DE2041439A1 - Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung

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Germany
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plane
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recess
etched
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Pending
Application number
DE19702041439
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German (de)
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Inventor
Toshiro Matsui
Masashi Nakagawa
Makoto Tokungaga
Tadashi Utagawa
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Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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