DE2124650A1 - Frequenzteiler-Schaltung mit Tunnel-Diode - Google Patents

Frequenzteiler-Schaltung mit Tunnel-Diode

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DE2124650A1 DE19712124650 DE2124650A DE2124650A1 DE 2124650 A1 DE2124650 A1 DE 2124650A1 DE 19712124650 DE19712124650 DE 19712124650 DE 2124650 A DE2124650 A DE 2124650A DE 2124650 A1 DE2124650 A1 DE 2124650A1
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Description

10. August 1971
Aktenzeichen: P 2t 24 650.4
Anmelder : Iwasaki Tsushinki K.K. Uns. Zeichen: A I80 7I Pp/ib
Firma IWASAKI TSUSHINKI K.K., 1-7-41, Kugayama, Sugingami-Ku, Tokyo-To, Japan
Frequenzteiler-Schaltung mit Tunnel-Diodev
Die Erfindung betrifft eine Frequenzteiler-Schaltung mit Tunnel-Diode für die Verwendung in beispielsweise einem Sampling-Oszilloskop.
Eine Frequenzteiler-Schaltung, (im späteren auch kurz "Count-down"-Schaltung genannt) mit Tunnel-Diode wird beispielsweise in einem Sampling-Oszilloskop verwendet, um die Teilung einer Frequenz eines Eingangssignales zu erzielen. Es ist Jedoch schwierig, die üblichen Frequenzteiler-Schaltungen auf optimale Bedingungen einzustellen, zumal diese Schaltungen durch einen Wechsel der Raumtemperatur etc. be-
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einflußt werden.
Es 1st daher Aufgabe der Erfindung, eine Frequenzteiler-Schaltung zu schaffen, welche geeignet ist, die oben erwähnten Nachteile der üblichen Schaltungen auszuschalten, und welche unter stabilen Bedingungen arbeitet, ohne Schwierigkeiten einer' Nachabstimmung wegen der Wechsel der Bedingungen und wegen der charakteristischen Abweichungen der Bauelemente.
Andere Aufgaben und Prinzipien, Aufbau- und Arbeitsweisen entsprechend der Erfindung werden aus nachfolgender Beschreibung im Zusammenhang mit den dazugehörigen Zeichnungen deutlich, wobei in diesen gleiche Teile mit den gleichen Bezugszeichen versehen sind.
Auf der Zeichnung sind Ausführungsformen der Erfindung beispielsweise dargestellt und zwar zeigen:
Fig. 1 ein Verbindungsdiagramm einer üblichen
Frequenzteiler-Schaltung, welche im Synchron-Kreis eines Sampling-Oszilloskops verwendet wird;
Fig. 2 ein erklärendes Wellen-Bild der Arbeitsweise der in Fig. 1 gezeigten Schaltung;
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Fig. JA
und 5B charakteristische Kurven der Spannungs-Bedingungen einer Tunnel-Diode aus der in Fig. 1 gezeigten Schaltung;
Fig. 4A ein Verbindungsdiagramm des Hauptteils der in Fig. 1 gezeigten Schaltung;
Fig. 4b ein Wellen-Bild als Erklärung für die Arbeitsweise der in Fig. 4A gezeigten Schaltung;
Fig. 5 ein Schaltbild einer Ausführungsform dieser Erfindung;
Fig. 6 ein erklärendes Wellenbild der Arbeitsweise der in Fig. 5 gezeigten Schaltung;
Fig. 7 eine charakteristische Kurve der Spannungsbedingungen einer Tunnel-Diode, welche in der in Fig. 5 gezeigten Schaltung verwendet wird; und
Fig. 8A,
8b, 8c,
3D, 8e u. .
8f Schaltungen von verschiedenen AusführungsformBn gemäß der Erfindung.
Um einen deutliechen Unterschied zwischen der üblichen Technik und dieser Erfindung herauszustellen, wird zunächst ein Beispiel einer üblichen Count-down-Schaltung anhand der Fig. 1, 2, JA, JB, 4A und 4b beschrieben. In einer Synchronisier-Schaltung natth Fig. 1, welche eine Count-down-Schaltung verwendet und welche in einem üblichen Sampling-Oszilloskop verwendet wird, wird eine Frequenz eines Signales auf eine Eingangsklemme
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gegeben und wird im Count-down auf eine Frequenz gebracht, welche niedriger ist als eine Frequenz von 10 MHz und gleich einem Integral von dieser. Das Countdown-Signal wird durch den Transisotr Q2 verstärkt, so daß man das verstärkte Signal ν . gezeigt in Fig. 2, erhält. Ein Oszillator, bestehend aus einem Transistor Q-, und den Dioden Dp und D.,, hat eine Eigenfrequenz von 100 kHz und erzeugt negative Impulse v,, gezeigt in Fig. 2, synchron mit der Anstiegszeit des Ausganges des Transistors Q2. Eine Tunnel-Diode Dg ist so vorgespannt, daß sie zwei mögliche Zudsinde hat. Andererseits ist eine Tunnel-Diode D7 so vorgespannt, daß sie einen monostabilen Zustand hat und eineiNiederspannungs-Zustand unter normalen Bedingungen einnimmt. In diesem Fall nimmt die Tunnel-Diode Dg einen Arbeitspunkt (1) bei einer Spannungs-Stromcharakteristik,wie in Fig. J5 gezeigt, ein, entsprechend dem Sperren eines Transistors Q^,, während die Tunnel-Diode D^, einen Arbeitspunkt 1 auf der Spannungs-Stromcharakteristik der in Fig. ]5B gezeigten Kurve einnimmt. Wenn der Ausgang des Transistors Q-, auf die Tunnel-Diode Dg über einen Widerstand IU und einen Kondensator C, gegeben wird, wird der Arbeitspunkt der Tunnel-Diode Dg über einen Negativ-Widerstandsbereich auf einen Arbeitspunkt (2) übertragen, wie in Fig. 3>A gezeigt. In
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Pig, 2 ist eine Kathodenspannung v der Tunnel-Diode Dg gezeigt. Entsprechend der Übertragung des Arbeits-Punktes der Tunnel-Diode Dg wird die Diode D^ von dem Sperrzustand durchgeschaltet, während ein Arbeitspunkt der Tunnel-Diode Dh vom Arbeitspunkt (1) zum Arbeitspunkt (2) übertragen wird, wie in Pig. JB gezeigt ist. Wenn ein negativer Ausgangsimpuls des Transistors Q2 auf die Tunnel-Diode D^, über den Kondensator C1 gegeben wird, wird der Arbeitspunkt der Tunnel-Diode D2, über den Negativ-Widerstandsbereich in einen stabilen Arbeitspunkt (j5) übertragen, wie in Pig. 5B gezeigt. Demgemäß erscheint ein negativer Ausgang v., wie in Fig. 2 gezeigt, an der Kathode der Tunnel-Diode D^. Ein Teil des Ausganges v, der Tunnel-Diode D^ läuft durch einen Widerstand R^ und einen Kondensator (X, um in einen negativen Impuls (v^), gezeigt in Fig. 2, umgewandelt w zu werden, so daß ein Arbeitspunkt einer Tunnel-Diode T>„ von einem Niederspannungs-Bereich zu einem Hochspannungs-Bereich übertragen wird. In diesem Fall wird die Tunnel-Diode Du leitend, während der Arbeitspunkt der Tunnel-Diode Dg in den Niederspannungs-Bereich zurückkehrt, wie das durch den Punkt (1) in Fig. j5A gezeigt ist. Entsprechend diesem Wechsel sperrt eine Diode Dj-iWährend der Arbeitspunkt
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. der Tunnel-Diode Dj, zu dem Punkt (1),gezeigt in Pig. zurückkehrt. Wie oben erwähnt, kann ein Signal, welches durch den Count-down des Ausganges des Transistors Q2 unterhalb einer Frequenz von 100 kHz erhalten wird, von einer Kathode der Tunnel-Diode Dh im Zusammenhang mit der monostabilen Arbeitsweise der Tunnel-Diode D7 erreicht werden. Der Ausgang der Tunnel-Diode D2, wird ferner über einen Widerstand Rg und einen Kondensator Cg auf die Kathode einer Tunnel-Diode Do gegeben. Diese Tunnel-Diode D8 wird als bistabiler Kreis verwendet. Wenn der Arbeitspunkt der Tunnel-Diode Dg in einen Hochspannungs-Bereich in bezug auf den Ausgang der Tunnel-Diode D^ über tragen wird, nimmt ein Transistor Q1- von einem Sperr-Zustand einen leitenden Zustand an, während eine Diode Dq von einem leitenden Zustand in einen sperrenden gelangt. Demgemäß kann eine rasche Sägezahn-Kurve von der Basis eines Transistors Qg erhalten werden. Dieser Transistor Qg vergleicht die schnelle Sägezahn-Kurve mit einer langsamen Sägezahn-Kurve, welche an eine Klemme 2 gegeben ist, für die Erzeugung eines Ausgangsimpulses an der Ausgangsklemme j5, wobei ein Teil davon über eine Diode 11 und einen Widerstand R„ auf die Tunnel-Diode Dg zurückgegeben wird, um diese wieder in den Nieder-
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spannungs-Bereich zu bringen. Wenn diese Schaltung in einem Sampling-Oszilloskop verwendet wird, wird der Ausgangsimpuls der Klemme 3 als Sampling-Kommandoimpuls zur Erzeugung eines Sampling-Impulses verwendet.
Die oben erwähnte Schaltung ist so ausgerichtet, daß ein Zittern beim Count-down eines Signales von über 10 MHz vermindert ist, welches beim Count-down an der Diode D1 erhalten wird, auf ein Signal unter 100 kHz. Jedoch ist die oben beschriebene Schaltung schwer auf eine optimale Bedingung abzustimmen und wird leicht durch einen Wechsel der Bedingungen in der Raumtemperatur etc. beeinflußt. Uraachen dafür werden im folgenden erwähnt.
Ein Teil der in Fig. 1 gezeigten Schaltung für einen Count-down am Ausgang der Diode 1 unterhalb eines NMerfrequenzen-Signals von 100' kHz kann kurz in Fig. 4a illustriert werden. In diesem Fall wird die Ausgangsspannung ν des Transistors Q0 auf eine Klemme 11 gegeben und ein negativer Ausgangsimpuls vf am
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Kollektor des Transistors Q., mit einer Wiederholungsfrequenz von weniger als 100 kHz und synchronisiert mit der Anstiegszeit des Transistors Q2 wird auf die Klemme 12 gegeben. Der Arbeitspunkt der Tunnel-Diode Dh wird vom Niederspannungs-Bereich in den Hochspannungs-Bereich
™ übertragen, entsprechend der Anstiegszeit des Ausgangs ν des Transistors Q2 an der Klemme 11, Jedoch nur, wenn der Arbeitspunkt der Tunnel-Diode Dg in den Hochspannungsbereich entsprechend des Impulses v„ an der Klemme 12 Übertragen wird. Den Ausgang ν von der Tunnel-Diode Dj, erhält man an der Klemme 1j5. Wenn die Vorspannung der bistabilen Zustände der Tunnel-Diode Dg dahingehend vermindert wird, daß die Höhe des Impulses vf an der Klemme 12 zunimmt, kann in diesem Fall
fc ' ein Überfluß-Strom durci>eine Diode D1- und die Tunnel-Diode Dh nach dem Umwandeln des Arbeitspunktes der Tun-, nel-Diode Dg vom Niederspannungs-Bereich in den Hochspannungs-Bereich gelangen. Dieser Überfluß-Strom bringt eine mögliche Gefahr des Umformens des Arbeitspunktes der Tunnel-Diode vom Niederspannungs-Bereich in den Hochspannungs-Bereich. Daher muß die Vorspannung der Tunnel-Diode genügend groß sein, um den oben erwähnten Überfluß-Strom zu vermeiden, während die Höhe des Impulses
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vf an der Klemme 12 klein sein muß. Mit anderen Worten fließt ein beträchtlicher Strom durch die Diode Dc zur Tunnel-Diode D2, eben dann, wenn der Arbeitspunkt der Tunnel-Diode Dg einen Niederspannungs-Wert annimmt. Es ist daher sehr schwer, den Wert des Kondensators C1 so zu bestimmen, daß die Größe i eines Impulses an der Klemme 11 zu der Tunnel-Diode D2, durch den Kondensator C. folgender Verhältnisgleichung genügt:
1P '
(D
Wenn die Größe des Impulses νΩ an der Klemme 11 nicht konstant ist, ist es außerdem schwer, den Wert des Kondensators C. so zu bestimmen, daß immer die Bedingung der Gleichung 1 erfüllt wird. Wenn die Vorspannung für die bistabilen Zustände der Tunnel-Diode D^ von den entsprechenden Charakteristiken der Dioden Dh und D ebenso abhängen wie ston den Werten der Tunnel-Diode T)r, einem Widerstand R1- und einer
6 O
Spannungsquelle V * muß außerdem der Wert des Wider-
CC
Standes R1- sehr genau nach dem Einbau einer Kombination der Dioden D2,, D^ und Dg bestimmt werden. Die Arbeitsweise der Tunnel-Diode D2, hängt schliäSlich von der Vorspannung der Diode Dg ab, wie oben erwähnt. Demgemäß
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sind Fachkenntnisse und ausreichend Zeit für die Einstellung des Kondensators C1 und des Widerstandes R- notwendig, da diese Einstellung zugleich für den Kondensator C1 und den Widerstand Rp- durchgeführt werden muß. Wenn die Spannungs-Strom-Charakteristiken der Dioden Dj,, D1- bzw. DV in Abhängigkeit von Bedingungen, wie beispielsweise der Raumtemperatur, beeinflußt werden, kann diese Schaltung außerdem keine fortlaufende und korrekte Arbeitsweise bei Veränderungen der Bedingungen auch dann nicht bringen, wenn die entsprechenden Werte des Kondensators C1 und des Widerstandes R^- auf ihren optimalen Wert eingestellt eind. Wenn der Ausgang V der Tunnel-Diode D^, einen niedrigen Wert annimmt, wird ferner der Arbeitspunkt der Tunnel-Diode Dg, welcher als bistabiler Multivibrator verwendet wird, notwendigerweise derart bestimmt, nahe am Strom I im Niederspannungs-Bereich zu liegen, während ein Widerstand Rg derart abgestimmt werden muß, daß ein übergang der Diode Dg in den Hochspannungsbereich entsprechend einem Rauschen in der Leitung von der Kathode der Tunnel-Diode D^, zu der Kathode der Tunnel-Diode Dg vermieden wird.
In den Fig. 5, 6 und 7 ist eine Ausführungsform
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gemäß der Erfindung unter Ausschaltung der oben erwähnten Nachteile der üblichen Count-down-Schaltung beschrieben. In dieser Ausführungsform führen die Dioden D.. und D und die Transistoren Q2 und Q« die gleichen Aufgaben durch wie die Elemente D., Dq, Q2 und Q der Fig. 1. Der monostabile Multivibrator A besitzt eine Wiederholungsperiode von über 10 msec und wird mit einem Eingangssignal von einer Frequenz von mehr als 20 MHz beispielsweise synchronisiert oder kann ein Oszillator von über 100 kHz sein. Eine bistabile Schaltung B liegt auf einem hohen Ausgangs-Zustand einer Ausgangsklemme T entsprechend einem positiven Taktimpuls v., wenn eine Rückstell-Zuleitung T einen hohen Wert annimmt, während er in einen niedrigen Ausgangs-Zustand zurückkehrt in Abhängigkeit eines negativen Rückstell-Impulses, welcher an den Rückstell-Eingang T gegeben wird. Aus den Wellen-Bildern v. und v. in Fig. 6 ist zu verstehen, daß der monostabile Multivibrator A einen positiven Impuls v. in Abhängigkeit einer Aufwärts- oder einer Rückwärts-Flanke des Ausgangs v. des Transistors Q2 erzeugt. Wenn der Aufgangs impuls v. an die Takt-Klemme des bistabilen Kreises B gegeben wird> wird ein positiver Impuls v. an der Ausgangsklemme T ,
j ο
wie in Fig. 6 gezeigt, erhalten, so daß ein Transistor Q aus einem Sperrzustand heraus leitend wird. Durch
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eine Tunnel-Diode Dg fließt kein Strom, wenn der Transistor Q10 sperrt, so daß diese Tunnel-Diode Dq überhaupt nicht über einen Negativ-Widerstandsbereich in einen Hochspannungs-Bereich eben dann übertragen wird, wenn der Ausgang des Transistors Q2 an diese über einen Widerstand R1 und einen Kondensator C1 gegeben wird. Wenn der Transistor Q10 leitend wird, fließt jedoch ein Strom durch folgenden Weg: Spannungsquelle + V1, Tunnel-Diode Dg, Widerstand R-J0' Transistor Q10 und Masse. Demgemäß ist die Tunnel-Diode Dg derart vorgespannt, daß sie einen der beiden möglichen Zustände in einer in Fig. 7 gezeigten Spannungs-Stromcharakteristik besitzt, und ein Arbeitspunkt der Tunnel-Diode Dg wird in einem Punkt (1) in Nifederspannungs-Bereich zurückverlegt. Wenn der negative Ausgangsimpuls v. des Transistors Q2 an die Tunnel-Diode Dg gegeben wird, wird in diesem Fall der Arbeitspunkt der Tunnel-Diode Dg über den Negativ-WiderStändsbereich in einen in Fig. 7 gezeigten Punkt (2) übertragen. In Abhängigkeit dieser Veränderung der Tunnel-Diode Dg, wird der Transistor Q11- leitend, so daß ein Ausgangs-Impuls ν am Kollektor des Transistors Q erhalten wird. Anschließend wird ein Sampling-Kommandoimpuls ν , gezeigt in Fig. 6, in einer ähnlichen Weise erhalten, wie die Arbeitsweise der in Fig. 1 beschriebenen Schaltung.
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Ein Teil des Sampling-Kommando-Impulses ν wird an die Rucksteil-Klemme T des bistabilen Kreises B gegeben, um diesen in den niederen Ausgangszustand zurückzustellen.
Ein Beispiel eines elementaren Aufbaus dieser Erfindung ist in Fig. 8A beschrieben. In diesem Beispiel ist ein Kreis A ein Oszillator mit einer Wiederholungsperiode P oder ein monostabiler Kreis, welcher einen positiven Impuls v., wie in Pig. ό gezeigt, synchron mit der Anstiegszeit eines Eingangs-Signals einer. Wiederholungsperiode t erzeugt. Die Wiederholungsperiode P dös Ausgangsimpulses des Kreises A ist daher gleich dem Wert η · t und im wesentlichen gleich der Wiederholungsperiode PQ, wobei "n" eine ganze Zahl ist. Mit anderen Worten wird die Frequenz des Eingangs-Signals auf ein "n"-tel im Count-down gebracht. Wenn der Ausgangs-Impuls des Kreises A Schwankungen aufweist und Verzogerungszeiten im Bezug auf das Eingangs-Signal, kann in diesem Fall dieser Ausgangs-Impuls nicht für einen Synchronisations-Kreis verwendet werden, wie diese in einem Sampling-Oszilloskop etc. verwendet werden. Ein Kreis B ist ein bistabiler Kreis, welcher in einem hohen Ausgangszustand in bezug auf den Ausgangsimpuls des Kreises A liegt und in einen
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niedrigen Ausgangszustand in bezug auf einen Rückstell-Impuls von Jenem Ausgang zurückkehrt. Eine Tunnel-Diode Dg wird in einem Niederspannungs-Bereich gehalten, eben wenn ein Eingangs-Signal an diese Diode Do gelangt, was dann auftritt, wenn ein Kollektor-Emitter-Weg eines Transistors Q10* welcher mit der Tunnel-Diode Dg über den Widerstand R10 verbunden ist, gesperrt ist. Wenn der bistabile Kreis B im hohen Ausgangszustand liegt und der Transistor Q10 leitend wird, läuft ein Strom durch folgenden Weg: Spannungsquelle +V1, Tunnel-Diode Dg, Widerstand R10* Transistor Q10 und Masse. Demgemäß ist die Tunnel-Diode Dg von zwei möglichen stabilen Zuständen für einen niederen Spannungsbereich vorgespannt und wird dann in einen Hochspannungs-Bereich über einen Negativ-Widerstandsbereich geschaltet, wenn an sie ein negativer Impuls des Eingangs-Signals gelangt. Ein Teil des Ausganges stellt den bistabilen Kreis B zurück, wie oben erwähnt. Diese Rückdaellung kann durch einen anderen Steuer-Impuls bis zum nächsten Impuls vom Kreis A erreicht werden.
Wenn der Transistor Q10 ein NPN-Transistor ist, wird das in Fig. 8A gezeigte Beispiel abgewandelt in ein in Fig. 8b gezeigtes Beispiel, wobei die leitende
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Richtung des Kollektor-Emitterweges des Transistors Q10 in einer Richtung von Spannungsquelle + V. zu Masse gerichtet ist.
Wenn die Anospde der Tunnel-Diode Dg mit Masse verbunden ist, wird die Polarität der Vorspannung V1 negativ, wie in den Pig. 8C und SD gezeigt ist.
Die Ausgangsklemme 1j5 kann an der Anode der Tunnel-Diode Do vorgesehen werden, wie in den Fig. 8E und 8p gezeigt ist.
Die Vorzüge dieser Erfindung gegenüber der in Fig. 1 gezeigten üblichen Schaltung können wie folgt zusammengefaßt werden:'
1. Die Arbeitsweise der Count-down-Schaltung dieser Erfindung ist äußerst stabil. Mit anderen Worten wird, wenn durch die Tunnel-Diode Dg bei gesperrtem Transistor Q10 kein Strom fließt, die Tunnel-Diode Dg im Niedervolt-Bereich gehalten, vorausgesetzt, daß ein Strom größer als ein Strom I vom Transistor Q2 unter dieser Bedingung erhalten wird. Während die Tunnel-Diode Dg derart vorgespannt wird, daß sie einen der beiden in Fig. 8 gezeigten Zustände annimmt, wenn der Transistor Q10 leitend ist, wird
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eine Last-Linie für diese Bedingung durch die Spannungs-Quelle V1 und den Wert des Widerstandes R10 bestimmt. Demgemäß ist die Beeinflussung durch Schwankungen der Raumtemperatur etc. sehr gering. Wenn der Wert i des negativen Eingangs-Impulses genügend groß ist, um folgender Ungleichung zu genügen:
um eine normale Arbeitsweise fortzuführen, kann eine normale Arbeitsweise für beträchtliche Schwankungen des Wertes am Ausgang des Transistors Qg fortgesetzt werden. Demgemäß sind Abstimmungen der Bauteile R1, C1 und R10 überhaupt nicht notwendig.
2. ' Wenn der Ausgang des Transistors Q2 direkt an die Tunnel-Diode Dg über die Bauteile R1 und C1 alleine gegeben wird, sind Zeitverzögerungen und Schwankungen sehr gering.
Die oben erwähnten Vorzüge dieser Erfindung sind kurz durch Ausschaltuen der anhand der Fig. 4A und 4B beschriebenen Vorrichtung erreicht.
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Claims (3)

  1. Aktenzeichen: P 21 24 650.4
    Anmelder : IWASAKI TSUSHINKI K.K.
    Uns. Zeichen: A 18O 71 Pp/ib
  2. 2. August 1971
    (NEUE) PATENTANSPRÜCHE IUM
    Frequenzteiler-Schaltung mit Tunnel-Diode für eine Teilung einer Folge-Frequenz eines Eingangs-Irapulssignals, welches von einer Eingangsklemme auf eine Elektrode dieser Tunnel-Diode gelegt ist, um eine Teilfrequenz an der Ausgangsklemme, welche an dieser einen Elektrode der Tunnel-Diode vorgesehen ist, zu erzeugen, gekennzeichnet durch eine Serienverbindung, welche mit dieser Ausgangsklemme (I3) verbunden ist und welche aus einem Widerstand (R10) unc* aus e*"" ner Kollektor-Emitter-Strecke eines Transistors (Q10) besteht, durch eine Vorspannungs-Vorrichtung (+V.., -V.) für einen notwendigen Vorspannungs-Stromablauf durch die Kollektor-Emitter-Strecke, den Widerstand (R10) 1^ die Tunnel-Diode (Dfl)# so daß ein Arbeltspunkt dieser Tunnel-Diode (Dg) in einem Nieder-
    109849/1729
    l\ 212A650
    spannungs-Bereich gehalten wird, durch einen mit der Eingangs-Klemme (11) verbundenen Impuls-Generator (A) für die Erzeugung eines Impulses mit einer Wiederholungsperiode gleich einem ganzzahligen Vielfachen einer Wiederholungsperiode des Eingangs-Impulssignales, in Synchronität mit sowohl der Anstiegs- wie auch der Abfall-Planke des Eingangs-Impulssignales und durch einen bestabilen Kreis (B), zwischen den Ausgang des Impuls-Generators (A) und der Basis des Transistors (Q-ιλ) geschaltet, wobfci dieser bistabile Kreis entsprechend Jedem Ausgangs-Impuls dieses Impuls-Generators (A) angesteuert und zurückgestellt ist, bis ein gerade nachfolgender Ausgangs-Impuls von diesem Impuls-Generator (A) folgt.
    2. Frequenzteiler-Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgangs-Klemme (13) mit der Rückstell-Klemme (T ) des bistabilen Kreises (B) für die Rückstellung des bistabilen Kreises entsprechend jedem Ausgangs-Impuls verbunden ist.
  3. 3. Frequenzteiler-Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Impuls-Generator (A) ein monostabiler Multivibrator ist.
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    Le e rs ei te
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