DE2051892C3 - Halbleiteranordnung - Google Patents
HalbleiteranordnungInfo
- Publication number
- DE2051892C3 DE2051892C3 DE2051892A DE2051892A DE2051892C3 DE 2051892 C3 DE2051892 C3 DE 2051892C3 DE 2051892 A DE2051892 A DE 2051892A DE 2051892 A DE2051892 A DE 2051892A DE 2051892 C3 DE2051892 C3 DE 2051892C3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- zone
- highly doped
- semiconductor
- circuit elements
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H10W15/00—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
- H10D84/60—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of at least one component covered by groups H10D10/00 or H10D18/00, e.g. integration of BJTs
- H10D84/63—Combinations of vertical and lateral BJTs
-
- H10W15/01—
Landscapes
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Element Separation (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL6916987.A NL162248C (nl) | 1969-11-11 | 1969-11-11 | Halfgeleiderinrichting. |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2051892A1 DE2051892A1 (de) | 1971-05-19 |
| DE2051892B2 DE2051892B2 (de) | 1978-03-23 |
| DE2051892C3 true DE2051892C3 (de) | 1978-11-30 |
Family
ID=19808364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE2051892A Expired DE2051892C3 (de) | 1969-11-11 | 1970-10-22 | Halbleiteranordnung |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5425398B1 (enExample) |
| AT (1) | AT345344B (enExample) |
| BE (1) | BE758719A (enExample) |
| CH (1) | CH522296A (enExample) |
| DE (1) | DE2051892C3 (enExample) |
| ES (1) | ES385353A1 (enExample) |
| FR (1) | FR2067088B1 (enExample) |
| GB (1) | GB1325019A (enExample) |
| NL (1) | NL162248C (enExample) |
| SE (1) | SE352782B (enExample) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4125855A (en) * | 1977-03-28 | 1978-11-14 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Integrated semiconductor crosspoint arrangement |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1541490A (fr) * | 1966-10-21 | 1968-10-04 | Philips Nv | Dispositif semi-conducteur et procédé pour sa fabrication |
| US3538397A (en) * | 1967-05-09 | 1970-11-03 | Motorola Inc | Distributed semiconductor power supplies and decoupling capacitor therefor |
| FR1579658A (enExample) * | 1968-06-27 | 1969-08-29 |
-
0
- BE BE758719D patent/BE758719A/xx unknown
-
1969
- 1969-11-11 NL NL6916987.A patent/NL162248C/xx not_active IP Right Cessation
-
1970
- 1970-10-22 DE DE2051892A patent/DE2051892C3/de not_active Expired
- 1970-11-06 CH CH1648970A patent/CH522296A/de not_active IP Right Cessation
- 1970-11-06 GB GB5291670A patent/GB1325019A/en not_active Expired
- 1970-11-09 AT AT1005270A patent/AT345344B/de not_active IP Right Cessation
- 1970-11-09 FR FR7040188A patent/FR2067088B1/fr not_active Expired
- 1970-11-09 ES ES385353A patent/ES385353A1/es not_active Expired
- 1970-11-09 SE SE15109/70A patent/SE352782B/xx unknown
- 1970-11-11 JP JP9901070A patent/JPS5425398B1/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL6916987A (enExample) | 1971-05-13 |
| ATA1005270A (de) | 1978-01-15 |
| DE2051892B2 (de) | 1978-03-23 |
| NL162248C (nl) | 1980-04-15 |
| CH522296A (de) | 1972-06-15 |
| SE352782B (enExample) | 1973-01-08 |
| FR2067088A1 (enExample) | 1971-08-13 |
| GB1325019A (en) | 1973-08-01 |
| DE2051892A1 (de) | 1971-05-19 |
| NL162248B (nl) | 1979-11-15 |
| ES385353A1 (es) | 1973-04-16 |
| FR2067088B1 (enExample) | 1976-04-16 |
| AT345344B (de) | 1978-09-11 |
| JPS5425398B1 (enExample) | 1979-08-28 |
| BE758719A (fr) | 1971-05-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3685709T2 (de) | Substratstruktur zur herstellung einer halbleiterverbundanordnung. | |
| DE3135269C2 (de) | Halbleiteranordnung mit herabgesetzter Oberflächenfeldstärke | |
| DE1944793C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiteranordnung | |
| DE4013643A1 (de) | Bipolartransistor mit isolierter steuerelektrode und verfahren zu seiner herstellung | |
| DE1260029B (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen auf einem Halbleitereinkristallgrundplaettchen | |
| DE2834759C2 (de) | Schutzeinrichtung für die isolierte Gate-Elektrode eines MOS-Halbleiterbauelements | |
| DE1539079A1 (de) | Planartransistor | |
| DE3785483T2 (de) | Halbleiteranordnung mit einem Bipolartransistor und Feldeffekttransistoren. | |
| DE2453279C3 (de) | Halbleiteranordnung | |
| DE2832154A1 (de) | Halbleitervorrichtung mit isoliertem gate | |
| DE2442810A1 (de) | Halbleiteranordnung, verfahren zu ihrer herstellung und schaltung mit einer solchen anordnung | |
| DE1614300B2 (de) | Feldeffekttransistor mit isolierter Steuerelektrode | |
| DE2556668A1 (de) | Halbleiter-speichervorrichtung | |
| DE2030917B2 (de) | Halbleiteranordnung | |
| DE2054863A1 (de) | Spannungsverstärker | |
| DE2155816A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit mindestens einem Feldeffekttransistor mit isolierter Torelektrode, und durch dieses Verfahren hergestellte Halbleiteranordnung | |
| DE1194500B (de) | Halbleiterbauelement mit einer Mehrzahl von eingesetzten streifenfoermigen Zonen eines Leitfaehigkeitstyps und Verfahren zum Herstellen | |
| DE1297762B (de) | Sperrschicht-Feldeffekttransistor | |
| DE2247911C2 (de) | Monolithisch integrierte Schaltungsanordnung | |
| DE1614250C3 (de) | Halbleiteranordnung mit Gruppen von sich kreuzenden Verbindungen | |
| DE68925150T2 (de) | Bipolartransistor und Verfahren zu dessen Herstellung | |
| DE2051892C3 (de) | Halbleiteranordnung | |
| EP0361318A2 (de) | Thyristor | |
| DE2263075C3 (de) | Elektrische Spannungsversorgung für eine monolithisch integrierte Halbleiteranordnung | |
| DE2101279C2 (de) | Integrierter, lateraler Transistor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |