DE2149325A1 - Halbleiter-Ladungsspeichervorrichtung - Google Patents

Halbleiter-Ladungsspeichervorrichtung

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DE2149325A1
DE2149325A1 DE19712149325 DE2149325A DE2149325A1 DE 2149325 A1 DE2149325 A1 DE 2149325A1 DE 19712149325 DE19712149325 DE 19712149325 DE 2149325 A DE2149325 A DE 2149325A DE 2149325 A1 DE2149325 A1 DE 2149325A1
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gate
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electrode
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Pending
Application number
DE19712149325
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Smith George Elwood
Tompsett Michael Francis
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AT&T Corp
Original Assignee
Western Electric Co Inc
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D44/00Charge transfer devices
    • H10D44/40Charge-coupled devices [CCD]
    • H10D44/45Charge-coupled devices [CCD] having field effect produced by insulated gate electrodes 
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10BELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B12/00Dynamic random access memory [DRAM] devices

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AU3398871A (en) 1973-02-22
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