DE4442045A1 - Interferenzfilter - Google Patents
InterferenzfilterInfo
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- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/28—Interference filters
- G02B5/285—Interference filters comprising deposited thin solid films
- G02B5/288—Interference filters comprising deposited thin solid films comprising at least one thin film resonant cavity, e.g. in bandpass filters
Description
Die Erfindung betrifft ein optisches Interferenzfil
ter zur Filterung eines bestimmten Spektralbereiches
aus dem elektromagnetischen Spektrum im UV-, VIS- und
NIR-Bereich wesentliche Anwendungsbereiche solcher
Interferenzfilter sind die optische Meßtechnik und
die Optik für Photo-, Print- und Videotechnik und
dabei insbesondere der Bereich optischer Sensoren und
mikrooptische und mikroelektronische Verwendungsmög
lichkeiten.
Interferenzfilter gehören zu den klassischen Anwen
dungen dünner optischer Schichten. Von Geffcken [W.
Geffcken, DRP 716,153 (1942)) wurde das erste Dünn
schicht-Fabry-Perot-Filter durch Aufdampfen im Hoch-
Vakuum praktisch realisiert, indem zwischen zwei
hochreflektierende, aber noch teildurchlässige Me
tallschichten eine dielektrische Abstandsschicht mit
definiert eingestellter Dicke angeordnet wurde. Die
Schichtfolge Metallschicht/Dielektrische Schicht/Me
tallschicht ist als Metall-Dielektrik-Filter der er
ste von drei Filtergrundtypen.
Die hochreflektierenden Metallschichten in der Fabry-
Perot-Anordnung sind sehr schnell durch dielektrische
Wechselschichtsysteme ersetzt worden [H. D. Polster,
J. Opt. Soc. Am. 42, 347-350 (1952)]. Sowohl die Ab
standsschicht als auch die Reflektoren sind jetzt
rein dielektrische Schichten, das so bezeichnete All-
Dielektrik-Filter ist der zweite Filtergrundtyp.
Die Interferenz in dünnen optischen Schichten ermög
licht auch die Entspiegelung von Metallschichten. Von
Berning und Turner [P. H. Berning and A. F. Turner,
J. Opt. Soc. Am. 47, 230-239 (1957)] stammt dazu die
Theorie der Induzierten Transmission. Der Schichtauf
bau dielektrisches Schichtsystem/Metallschicht/die
lektrisches Schichtsystem unter der Bedingung, daß
die Reflexion des Systems bei der Filterwellenlänge
Null ist, wird als Induced-Transmission-Filter be
zeichnet und stellt den dritten Filtergrundtyp dar.
Die Qualität und Eignung von Interferenzfiltern wird
durch seine Filterfunktion bestimmt, wesentlich ist
dabei der Verlauf der Transmission in Abhängigkeit
Von der Wellenlänge, mit einem Durchlaßbereich hoher
Transmission und einem Sperrbereich sehr niedriger
Transmission.
Folgende Parameter sind dabei wesentlich:
- - die Peaktransmission (maximale Transmission im Durchlaßbereich);
- - die Halbwertsbreite (spektrale Breite des Durch laßbereiches bei der halben Peaktransmission);
- - der Q-Wert (Form des Durchlaßbereiches als Quo tient aus Zehntelwertsbreite und Halbwertsbrei te, wobei die Zehntelwertsbreite die spektrale Breite bei einem Zehntel der Peaktransmission ist);
- - die Mittenwellenlänge, (eigentliche Filterwel lenlänge);
- - die Blocktiefe (maximal zulässige Transmissions wert im Sperrbereich) und
- - den Sperrbereich selbst durch Angabe des Wellen längenbereiches, indem die Blocktiefe erreicht werden muß.
Notwendig ist bei der Festlegung der Filterfunktion
immer ein Kompromiß zwischen der zu erreichenden
Peaktransmission im Durchlaßbereich, der Blocktiefe
im Sperrbereich und der Breite des Sperrbereiches, da
die Möglichkeiten zur Beeinflussung des Sperrberei
ches immer auch die Transmission im Durchlaßbereich
beeinflussen.
Bei den bisher bekannten Interferenzfiltern ist für
die Filterung eines bestimmten Spektralbereiches aus
dem elektromagnetischen Spektrum die Blockung uner
wünschter Strahlung erforderlich, d. h. die nahezu
Vollständige Unterdrückung der durchgehenden Strah
lung in einem breiten Spektralbereich. Dazu reichen
die genannten Filtergrundtypen nicht aus, so daß zu
sätzliche Blockelemente, die eine weitere, spektral
abhängige Unterdrückung der einfallenden Strahlung
ermöglichen, verwendet werden müssen. Blockelemente
können z. B. Glasfilter (Farbgläser) oder auch Dünn
schichtanordnungen sein. Metall-Dielektrik-Filter und
Induced-Transmission-Filter werden z. B. als Blockele
mente für All-Dielektrik-Filter eingesetzt. Weitere
Blockfilter aus rein dielektrischen Schichten, z. B.
Lang- und Kurzpaßfilter, können zusätzlich ent
sprechend gestellter Anforderungen an den Sperrbe
reich notwendig sein.
Interferenzfilter, die die gestellten Anforderungen
erfüllen sollen und einem der genannten drei Filter
grundtypen zugehörig sind, werden in der Regel durch
Hinzuziehung von Blockelementen, mit denen in Verbin
dung mit dem Filtergrundtyp die Parameter des Sperr
bereiches erreicht werden, gebildet. Beide werden in
der Regel inkohärent, d. h. ohne Interferenz ermögli
chende Kopplung durch geeignete Kitte, in einer fe
sten Halterung mit entsprechendem Luftabstand oder in
beliebigem Abstand ohne direkte Kombination miteinan
der verbunden. Im Gegensatz dazu ist eine kohärente
Kopplung zwischen Filter und Blockelementen möglich,
wenn Filtergrundtyp und Blockelement, z. B. ein All-
Dielektrik-Filter als Filtergrundtyp und ein Metall-
Dielektrik-Filter als Blockfilter, in einem Schicht
system durch eine geeignete dielektrische Kopplungs
schicht miteinander verbunden und in einem Beschich
tungsvorgang hergestellt werden.
Es ist weiter bekannt, diese Schichtsysteme auf Sub
straten abzuscheiden, die beispielsweise auch als
Glasfilter wirken können. Dabei bestimmt das Volumen
die Absorptionswirkung der Glasfilter und eine be
stimmte Dicke ist erforderlich, um die gewünschte
Blockung zu erreichen. Dies führt zu Gesamtdicken des
kompletten Interferenzfilters von mindestens einigen
Millimetern.
Der Filteraufbau erfordert auch eine mechanische Fas
sung oder einen alle Elemente in ihrer Lage fixieren
den Kittrand. Dies bewirkt zwar einen mechanischen
Schutz der Schichtkomponenten gegen Einwirkungen
der Umwelt, erhöht aber auch Masse, Größe und Her
stellungsaufwand.
Bei bekannten Metall-Dielektrik-Filtern werden wenig
stens drei Schichten in der Folge Metall/Dielektri
sche Schicht/Metall eingesetzt. Die gesamte Dicke der
Metallschichten wird im wesentlichen durch die ge
wünschte Teildurchlässigkeit im Durchlaßbereich des
Filters bestimmt. Die Materialauswahl zu den Metall
schichten berücksichtigt den Quotient aus Absorp
tions- zu Brechungsindex im Durchlaßbereich des Fil
ters und die Änderung des Quotienten im Sperrbereich.
Die Mittenwellenlänge des Filters bestimmt die Dicke
der Abstandsschicht, unter Berücksichtigung der Pha
senanpassung an die Metallschicht. Die Abstands
schicht kann zur Verringerung der Halbwertsbreite des
Filters in höherer Ordnung gewählt werden.
Für All-Dielektrik-Filter werden alternierend hoch-
und niedrigbrechende Schichten aus im Durchlaßbereich
des Filters nahezu absorptionsfreien Materialien ein
gesetzt, deren optische Dicke jeweils 1/4 der Mitten
wellenlänge beträgt (Lambda/Viertel-Schichten). Die
mittig angeordnete Abstandsschicht ist aus dem hoch-
oder niedrigbrechenden Material gebildet und hat eine
Dicke von λ/2 der Mittenwellenlänge oder weist eine
Dicke in höherer Ordnung davon auf. Es kann auch ein
weiteres Material im Wechselschichtsystem verwendet
werden, dessen Brechzahl zwischen denen der anderen
beiden Materialien liegt.
Bei den Induced-Transmission-Filtern ist zur Phasen
anpassung an die zwischen den Reflektoren befindliche
Abstandsschicht, die in diesem Fall metallisch ist,
eine dielektrische Schicht mit einer von λ/4 ab
weichenden optischen Dicke analog den Metall-Dielek
trik-Filtern vorhanden. Es sind auch mehrere Metall
schichten mit dazwischenliegenden dielektrischen
Schichten einsetzbar [J. H. Apfel, Appl. Opt. 6,
1303-1312 (1972)]. Dadurch kann bei relativ kleiner
Verringerung der Transmission im Durchlaßbereich die
Absorptionswirkung im Sperrbereich verbessert werden.
Auf Grund relativ starker Änderungen der komplexen
Brechzahl mit der Wellenlänge im Bereich guter Durch
lässigkeit der Metallschichten ist es sinnvoll, die
Dicke der einzelnen Schichten und die Anzahl der Pe
rioden aufeinander abzustimmen. Die Berechnungen zu
den Wechselschichtsystemen und den Schichtendicken
zur Phasenanpassung unterliegen bei den Induced-
Transmission-Filtern der speziellen Bedingung, daß
die Reflexion des Gesamtsystems für die Filterwellen
länge Null ist. Dazu werden aus der Theorie der Indu
zierten Transmission abgeleitete Formeln eingesetzt
[H. A. Macleod, Thin-Film Optical Filters, 2nd ed.,
p. 292-311 (Hilger, Bristol 1986)].
Alle drei Filtergrundtypen können im Mehr-Cavity-De
sign ausgebildet sein. Cavity bezeichnet die Anord
nung einer Abstandsschicht zwischen zwei Reflektoren.
Damit kann durch Hintereinanderschaltung mehrerer
Einheiten die Form des Durchlaßbereiches des Filters
beeinflußt werden. In diesem Fall ist jeweils eine
dazwischenliegende geeignete Kopplungsschicht erfor
derlich.
Der Transmissionsverlauf im Durchlaßbereich des Fil
ters zeigt in der 1-Cavity-Anordnung eine dreieckige
Form und wird durch 2-Cavity, 3-Cavity, usw. mit zu
nehmender Cavity-Zahl rechteckiger. Dabei kann in den
einzelnen Cavities eine unterschiedliche Ordnungszahl
der Abstandsschicht (verschiedene ganzzahlige Vielfa
che von λ/2) und unterschiedliche Reflexion bei den
Reflektoren verwendet bzw. ausgenutzt werden. Es be
steht somit die Möglichkeit, die Halbwertsbreite der
Filter in Richtung Erhöhung zu beeinflussen.
Bei den bekannten optischen Interferenzfiltern ist
der Einsatz verschiedener Komponenten und verschiede
ner Technologien zu ihrer Herstellung üblich. Filter,
die komplett nur aus einem Schichtsystem bestehen (1-
Systemfilter) mit dem Substrat als Glasfilter und
darauf abgeschiedenem Schichtstapel, gibt es nur für
wenige Parameterwerte. Metall-Dielektrik-Filter und
Induced-Transmission-Filter können so ausgeführt wer
den, weisen dann aber immer Halbwertsbreiten von meh
reren Prozent der Filterwellenlänge und in der Regel
nur geringe Blocktiefen auf. Für das Erreichen
kleiner Halbwertsbreiten sind höhere Ordnungen in den
Abstandsschichten und für große Blocktiefen ist der
Mehr-Cavity-Einsatz erforderlich. Das zwingt zum zu
sätzlichen Einsatz von Blockelementen, gestattet je
doch trotzdem nicht Halbwertsbreiten kleiner 1% der
Filterwellenlänge. Ebenso ist die Formung des Durch
laßbereiches zum Rechteck durch den Mehr-Cavity-Ein
satz bei Metall-Dielektrik-Filtern eingeschränkt und
bei Induced-Transmission-Filter erschwert bzw. ge
genwärtig nicht bekannt.
Die All-Dielektrik-Filter gestatten nahezu beliebige
Halbwertsbreiten und ermöglichen im Mehr-Cavity-Ein
satz sehr geringe Q-Werte, d. h. gute Formung des
Durchlaßbereiches zum Rechteck mit spektral sehr
steilen Übergängen vom Durchlaßbereich zum Sperrbe
reich. Sie erfordern jedoch immer die Kombination mit
mindestens zwei Blockelementen. Zur Sicherung der
Transmission, die die rein dielektrischen Schichten
theoretisch ermöglichen, werden Blockelemente in Form
von Glasfiltern und dielektrische Blockfilter einge
setzt. Es müssen mindestens drei inkohärent mitein
ander verbundene Komponenten verwendet werden. Kom
biniert man All-Dielektrik-Filter, wie bereits be
schrieben, mit einem Metall-Dielektrik-Filter oder
einem Induced-Transmission-Filter, so treten erheb
liche Transmissionsverluste auf.
Bei den herkömmlichen Interferenzfiltern ist ein ho
her Herstellungsaufwand erforderlich. Die zur Verbin
dung und zum Schutz verwendeten Kitte bedingen ver
schiedene Technologien und größere Filterabmessungen.
Außerdem ist eine Strukturierung nur begrenzt mög
lich. Bekannte 1-Systemfilter weisen hohe Schichten
zahlen auf, und es lassen sich nicht alle gewünschten
Parameter erreichen. Dieser Stand der Technik
schränkt insbesondere den Einsatz der Filter für ak
tuelle Anwendungen in der Optosensorik, der Mikroop
tik und der Mikrosystemtechnik, insbesondere durch
ihre nach wie vor bedingte Größe, stark ein.
Es ist daher Aufgabe der Erfindung, ein optisches In
terferenzfilter zur Filterung eines bestimmten Spek
tralbereiches aus dem elektromagnetischen Spektrum im
UV-, VIS- und NIR-Bereich zu schaffen, das als 1-Sy
stemfilter (besteht nur aus einem auf dem Substrat
abgeschiedenen Schichtsystem) auch optische Parameter
erreicht, wie sie bisher nur Filter leisten, die min
destens zwei inkohärent miteinander verbundene Fil
terkomponenten enthalten, und bei dem gegenüber be
kannten 1-Systemfiltern mit ähnlichen optischen Para
metern, die mindestens zwei kohärent miteinander ver
bundene Filterkomponenten enthalten, die Anzahl der
Schichten wesentlich reduziert ist.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch die im kenn
zeichnenden Teil des Anspruchs 1 enthaltenen Merkmale
gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbil
dungen des erfindungsgemäßen Interferenzfilters er
geben sich mit den in den untergeordneten Ansprüchen
genannten Merkmalen.
Dabei ist es besonders wesentlich, die Eigenschaften
von All-Dielektrikfiltern zu verbessern und dabei ein
aus mehreren Dielektrik- und Metallschichten gebilde
tes Stützsystem unsymmetrisch in das Filter einzubau
en. Vorteilhaft erfolgt der Einbau unsymmetrisch zur
Abstandsschicht (Kopplungsschicht) eines im Cavity-
Design ausgebildeten Filters.
Das Stützsystem soll dabei aus mehreren hintereinan
der angeordneten Metallschichten, die von dielektri
schen Schichten eingeschlossen sind, gebildet sein.
Die Summe der Dicken der eingebauten Metallschichten
sollte zumindest im Bereich der Metallmindestdicke
sein, um die gewünschte Blocktiefe bei nach wie vor
ausreichender Transmission mit dem erfindungsgemäßen
Filter zu erreichen.
Mit der Erfindung wird ein Schichtdesign bereitge
stellt, das eine erhebliche Reduzierung des Aufwandes
bei der Herstellung von optischen Interferenzfiltern
mit nur einer Herstellungstechnologie erreicht. Im
Normalfall ist die gesamte Dicke der Filter nur un
wesentlich größer als die Substratdicke. Ein weiterer
Vorteil ist die Vereinfachung des Entwurfs bestimmter
Interferenzfilter für eine vorgegebene Mittenwellen
länge und andere vorgegebene Parameter.
Die erfindungsgemäßen optischen Filter eignen sich
besonders für den Einsatz in Verbindung mit optischen
Sensoren, in der Mikrooptik und der Mikrosystemtech
nik. So ausgebildete Filter ermöglichen beispielswei
se Strukturierungen bei mikrooptischen Bauelementen.
Nachfolgend soll die Erfindung allgemein und an einem
speziellen Ausführungsbeispiel beschrieben werden.
Dabei zeigen:
Fig. 1 In einem Diagramm den Verlauf der Poten
tiellen Transmission Ψx des Basissystems
aus SiO₂/Al/SiO₂ bei der Wellenlänge
300 nm in Abhängigkeit von der Metall
schichtdicke dM mit dem Parameter Periode
nanzahl x;
Fig. 2 in einem zweiten Diagramm den Admittance-
Verlauf eines Basissystems aus
SiO₂/Al/SiO₂ bei der Wellenlänge 300 nm
in Abhängigkeit von der Metallschichtdicke
dM und Admittancewerte des All-Dielektrik-
Filters mit dem Parameter Periodenexponent;
Fig. 3 in einem dritten Diagramm die Reflexion
eines erfindungsgemäßen Filters gegen Luft
bei der Wellenlänge 300 nm in Abhängigkeit
der wachsenden Schichtdicke in der relati
ven Einheit Schichtenzahl;
Fig. 4 in einem vierten Diagramm die Transmission
in Abhängigkeit von der Wellenlänge für ein
erfindungsgemäßes Filter für 300 nm auf
Quarzglas mit Berücksichtigung der Glas
rückseite;
Fig. 5 in einem weiteren Diagramm die Transmission
in logarithmischer Darstellung in Abhängig
keit von der Wellenzahl (reziproke Wellen
länge) für das erfindungsgemäße Filter für
300 nm, auf Quarzglas mit Berücksichtigung
der Glasrückseite;
Fig. 6 den Vergleich der Transmission in logarith
mischer Darstellung in Abhängigkeit von der
Wellenzahl (reziproke Wellenlänge) für das
erfindungsgemäße Filter (metallgestützt),
ein vergleichbares Filter aus All-Dielek
trik-Filter und kohärent gekoppeltem
Induced-Transmission-Filter (ADF + ITF
kohärent) und einem vergleichbaren Filter
aus inkohärent verbundenen All-Dielektrik-
Filter, UV-Farbglas und dielektrischen
Kurzpaß (ADF + Farbgl. + KPF inkohärent);
Fig. 7 schematisch den Reflexionsverlauf bei der
Mittelwellenlänge in Abhängigkeit der geo
metrischen Dicke der einzelnen Schichten
eines erfindungsgemäßen metallgestützten
Interferenzfilters, und
Fig. 8 schematisch den Schichtaufbau des erfin
dungsgemäßen metallgestützten Interferenz
filters.
Für ein erfindungsgemäßes Filter kann ein All-Dielek
trik-Filter an einer geeigneten Stelle durch ein de
finiertes Teilsystem aus dielektrischen und me
tallischen Schichten, einem sogenannten Stützsystem,
erweitert werden, so daß die erforderliche Absorption
erreicht und die zulässige Transmission nicht unter
schritten wird, ohne daß zusätzliche Blockelemente
eingesetzt werden müssen. Beim Entwurf eines solchen
Filters werden die interferenzoptischen Zusammenhänge
mit Hilfe eines Algorithmus behandelt, um Entschei
dungen entsprechend den optischen Anforderungen tref
fen zu können. Wird dabei kein eindeutiges Ergebnis
erhalten, kann der Zyklus mit entsprechenden Daten
änderungen erneut durchlaufen werden. Bevorzugt wird
das in einem solchen Fall verwendete Metallmaterial
für das Stützsystem ausgetauscht. Auf diese Weise
können Interferenzfilter als 1-Systemfilter für be
liebige Parametersätze entworfen werden. Hierfür ist
die Nutzung eines Programms zur Berechnung der Aus
breitung elektromagnetischer Wellen in geschichteten
Medien erforderlich, das in verschiedenen Varianten
verfügbar ist.
Ausgegangen wird bei der Lösung von der gewünschten
Filterfunktion, die durch das Interferenzfilter rea
lisiert werden soll, insbesondere sind Transmission
und Reflexion zu berücksichtigen. Zu beachten ist
auch der Kompromiß zwischen Peaktransmission und
Blocktiefe sowie das Design eines auch praktisch her
stellbaren All-Dielektrik-Filters, dessen Durchlaßbe
reich in Form und Breite der gewünschten Filterfunk
tion entspricht. Dabei wird auf die bekannten Verläu
fe der Brechzahlen in Abhängigkeit von der Wellenlän
ge der in dem All-Dielektrik-Filter verwendeten, im
Durchlaßbereich des Filters praktisch absorptions
freien dielektrischen Materialien zurückgegriffen.
Erforderlich ist jetzt die Realisierung der Blockung
im Sperrbereich bei Einhaltung der zulässigen Peak
transmission.
Für den Entwurf eines bestimmten Filters mit vorgege
benen Parametern, die dieser einhalten soll, wird ein
metallisches Material ausgewählt, mit dem im Durch
laßbereich des Filters teildurchlässige Schichten
hergestellt werden können. Voraussetzung sollte je
doch sein, daß das Herstellungsverfahren für die
Metallschicht mit dem der dielektrischen Schichten
für das All-Dielektrik-Filter kombinierbar ist (bei
spielsweise Beschichtung im Vakuum). Dabei muß der
Verlauf der komplexen Brechzahl in Abhängigkeit von
der Wellenlänge für das ausgewählte Metall bekannt
sein. Bevorzugte Metalle sind Aluminium, Silber,
Gold, Rhodium oder Kupfer. Für dieses Material wird
dann die Metallmindestdicke, das ist die Dicke, die
eine Einzelschicht besitzen muß, um eine Transmission
der Schicht gegen die Außenmedien mit der Brechzahl 1
im gesamten Sperrbereich des gewünschten Filters
kleiner oder gleich der geforderten Blocktiefe zu
erreichen, mit bekannten Formeln berechnet.
Weiter wird mit diesem Material und einem der Mate
rialien, das SiO₂, MgF₂, TiO₂, Ta₂O₅, ZrO₂, HfO₂, Y₂O₃,
Al₂O₃, Nb₂O₅, ZnS, Na₃AlF₆ oder LaF₃ sein kann, ein
Aufbau aus drei Schichten gewählt, der nachfolgend
als Basissystem bezeichnet wird. Die erste Schicht
des Basissystems besteht aus dem praktisch absorp
tionsfreien Material und wird als Phasenschicht be
zeichnet, daran schließt sich die Metallschicht als
teildurchlässige Schicht aus dem metallischen Materi
al an, und die danach folgende dritte Schicht ist mit
der ersten identisch. Für dieses Basissystem wird
jetzt die potentielle Transmission in Abhängigkeit
von der Dicke der Metallschicht bis zur Metall
mindestdicke unter der Bedingung berechnet, daß die
Reflexion des Systems bei der Mittenwellenlänge des
konzipierten Filters Null ist, was wieder mit aus der
Theorie der Induzierten Transmission bekannten For
meln durchgeführt wird.
Die so berechneten Werte werden ganzzahlig bis etwa
zum Exponentenwert 6 potenziert und alle Werte in ein
Diagramm gezeichnet (Fig. 1). Nachfolgend wird die
Metallmindestdicke durch die Exponenten geteilt und
entsprechend dieser Teildicken werden die zugehörigen
Werte der potenzierten potentiellen Transmission im
Diagramm markiert. Die erforderliche Peaktransmission
wird zusätzlich als Mindesttransmission durch eine -
Gerade dargestellt. Mit dieser Vorarbeit ist es mög
lich, den Exponenten, dessen zugehöriger Teildicken
wert eine mit diesem Exponenten potenzierte poten
tielle Transmission liefert, die bezüglich abnehmen
der Schichtdicke das erste Mal gleich oder größer der
Mindesttransmission ist, zu bestimmen. Der Schnitt
punkt der zu diesem Exponenten gehörigen Kurve der
potentiellen Transmission mit der Mindesttransmission
liefert, die maximale Stützdicke dsmax. Der zugehörige
Teildickenwert des darauf folgenden Exponenten wird
als minimale Stützdicke dsmin definiert. Diese minima
le Stützdicke dsmin sollte bestimmt werden, um zu be
rücksichtigen, daß es für periodische Metall/Dielek
trik-Stapel sinnvoll ist, möglichst dicke Schichten
einzubringen, aber mit möglichst hoher Periodenzahl
und mit hoher potentieller Transmission zu arbeiten.
Der nächste Schritt ist dann die Berechnung der Ad
mittance für das gewählte Basissystem in Abhängigkeit
von der Dicke der Metallschicht bis zur Metallmin
destdicke. Dabei wird wiederum, wie bereits beschrie
ben, unter der Bedingung berechnet, daß die Reflexion
des Systems bei der Mittenwellenlänge des konzipier
ten Filters Null ist, und der ermittelte Verlauf in
einem Diagramm (Fig. 2) dargestellt. In dieses Dia
gramm werden auch die minimale und maximale Stütz
dicke aufgenommen. Der dann entnehmbare mögliche
Dickenbereich liefert einen den Wünschen entsprechen
den breiten Admittancebereich.
Anschließend daran wird die Admittance für das All-
Dielektrik-Filter nach bekannten Methoden der Inter
ferenzschichtoptik für die Stellen im Schichtaufbau
berechnet, bei denen bei der Mittenwellenlänge aus
schließlich reelle Admittancewerte vorliegen. Zur
Verallgemeinerung wird für das Außenmedium mit der
Brechzahl 1 gerechnet. Die reellen Admittancen werden
mit den zugehörigen Schichtenzahlen in das Admittan
cediagramm (Fig. 2) für das Basissystem eingezeich
net. Daraus wird die Admittancegerade, die den Admit
tanceverlauf des Basissystems zwischen der minimalen
und der maximalen Stützdicke schneidet, ausgewählt
(in Fig. 2, p = 3). Kommen dabei zwei Möglichkeiten in
Betracht, wird die die größere Schichtdicke liefernde
weiter verwendet. Die entnehmbaren Werte für Schicht
dicke und Admittance werden mit Stützdicke bzw.
Stützadmittance bezeichnet. Der Wert der potentiellen
Transmission für die Stützdicke innerhalb des durch
die Teildicken begrenzten Transmissionsbereiches lie
fert den entsprechenden Stützexponenten, im Beispiel
x = 4.
Ist kein Schnittpunkt des Admittanceverlaufs mit ei
ner Admittancegeraden ermittelbar, kann die geforder
te Blockung mit dem ausgewählten Materialien nicht
erreicht werden, das ausgesuchte All-Dielektrik-Fil
ter kann für das Blockverfahren ungeeignet sein, oder
die Parameter der Filterfunktion sind mit einem 1-
Systemfilter nicht realisierbar. In diesem Fall wird
das ganze Verfahren mit der Auswahl eines anderen ge
eigneten metallischen Materials, eines anderen die
lektrischen Materials in dem Basissystem, mit einem
anderen geeigneten All-Dielektrik-Filter oder mit ge
änderter Filterfunktion an entsprechender Stelle er
neut durchgeführt.
Für bestimmte Anwendungen, bei denen Abstriche an die
geforderten Parameter gemacht werden können, kann
geprüft werden, welche Parameter ohne exakte Anpas
sung, d. h. ohne vorliegen eines Schnittpunktes, er
reichbar sind. In diesem Fall wird die minimale
Stützdicke als Stützdicke gesetzt, der zur entspre
chenden potentiellen Transmission zugehörige Exponent
wird dann Stützexponent und als Stützadmittance gilt
in diesem Fall der nächstliegende Wert einer Admit
tancegeraden des All-Dielektrik-Filters.
Das eigentliche Stützsystem S wird dann - entspre
chend der Anzahl, die durch den Stützexponenten x
vorgegeben wird - durch mehrfache Aneinanderreihung
des aus Metallschicht mit der Stützdicke und den
beidseitig angelagerten identischen Phasenschichten
bestehenden Basissystems gebildet. Abschließend wird
das All-Di-elektrik-Filter an der durch die Stütz
admittance definierten Stelle mit dem Stützsystem er
weitert und bleibt ansonsten unverändert. In diesem
neuen Design wird es als metallgestütztes Interfe
renzfilter bezeichnet. Da nach den Bedingungen der
Induzierten Transmission die Reflexion durch das
Stützsystem bei entsprechend angepaßten Außenmedium
Null ist, wird die Reflexion im All-Dielektrik Filter
durch das eingeschobene Stützsystem nicht verändert.
Im Gegensatz dazu wird aber die Transmission auf
Grund der eingeschobenen Metallschichten etwas ver
mindert.
Alle Parameter der Filterfunktion des metallgestütz
ten Filters können vorab bestimmt und mit den Vorga
ben verglichen werden.
Werden die Vorgaben nicht erreicht, ist eine erneute
Bestimmung mit anderen Materialien oder anderem Auf
bau des Filters durchzuführen.
Das nach der vorgeschlagenen Methode entworfene me
tallgestützte Interferenzfilter ist immer ein 1-
Systemfilter und unter den eingangs genannten Voraus
setzungen mit einem Beschichtungsverfahren herstell
bar. Die Anzahl der Schichten ist für die geforderte
Filterfunktion interferenzoptisch immer ein absolutes
Minimum.
In der Fig. 7 ist für ein ausgeführtes erfindungs
gemäßes Interferenzfilter die Reflexion für die ein
zelnen Schichten ähnlich wie in der Fig. 3 darge
stellt. Dabei wird das Stützsystem S nachfolgend an
ein Schichtsystem aus reinen Dielektrikschichten mit
jeweils alternierend aufgebrachten, optisch hoch und
niedrig brechenden Materialien einseitig vor der Ab
standsschicht HA des Filters angeordnet. Auf der an
deren Seite der Abstandsschicht HA schließt sich wie
der ein System von Dielektrikschichten, die wieder
alternierend optisch hoch und niedrig brechend ange
ordnet sind, an.
Das Stützsystem S kann aber auch in entgegengesetzter
Richtung nach der Abstandsschicht HA aufgebracht
sein.
In der Fig. 8 ist der Schichtaufbau eines erfin
dungsgemäßen Interferenzfilters dargestellt. Dabei
schließen sich an das Substrat jeweils wechselnd hoch
und niedrig brechende λ/4 Dielektrikschichten H, L
an, danach wird das aus niedrigbrechenden, dielektri
schen Schichten L und Metallschichten M gebildete
Stützsystem S eingefügt und wiederum daran anschlie
ßend können entweder erneut, wie bereits beschrieben,
alternierend dielektrische Schichten L, H oder die
Abstandsschicht HA, aus einem hochbrechenden Materi
al, direkt aufgebracht sein. Anschließend an die Ab
standsschicht HA folgen wieder alternierend dielek
trische λ/4 Schichten L, H.
Gesucht wird ein UV-Interferenzfilter für 300 nm, des
sen Filterfunktion durch folgende Parameter gegeben
ist:
Mittelwellenlänge λ₀ = 300 nm
Peaktransmission Tmax 30%
Halbwertsbreite HWB 2 nm
Zehntelwertsbreite ZWB 5 nm
Blockbereich 200-270 nm und 340-1000 nm
Blocktiefe TS < 0,01%.
Mittelwellenlänge λ₀ = 300 nm
Peaktransmission Tmax 30%
Halbwertsbreite HWB 2 nm
Zehntelwertsbreite ZWB 5 nm
Blockbereich 200-270 nm und 340-1000 nm
Blocktiefe TS < 0,01%.
Die Filterfunktion kann im Durchlaßbereich von 270 -
340 nm mit einem All-Dielektrik-Filter aus hochbreche
nden ZrO₂- und niedrigbrechenden SiO₂-Schichten auf
Quarzglas als Substrat mit dem Design
1,5 [(H L)⁵ 2H (L H)⁵)] 1,0
realisiert werden. H und L stehen für die hoch- bzw.
niedrigbrechenden Schichten mit der optischen Dicke
von λ₀/4 und den Brechzahlen nH und nL, 2H steht für
eine H-Schicht mit dem Dickenfaktor 2. Die Exponenten
bedeuten, daß die Periode (H L) sooft wiederholt wird.
Die Zahlen vor bzw. nach der eckigen Klammer kenn
zeichnen das Substrat mit der Brechzahl nS bzw. die
Brechzahl n₀ auf der Seite des Lichteinfalls. Für die
verwendeten Brechzahlen in ihrer Abhängigkeit von der
Wellenlänge gilt Tabelle 1.
Die Auslegung eines metallgestützten Filters für das
gewünschte UV-Interferenzfilter erfolgt nach folgenden
Schritten:
- 1. Aluminium wird als metallisches Material gewählt, dabei gilt für den Verlauf von Brechungsindex nM und Absorptionsindex kM in Abhängigkeit von der Wellenlänge Tabelle 1.
- 2. Die für die Blocktiefe notwendige Metallmindest dicke wird mit dmin = 70 nm mit bekannten Formeln berechnet.
- 3. Für die Phasenschicht im Basissystem wird das niedrigbrechende Material gewählt, das Basissy stem hat dann die Form SiO₂-Schicht/Al- Schicht/SiO₂-Schicht. Die Fig. 1 zeigt den Verlauf der Potentiellen Transmission Ψ des Ba sissystem in Abhängigkeit von der Metallschicht dicke dM unter der Bedingung, daß die Reflexion des Systems bei der Mittenwellenlänge Null ist. Die Berechnung erfolgt nach den aus der Theorie der induzierten Transmission bekannten Formeln mit und
- 4. Aus dem Diagramm in Fig. 1 werden für die mini male Stützdicke dSmin = 17,5 nm, die maximale Stützdicke dSmax = 25 nm und für den Stützexponent x = 3 oder x = 4 ermittelt.
- 5. Für das Basissystem wird die Admittance µS in Ab hängigkeit von der Metallschichtdicke dM ermit telt und in Fig. 2 dargestellt. Für die Berech nung gilt die aus der Theorie der induzierten Transmission bekannte Formel unter Benutzung der Formeln (2) bis (5) und mit nD = nL.
- 6. Für das All-Dielektrik-Filter werden gegen die Außenmedien mit der Brechzahl 1 für die Reflek toren die reellen Admittancewerte µA ermittelt: wobei p der laufende Periodenexponent bedeutet. Für die Berechnung gilt die aus der Interferenzschichtop tik bekannte Formel mit den entsprechenden Brechzahlen bei der Mittenwel lenlänge und nS = 1. Die Admittancen sind in Fig. 2 eingezeichnet.
- 7. Der Schnittpunkt von Admittanceverlauf des Basis systems und einer Admittancegeraden des All-Die lektrik-Filters zwischen minimaler und maximaler Stützdicke in Fig. 2 liefert für die Stützdicke dS = 20.5 nm, was den Stützexponenten endgültig mit x = 4 festlegt, und für die Stützadmittance µS = 0,1329. Für die Stützperiode gilt p = 3.
- 8. Das Stützsystem hat die Form µS (cSL dSM cSL)x µSbzw. mit den konkreten WertenµS (0,815L 20,5M 0,815L)⁴ µSwobei cS für die optische Dicke der Phasenschicht und dS für die geometrische Dicke der Metallschicht steht. cS ist mit (2) bis (5) und nD = nL nach der aus der Theorie der Induzierten Transmission bekannten Formel berechnet worden.
- 9. Das All-Dielektrik-Filter wird nach 6 Schichten bzw. 3 Schichtpaaren mit dem Stützsystem erwei tert und anschließend unverändert belassen. Das fertige metallgestützte Interferenzfilter hat das Design 1,0 [(H L)³ (0,815L 20,5M 0,815L)⁴ (H L)² 2H (L H)⁵) 1,0
Die Fig. 3 zeigt für das Beispiel den für ein metall
gestütztes Filter typischen Verlauf der Reflexion in
Abhängigkeit von den Schichten bei der Mittenwellen
länge. Die Fig. 4 und 5 zeigen den Transmissions-
Verlauf im Durchlaßbereich bzw. im gesamten Bereich
des fertigen Filters auf einem Quarzsubstrat mit Be
rücksichtigung der Substratrückseite.
In der Fig. 6 sind vergleichsweise gegenübergestellt,
mit der Transmission in logarithmischer Darstellung in
Abhängigkeit von der Wellenzahl (reziproke Wellenlän
ge), das Beispiel für das erfindungsgemäße Filter (me
tallgestützt), ein vergleichbares Filter aus All-Die
lektrik-Filter und kohärent gekoppeltem Induced-Trans
mission-Filter (ADF + ITF kohärent) und ein Vergleich
bares Filter aus inkohärent verbundenem All-Dielek
trik-Filter, UV-Farbglas und dielektrischen Kurzpaß
(ADF + Farbgl. + KPF inkohärent).
Die eingangs geforderten Parameter der Filterfunktion
sind bei diesem Beispiel erreicht und somit keine
weiteren Blockelemente notwendig. Die Schichtenzahl
von 29 stellt interferenzoptisch ein absolutes Minimum
dar. Ein vergleichbares System mit der bekannten
kohärenten Kopplung von Induced Transmission-Filter
und All-Dielektrik-Filter ist dagegen beispielsweise
mit 43 Schichten herstellbar, ein solches mit bekann
ter inkohärenter Kombination besteht mindestens aus
All-Dielektrik-Filter, Farbglas und UV-Kurzpaßfilter
(Fig. 6).
Claims (6)
1. Interferenzfilter, das aus einer Kombination aus
ausschließlich aus dielektrischen Schichten und
in alternierender Folge aus dielektrischen und
metallischen Schichten gebildeten Teil, in einer
Cavity-Anordnung eine Abstandsschicht aufwei
send, gebildet ist,
dadurch gekennzeichnet,
daß ein aus den Metall- und Dielektrikschichten
gebildetes Stützsystem (S) in das Filter unsym
metrisch eingefügt ist.
2. Interferenzfilter nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß das Stützsystem (S)
unsymmetrisch zur Abstandsschicht (HA) in den
aus alternierend hoch- und niedrigbrechendem
dielektrischen Material (H, L) gebildeten Teil
eingefügt ist.
3. Interferenzfilter nach einem der Ansprüche 1
oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß die Summe der Dicken
der Metallschichten (M) des Stützsystems (S) in
etwa den Wert einer Metallmindestdicke (dmin)
erreicht.
4. Interferenzfilter nach einem der Ansprüche 1
bis 3,
dadurch gekennzeichnet, daß auf einem Substrat
die einzelnen Schichten (L, H, HA, M) mit einem
einzigen Beschichtungsverfahren aufbringbar
sind.
5. Interferenzfilter nach einem der Ansprüche 1
bis 4,
dadurch gekennzeichnet, daß die Metallschichten
(M) des Stützsystems (S) aus Al, Ag, Au, Rh oder
Cu bestehen.
6. Interferenzfilter nach einem der Ansprüche 1
bis 5,
dadurch gekennzeichnet, daß die Dielektrik
schichten aus SiO₂, MgF₂, TiO₂, Ta₂O₅, ZrO₂, HfO₂,
Y₂O₃, Al₂O₃, Nb₂O₅, ZnS, Na₃AlF₆ oder LaF₃ gebildet
sind.
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