DE1621390A1 - Abscheidung isolierender Duennschichten - Google Patents

Abscheidung isolierender Duennschichten

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DE1621390A1 DE19671621390 DE1621390A DE1621390A1 DE 1621390 A1 DE1621390 A1 DE 1621390A1 DE 19671621390 DE19671621390 DE 19671621390 DE 1621390 A DE1621390 A DE 1621390A DE 1621390 A1 DE1621390 A1 DE 1621390A1
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Description

Abscheidung isolierender Dünnschichten
Die Erfindung befaßt sich mit einem Verfahren zum Niederschlagen isolierender oder schützender Filme.
Das Niederschlagen eines schützenden oder isolierenden Films auf der Oberfläche eines Substrats findet verschiedene technische Anwendungen, insbesondere bei der Behandlung elektrischer Halbleitergeräte wie Dioden und Transistoren. Bei der Herstellung dieser Geräte werden Oxidfilme ziir Maskierung von Teilen eines Halbleiters benutzt, um eine selektive Diffusion zu erreichen und werden auch als passivierende Schichten verwendet, um die Oberfläche des Geräts gegen Verunreinigung und Leckströme zu bewahren. Neuerdings werden Nitridfilme für diesen Zweck vorgeschlagen.
Das übliche Verfahren zur Herstellung einer Oxidschicht auf einem Halbleiter-Körper besteht in der Züchtung des Oxids durch Bildung einer thermisch eingeleiteten Oxidation der Halbleiter-Oberfläche. Diese Praxis hat sich bei der Behandlung elektrischer Geräte, speziell bei der Bildung passivierender Schichten als unzureichend erwiesen, weil die elektrischen Eigenschaften des im übrigen fertiggestellten Geräts nachteilige Wirkungen infolge der extremen Temperaturen
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erleiden, die zur Oxidation der Halbleiteroberfläche gefordert werden. Außerdem verlängt die Züchtung passivierender Oxidschichten, daß ein Teil des Halbleiterkörpers entsprechend der Tiefenausdehnung der passivierenden Schicht während der Behandlung für die nachfolgende Umwandlung zur Bildung des Oxids reserviert bleibt. Dies bewirkt ernste Probleme bei der Herstellung von Dünnschicht-Geräten, wo Dicken-Toleranz en und Diffus ions-Tiefen sehr kritisch sind.
Es wurde gefunden, daß die Abscheidung von Oxid-, Nitrid- und ähnlichen Filmen mit Hilfe eines reaktionsfähigen Plasmas verschiedene Nachteile der vorbekannten Methoden überwindet. Eine besonders wirkungsvolle Abscheidungstechnik mittels Plasma ist in dem U.S. Patent 3 287 243, ausgegeben am 22. November 1966, beschrieben worden.
Die vorliegende Erfindung ist auf ein Verfahren zur Abscheidung dünner Isolierschichten durch eine verbesserte Technik mit reaktionsfähigem Plasma abgestellt. Sie ist auf die Abscheidung verschiedener isolierender Verbindungen wie Oxide, Nitride, Carbide, Boride usw. anwendbar. Das Hauptinteresse haben Siliciumverbindungen, obwohl die Erfindung gleichermaßen auf andere Kationen, wie Aluminium und Tantal anwendbar ist. Beim Abscheiden von Metalloxiden oder Nitriden durch eine vor der Erfindung bekannt gewordene Plasmatechnik war es nicht durchführbar, sowohl das Kation wie das Anion in das Plasma
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in der Gasphase einzuführen. Es ist üblich, eine Kathode aus dem (betreffenden) Metall in einem Sauerstoff- oder Stickstoff-Plasma zu zerstäuben. Es liegen verschiedene Vorteile darin, daß man das Kation dem Plasma liefert, indem man ein geeignetes Gas in das das Kation enthaltende Plasma einführt. Unter diesen Vorteilen liegen die Beseitigung der Oberflächenbehandlung der Kathode und die Anpassungsfähigkeit des Verfahrens an ein großtechnisches Behandlungsverfahren. Die Zuverlässigkeit, Reproduzierbarkeit und Qualität der abgeschiedenen Filme sind bei Anwendung dieser Technik ganz be-^ sonders hoch.
Gemäß Erfindung ist das Anion als molekulares Gas wie Sauerstoff oder Stickstoff vorgesehen. Es kann auch als Verbindung, wie Kohlendioxid oder Ammoniak dargeboten werden. Diesem Gas wird das kationtragende Gas zugefügt, das eine zugehörige Verbindung ist, die in der Gasphase bei der Arbeits-Temperatur besteht (bequemererweise bei oder nahe der Raumtemperatur). -
Bei der Förderung einer Gasreaktion der hier beschriebenen Art mit Hilfe eines Plasmas wurde festgestellt, daß die Ionen-Art im Plasma für die erforderliche Apparatur, speziell für die Elektroden, hochkorrosiv ist. Das Verfahren beginnt mit einem kontinuierlich abnehmenden Stromfluß, bis das Plasma erlischt und die Elektroden nicht langer betriebsfähig sind. Dies kann nach nur wenigen Betriebsminuten
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eintreten. Demzufolge kann ein praktisches Verfahren unter Verwendung gasförmiger Reaktionsteilnehmer nicht nach üblichen reaktionsfähigen Zerstäubungsmethoden erfolgen. Die Aufgabe wird nach dem Verfahren gemäß Erfindung gelöst, indem man die Elektroden während der Abscheidung in einer Schutzgas-Umgebung hält.
Diese und andere Merkmale der Erfindung werden in der nachfolgenden, detaillierten Beschreibung gewürdigt.
In der Zeichnung stellt die Abbildung eine perspektivische Ansicht der Reaktionskammer einer Apparatur dar, die für die Erfindung brauchbar ist.
Die Apparatur besteht im wesentlichen aus einer Hauptreaktionskammer 10 und zwei Seitenkammern 11 und 1-2 zur Aufnahme der Elektroden. Die Hauptkammer 10 enthält ein Gestell 13, auf welchem die Unterlage 14 liegt. Das Material, aus dem das Gestell angefertigt ist, ist nicht von Wichtigkeit. Es ist zweckmäßig, daß es ein guter Wärmeleiter ist. Silicium, Aluminium, Molybdän, Kohle, Bronze und Kupfer sind, wenn sie gekühlt werden, geeignete Materialien. Auch vom Standpunkt einer Vermeidung von Verunreinigung der Halbleiter-Unterlage ist es zweckmäßig, daß Gestell und Unterlage aus dem gleichen Material bestehen. Eine Hochfrequenzheizung 15 ist außerhalb des Quarzrohrs angeordnet und induktiv mit dem Gestell gekoppelt, um die Unterlage zu erwärmen..
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Die Kammer 11 enthält die Anode 16, die lediglich ein Block aus leitendem Material wie Aluminium ist. Die Kammer 12 enthält die Kathode 17, die jeder geeignete Elektronenstrahler sein kann. Es kann eine Elektrode ähnlich der Anode oder ein Strahler für thermische Ionen sein. Da die Kathode bei diesem Verfahren nicht wie bei üblichen Verfahren ζ er stäubt, sind Kathodenzusammensetzung und Art nicht wichtig. Für die Zwecke der Erfindung wird die Kathode als Elektronenquelle beschrieben, die ein Plasma der im Folgenden vorgeschrie- ( benen Dichte unterhalten kann.
Die einzige Funktion der beiden Elektroden im erfindungsgemäßen Verfahren ist die Unterhaltung des reaktionsfähigen Gasplasmas. Keine Elektrode nimmt an der chemischen Reaktion teil oder dirigiert den Strom der freien Ionen. Demzufolge können die beiden Elektroden vom Reaktionsraum vorteilhafterweise getrennt sein. Diese Isolation wird durch Schaffung einer Schutzgas-Atmosphäre rings um jede
Elektrode bewirkt und das reaktionsfähige Gasplasma auf die Hauptreaktionskammer 10 beschränkt, wo die Abscheidung gewünscht wird. Dies Merkmal verschafft verschiedene wichtige Vorteile. Verunreinigungen an oder in beiden Elektroden können den Raum der Unterlage nicht erreichen und den Niederschlag verunreinigen. Noch wichtiger ist es, daß die Elektroden selbst nicht direkt dem reaktionsfähigen Gasplasma ausgesetzt sind und nicht verbraucht, korrodiert oder passiviert werden.
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Das Schutzgas für die Elektroden wird in der Apparatur der Abbildung durch Strömenlassen eines geeigneten Gases, wie Argon, Helium oder Stickstoff durch die Einlasse 18 und 19 in den Elektroden-Kammern 11 bzw. 12 geliefert. Jedes andere inerte Gas kann ebensogut benutzt werden. Gase wie Kohlendioxid, Luft oder andere Gase, die relativ indifferent gegen den Elektroden-Werkstoff sind, sind gleichfalls brauchbar.
Man wird es schätzen, daß die Gegenwart eines inerten Gases in der Kathoden-Kammer die Anwendung eines Thermionen- oder Elektronen-Strahlers ermöglicht, was nach der vorbekannten Technik der reaktiven Zerstäubung oder nach Plasma-Methoden nicht möglich ist.
Die gasförmigem Reaktions-Teilnehmer des Plasmas werden durch den Gaseinlaß 20 eingelassen. Die gasförmigen Reaktions-Teilnehmer werden entsprechend dem für den Film gewünschten Material gewählt. Für Silicium-Verbindungen wird Silan oder eines seiner Derivate in Verbindung mit einem Gas verwendet, welches das Anion der gewünschten Verbindung liefern kann.
Das Gas zur Lieferung des Anions der gewünschten Verbindung wird gewöhnlich Sauerstoff oder Stickstoff sein. Ammoniak und einfache Amine können gleichfalls zur Abscheidung eines Nitrids verwendet werden. Für die Abscheidung von Carbiden sind Methan und andere
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einfache Kohlenwasserstoffe zur Lieferung des Anions geeignet.
Die beiden reaktionsfähigen Gase werden in die Reaktions-Kammer so eingelassen, daß sie an der Substrat-Oberfläche innig gemischt sind. Es ist sehr bequem, den Reaktions-Gas strom oberhalb des Einlasses 20 zu mischen, doch kann das Mischen auch in der Kammer erfolgen, wenn getrennte Einlasse für jedes Gas verwendet werden.
Die Grenzfläche zwischen dem die Elektroden einhüllenden Schutzgas und dem reaktionsfähigen Gasplasma wird durch Regelung der Strömungsgeschwindigkeiten der Gase zu einer Vakuumpumpe gehalten, die mit den gemeinsamen Gas-Auslässen 21 und 22 verbunden ist.
Die Grenze des Plasmas kann durch visuelle Beobachtung leicht erkannt und durch Änderung der relativen Strömungs-Geschwindigkeiten justiert werden, bis die Grenzfläche die gewünschte Stellung erreicht. Bequemerweise arbeitet man mit der Plasma-Grenze in der Nachbarschaft der Abgas-Auslässe 21 und 22.
Die Anforderungen an das Plasma für eine wirksame Arbeitsweise nach den Prinzipien der Erfindung können durch die Werte seiner Sättigungs-Stromdichte und eines gegebenen Druckbereichs charakterisiert werden. Der Gasdruck liegt feststellungsmäßig am besten im Bereich von 0,1 Torr bis 10 Torr. Die Sättigungs-Stromdichte ist
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eine in der Technik bekannte Bestimmungsgröße und von Johnson und Malter in "Physical Review" 80, 58 (1950) beschrieben worden. Der bevorzugte Bereich dieser Bestimmungsgröße liegt in der Spanne von
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0, 1 mA/cm bis 100 mA/cm . Wenn die Sättigungs-Stromdichte unter diesen Wert fällt, geht die Abscheidung sehr langsam vor sich. Bei Sättigungs-Stromdichten oberhalb dieses Bereichs überhitzt sich die Unterlage.
W Die Abscheidungsfläche des Substrats ist völlig in das Plasma eingehüllt. Das Plasma kann mit schwachen magnetischen Feldern, die um die Reaktionskammer angeordnet sind, geformt oder abgelenkt werden, je nach den geometrischen Abmessungen der Kammer, um das Plasma auf den gewünschten Abscheidungs-Bereich zu beschränken.
Das Produkt der Plasma-Reaktion schlägt sich spontan auf der Unterlage aus folgenden Gründen nieder. Das Plasma besteht aus positiven und negativen Ionen und freien Elektronen. Die Elektronen haben eine beträchtlich höhere Beweglichkeit als die Ionen. Demzufolge strömen die Elektronen zu jedem Körper, der mit dem Plasma in Berührung steht und geben ihm ein "Wandpotential". Daher ist es für das Substrat zwecks Empfang eines intensiven Ionen-Bombardements nicht nötig, es zu einer "reellen Kathode" mit einer äußeren Gleichstromquelle zu machen. Vom Plasma eingehüllt wird das Substrat wegen des Wandpotentials zu einer "virtuellen Kathode". Das nachstehende
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Beispiel wird zur Erläuterung der Erfindung gegeben.
Beispiel 1
Die verwendete Apparatur war die gleiche wie in der Abbildung gezeigt. Sauber polierte Siliciumscheiben wurden auf ein Silicium Gestell gelegt und in die Reaktionskammer 10 eingeschlossen. Das Gestell wurde mittels Magnetantrieb gedreht, um die Gleichförmigkeit der Abscheidung zu fördern. Das Substrat wurde unter Verwendung der Hochfrequenz-Heizung auf etwa 350 C erhitzt und Argongas durch die Einlasse 18 und 19 zugelassen. Als Alternative zu Argon als Schutzgas ist die Verwendung von Stickstoff besonders wirksam. Dies ist auch in diesem besonderen Verfahren bequem, da Stickstoff schon als einer der Reaktions-Teilnehmer vorgesehen ist. Eine Mischung von Siliciumtetrabromid und Stickstoff wurde durch Einlaß 20 bis zu einem Gesamtdruck von 0, 8 Torr eingelassen. Der Gasdruck bestimmt zum Teil die Dichte des Plasmas, Drucke, die ein brauchbares Plasma ergeben, sind durch den Bereich 0, 1 Torr bis 10 Torr bestimmt. Die Menge an SiBr . war 0,1 Volumprozent des Stickstoffs. Es wurde festgestellt, daß diese Größe von 0, 01 % bis 1 % bei Erhalt befriedigender Resultate geändert werden konnte. Dieser allgemeine Konzentrations-Bereich gilt im wesentlichen für alle geprüften gasförmigen Reaktions-Teilnehmer. Das Plasma wurde mit einer Tesla-Spule zwischen einer wassergekühlten Aluminium-Anode und der
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Kathode bei einer Spannung von 200 V und einem Strom von 1 A gezündet. Als Kathode diente der Heizfaden einer 5U4 Elektronen-Röhre mit einer Aufnahme von 10 A bei 5 V, Die Strömungsgeschwindigkeit des Argon-Gases wurde justiert bis das Plasma sich etwa bis zu den beiden Abgas-Auslassen 21 und 22 ausgedehnt hatte. Die kurze mittlere freie Weglänge der Gas-Moleküle bei diesen Drucken und die entgegengesetzte Gasströmung hindern die Diffusion der reaktionsfähigen Gase in Anoden- und Kathoden-Teil.
Die Silicium-Unterlage wurde so angeordnet, daß sie völlig in das Plasma eintauchte. Ein Alnico-Magnet mit einem Feld von 2000 bis 3000 Gauss wurde an der Oberseite der Reaktions-Kammer montiert, um das Plasma in den Bereich des Substrats abzulenken. Dies ist ein wünschenswerter Kunstgriff, der von der Geometrie der besonderen, verwendeten Apparatur abhängt. Offenbar ergibt sich eine Versehwendung von Energie und gasförmigen Reaktions-Teilnehmern, wenn sich das Plasma unnötig über den Bereich des Substrats ausdehnt.
Die Abscheidung wurde 20 Minuten fortgesetzt, nachdem das Plasma gezündet war. Es wurde ein Siliciumnitrid-Film von etwa 0/5 Mikron Dicke erhalten, der eine ausgezeichnete Oberflächen-Qualität und Gleichförmigkeit in der Dicke hatte. Die Substrat-Temperatur während der Abscheidung war 350 C. Es wurde gefunden, daß gute Abscheidungen im Bereich von 300 C bis 800 C erhalten werden können.
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Die bei 300° C bis 400 C gebildeten Siliciumnitrid-Filme waren amorph, was für viele Anwendungen bei der Halbleiter-Behandlung eine erwünschte Eigenschaft ist. Beispielsweise ätzt sich amorphes Siliciumnitrid schneller und gleichmäßiger als kristalline Filme. Diese Eigenschaft ist wichtig, wenn der Film als Diffus ions-Maske verwendet wird. Wenn die Abs cheidungs-Temperatur über 400 C steigt, wird der Film zunehmend kristallin. Die Unterlage erhält Wärme aus dem Plasma während des Abs cheidungs-Verfahrens, Der Betrag dieser Wärme wird durch die Stromdichte des Plasmas bestimmt. Bei den meisten hier vorgeschriebenen Bedingungen ist es notwendig, zusätzliche Wärme an das Substrat zu liefern, um geeignete Substrat-Temperaturen zu sichern.
Die niedrige Abscheidungs-Temperatur dieses Verfahrens ist eines seiner hervorstechendsten Merkmale. Die pyrolytische Technik vorbekannter Art erfordert typischerweise Substrat-Temperaturen in der Größenordnung von 1000 C. Es treten neue Anwendungen auf wie die Maskierung von Geräten an Strahlführungen, die solche hohen Temperaturen nicht ertragen und für die der Tieftemperatur-Abscheidungsprozeß der Erfindung besonders wichtig ist.
Das vorangegangene Beispiel wurde unter Verwendung von Sauerstoff an Stelle von Stickstoff wiederholt. Es wurden Siliciumoxidfilme hoher Qualität erhalten. Der Benetzungswinkel eines Wassertropfens bei
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dem isolierenden Film wurde an diesen Schichten gemessen. Dieser Versuch ist wichtig bei der Bestimmung des Verhaltens in Bezug auf Fotomasken. Ein kleiner Berührungswinkel, der eine hydrophile Oberfläche voraussetzt, bewirkt ein Unterschneiden der Fotomaske während der Ätzoperation. Siliciumdioxid-Filme, die nach dieser Methode hergestellt wurden, zeigten einen anfänglichen Kontaktwinkel von. 5 - 10", wenn das Plasma gelöscht wird während die Reaktions-Teilnehmer noch durch die Oxidationskammer strömen. Wenn die Reaktions-Teilnehmer für 2 Minuten oder mehr abgestellt werden, bevor das Plasma gelöscht wird, so beträgt der anfängliche Kontaktwinkel 35-40 . Die vorangegangene Beobachtung rührt wahrscheinlich von unvollständig umgesetzten Gasen auf der Oberfläche des Films her, welche Hydrolyse erleiden und eine hydrophile Oberfläche mit entsprechend geringem Kontaktwinkel ergeben. Zusätzliche Berührung mit dem Plasma nach dem Abstellen der Reaktions-Teilnehmer ergibt eine vollständigere Reaktion und einen größeren Kontakt winkel. Ähnliche Resultate wurden mit Siliciumnitrid erhalten. Es war nicht über Schwierigkeiten bei Fotoätzmasken zu berichten, wenn die Muster kurze Zeit einem Stickstoff-Plasma ausgesetzt wurden, nachdem der Strom der Reaktionsgase abgestellt war.
Weitere Muster wurden hergestellt, an denen Siliciumnitrid-Filme auf Siliciumoxid-Filmen niedergeschlagen wurden, indem Sauerstoff und Stickstoff im Plasma nacheinander verwendet wurden. Es wurden
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Ladungsdichten der Oberfläche in der Größenordnung von 5x10 , erhalten. Diese Filmeigenschaft ist für die Passivierung der Halbleiter-Geräte wichtig.
Mischungen aus Sauerstoff und Stickstoff können im Plasma benutzt werden, um einen gemischten Oxidnitridfilm zu erhalten. Die Ätzgeschwindigkeit eines gemischten Oxidnitridfilms in wässeriger Fluorwasserstoffsäure oder in heißer wässeriger Phosphorsäure (180 C) ist größer als die eines Siliciumnitridfilms. Die Eigenschaft der größeren Ätzgeschwindigkeit gibt gemischten Oxidnitridfilmen bei bestimmten Ge rate anwendungen eine größere Überlegenheit gegenüber Siliciumnitridfilmen.
Bei dem siliciumhaltigen Material wurde zwischen den Halogeniden und SiH. gewechselt ohne eine ungewöhnliche Änderung bei der Durchführung des Verfahrens. SiH. wurde in der gleichen Art brauchbar gefunden wie das Tetrabromid in Beispiel I. Disilan (Si H) und
Δ b
Trisilan (SiQH ) sind SiH A chemisch äquivalent und gleichermaßen
ti O 4
brauchbar. Andere Siliciumhalogenide verhalten sich in der gleichen Weise wie Siliciumtetrabromid in diesem Verfahren. Unter diesen stehen Siliciumtetrachlorid, Siliciumbromoform (SiHBr0) und Siliciumchloroform (SiHCl„) reichlich zur Verfügung. Ein Gas wie Siloxan (Si„O H ) ist augenscheinlich brauchbar zur Bildung von Oxidfilmen und auch bei der Bildung von vorherrschenden aus Siliciumnitrid
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bestehenden Filmen brauchbar, da das relative Verhältnis von Stickstoff zu Sauerstoff (unter Verwendung von Stickstoff oder Ammoniak als Trägergas) noch sehr hoch ist, Silicylamin (SiH ) N ist gleichfalls für die Zwecke der Erfindung brauchbar. Die letzteren beiden Verbindungen sind gleichfalls Derivate des Silans.
Für die Abgrenzung der Erfindung sind siliciumhaltige Stoffe., die für die Benutzung im Verfahren geeignet sind, als Silane und Derivate des Silans beschrieben worden. Dies schließt Siliciumtetrahalogenide und Silane als Endglieder ein, (ebenso) Siloxan, was der gewöhnliche Name für (Hexa-)Hexaoxocyclosilan ist sowie Silicylamin, was der gewöhnliche Name für (Tri-)Nitrilosilan ist. Alle diese Verbindungen arbeiten gemäß der vorgelegten Beschreibung.
Unter den Anion liefernden Gasen sind Sauerstoff, Stickstoff und Ammoniak sehr bedeutsam. Ein anderes Material von Interesse, für das dies Verfahren brauchbar ist, ist Siliciumcarbid, in welchem Falle Methan oder andere einfache Kohlenwasserstoffe in der beschriebenen Art angewandt werden, um das Anion zu liefern. Siliciumcarbid hat einen sehr hohen Schmelzpunkt und ist in konventioneller Technik schwierig herzustellen. Es hat einige interessante und brauchbare Halbleiter-Eigenschaften.
Germaniumverbindungen können in analoger Weise zur Abscheidung
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auf Siliciumverbindungen hergestellt werden, indem man ein Germaniumhalogenid als Material in Verbindung mit einem geeigneten Anion anwendet. Isolierende Filme aus Germaniumverbindungen werden bei der Behandlung von Halbleiter-Geräten nicht allgemein verwendet wegen der naturgegebenen Überlegenheit der Siliciumverbindungen von fast jedem Standpunkt aus.
Das im Beispiel angewandte Verfahren wurde gleichfalls benutzt, um "
Filme auf anderen Unterlagen wie Galliumarsenid und Quarz niederzuschlagen. Jedes feste und unter Behandlungsbedingungen stabile Material kann mit einem Isolierfilm nach diesem Verfahren überzogen werden.
Dem Fachmann sind verschiedene zusätzliche Abwandlungen und Ausweitungen der Erfindung offenbar. Alle solche Abwandlungen und Änderungen, die auf der Lehre der Erfindung beruhen, durch welche die Technik bereichert ist, werden als innerhalb des Erfindungs-Gedankens und -Umfangs liegend betrachtet.
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Claims (11)

  1. Androshuk, Bergh, Erdman
    1/3-2/4-2/4
    Patentansprüche
    ( 1. / Verfahren zum Abscheiden einer Dünnschicht aus einer Verbindung auf einem festen Substrat durch den Arbeitsgang der Berührung des Substrats mit einem durch eine Gleichstrom-Entladung zwischen zwei Elektroden erzeugten Gasplasma, dadurch gekennzeichnet., daß man in das Gasplasma wenigstens 2 gasförmige Reaktions-Teilnehmer einmischt, von denen der eine das Anion und der andere das Kation
    der Verbindung liefert und wenigstens eine der Elektroden vom Mischgas der Reaktions-Teilnehmer abschirmt, indem man wenigstens
    eine der Elektroden in einer Umhüllung eines in Bezug auf die Elektrode inerten Gases hält.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens eine der Elektroden durch Einführung eines Schutzgases rings
    um die Oberfläche dieser einen Elektrode abschirmt und die relativen Strömungsgeschwindigkeiten der Mischung aus Reaktionsgasen und
    Schutzgas so justiert, daß eine im wesentlichen stabile Gas-Grenzfläche zwischen wenigstens einer der Elektroden besteht und so., daß wenigstens diese eine der Elektroden kontinuierlich in das Schutzgas zur Fernhaltung der Reaktionsteilnehmer eintaucht, wobei das Plasma eine mit der erwähnten Gas-Grenzfläche gleich große Abgrenzung
    besitzt.
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  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2 dadurch gekennzeichnet, daß man die Gasmischung der Reaktionsteilnehmer in eine Reaktions kammer zwischen zwei Elektroden bei einem Druck im Bereich von 0,1 bis 10 Torr einführt.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3 dadurch gekennzeichnet, daß man das Substrat auf einer Temperatur im Bereich von 300 bis 800 C hält und mit Hilfe des Plasmas heizt, bis ein im wesentlichen isolierender Film der Verbindung auf dem Substrat abgeschieden ist.
  5. 5. Verfahren nach Anspruch 1, 2, 3 oder 4 dadurch gekennzeichnet,
    daß das Plasma eine Sättigungs-Stromdichte der positiven Gas-Ionen
    2
    im Bereich von 0, 1 bis 100 niA/cm aufweist.
  6. 6. Verfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüche dadurch gekennzeichnet, daß einer der gasförmigen Reaktionsteilnehmer Silan oder eines seiner Derivate ist.
  7. 7. Verfahren nach Anspruch 6 dadurch gekennzeichnet, daß der andere Reaktionsteilnehmer aus der Stoffgruppe Sauerstoff, Stickstoff, Ammoniak, Methan und Kohlendioxid ausgewählt wird.
  8. 8. Verfahren nach Anspruch 7 dadurch gekennzeichnet, daß man 2 Filme nacheinander abscheidet, indem man aufeinanderfolgend Sauerstoff und Stickstoff verwendet.
    10 9 8 21 /OUI
  9. 9. Verfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüche dadurch gekennzeichnet, daß das Schutzgas aus der Stoffgruppe Helium., Argon, Stickstoff und Kohlendioxid ausgewählt wird.
  10. 10. Verfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüche dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat Silicium ist.
  11. 11. Verfahren nach Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet, daß die Mischung der gasförmigen Reaktionsteilnehmer aus Stickstoff mit 0, 01 bis 1 % SiBr. besteht.
    109821 /0U1
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