die Zahl der Lagen herabgesetzt wird*
309820/0094
Case 183 3 2 1653 IS
Die Erfindung wird besser verständlich, wenn anschliessend einige ihrer Ausführungsformen an Hand der zugehörigen Zeichnungen beschrieben
werden.
Die Darstellung in Fig. 1 zeigt die spektralen Eigenschaften der Zweilagenantireflexschicht
für den UV-Bereich nach O.A. Motovilov et al; die Schicht besteht aus einer Substratlage von Bergkristall, hergestellt
durch Verwendung der Kombinationen (1) ZrOp+SiO2, (2) HfO+SiOp,
(3) und (4) Sc2O3+SiO2. .
Fig. 2 stellt ein Vektordiagramm für den Reflexionsgrad einer einlagigen
Schicht mit der Schichtstärke λ dar für eine Wellenlänge
von 200 nm, wenn die.zentrale Wellenlänge 260 nm beträgt; in der
Figur gibt die stärkere Linie den Bereich des Brechungskoeffizienten an, innerhalb dessen der Reflexionsgrad der Schicht kleiner als
2$ wird, wenn sie zwischen ein Substrat mit einem Brechungsindex
vnn 1,5 und Luft (deren Brechungsindex 1,0 beträgt) gesetzt wird, und die gestrichelten Linien geben das Vektordiagramm für einen
Brechungskoeffizienten von 1,25 wieder.
Die Vektordiagramme nach den Figuren 3,4, 5 und 6 zeigen beziehungsweise
die Reflexionsgrade einer ähnlichen einlagigen Schicht für die Wellenlängen 250 nm, 300 nm, 350 nm und 400 nm; in den Figuren
haben die stärkeren und die gestrichelten Linien die gleiche Bedeutung wie in Fig. 2, abgesehen von Fig. 3, die keinen Bereich
309828/0094
des Brechungskoeffizienten mit einem niedriger als 2f liegenden
Brechungskoeffizienten für 250 nm zeigt, während Fig. 6 erkennen lässt, dass der Brechungskoeffizient der einlagigen Schicht mit
der Schichtstärke A beispielsweise im Bereich zwischen etwa 1,15 und etwa 1,35 liegen muss, um einen Reflexionsgrad niedriger als
2fo für die Wellenlänge 400 nm erreichen zu können.
Pig. 7 "bezieht sich auf eine symmetrsiche Schicht A-. - ^ - j
und gibt die Änderung des Brechungskoeffizienten n? der Schicht ^
mit einem äquivalenten Brechungskoeffizxenten N wieder, wobei die
Kurven" 1, 2, 3, 4, 5, 6 und 7 beziehungsweise zu Brechungskoeffizienten
1,6, 1,625, 1,65, 1,675, 1,70, 1;725 und 1,75 gehören.
Die Figuren 9, 10 und 12 stellen in Form von Blockdiagrammen
den Aufbau von Antireflexschichten nach einer ernten, einer zweiten und einer dritten Ausführungsform der Erfindung dar.
Die Kurven in den Figuren 8, 11 und 13 geben die spektralen Eigenschaften
der ersten, zweiten und dritten Ausführungsform wieder.
Die erste Ausführungsform der Erfindung soll nun im einzelnen beschrieben
werden.
Zur Herstellung einer einlagigen Schicht, deren Reflexionseigenschaften
denjenigen nach den Vektordiagrammen in den Figuren 2, 1,
4, 5 ader 6 entsprechen, werden Substanzen mit niedrigem Brechung^-
- 10 -
309828/0094
koeffizienten, also etwa LiP, Kryolith, MgF^ u.dgl. mit Substanzen
mit Brechungskoeffizienten im Grössenbereich zwischen 1,6 und 1,7 kombiniert, also etwa NdF-., IaF-, u.dgl., so dass sich eine
Dreilagenschicht 4 - 4 - 4 ergibt, die aus einer ersten Lage von
LiP, Kryolith und MgFp, einer zweiten Lage von NdF-, oder LaF ^ und
einer dritten Lage von LiF und Kryolith besteht. Unter diesen Umständen
lässt sich als äquivalenter Brechungskoeffizient N(^ ) einer solchen Schicht ein Brechungskoeffizient von 1,1 bis 1,3 erzielen.
(Pig. 7 ist ein Beispiel für den äquivalenten Brechungskoeffizienten, der mit den Brechungskoeffizienten 1,4 - etwa 1,6. ™
-1,4 erreichbar ist.)
Aus Fig. 3 ist jedoch zu entnehmen, dass für die Umgebung der zentralen Wellenlänge nur ein geringer oder überhaupt kein Antireflex—
ionneffekt zu erhalten ist.
Durch Einführen einer Asymmetrie-Komponente in eine derartige symmetrische
Dreilagenschicht Cd-Ii. durch Herstellen der Relation
An
— χ 10O^ = 3,5 bis 4$, worin &n = 0,05 bis 0,07) lassen sich f
die folgenden Wirkungen herbeiführen:
1) Die Optimierung des Brechungskoeffizienten (äquivalenten Brechungskoeffizienten)
lässt sich erzielen (für den gesamten Wellenlängenbereich), wodurch ein gleichmässiger Reflexionsgrad
erreicht werden kann, ausser im Bereich der zentralen We3.1enlänge, welcher Bereich definiert ist durch:
cosö*|.< ι (cosO* « (ι + 1—)cosö)
2) Der durch
cos θ
^- 1 definierte Bereich kann nicht durch einen
einlagigen pseudoäquivalenten Film vertauscht werden, sondern~in diesem Bereich wird die Pseudo-Dreilagenschicht in eine Fehl-Lage
(absent layer) umgewandelt. Auf diese Weise kann der Antireflexeffekt
für die Umgebung der zentralen Wellenlänge praktisch in Form einer Zweilagenschicht j - τ aufrechterhalten werden.
Selbst wenn die dritte Lage gegen Substratmaterial vertauscht
wird, wird sie kaum ihre Eigenschaften verlieren und wird noch immer eine Antireflexionsschicht darstellen, deren Reflexionsgrad
für den UV-Bereich (200 bis 400 nm) unter 2$ liegt.
Die derart ausgebildete erste Ausführungsform ist folgendermassen
aufgebaut:
η - \ - \ - Luft (T-1).
s ^ ^
Besteht die erste Lage aus MgF2, Kryolith, LiF und CaF2 und die
zweite Lage (die dem Substrat benachbarte Lage) aus NdF,, LaF, ,
und ähnlichen Fluoriden, kann man die Absorption bei Schichtstärken, wie sie bei der vorliegenden Ausführungsform vorkommen, praktisch
vernachlässigen. Ausserdem zeigen diese Fluoride, im Gegensatz zu AIpO, und SiO2 und ähnlichen Oxiden, keinen bemerkeriswer-
30987
Case 183
ten Unterschied zwischen einer Zusammensetzung der Menge, die während
des Aufdampfens einem thermischen Kracken unterworfen wurde, und einer Zusammensetzung der Schicht, die durch Aufdampfen ge-,
wonen ist, und ist sehr gut reproduzierbar. Eire derart gute Reproduzierbarkeit bietet den Vorteil, dass die Steuerung der Schichtstärke
stabilisiert werden kann. Im einzelnen ergeben sich bei der Steuerung der Schichtstärke durch Verwendung von UV-Strahlung für
die Messung des Reflexionsgrades oder des Brechungskoeffizienten Schwierigkeiten hinsichtlich des optischen Systems, der Filter
oder des photometrischen Syst ems. Um diese NachteiLe zu beseitigen,-wird
sichtbare Strahlung verwendet, um die Lagen £■ und j für den
UV-Bereich zu überwachen. Das bedeutet, dass die Aufgabe, die Lagen £■ und j für den UV-Bereich zu überwachen geändert wird
in die Aufgabe, die Lagen j und w bei bestimmten Wellenlängen
des sichtbaren Bereichs zu überwachen. Somit gilt:
h
k λν
8 Av ά
„ft u _ Ay. # ^u χ /ν.' λ ν
ζ - ζ ( at >
■ τ"
Man sieht daher, dass die Überwachung der Lage m 4 mittels einer geeigneten Wellenlänge im UV-Bereich (bei der vorliegenden Ausführungsform
ist das 260 nm) bedeutet, dass die Schichtstärke leicht überwacht wird, indem die Lage m 4 im sichtbaren Bereich ermittelt
wird, und zwar der Extremalwert des Reflexionsgrads. Nach dem be-
- 13 -
309828/0094
schriebenen Verfahren lässt sich jedoch die Lage j im UV-Bereich
nur schwer überwachen, und in diesem Fall sollte der Brechungskoeffizient zuvor bestimmt und der Reflexionsgrad für jede gewünschte
Schichtstärke aus dem vorbestimmten Brechungskoeffizienten berechnet sein, so dass sein Wert kontrolliert werden kann. Natürlich ermöglicht
ein stabiler Brechungskoeffizient ehe stabile Überwachung der Schichtstärke. Die hier angegebene Ausführungsform stellt eine sehr
gut reproduzierbare mehrlagige Antireflexschicht von hoher Stabilität dar, wozu noch weitere Vorteile kommen, wie die leichte Aufdampfbarkeit
von Fluoriden bei der Herstellung, die chemischen Eigenschaften der gegen Wasser und Chemikalien gut beständigen
Schicht und die physikalischen Eigenschaften, nämlich die gute Lebensdauer
und Verschleissfestigkeit. Die spektralen Eigenschaften bzw. der Aufbau der ersten Ausführungsform and in den Figuren 8
bzw. 9 wiedergegeben.
Die erste Aus führungs form zeigt, wie erwähnt, dass die Substratlage
(aus CaF2 oder Quarzglas bestehend) gegen die dritte Lage in der
pseudosymmetrischen.Dreilagenschicht ausgetauscht ist. Nach einer zweiten Ausführungsform der Erfindung ist eine Lage zwischen die
Substratlage und die pseudosymmetrische Dreilagenschicht eingeschoben,
so dass die Substratlage flir die pseudosymmetrische Dreilagenschicht
optimiert werden kann (die Schicht besteht aus einer ersten, an Luft angrenzenden Lage -τ aus Kryolith, MgFp ο.dgl.,
einer zweiten Lage 4 aus LaF-., NdF-, o.dgl., und einer dritten
Lage -j aus LiF, MgF2, Kryolith u.dgl.). Seien η bzw. — Bre-
- 14 -
309823/0094
Gase 183 4f O 1 c r ο f r
Z 1653 l5
chungskoeffizient "bzw. Schichtstärke jener angrenzenden Lage. Dann
wird der Brechungskoeffizient der Substratlage für eine Wellenlänge "^ , die bestimmt ist durch S- ^- - — , durch die angrenzende
Lage äquivalent zu der folgenden Gleichung: :
%, ■ i
Es wird angenommen, dass, wen λ = )\ , der Brechungskoeffizient
der Substratlage für den UV-Bereich durch die angrenzende Lage ver-
anlasst ist zu werden und äquivalent n"^1. Zwischen nV und η besteht
dann folgende Beziehung:
ίΓο + 1 eT + k
wobei a = η + -~ (18)
k = (n2 - l)(nj - n2) -^- cos2G (19)
8 πι
c * 2jCBä L·
(20)
Λε λ
Durch passendes Einfügen der Lage ^r, lassen die Substratmaterialien
und die an das Substrat angrenzende Lage 4 eine Wirkung erzielen wie ein Substrat, dessen Brechungskoeffizient praktisch äquivnlent
η /η ist, und man entnimmt der Gleichung (17), dass ein
derartiger Brechungskoeffizient Dispersion im Randbereich liefert.
- 15 -
309823/009/;
Case 183 *+
Die zweite Ausführungsform stellt ein Beispiel dar, bei dem eine Lage 4· , die der dritten der pseudosymmetrischen drei Lagen gleich
und praktisch in der beschriebenen Weise hergestellt ist, eingefügt
wird, um den Brechungskoeffizienten des Substrats zu korrigie ren und die spektralen Eigenschaften im gesamten Wellenlängenbereich
zu verbessern. Die zweite Ausführungsform zeigt folgenden
Aufbau:
wobei, wenn eine Lage ^, deren Brechungskoeffizient fast gleich
dem der ersten oder an Luft angrenzenden Lage 4- ist, für die dritte und vierte Lage 4, 4- substituiert wird, (T - 21) folgendermassen
zu schreiben ist:
ns - \ - \ - τ - Luft (T - 2)
Bei der zweiten, dem Aufbau (T - 2) folgenden Ausführungsform besteht
die erste, an Luft angrenzende Lage aus Fluoriden mit niedrigen Brechungskoeffizienten, also aus Kryolith, CaF2* MgF2, LiF
ο.dgl., die zweite Lage besteht aus LaF-, und NdF-, und ähnlichen
Fluoriden, deren Brechungskoeffizienten in der Grössenordnung von 1,6 liegen, und die dritte, an das Substrat angrenzende Lage 4
besteht aus LiF, MgF2 und ähnlichen Fluoriden, deren Brechungskoeffizienten etwas niedriger sind als der der Substisfclage. Die
zweite Ausführungsform stellt somit eine mehrlagige Antireflexschicht
van ausgezeichneter Stabilität und guter Reproduzierbarkeit
dar, deren Reflexionsgrad für den UV-Bereich (200 bis 400 nm)
nur etwa 1$ bis etwa 1,5$ beträgt.
3 0 9 8 2 8~7 O6O 9
Die spektralen Eigenschaften bzw. der Aufbau der der Form (T - 2) entsprechenden zweiten Ausführungsform sind wiedergegeben in Fig.11
bzw. Fig. 10.
Bei einerdritten Ausführungsform der Erfindung wird ein optimaler
Brechungskoeffizient einer geeigneten einlagigen Schicht 4A durch
die Vektormethode in der gleichen Weise erreicht, wie sie in Verbindung mit der ersten Ausführungsform beschrieben wurde. Damit
ist eine pseudosymmetrische Dreilagensdiicht gegeben, die diesen
Brechungskoeffizienten liefert^ Die erste, an Luft angrenzende
Lage -r besteht aus LiP, Kryolith, MgF2 und CaF2, die zweite
Lage j, besteht aus LaF,, NdF-* undähnlichen Substanzen, und eine
Lage 4, deren Brechungskoeffizient eine passende Grosse zwischen den Brechungskoeffizienten der ersten und der zweiten Lage hat,
wird als dritte Lage benutzt. Das Ergebnis stellt äne chemischphysikalisch
stabile Antireflexschicht mit ausgezeichneter Reproduzierbarkeit
dar:
ns - } - } - } - Luft . (T - 3)
Aufbau bzw. spektrale Eigenschaften der dritten Ausführungsform
der Erfindung sind in den Figuren 12 bzw. 13 dargestellt.
- 17 -
309828/0094
Claims (1)
- Patentansprüche1.; Pseudosymmetrische Dreilagenschicht, gekennzeichnet durch eineerste Lage mit einem Brechungskoeffizienten n. , der so bestimmt ist, dass sich eine starke Dispersionswirkung im Rand- -ei bereich ergibt, durch eine zweite Lage mit einem Brechungskoeffizienten np, durch eine dritte Lage mit einem Brechungskoeffizienten n^ und durch eine symmetrische Anordnung der
drei Lagen, wobei die erste und die dritte Lage mit einer
—— *\0,2 nahekommenden Asymmetrie versehen sind, in der Aru eine Asymmetriekomponente darstellt, so dass ein beabsichtigter Brechungskoeffizient η für den gesamten Ultraviolettbereich erzielbar ist, und wobei die optische Stärke der Schicht ausgedrückt wird durch:« 1, 2(a) Ljonr-i _i—i - . ,4,, f \ti J WcIlXl -. — — jP "Ξ ''n = mln(n, , no)Xi1 + n2 12309828/0094- 18 -Case 183 ή$U (2 7f,wobei ,α. χ ^. μ, ,P 1^'ncl2 UlO ψ "εCb)wenn cogGn/(n< H- n?) η ~ ßiaxin. ,(c)1 cosG = η, <ll + ("2/(1I1 + η2))2] - ^/^ + η.nldl 22nldl n2d2wobei n^ den Brechungskoeffizienten der ersten Lage, A einegeeignete Wellenlänge im Randbereich und λ die zentrale WeI-lenlänge bedeutet.2. Schicht nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Lage gegen ein Substrat ausgetauscht ist.■}. Schicht nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass eine zusätzliche Lage j zwischen der ersten Lage und dem Substrat angeordnet ist, um den Brechungskoeffizienten des Substrats zu korrigieren.- 19 -309828/0094ZOCase 1834. Schicht nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass eine zusätzliche Lage j zwischen der ersten Lage und dem Substrat angeordnet ist, um den Brechungskoeffizienten des Substrats zu korrigieren, und dass die Brechungskoeffizienten der ersten Lage und der zusätzlichen Lage -j gleich sind.5. Antireflexschicht mit der pseudosymmetrischen Dreilagenschicht nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die Schicht aus Fluoriden aufgebaut ist.-PO-309828/0094
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP45120942A JPS5040668B1 (de) | 1970-12-29 | 1970-12-29 |
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DE2165315B2 DE2165315B2 (de) | 1977-09-22 |
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ID=14798768
Family Applications (1)
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- 1971-12-29 DE DE19712165315 patent/DE2165315B2/de not_active Withdrawn
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BHN | Withdrawal |