DE2059716A1 - Zusammengesetztes Halbleiter-Bauelement zum Nachweis von Infrarotstrahlung und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents
Zusammengesetztes Halbleiter-Bauelement zum Nachweis von Infrarotstrahlung und Verfahren zu seiner HerstellungInfo
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 18
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 24
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 12
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 claims description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 claims 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 241000940612 Medina Species 0.000 description 1
- 241001201483 Selenia <moth> Species 0.000 description 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 1
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004018 waxing Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/125—The active layers comprising only Group II-VI materials, e.g. CdS, ZnS or CdTe
- H10F71/1253—The active layers comprising only Group II-VI materials, e.g. CdS, ZnS or CdTe comprising at least three elements, e.g. HgCdTe
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/76297—Dielectric isolation using EPIC techniques, i.e. epitaxial passivated integrated circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| IT4198869 | 1969-12-04 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2059716A1 true DE2059716A1 (de) | 1971-12-02 |
Family
ID=11253510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19702059716 Pending DE2059716A1 (de) | 1969-12-04 | 1970-12-04 | Zusammengesetztes Halbleiter-Bauelement zum Nachweis von Infrarotstrahlung und Verfahren zu seiner Herstellung |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE2059716A1 (enrdf_load_stackoverflow) |
| FR (1) | FR2072838A5 (enrdf_load_stackoverflow) |
| NL (1) | NL7017290A (enrdf_load_stackoverflow) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3963925A (en) * | 1975-02-26 | 1976-06-15 | Texas Instruments Incorporated | Photoconductive detector and method of fabrication |
-
1970
- 1970-11-26 NL NL7017290A patent/NL7017290A/xx unknown
- 1970-12-03 FR FR7043494A patent/FR2072838A5/fr not_active Expired
- 1970-12-04 DE DE19702059716 patent/DE2059716A1/de active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL7017290A (enrdf_load_stackoverflow) | 1971-06-08 |
| FR2072838A5 (enrdf_load_stackoverflow) | 1971-09-24 |
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