DE2049555A1 - Integrierte, in einem gemeinsamen Halbleiterkörper untergebrachte Schaltungsanordnung - Google Patents

Integrierte, in einem gemeinsamen Halbleiterkörper untergebrachte Schaltungsanordnung

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DE2049555A1
DE2049555A1 DE19702049555 DE2049555A DE2049555A1 DE 2049555 A1 DE2049555 A1 DE 2049555A1 DE 19702049555 DE19702049555 DE 19702049555 DE 2049555 A DE2049555 A DE 2049555A DE 2049555 A1 DE2049555 A1 DE 2049555A1
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DE19702049555
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Hans Dipl.-Phys. Dr. 6380 Bad Homburg; Kosak Wolodimir 7129 Talheim. MP Jäger
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    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/60Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of at least one component covered by groups H10D10/00 or H10D18/00, e.g. integration of BJTs
    • H10D84/611Combinations of BJTs and one or more of diodes, resistors or capacitors
    • H10D84/613Combinations of vertical BJTs and one or more of diodes, resistors or capacitors
    • H10D84/617Combinations of vertical BJTs and only diodes

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