DE2141182A1 - Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung - Google Patents

Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung

Info

Publication number
DE2141182A1
DE2141182A1 DE2141182A DE2141182A DE2141182A1 DE 2141182 A1 DE2141182 A1 DE 2141182A1 DE 2141182 A DE2141182 A DE 2141182A DE 2141182 A DE2141182 A DE 2141182A DE 2141182 A1 DE2141182 A1 DE 2141182A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor
protective layer
semiconductor crystal
heated
vpa
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE2141182A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Peter Dipl Chem Dr Heidegger
Fritz Dipl Phys Dr Scheidel
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Priority to DE2141182A priority Critical patent/DE2141182A1/de
Priority to CH843572A priority patent/CH565450A5/xx
Priority to NL7209209A priority patent/NL7209209A/xx
Priority to IT28017/72A priority patent/IT963845B/it
Priority to GB3816872A priority patent/GB1347178A/en
Priority to FR7229316A priority patent/FR2149485B1/fr
Priority to JP47082418A priority patent/JPS4830378A/ja
Publication of DE2141182A1 publication Critical patent/DE2141182A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/63Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the formation processes
    • H10P14/6326Deposition processes
    • H10P14/6328Deposition from the gas or vapour phase
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/10Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
    • H10W74/131Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being only partially enclosed
    • H10W74/147Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being only partially enclosed the encapsulations being multilayered

Landscapes

  • Formation Of Insulating Films (AREA)
DE2141182A 1971-08-17 1971-08-17 Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung Pending DE2141182A1 (de)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2141182A DE2141182A1 (de) 1971-08-17 1971-08-17 Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung
CH843572A CH565450A5 (enExample) 1971-08-17 1972-06-07
NL7209209A NL7209209A (enExample) 1971-08-17 1972-06-30
IT28017/72A IT963845B (it) 1971-08-17 1972-08-09 Procedimento per la preparazione di un dispositivo a semiconduttore
GB3816872A GB1347178A (en) 1971-08-17 1972-08-16 Production of semiconductor arrangements
FR7229316A FR2149485B1 (enExample) 1971-08-17 1972-08-16
JP47082418A JPS4830378A (enExample) 1971-08-17 1972-08-17

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2141182A DE2141182A1 (de) 1971-08-17 1971-08-17 Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2141182A1 true DE2141182A1 (de) 1973-02-22

Family

ID=5816981

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2141182A Pending DE2141182A1 (de) 1971-08-17 1971-08-17 Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung

Country Status (7)

Country Link
JP (1) JPS4830378A (enExample)
CH (1) CH565450A5 (enExample)
DE (1) DE2141182A1 (enExample)
FR (1) FR2149485B1 (enExample)
GB (1) GB1347178A (enExample)
IT (1) IT963845B (enExample)
NL (1) NL7209209A (enExample)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008013529B4 (de) * 2008-03-11 2016-12-15 Krones Aktiengesellschaft Verfahren und Vorrichtung zum Kontrollieren einer Innenraumbehandlung eines Behälters

Also Published As

Publication number Publication date
NL7209209A (enExample) 1973-02-20
GB1347178A (en) 1974-02-27
JPS4830378A (enExample) 1973-04-21
FR2149485A1 (enExample) 1973-03-30
IT963845B (it) 1974-01-21
CH565450A5 (enExample) 1975-08-15
FR2149485B1 (enExample) 1977-07-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3346803C2 (enExample)
DE1621390A1 (de) Abscheidung isolierender Duennschichten
DE1614540B2 (de) Halbleiteranordnung sowie verfahren zu seiner herstellung
DE10123858A1 (de) Verfahren zum Bilden von Silicium-haltigen Dünnschichten durch Atomschicht-Abscheidung mittels SI2CL6 und NH3
DE1589810B2 (de) Passiviertes halbleiterbauelement und verfahren zu seiner herstellung
DE2557079C2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Maskierungsschicht
DE2422138A1 (de) Verfahren zur herstellung von elektroden aus halbleitermaterial
DE2655341A1 (de) Halbleiteranordnung mit passivierter oberflaeche und verfahren zur herstellung dieser anordnung
DE1696625B2 (de) Verfahren zum Erzeugen einer Nitridschutzschicht auf einem Halbleiterkörper
DE2658448B2 (de) Verfahren zum Ätzen einer auf einem Halbleiterkörper aufgebrachten Schicht aus Siliciumnitrid in einem Gasplasma
DE1148024B (de) Diffusionsverfahren zum Dotieren eines Silizium-Halbleiterkoerpers fuer Halbleiterbauelemente
DE3125136C2 (enExample)
DE1514359B1 (de) Feldeffekt-Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2028640C3 (de) Halbleiterelement mit einer auf der Oberfläche einer Halbleiterbasis befindlichen TiO tief 2 - SiO tief 2 -Mischschicht
DE1521605A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Oxidfilmen auf Unterlagen
DE2141182A1 (de) Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung
DE1644028A1 (de) Verfahren zum Eindiffundieren von Stoerstellen in einen begrenzten Bereich eines Halbleiterkoerpers
DE3030814A1 (de) Plasmaaetzverfahren
DE1614455C3 (de) Verfahren zum Herstellen einer teils aus Siliciumoxid, teils aus Siliciumnitrid bestehenden Schutzschicht an der Oberfläche eines Halbleiterkörpers
DE2900747C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
DE1621272B2 (de) Verfahren zur induzierung eines leitfaehigkeitstyps in einem halbleiter
DE2435026A1 (de) Verfahren zur herstellung eines schutzgases mit definierter kohlungswirkung
DE1295309B (de) Verfahren und Anordnung zur Herstellung eines Oberflaechenschutzes bei Festkoerpern
DE1769177C3 (de) Verfahren zum Aufbringen einer Aluminiumsilikat-Schicht auf Halbleitermaterial
DE102011009964A1 (de) Verfahren zum Weich-, Hart- und Hochtemperaturlöten

Legal Events

Date Code Title Description
OHJ Non-payment of the annual fee