DE2156166B2 - Dämpfungsfreier elektronischer Schalter - Google Patents

Description

nete Durchschaltelemente enthält, unter Verwendung unkomplizierten Schaltung verhältnismäßig einfach

der Kombination eines NPN-Transistors und eines durchführen. Der elektronische Schalter beansprucht

PNP-Transistors, deren Kollektor-cinschlüsse jeweils in dieser Form wenig P.'atz und ist dadurch preis-

mit der Basis des anderen Transistors verbunden sind, günstig und in größerer Stückzahl pro Halbleiterchip

der ferner einen in Querrichtung der Leitung ange- 5 herstellbar.

ordneten, an seiner Basis-Emitter-Strecke steuerba- Insbesondere in integrierter Form sind als Durchren, die Durchschaltelemente steuernden Transistor schalt-Halbleiter bipolare Silizium-Transistoren unenthält, und bei dem in seinem Durchlaßzustand kompliziert realisierbar. Um bei diesen den Gleicheinem niederohmigen Längswiderstand ein hoch- strom auch bei variabler Außentemperatur konstant ohmiger Wechselstrom-Querwidersiand und in sei- io zu halten, ist es zweckmäßig, den Gleichstrom für nem Sperrzustand einem hochohmigen Längswider- den dämpfungsfreien Koppelpunkt durch einen stand ein niederohmiger Wechselstromwiderstand Stromgenerator einzuprägen. Es erweist sich hierbei zugeordnet ist. als besonders günstig, wenn zur hochohmigen Gleich-

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen stromspeisung des erfindungsgemäßen Schalters in elektronischen Schalter dieser Art so zu verbessern, 15 Längsrichtung der geschalteten Leitung statt eines daß er einen verschwindend kleinen Durchlaßwider- hochohmigen Widerstandes ein Transistor vorgesestand und eine hohe Sperrdämpfung aufweist. Die hen ist, der in an sich bekannter Weise als Strom-Aufgabe wird dadurch gelöst, daß ein ohmscher Wi- generator geschaltet ist.

derstand an den Emitteranschluß des PNP-Transi- In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung ist stors und ein ohmscher Widerstand an dessen Basis- 20 der erfindungsgeaiäße Schalter im Verbindungssatz anschluß jeweils mit einem Ende angeschlossen ist, eines Koppelfeldes zur Entdämpfung aller im Verdie beiden anderen Enden miteinander verbunden bindungszug liegenden dämpfungsbehafteten Halbsind und ein weiterer ohmscher Widerstand einerseits leiterkoppelpunkte geschaltet. Durch diese Lösung am steuerbaren Verbindungspunkt vom Basisanschluß können auch einfache und billige dämpfungsbehaftete des NPN-Transistors und Kollektoranschluß des 25 Halbleiter-Koppelpunkte mitverwendet und dadurch PNP-Transistors, andererseits am gemeinsamen Ver- weitere Kosten eingespart werden. Auch läßt sich in bindungspunkt der beiden anderen Widerstände an- Verbindung mit unsymmetrisch aufgebauten MOS-geschaltet ist. Koppelpunkten die Klirrdämpfung wesentlich ver-

Durch die erfindungsgemäßen Merkmale erhält bessern.

die Kombination des NPN-Transistors mit dem PNP- 30 Die Erfindung wird nun an Hand von Zeichnungen

Transistor im durchgeschalteten Zustand eine durch näher erläutert. Es zeigt

die Wahl der Widerstandswerte in weiten Grenzen F i g. 1 Schaltbild des negativen Widerstandes,

einstellbaren Durchlaßdämpfung, die in vorteilhafter F i g. 2 Kennlinie des negativen Widerstandes,

Weise verschwindend klein und darüber hinaus zum F i g. 3 Schaltbild eines dämpfungsfreien Schalters

Zwecke einer Leitungsentdämpfung auch negativ ein- 35 oder Koppelpunktes gemäß der Erfindung,

gestellt werden kann. In gesperrtem Zustand liegt die Fig. 4 Schaltbild eines dämpfungsfreien symme-

Sperrdämpfung bei einem Abschlußwiderstand von trischen Schalters oder symmetrischen Koppelpunk-

600 Ω des elektronischen Schalters über 11 Neper. tes gemäß der Erfindung.

Der erfindungsgemäße Schalter ist nunmehr als Kop- F i g. 1 zeigt die Schaltung des Negativwiderstanpelpunkt in Raumvielfach-Koppelfeldern einsetzbar. 40 des. Er wird gebildet aus der Kombination eines Bezüglich seiner Sperrdämpfung bzw. seines Sperr- NPN-Transistors TsI und eines PNP-Transistors Widerstandes ist er den Koppelpunkten, die aus me- Ts 2, deren Kollektor- und Basisanschlüsse jeweils chanischen Kontakten bestehen, mindestens gleich- miteinander verbunden sind. Ein ohmscher Widerwertig, so daß die Nebensprechdämpfungsforderun- stand R_Es ist an den Emitteranschluß und ein ohmgen, die das Koppelfeld betreffen, relativ leicht erfüllt 45 scher Widerstand R₈₂ an den Basisanschluß des werden können. Der Schalter arbeitet in beiden Rieh- PNP-Transistors jeweils mit einem Ende angeschlostungen, besitzt einen konstanten einstellbaren nega- sen. Die beiden anderen Enden der Widerstände sind tiven Widerstand, und ist damit in der Lage, uner- miteinander verbunden. Ein weiterer ohmscher Wiwünschte ohmsche Widerstände zu kompensieren. derstand R ist einerseits am Verbindungspunkt vom

Der Schalter ermöglicht es, den Durchschalt- 50 Basisanschluß des NPN-Transistors Ts 1 und Kollek-

elementen einen definierten negativen Widerstand in toranschluß des PNP-Transistors Ts 2 und anderer-

Durchlaßrichtung zu geben. Wird daher der erfin- seits am gemeinsamen Verbindungspunkt der beiden

dungsgemäße Schalter in Serie mit einem ohmschen anderen Widerstände A^₂ und Rβ angeschaltet. Fer-

Widerstand geschaltet, wobei der Absolutwert des ner ist der Emitter des Transistors Ts 1 an den nega-

Negativwiderstandes der Durchschaltelemente min- 55 tiven Pol der Betriebsspannungsquelle U₀ und der

destens denselben Wert wie der ohmsche Widerstand Verbindungspunkt der beiden Widerstände R_E2 und

aufweist, so schaltet der Schalter völlig dämpfungs- R_B über einen Widerstand R₀ an den positiven Pol

frei. Dieser Abgleich des Schalters läßt sich durch der Betriebsspannungsquelle U₀ angeschlossen.

Variation des Serienwiderstandes besonders einfach Die Arbeitsweise der Schaltung ist folgende: Bei

durchführen. 60 fehlender Betriebsspannung U₀ sind die Transistoren

Der erfindungsgemäße Schalter gestattet es, als TsI und Ts 2 gesperrt. Wird die Spannung U₀ ver-Transistorkombination der Durchschaltelemente eine größert, dann beginnt zunächst über die Emitterraumsparende und kostengünstige Thyristortetrode diode und den Widerstand R der Basisstrom F_{B t} und vorzusehen. über den Widerstand R_B der Kollektorstrom /_{c 1} des

Eine weitere Ausgestaltung der Erfindung sieht 65 Transistors TsI zu fließen. Dadurch ist der Emitter-

vor, daß der elektronische Schalter monolithisch in- strom des Transistors TsI und damit der Betriebs-

tegriert und dabei der PNP-Transistor lateral reali- strom

siert ist. Diese Ausgestaltung läßt sich infolge der I ~ I_n. + Ir·..

5 6

Ist der über den Widerstand R_B gelangende Strom- F i g. 2 zeigt die Kennlinie des in F i g. 1 gezeiganteil des Stromes / so groß geworden, daß die Emit- ten und erläuterten Negativwiderstandes. Abszisse ist terdiode des PNP-Transistors Ts2 leitend zu werden der Betriebsstrom/, Koordinate die Spannung U am beginnt, so setzt auch der Kollektorstrom /_{c 2} dieses Negativwiderstand. Mit steigendem Betriebsstrom Transistors ein. Dies bedeutet, daß bei praktisch 5 steigt die Spannung am Negativwiderstand an und gleichbleibender Spannung U₀ ein größerer Basis- erreicht beim Strom l_P ein Maximum mit dem Spanstrom /_Bl des NPN-Transistors TiI fließen kann, der nungawert U_P. Bei weiterem Anstieg des Betriebsden Kollektorstrom dieses Transistors und damit den stromes sinkt die Spannung am Negativwiderstand ab Spannungsabfall an R_B vergrößert, was ein weiteres und erreicht beim Betriebsstrom I₀ einen Minimai-Anwachsen des Kollektorstromes I_Cl des Transistors io wert U₀. Bei weiterem Anstieg des Betriebsstromes Ts 2 zur Folge hat. Die Transistorkombination be- nimmt die Spannung am Negativwiderstand wieder kommt somit ab einer bestimmten Spannung U₀ einen zu. Es gibt somit drei Strombereiche, nämlich den negativen Widerstand. Durch den Spannungsabfall Bereich I zwischen Null und 1_P, den Bereich II zwiam Begrenzungswiderstand R₀ verringert sich jetzt sehen I_n und I₀ und den Bereich III für Ströme die die Spannung U am Negativwiderstand bei gleich- 13 größer als I₀ sind. Der negative Widerstandsbereich zeitigem Anstieg des über den Negativwiderstand liegt im Bereich II. Die Kennlinie zeigt, daß es sich fließenden Stromes /. Die weitere Erhöhung von U₀ um einen leerlaufstabilen Negativwiderstand hanbringt eine weitere Vergrößerung des Stromes / und delt.

durch den größeren Spannungsabfall an R₀ die ent- Im Bereich I ist nur der Transistor Ts 1 leitend. Im

sprechende Abnahme der Spannung U mit sich. 20 Bereich HI sind beide Transistoren übersteuert. Im

Schließlich gelangen beide Transistoren durch Bereich II befinden sich die Transistoren im aktiven Übersteuerung in den Sättigungsbereich. Von da an Betriebszustand. Für den Wert des negativen Widerbewirkt die weitere Erhöhung der Spannung U₀ mit Standes, d. h. der differentiellen Steigung der Kennder Vergrößerung des Stromes / wieder ein Anstei- linie in einem Gleichstromarbeitspunkt U_a, /„ findet gen der Spannung U am Negativwiderstand. 25 man im Bereich II:

Z = *E = r_fl + ^-— [(I - h_lbl) Ov₂ + R_E2) - Α_/61Α_Λ2Λ_Β] (1)

al r_S2 + R_E2

Hierin bedeuten genüber Masse auf negativem Potential liegt. Dies

/V₁, r_et = Emitterdiffusionswiderstand des Tran- ™^{rd hie}.^{r durch die} Spannungsquelle U₁ angedeutet.

sistors Ts 1, Ts 2. Die Basis des Transistors Tj 3 ist über einen Wider-

Z !St negativ, wenn verwendet werden kann, ist durch einen strichlierten

h,_blh,_biR_B>(\ - h,_bl)(r_e2 + R_E2) ist. Rahmen gekennzeichnet.

40 Fig. 4 zeigt die der Fig. 3 entsprechende sym-

Man erkennt, daß durch geeignete Wahl der Tran- metrische Ausführung des dämpfungsfreien elektro-

sistorparameter h_fb, r_e und der äußeren Widerstände nischen Schalters.

R, R_B, R_Ei der negative Widerstand in weiten Gren- Wird der Wert des ohmschen Widerstandes R₁

zen einstellbar ist gleich dem Negativwiderstandswert Z gewählt, dann

In Fig. 3 ist gezeigt, wie der negative Widerstand 45 geschieht die Durchschaltung von Signalen, insbe-

zur Herstellung eines dämpfungsfreien elektronischen sondere von Wechselspannungen von 1 nach 2 und

Schalters, insbesondere als Halbleiterkoppelpunkt be- auch von 1 nach 1 dämpfungsfrei, wenn man durch

nutzt werden kann. Der Schalter ist zwischen den den Widerstand A₀ und die Betriebsspannung U₀ den

Sekundärwicklungen der Übertrager Ül und Ü 2 ge- Gleichstromarbeitspunkt des Negativwiderstandes

schaltet Das eine Ende der Sekundärwicklung des 50 U_a, l_a (F i g. 2) einstellt

Übertragers 01 liegt an Masse und damit am nega- Der Schalter ist eingeschaltet, wenn der Transistor tiven Pol der Betriebsspannungsquelle i/₀. Das an- Ts 3 bzw. die Transistoren Ts 3 und Ts 4 gespem dere Endet der Sekundärwicklung ist ober einen sind. Er ist ausgeschaltet, wenn diese Transistoren zum elektronischen Schaber gehörenden ohmschen durch eise Steuerspannung U_st — über den Wider-Widerstand R₁ am Emitter des Transistors TsI des 55 stand R₂ an deren BasisanscMuB — sieh im leRenbereits beschriebenen Negativwiderstandes aage- den, insbesondere im übersteuerten Zustand befinschlossen. Der Verbindungspunkt der Widerstände den. Je nach dem Grad der Übersteuerung diesel R _B und R_Ei des Negativwiderstandes fährt zum An- Transistoren zeigen de einen Durchlaßwiderstant schloß 2 der Sekundärwicklung des Übertrageis 02. von 1 bis 10Q. Darch die Häfespanasng Ui in dei Das nicht am Schalter angeschlossene Ende der Se- 60 Emittg der asren Ts 3 bzw. Ts 3 unc kundärwicklung des Übertrs 02 liegt durch einen Ts 4, wobei V₁ m vorteflhafter Weise größer als 2 \ Kondensator für Wecbseistroai auf Masse und ist gewählt wird, werden die Emitterdioden der Tran durch den Widerstand R₉ mit dem positiven Pol der sistoren TsI end Ts 2 des Negativwiderstandes ii Betriebsspamrangsquefle U₉ verbanden. Der Vertan- Sperrichtung vorgespannt und damit die Transistor« dungspnnkt des KoDektoranschlusses des PNP-Traa- 65 TsI and TsI and somit der Schalter bzw. der Kop sistors TsI and des Basisanschlusses des NPN-Tran- pelpunkt gesperrt, wenn die Transistoren Γϊ3 bzw sistors TsI ist außerdem mit dem Kollektor eines TsZ and Tsi leitend sind. NPN-Transistors Ts 3 verbunden, dessen Emitter ge- Die Kombination des leeriaafstabüen Negativwi

ist
am
om
ind
anbs-

ab
ialies
ier
len
widie
ich
•ch
in-

• ■ , Im
■ '.m

-I:·.en

W-. T-Κ:-, α . ίϊΐ.· et

LiiiLijdcut; t.
H-n Widi.rvcrhundfi.
er. der ·η
imvielfadiinpstechn k
iricnuciHil

■■■■ IC SVPl-

:xh 2 uri

;ΐ:;η dual

derstandes mit dem Steuertransistor Ts 3 bzw. den Steuertransistoren Ts 3 und Ti 4 führt so zum geschalteten Koppelpunkt, der keine Dämpfung aufweist und dessen Sperrdämpfung wegen der niederohmigen Ableitung durch die Transistoren Ts 3 bzw. Ts 3 und Ts 4 groß ist. Beispielsweise beträgt bei einem zu schaltenden Signal der Frequenz / < 4 kHz und bei einem Abschlußwiderstand von 600 Ω die Sperrdämpfung im allgemeinen über 11 Neper.

Wird der negative Widerstand Z größer gewählt als der positive Widerstand A₁ des Koppelpunktes, dann kann mit diesem Koppelpunkt auch eine Verstärkung der durchgeschalteten Signale erreicht werden. Dadurch ist der Einsatz dieses Koppelpunktes insbesondere im Verbindungssatz zur Entdämpfung eines Raumvielfachkoppelfeldes möglich, welches mit üblichen Halbleiterkoppelpunkten mit Dämpfungswiderständen von 10 bis 30 Ω realisiert ist. Gleichzeitig wird die Klirrdämpfung der durchgeschalteten Signale wesentlich verbessert. ^z°

Der Ersatz der Transistorkombination, bestehend aus den Transistoren Ts 1 und TsI, durch eine Thyristortetrode zum Aufbau des Negativwiderstandes ist möglich.

Die monolithische Integration des hier vorliegenden dämpfungsfreien Transistorkoppelpunktes ist verhältnismäßig einfach. Transistorinterne Kollektorbahnwiderstände werden wie äußere Widerstände mit entdämpft, sind also dem Koppelpunktwiderstand R₁ zuzuschlagen. Vergrabene Schichten, auch »buried layer« genannt, erweisen sich bei monolithisch integriertem Koppelpunkt im allgemeinen nicht mehr als notwendig, was seine diesbezügliche Ausführung einfach und relativ wenig kostspielig macht.

Der PNP-Transistor7sl wird bei seiner monolithischen Realisierung zu einem Transistor mit einer lateralen, d. h. in horizontaler Richtung wirkenden Zonenfolge, falls nicht eine technologisch schwierige und teuere Oxidisolation die beiden Transistoren TsI und Ts 2 voneinander trennt. Laterale Transistoren besitzen nach dem heutigen Stand der Technik für Kollektorströme über 2 mA Gleichstromverstärkungsfaktoren h_{F £} unter 5. Für kleine Kollektorströme von etwa ΙΟΟμΑ aber steigen die Gleichstromverstärkungsfaktoren dieser Lateralgebilde auf Werte von 30 bis 40 an. Weil die Transit<"~equenz (gain bandwidth product) des Koppelpunktes proportional zuir Stromverstärkungsfaktor bei Niederfrequenz h_/e dei Transistoren in Emitterschaltung ist, liegt die Transitfrequenz um so höher, je größer der Wert von h_fl ist. Dies bedeutet aber, daß der monolithisch integrierte dämpfungsfreie Koppelpunkt mit kleinem Kollektorstrom des Transistors Ts 2 betrieben werder muß, wenn der Koppelpunkt möglichst breitbandig sein soll.

Es bedeutet ebenso, daß für den Fall Breitbandigkeit und niedriger negativer Widerstand des Koppelpunktes, beispielsweise Z ss — 30 bis — 60 Ω, dei Transistor TsI einen relativ großen Kollektorstrom beispielsweise /_Cl = 12 bis 16 mA, führen muß, bezogen auf den Transistor Ts 2. Der Stromverstärkungsfaktor dieses NPN-Transistors Ts 1 ist aber bei diesem Kollektorstrom im allgemeinen h_u > 50.

Damit ist zugleich der mögliche Fall der Vertauschung der beiden Transistoren TsI und Ts 2 angedeutet, der auch eine Änderung des Leitungstyps der Steuertransistoren Ts 3 bzw. Ts 3 und Ts 4 unc eine Umpolung der Gleichspannungen LZ₀, IZ₁ und der Steuerspannung U_SI beinhaltet.

Um bei bipolaren Si-Transistoren den Gleichstrom im Arbeitspunkt bei variabler Außentemperatur konstant zu halten, ist es notwendig, deren Emitter-Basis-Spannung U_EB mit Erhöhung der Umgebungstemperatur um — 2 mV/° C zu ändern. Diese t/_EB-Änderung müßte auch bei dem im aktiven Bereich betriebenen Transistoren TiI und Ts2 des dämpfungsfreien Halbleiterkoppelpunktes vorgenommen werden. Um das zu erreichen, bietet sich die Möglichkeit an, den Koppelpunktwiderstand R_B temperaturabhängig zu machen, was z. B. durch Parallelschalten einer oder von zwei Si-Dioden geschehen kann.

Besser aber ist es, den Gleichstrom für den dämpfungsfreien Koppelpunkt durch einen Stromgeneratoi einzuprägen. Dies geschieht in an sich bekanntei Weise durch Ersatz des Widerstands R₀ durch einer bipolaren Transistor oder einen FET, dessen Arbeitspunkt so eingestellt werden muß, daß er im aktiver Bereich betrieben wird. Dann ist der Gleichstromarbeitspunkt für den Koppelpunkt im wesentlicher temperaturstabil.

d£l

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

7>ansist< f

gespert

.ly.stor" 1

Claims (6)

ι 2 Elektronische Schalter besitzen gegenüber mecha Patentansprüche: nischen Schaltern den Vorteil daß sie wesentlicf schneller und zuverlässiger schalten.

1. Dämpfungsfreier elektronischer Schalter, Werden die elektronischen Schalter durchHalb Insbesondere zur Verwendung als Halbleiter- ₅ leiter reaüsiert, hat man als weitere Vorteile, daß _s« Koppelpunkt in Raumvielfachkoppelfeldern der sehr Wein gebaut werden tonnen Sie sind nut eine, Fer^prechvermittlungstechnik, der aus in Längs- niedrigen Steuerleistung schaltbar und haben em ge richtung der zu schaltenden Leitung angeordne- ringes Gewicht

ten Durchschaltelementen besteht, unter Verwen- Der Nachteil der elektronischen Schalter ist je

dung der Kombination eines NPN-Transistors io doch, daß, wenn keine besonderen Vorkehrungen ge

(TsI) und eines PNP-Transistors (7*2), deren troffen werden, sie einen höheren Durchlaßwider

Kollektoranschlüsse jeweils mit der Basis des an- stand als mechanische Schalter besitzen. Sie weiser

deren Transistors verbunden sind, und der ferner damit eine mehr oder weniger große Dämpfung fiii

aus einem in Querrichtung der Leitung angeord- Signale auf, die über sie durchgeschaltet werder

neten, an seiner Basis-Emittsr-Strecke steuerba- 15 müssen.

ren, die Durchschaltelemente steuernden Transi- Die günstigsten Schalteigenschaften weisen elektro

!tor besteht, und bei dem in seinem Durchlaßzu- nische Schalter mit Halbleiter-Bauelementen auf. Mi

stand einem niederohmigen Längswiderstand ein einfachen Schabern lassen sich Sperrwiderständf

hochohmiger Wechselstrom-Querwiderstand und > 10* Ω und bei Durchlaßstromen bis zu etwa 20 mA

in seinem Sperrzustand einem hochohmigen 20 Durchlaßwiderstände von 5 bis 20 Ω relativ einfach

Längswiderstand ein niederohmiger Wechsel- realisieren.

stromwiderstand zugeordnet ist, d a d u r c h g e - Für die Anwendung der elektronischen Schalter ir

kennzeichnet, daß ein ohmscher Widerstand der Fernsprechvermittlungstechnik sind jedoch dies«

(Α*·,) an den Emitteranschluß des PNP-Tran- Widerstandswerte zu schlecht. Hier werden Sperr-

sisto'rs (Ts2) und ein ohmscher Widerstand (R_B) 25 widerstände > 10'Ω und Durchlaßwiderstände < 5 C

an dessen Basisanschluß jeweils mit einem Ende gefordert. Das Ziel sind möglichst dampfungsfreif

angeschlossen ist, und die beiden anderen Enden elektronische Schalter.

miteinander verbunden sind, und ein weiterer Bei einer bekannten Lösung ist zur Leitungs-

ohmscher Widerstand (Λ) einerseits am Steuer- entdämpfung dämpfungsbehafteten elektronischer

baren Verbindungspunkt vom Basisanschluß des 30 Schaltern ein steuerbarer, transistorbestückter Zwei-

NPN-Transistors (TjI) und Kollektoranschluß richtungsverstärker in Serie geschaltet. Zweirich-

des PNP-Transistors (TsZ), andererseits am ge- tungsverstärker der bekannten Art sind jedoch sehi

meinsamen Verbindungspunkt der beiden ande- aufwendig und nehmen viel Platz in Anspruch. Sie

ren Widerstände (R_E2,R_B) angeschaltet ist. sind nicht integrierbar und haben außerdem der

2. Dämpfungsfreier Schalter nach Anspruch 1, 35 Nachteil eines hohen Stromverbrauchs.

dadurch gekennzeichnet, daß er in Serie mit Ferner ist die Anwendung elektronischer Schaltei

einem ohmschen Widerstand (R₁) geschaltet ist, als Halbleiterkoppelpunkte in den Kreuzungspunk-

wobei der Absolutwert des Negativwiderstandes ten der Zeilen und Spalten der matrixförmig aufge-

der Durchschaltelemente mindestens denselben bauten Raumvielfachkoppelfelder der Fernsprech-

Weit wie der ohmsche Widerstand aufweist. 40 vermittlungstechnik bekannt (Conference on Elec-

3. Dämpfungsfreier elektronischer Schalter tronic Telephone Exchange, Proc. IEE, Part B Supphach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß lement, Vol.107, Nr. 20, November 1960). Diese als Transistorkombination (TsI, Ts 2) der Durch- Schalter sind jedoch ebenfalls hinsichtlich ihres Schaltelemente eine Thyristortetrode vorgesehen Durchlaßwiderstandes bekannten mechanischen Konist. 45 taktkoppelpunkten unterlegen, und ihr Einsatz ir

4. Dämpfungsfreier elektronischer Schalter Raumvielfachkoppelfeldern ist aus diesem Grunde nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß nicht möglich, wenn, wie bei postalischer Anwener monolithisch integriert ist und dabei der PNP- dung, eine maximale Dämpfung von 0,2 dB je Kop-Transistor (Ts 2) lateral realisiert ist. pelanordnung gefordert wird.

5. Dämpfungsfreier elektronischer Schalter 50 Als Halbleiter-Koppelpunkt sind auch Bauelemente nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mit teilweise negativer Widerstandscharakteristik vorfcu seiner hochohmigen Gleichstromspeisung in geschlagen worden (DT-AS 12 71 179, DT-AS Längsrichtung der zu schaltenden Leitung ein 12 93214, DT-OS 2022495). Der negative WiderTransistor vorgesehen ist, der in an sich bekann- stand wird jedoch lediglich dazu verwendet, um dem ter Weise als Stromgenerator geschaltet ist. 55 Koppelpunkt ein bistabiles Verhalten zu geben. Die

6. Dämpfungsfreier elektronischer Schalter Durchlaßdämpfung wird nicht kompensiert.

tiach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Die DT-OS 21 12 050 betrifft eine elektronisch«

er im Verbindungssatz eines Koppelfeldes zur Halbleiter-Crosspoint-Schaltung, bei der zur Korn-

Entdämpfung aller im Verbindungszug liegenden pensation der Dämpfung eine Schaltung mit negati-

dämpfungsbehafteten Halbleiterkoppelpunkte ge- 60 vem Widerstand vorgeschlagen wird. Die Schaltung

schaltet ist. vermag jedoch lediglich den Effekt der Leckimpedanzen, die möglicherweise an leitenden Crosspoints bestehen, durch Einfügen einer negativen Impedan2 gegenüber Masse zu neutralisieren. Auch dieser elek-

Die Erfindung betrifft einen dämpfungsfreien elek- 65 tronische Schalter ist nicht dämpfungsfrei,

tronischen Schalter, der vorteilhaft als Halbleiter- Die Erfindung geht aus von dem aus der DT-AS

koppelpunkt in Raumvielfachkoppelfeldern der Fern- 12 93 214 bekannten elektronischen Schalter, der in

sprechvermittlungstechnik verwendet werden kann. Längsrichtung der zu schaltenden Leitung angeord-